JPS6052028A - 半導体装置の製造法 - Google Patents

半導体装置の製造法

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JPS6052028A
JPS6052028A JP58160720A JP16072083A JPS6052028A JP S6052028 A JPS6052028 A JP S6052028A JP 58160720 A JP58160720 A JP 58160720A JP 16072083 A JP16072083 A JP 16072083A JP S6052028 A JPS6052028 A JP S6052028A
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pellet
thermoplastic resin
metal foil
coated
metallic foil
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Toshiaki Fukushima
利明 福島
Hiroshi Minamizawa
南沢　寛
Hisashi Takagame
高亀　寿
Toyoichi Ueda
豊一 植田
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Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造法に関する。
ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の製造において。
基板にベレットと呼ぶ半導体小片からなる電気回路素子
を固定する工程がある。
従来、この工程において半導体ベレットをベレツト付は
面、たとえばリードフレームのタブ上にボンディングす
る場合、銀（Ａｇ　）ペースト等を用いている。
この場合、まずタブ上に銀ペースト層をディスペンス法
またはスクリーン印刷法で形成する。次に、銀ペースト
層上に半導体ベレット上搭載し。
銀ペースト層を硬化させている。このようにしてベレッ
ト付けを終えた後ワイヤボンディングを行って、レジン
モールド法等で封止する。
しかし、前記従来法の場合、銀ペーストの粘度のばらつ
きや劣化等に起因して、ディスペンスまたはスクリーン
印刷により形成されるペーストの量や形状等にばらつき
が生じてしまう。その結果。
ペースト厚にばらつきが発生し、ベレット付は強度の信
頼性が低下する。したがって、最悪の場合には、ペース
ト量の不足に起因するベレット付は強度の不足によシ、
ワイヤボンディング時にベレットの剥離を生じたり、あ
るいはペーストの量が多すぎる場合には、ペーストがベ
レット上にまで回り込んで特性不良を生じ９歩留りや信
頼性を低下させてしまう。
そのため、ペレット付けの自動化が困難となり。
ペースト量の制御を相当の頻度で行わなければならない
ために作業性も低下してしまう。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解消し。
常に所望のペレット付は用樹脂材料を一定量ずつ供給し
、安定したペレット付けを信頼性良く行うことのできる
ペレット付は方法を提供することにある。
すなわち１本発明は、熱可塑性樹脂材料で両面を被覆さ
れた金属箔片を基板のペレット付面上に載せ、該金属箔
片上に半導体ペレットを載せて被着することによりペレ
ット付けすることを特徴とする半導体装置の製造法に関
する。
本発明において、熱可塑性樹脂材料としては。
特に制限はないが、ガラス転移点が１６０℃以上で熱分
解開始温度が３５０℃以上のものが好ましい。
本発明の熱可塑性樹脂材料の例としては２次の一般式（
１１または一般式（Ｉｆ）で表わされる繰り返し単位を
有する熱可塑性樹脂がある。
一般式（１） ％式％（ ここに、上記一般式（１１中、Ｘは結合、　−０−。
−８０２、−Ｃ、−Ｃ−０−、−ｓ　−、−ＮＨ−Ｃ。
ル または−Ｃ−であシ、　ＲＳおよびＲ６はＨ，ＣＨ３゜
６ Ｃ２Ｈ５，Ｃ３Ｈ７，ＣＦａまたはＣＣ１ｓであり、　
Ｒ５およびＲ６は同一でも相異っていてもよい。また、
Ｒ１゜＆、凡３およＵＲ４はＨ、ＣＨｓ　、ＣｚＨｓ　
、Ｃ５Ｈｔ　。
ＯＣＨ３，ＯＣ２Ｈ５，０ＣｓＨｔ、ＢｒまたはＣＩ！
　であり＋　Ｒ１＋　Ｒ２１Ｒ３およびＲ４は同一でも
相異ってもよい。更に上記繰シ返し単位は適宜の組み合
わせで結合してもよい。
上記樹脂の具体例としては次の如きものが挙げ５− ６− に 上記に於て、商品例として他に、アストレル３６０（カ
ーポランダム社製、ポリアリーレンスルホン）、エコノ
ール（カーボランダム社製、ポリアリーレンエステル）
も包含される。
これらの中で芳香族ポリエーテルアミドを用いることが
好ましい。又当該芳香族ポリエーテルアミドとしては１
例えば次の一般式（ＩＩＩ）で示される芳香族ジアミン ・・・・・・・・・・・・ｆｌ［１１ （式中、Ｒ１−Ｒ４およびＲ５−Ｒ６は上記に同じであ
る。） と次の一般式ｆｌＶ）で示される芳香族ジカルボン酸シ
バライド ＸＣ０−Ａｒ−Ｃ０Ｘ （式中、Ａｒは上記に同じでらり、又Ｘは塩素又は臭素
を示す） とを公知の方法９例えば溶液重合法や特開昭５２−２３
１９８号公報に示される方法によって反応させて得られ
るものが好ましい。
ここに上記一般式（Ｉ［ｌ）で示される芳香族ジアミン
としては、例えば２．２−ビス（４−（４−アミノフェ
ノキシ）フェニル）プロパン、ビス〔４−（４−アミノ
フェノキシ）フェニル〕メタン。
２．２−ビス〔３，５−ジメチル−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニルプロパン、ス２−ビス〔３−メチル
−４−（４−アミノフェノキシ〕フェニル〕プロパン、
２．２−ビス（３，５−シフロモ−４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニルプロパンなどがあり、これらの１種
以上が用いられる。
又一般式（Ｍで示される芳香族ジカルボン酸ジノ１ライ
ドとしては１例えばテレフタル酸ジクロライド、イソフ
タル酸ジクロライド、ジフェニルエーテルジカルボン酸
ジクロライド、ジフェニルジカルボン酸ジクロライド、
ナフタレンジカルボン酸ジクロライドなどがあげられ、
これらの１種以上が用いられ、特にテレフタル酸ジクロ
ライド、イソフタル酸ジクロライドの混合物が好ましく
用い９− られる。
更に芳香族ジノ１ルボン酸シバライド以外のアミド形成
性誘導体と一般式＋ｌ１ｌ）で示される芳香族ジアミン
との公知のポリアミド生成反応９例えばリン系触媒によ
る高温重縮合めるいはエステル交換法などによっても芳
香族ポリエーテルアミドを得ることができる。かかる芳
香族ポリエーテルアミドの還元粘度（η　、０．２ｇ／
ｄｌ　ジメチルホル富ｐ／ｃ ムアミド溶液、３０℃）は０．５〜４．０好ましくは１
．５〜２．０である。０．５未満では熱安定性が低下し
、４．０を越えると加工性が劣る。
本発明に於ては、上記で例示した熱可塑性樹脂の２種類
以上をブレンドして用いてもよく、又後述する如き、半
導体ベレットを基板に接合させる際の各種の態様に応じ
てその種類を適宜選択すればよい。
本発明の金属箔としては、銅、アルミニウム。
鋏、Ｎｉ等の金属箔が好ましく、それぞれ単独で用いて
も合金として用いてもよい。
該金桝箔の両面は、上記熱可塑性樹脂で被覆さ一１〇− れたものでるり、これは、金属箔を樹脂溶液にディッピ
ングする方法等により製造できる。このとき、熱可塑性
樹脂を溶かすのに用いられる溶媒としては、樹脂の種類
によって異なるが、トルエン。
キシレン等の芳香族系溶媒、アセトン、メチルエチルケ
トン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒。
エチルセロソルブ、プチルセロンルプ等のエーテルグリ
コール系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、Ｎ−メチルピロリドン等の窒素原子を含む極性
溶媒が挙げられる。通常、溶液の濃度は１０〜２０重量
係にすればよい。
金属箔の厚みは１０〜２０μｍが好ましく、熱可塑性樹
脂材料の厚さは片面で１０〜５０μｍが好ましい。本発
明には、ベレットの結合部材としてこのようなものが使
用されるが、金属箔を使用することにより熱伝導が良好
になり、また、熱可塑性樹脂材料のみを使用する場合に
比し、結合部材の製造及び取扱いが容易になる。
本発明の熱可塑性樹脂材料で両面が被覆された金属箔は
、基板および半導体ベレットの大きさにより、所定の大
きさの片が使用されるが、このためには、リボン状の金
属箔の両面を熱可塑性樹脂で被覆したものを、適宜所定
の長さに切断して。
ペレット付に供するのが好ましい。
以下１本発明を図面に示す実施例に従って、詳細に説明
する。
第１図ないし第６図は本発明の半導体装置の製造法の一
実施例を示す概略説明図である。
熱可塑性樹脂材料により両面を被覆された金属箔（以下
、単に「金属箔」という）が第１図に示すようにリール
Ｒ上に巻かれたリボン１として順次供給される。
前記金属箔のリボン１は次いで適宜のカッター（図示せ
ず）により第２図の如く所定の長さのデスク状の切断片
２として一定の長さおよび形状に切断され、各切断片２
の樹脂及び金属箔量は一定である。
前記切断片２の各々はペレット付は面たとえばリードフ
レーム３のタブ４上に載せられる（第３図）。この場合
、切断片２はタブ４上に位置決めされるだけでもよく、
あるいは加熱によりタブ４上に溶着した状態にしてもよ
い。
次に、前記切断片２の上に半導体ペレット５が載せられ
、加熱により該半導体ペレット５は切断片２と耐着され
る。上記加熱は、ヒーターによる加熱、超音波による加
熱、赤外線照射による加熱等音用いることができる。こ
の時、熱可塑性の樹脂を金属箔の両側にシーテイングし
ているので。
樹脂の軟化点以上の温度で加熱することでペレット付け
を行うがその後熱可塑性樹脂材料は常温にもどすことで
硬化させることができる。これによりペレット付けは完
了する。
ペレット付は終了稜、半導体ペレット５の電極部とリー
ドフレーム３のインナーリード部との間をワイヤ６のボ
ンディングにより電気的に接続する。
その後、第６図に示すように、レジン７でモールドする
ことにより封止すると、半導体装置の組立てが寥了する
。
本実施例では、熱可塑性樹脂で両面が被覆され１３− た金属箔はリボン１として供給した後に所定長さの切断
片２に切断されるので、ペレット付けのための樹脂及び
金属箔が常に一定の量および形状で供給される。その結
果、樹脂及び金属箔の量や形状のばらつきに起因するペ
レット付は強度の不足や特性不良を排除でき、ペレット
付けの信頼性が高くなり１歩留りを向上させることがで
きる。しかも１作業能率が良くなり、自動化も容易とな
る。
なお、前記実施例では１両側に熱可塑性樹脂をコーティ
ングした金属箔をまず最初にリボン状で供給したものを
所定長さに切断したが、予め所定長さの切断片に切断し
ておいたものを直接最初から供給するようにしてもよい
。
また、樹脂材料としては、銀等の無機材料を含有してい
てもよく、さらにガラス布に樹脂を含浸したものを用い
るとペレット付は強度を高めるために有効でるる。
なお１本発明はレジンモールド型以外の半導体装置の組
立てにも適用できる。
以上説明したように９本発明によれば、ベレン１４− ト付は用の樹脂及び金属箔を常に一定の量や形状等で供
給できるので、樹脂量の過少によるペレット付は強度の
不足や、樹脂量の過多による特性不良等を起こすことが
なく、ペレット付けの歩留りおよび信頼性を向上させる
ことができる。また。
ペレット付けの自動化９作業能率の向上が容易に可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
第１図ないし第６図は本発明によるペレット付は方法の
一実施例を用いた半導体装置の組立工程を順次示す概略
的説明図である。 符号の説明 １・・・リボン　２・・・切断片 ３・・・リードフレーム　４・・・タブ５・・・半導体
ペレット　６・・・ワイヤ７・・・レジン １５− 笥　１　Ｎ １５５−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、熱可塑性樹脂材料で両面を被覆した金属箔片を基板
    のベレツト付面上に載せ、該金属箔片上に半導体ベレッ
    トを載せて被着することによシベレット付けすることを
    特徴とする半導体装置の製造法。 ２　上記金属箔片が熱可塑性樹脂で両面を被覆したリボ
    ン状金属箔を所定の長さに切断したものである特許請求
    の範囲第１項記載の半導体装置の製造法。
JP58160720A 1983-09-01 1983-09-01 半導体装置の製造法 Pending JPS6052028A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0730294A2 (en) 1995-02-28 1996-09-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device fabricating method of semiconductor device, and die-bonding method of semiconductor device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5671947A (en) * 1979-11-19 1981-06-15 Toshiba Corp Foiling

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