JPS605234B2 - ジヨセフソン接合素子の製造方法 - Google Patents

ジヨセフソン接合素子の製造方法

Info

Publication number
JPS605234B2
JPS605234B2 JP56188161A JP18816181A JPS605234B2 JP S605234 B2 JPS605234 B2 JP S605234B2 JP 56188161 A JP56188161 A JP 56188161A JP 18816181 A JP18816181 A JP 18816181A JP S605234 B2 JPS605234 B2 JP S605234B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
envelope
glass
electrode
josephson junction
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56188161A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5889879A (ja
Inventor
尚俊 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP56188161A priority Critical patent/JPS605234B2/ja
Publication of JPS5889879A publication Critical patent/JPS5889879A/ja
Publication of JPS605234B2 publication Critical patent/JPS605234B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0912Manufacture or treatment of Josephson-effect devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はジョセフソン接合素子、特に点接触ジョセフ
ソン接合素子の製造方法に関する。
周知のようにジョセフソン接合素子は電磁波の検波器と
して使用されるものであり、現今では点接触接合素子が
主に用いられている。第1図は従来のこの種接合素子の
断面図を示す。この構成は真ちゆう製の外囲器1を用い
たもので、Nb線材からなる針電極2をNbからなるウ
イスカポスト3に溶接し、これをボリカーボネートのよ
うな絶縁体4に接着してから外囲器1に固定する。又点
接触の平面電極5はNb棒からなり、その周囲にねじを
切り、これを外図器1にねじ込み、このねじの遊びを補
償するため後部よりNb製の押え棒6を挿入する。押え
棒6には孔7があげられてあり、特殊な同軸ドライバを
用いて平面電極5と押え棒6とを適当に前進、後退させ
て針電極2との接合を調節してから固定する。更に押え
棒6のねじ部に接着剤を注入して、素子の密封と固定を
完全にする。このような構成によれば機械的振動、熱サ
イクル等の問題については一応解決できるものの、その
製作が極めて面倒である。
すなわち上述したように絶縁体4の外囲器1に対する固
定、平面電極5の接合位置の設定のためのねじ加工、平
面電極5の外囲器1に対する固定更にはねじの遊びの補
償等が必要であり、その製作のために再現性、安定性に
欠けるため、大量生産にはどうしても適応できない。こ
の発明はこの種接合素子を再現性、安定性に充分に対応
できる製造方法を提供することを目的とする。
この発明の実施例を第2図以降の各図によって説明する
第2図はこの発明によって製作された接合素子の断面図
を示し、11はガラス製の管状の外囲器、12はNb線
材からなる針電極、13は同じくNb材からなる平面電
極である。針電極12は弾性をもたせるために屈曲して
あり、その先端は電解エッチング等により先鋭化されて
ある。そしてこの先端が平面電極13に点接触する。1
4,15は外囲器11のガラスと熱膨張係数の合ったデ
ュメット線、16,17は前記ガラスと同質のガラスで
製造工程において加熱されて外囲器11に溶着され、外
函器11内を封止する。まず第3図に示すようにデュメ
ット線14の先端に平面電極13を溶接して固着すると
ともに、外囲器11のガラスと同質のガラス玉16′を
つけておく。
針電極12はこれに弾性をもたせるため予め屈曲させて
おき、これもデュメツト線15の先端に溶接して固着し
、かつ外囲器11のガラスと同質のガラス玉17′をつ
けておく。ガラス;16′,17′は円筒状とされてあ
り、その中心に各デュメット線14,15を挿通してお
く。なお前記溶接の際に汚れがでた場合、希フッ酸等で
エッチングし洗浄するとよい。次に第3図、第4図に示
す針電極12、平面電極13を外囲器11の各端部から
互に向かい合うように挿入する。
そして針電極12と平面電極13との接合圧を所望どお
り維持した状態(そのためにはデュメット線14,15
の一方又は両方を適宜加圧すればよい。)で、ガラス玉
16′,17′と外園器11とが接している部分のみを
加熱する。この加熱によりガラス玉と外囲器11とがと
げ合って溶着し、外囲器11内は気密に封止される。又
ガラス玉16′,17′は加熱により第2図に示すガラ
ス16,17となり、外因器11と一体となるので、機
械的にも安定し、接合圧も確実に維持される。そしてガ
ラスを使用しているので耐熱性も充分であり、室温、N
2、Heの温度サイクルにも充分耐えられる。なおジョ
セフソン効果をもたらすためには、針電極12、平面電
極13の表面に酸化膜が必要であるが、前述のようにガ
ラス封止する際に、不活性ガス(たとえばN2ガス)と
酸化性ガス(たとえば02ガス)とを適当な比率で混合
した雰囲気ガスを使用すれば、希望する膜厚の酸化膜を
形成することができる。
実際には前記したガラス封止には、第5図に示すように
一対のグラフアィト治具21,22を用意し、両沿具2
1,22間に、内部に各部品を挿入した外圏器11を配
置し、各治具21,22を発熱させることによってガラ
ス玉16′,17′を外囲器11に溶着するとよい。
この場合上部となるデュメツト線(図の例ではデュメッ
ト線14)に重りなどをおくことにより、接合圧を自由
に選定できる。又両拾具21,22間を冷却すれば、針
電極12、平面電極13及びその周囲の外園器11の周
壁の加熱を極力回避することができる。両沿具21,2
2間に多数の外園器を配置すれば、一度に多数の外囲器
についてのガラス封止が可能となる。なお実施例ではジ
ョセフソン接合素子用の電極としてニオブ(Nb)を用
いて説明したが、ニオブに限られることなくすべての超
伝導材料例えば鉛、スズ、バナジウム、インジウムでも
よいことは言うまでもない。以上詳述したようにこの発
明によれば、ガラスの外囲器とデュメット線のガラスと
の溶着により封止するので、従来のようなねじによる場
合よりも再現よく、かつ安定に製作でき、又ねじの遊び
の補償も不用となるし、更にデュメツト線自体をリード
として使用できるので、従来のように別個にリードを接
続する必要はなくなり、又構成も簡単であることとあい
まって大量に生産することもでき、酸化膜厚も封止時の
ガス成分により任意にコントロールできるし、しかも各
電極の接合位置の保持、並びに封止は単にガラスの溶着
のための加熱だけでよいので、その製作が極めて容易で
あるといった諸効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の断面図、第2図はこの発明方法によっ
て製作されたものの断面図、第3図、第4図は一部の断
面図、第5図は製作工程の一部を説明する断面図である
。 11・・・・・・外園器、12・・・・・・針電極、1
3・・・・・・平面電極、14,15・・・・・・デュ
メツト線、16,16′,17,17′……ガラス。 案〆図 第2図 第3図 第4図 弟づ図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ガラスからなる管状の外囲器の一方の端部に、先端
    にジヨセフソン接合素子用の平面電極を固定した、前記
    外囲器と熱膨張係数の合ったデユメツト線を挿入し、又
    他方の端部に、先端にジヨセフソン接合素子用の針電極
    を固定した、前記外囲器と熱膨張係数の合ったデユメツ
    ト線を挿入し、前記平面電極と針電極とが点接触した状
    態で、前記各デユメツト線に設けたガラスとこのガラス
    に向かい合う前記外囲部分とを加熱により溶着して封止
    してなるジヨセフソン接合素子の製造方法。
JP56188161A 1981-11-24 1981-11-24 ジヨセフソン接合素子の製造方法 Expired JPS605234B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56188161A JPS605234B2 (ja) 1981-11-24 1981-11-24 ジヨセフソン接合素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56188161A JPS605234B2 (ja) 1981-11-24 1981-11-24 ジヨセフソン接合素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5889879A JPS5889879A (ja) 1983-05-28
JPS605234B2 true JPS605234B2 (ja) 1985-02-08

Family

ID=16218815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56188161A Expired JPS605234B2 (ja) 1981-11-24 1981-11-24 ジヨセフソン接合素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS605234B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227388A (ja) * 2007-03-22 2007-09-06 Mitsubishi Materials Corp 電子部品封入体

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227388A (ja) * 2007-03-22 2007-09-06 Mitsubishi Materials Corp 電子部品封入体
JP4544255B2 (ja) * 2007-03-22 2010-09-15 三菱マテリアル株式会社 電子部品封入体

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5889879A (ja) 1983-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3061664A (en) Glass-to-metal seals and method of fabricating same
US2699594A (en) Method of assembling semiconductor units
JPS62287560A (ja) 光電子増倍管の製造方法
JPS605234B2 (ja) ジヨセフソン接合素子の製造方法
US4565925A (en) Infrared detector dewar with all-Kovar leads, and method of making the same
JPS5886428A (ja) 金属管封入型温度センサの製造法
US3534233A (en) Hermetically sealed electrical device
US4597175A (en) Method for making infrared detector dewar
US3193366A (en) Semiconductor encapsulation
JPS59218928A (ja) 温度センサ
JP3131370B2 (ja) 半導体圧力センサ及びその製造方法
US3515530A (en) Process for sealing metal body to glass body
US6779266B2 (en) 2nd anode button for cathode ray tube
JPH01235304A (ja) ガラス封入形サーミスタの製造法
JPS57129011A (en) Glass sealed quartz oscillator and its manufacture
JPH0126538B2 (ja)
JPS58123643A (ja) X線管用陰極及びその製造方法
JPS60132347A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01293581A (ja) 超電導素子の製造方法
JP2828283B2 (ja) 半導体容器及びその製造方法
JP2650190B2 (ja) 大出力白熱電球の製造方法
JPS6114139Y2 (ja)
JPS635255Y2 (ja)
JPS58210641A (ja) 小型電子部品の製造法
JPS6348906A (ja) ガラス封止圧電振動子の製造方法