JPS6051822A - 光制御素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光制御素子に関する。特に、可動部を有しな
い光制御素子に関する。

光ビームの方向を制御する光偏向素子は、光通信におけ
る光スイツチマトリックスをはしめ、レーザプリンタ、
レーザディスプレイなどの分ｇＩｒで、種々の応用が期
待されている。しかし可動部を持たない光偏向ｚ：ｉと
して実用化されノこものは無い。

その理由としては、 （１）偏向角が高々　１°程度で小さい、（２）構造面
で実用化上の未解決点があり、例えば、超音波偏向器で
は、トランスデユーサの基板パへの貼りイ」け法などの
技術が確立していない、などをあげることができる。

本発明は低電圧でも大きな偏向角がＨＨ７られ、かつｆ
Ｍ造が中絶で製造上の問題を少なくすることにより、従
来の欠点を改良し、半導体し・−ヂなどと隼積化するこ
とにより、光築稍回路を実現するに適した光制御素子を
提供することをに１的とする。

以下に本発明にかかわる偏向と集光作用の原理について
述べる。第１図は原理を説明するだめの図であって、第
１図（Ａ）は半導体層内に形成された先導波路列の断面
図である。矢印はコヒーシン１−光の進行方向を示す。

図のｙ］１＜塗りっふした部分が光導波路である。第２
図（Ｙ３）は光導波路を通過した光強度の遠視野像を示
す図である。

第１図（Ａ）に示すような光導波路列にて、電極幅をａ
、導波路間隔をｂ、プレイ全体の長さをＣとし、各先導
波路に同位相のコヒーレント光が進んできたとすると、
その回折像は導波路Ｇこよる光強度分布のフーリエ変換
で与えられる。すなわち光強度分布は（１）式で表わさ
れる。

ＩＩ　（＝−）　−−−−−−−−ｍ ここで、ｎ（，６）は幅ａのパルス、ｍ（古）はδ関数
を間隔すで並べたものを表わす。また’４’　４Ｊ：　
：Ｉンボリュションである。（１）式は全体で幅ａのパ
ルスがビッヂｂで、Ｃの長さだすならんでいることを表
わしている。（１）式のフーリエ変換Ｇ（「）は、Ｇ（
ｆｌ−ａ　ｂ　ｃ　（ｓｉｎｃ　（ａｆ）　ＩＴＩ　（
ｌ汀）〕＊　５ｉｎｃ　（ｃｌ）　（２１ である。ただし、（２）式において、５ｉｎｃ（Ｘ）は
シンク関数で ｓｉｎ　（πＸ） π　Ｘ に等しい。（２）式は第１図（Ｂ）に表わすことができ
る。次に、ビームを偏向さ−Ｕる場合を考える。

＋１１式でｇ（×）の変わりに ｇ（ｘｉ　ｅｘｐ　（ｊ２πφＸ） （ｊば虚数単位） を考え、フーリエ変換すると、明らかにｇ（ｘｉ　ｅｘ
ｐ　（−ｊ２πφＸ） のフーリエ変換は Ｇ（ｆ−φ）　−−−−−−＋３１ ンは、ｆ方向へφだけ平行移動する。ずなわら偏向が発
生ずる。

とごろで、この偏向は１／ｂだり偏向すると、メインロ
ーブは、偏向前のジ′イｌ：’　＋：＋−ブの位置まで
動く。このときは、φ−２πに相当している。

したがって偏向を考えるときは、Ｏ≦φ〈２π、（また
は−π≦φ〈π）の範囲で占えるのが実際的である。

ここで、光導波路の配列順に各導波光にΔψずつの位相
差を増加させる。このとき（３）式に従ってΔφだけ偏
向する。ところでｎ％目の導波路の位相差が２πを越え
、 （ｎ−１）Δφ−２π１Δφ′ とＰｉｌｏするものとする。ところで位相が２πを越え
るともとに戻る。つまり（３）式の代わりに［ｔｘ＋・
ｅｘｐ　−ｊ　（−２πφｘ＋２ｍπ）とおいてもこれ
は ｇ（Ｘ）・ｅｘｐ（：２πφＸ） に等しい。ただしｍ＝ｏ、Ｉ　−とする。したがってｎ
本口の導波路の位相差は、２πＩ−Δφ′の代わりにΔ
φ′としてよいことがわかる。

以上のことは、各導波路の位相差をその印加電圧によっ
て制御する場合に有効である。つまり２πの位相差を与
える電圧を■２よ　とすれば、すべての電極への印加電
圧を■２π　以下にすることができる。この関係を第２
図に示す。なお、第２図にて折れ線２１は位相差Δφの
小さい場合を、折れ線２２ばΔφの大きい場合を示す。

ところで、各導波路は等間隔で配置されていなくてもよ
い。第１図では、等間隔に配置したが、等間隔でない場
合でも（１）式、（２）式の形が多少異なるが（３）式
に従って位相変化を与えれば、偏向することは明らかで
ある。また、導波路の数をＮ本とすると、メインローブ
の高さはＮ’に比例し、幅は］／Ｎに比例することがわ
かる。

φしこビーＪ、の分子’Ａ′ｆｉヒについて−ちえる。

ツインＩ」−ブの（扁向は、偏向前のジーイ１０−ブの
位ｉｔまでの範囲とすると、分解能を−１−げるに番、
１、メ・インローブの幅（１／ｃ＞を隣のり′イじＩＪ
−ゾまでの距Ｎ＋（］／ｂ）に対して小さくとればよい
。そのためにｉ；Ｊ’、　ｂ　／　ｃ、つまり先導波路
の数を多くすればよい。

４−発明の第一の発明は、半導体層と、この半導体層の
表面に設けられた複数の電極とを備えていて、上記電極
に電圧を与えて上記半導体層内にシングルモードの光導
波路を選択的に形成′Ｊ″るとともに印加電圧の大きさ
により光ビームの偏向角を制御することを特徴とする。

その製造方法は、二種灯Ｉあって第一の製造方法は、半
導体ｊ響と複数の電極との接合をシヨ・７１−キー接合
としたものであり、第二の製造方法は半導体層にｐｎ接
合部分を形成し、また半導体層と複数の電極との接合を
オーミック接合としたことに動機が２ｋ）る。この製造
方法にては、電極と導波路の位置合わ−Ｕは不要である
。

本発明の第四の発明は、半導体ないし誘電体内に、適切
な製造工程で形成されたシングル・モードの光導波路と
、上記半導体ないし誘電体の表面に設りた複数の電極と
を備えていて、この電極の印加電圧の大きさにより光ビ
ームの偏向角を制御することを特徴とする。

まず第一の発明の実施例素子につき説明する。

第一の発明では、半導体層上の光導波路は下記の原理に
基づき電極を半導体層表面に設＆Ｊることにより形成さ
れる方法を用いる。すなわちキャリア濃度差ΔＮによる
屈折率変化は、一般に次式で与えられる。

２εｏｎｍω２ ここで、ｅばキャリアの電荷、ｒｎはキャリアの有効質
量、ωは光の角周波数、ε０ばキャリア濃度０での誘電
率である。ＧａＡｓではΔＮ−５Ｘ］０１″ａｔｏｍｓ
　／ｃｔに対し、λ−１ｐｍとするとΔｎ＝０．０１と
なり、十分な光導波路を形成さ−Ｕることができこの方
法によれば、７ｔｉ極と導波路の位置合わせが不要であ
る。すなわち本発明はフリーキャリアの濃度差による屈
折率変化を用いるもので、ｐ　ｒｌ接合の空乏層の利用
およびシラノ１−キー接合下の空乏層の利用によるもと
二種類がある。

第３図および第４図は第一の発明の実施例素子の基本と
なる素子の構成を示ずし１である。図に示すように、本
実施例素子は化合物半導体基板４１上に形成された光導
波路４２と複数本の電極４３とで構成されている。

次に第５図、第６図、第７図、第８図および第９図はオ
ーミック電極とｐ　ｎ接合上の空乏層を光導波路とした
もので、第一の製造方法により形成した第一の発明の実
施例素子を示す。

第５図はｎ−ＧａＡｓ基板５１を用いた実施例素子光導
波路の形成例で、ｎ−ＧａＡｓ基板５１上に、例えばＧ
ｅドーフ゛したｐ−ＧａＡｓ１５２をエピタキシアル成
長させ、基板の上下面に、例えば篩のオーミック電極５
３．５４を形成したものである。基板」二下面の電極５
３．５４間に逆バイアス電圧を印加Ｊると、ｐ　１１　
接合−■−の空乏層５５が広がる。同１１１に空乏ＩＨ
、＋５　ｒｊｌＩ分では、キャリア濃度の低下により屈
折イ・τが」−冗するため、印加電圧によって選択的に
光導波路がｐ−ＧａＡｓ１ｉｉｉｉ５２の電極下に形成
される。空乏層５４ばｎ　−ＧａＡｓ基板５１側に広＜
　Ｐ　ＧａＡｓ層５２側に狭い。これは、正孔の拡散長
はＩｐｍ程度であるが電子のＩ）ＩＡＩＩｋ長は数１１
ｒｎと長いためである。このときに、ＧａＡｓの電気光
学効果によって導波光ば、印加電圧に応した位相変化を
受ける。

第６図の素子は第５図の素子の変形である。２本の光導
波路を近接させて配置すると、導波１／Ｐｒ　Ｉｉｌで
光の結合が生し光パワーのやりとりが行われることはよ
（知られている。これをさり、各光導波路間の分離を良
好にするためもり」―げ形の光導波路を形成する。これ
によって導波Ｗ８間隔を短くできるため素子の小型化が
可能となる。作成法としては、＋１”　Ｇ　ｎ　Ａ　ｓ
基板６１上にｎ−ＧａＡｓ層６２をエピタキシアル成長
させた後に、Ｚｎ拡散などによって表面をＰ−ＧａＡｓ
層６３とし、後に表面をエツチングなどご凹凸を作る。

もり上げｆｉｌｌ　Ｌ：Ｉ故／Ｉ　ｍ程度の高さである
。光導波路としての動１′Ｉ原理は、第５図の素子と同
様でｐｎ接合での空乏ＭＧ４を用いる。

また、第５図に示す素子と同様な構造をＩｎｌ’で構成
することもできる。作成法としては、ｎ＋−１ｎＰ基板
上に、　Ｐ−１ｎＰ層をエピタキシアル成長さセ、基板
の」二面には例えばＡｕなとの電極を、下面には例えば
ＩｎＡ（Ｈ５ｎなどの電極を形成したものである。

プミた第６図に示す素子と同様な構造をｌｎｌ’で構成
することもできる。作成法とし′（は、ｎ”　Ｉ　ｎ　
Ｐ基板にｎ−１ｎＰ　ｆＦｉをエピタンアル成１改さ−
Ｕた後に、イオン拡散などによって表面をＦ”　ｌｎｌ
’　ＩＦＩとし、後に表面エツチングして凹凸を作る。

電極は、エツチング前またはエツチング後に形成できる
。

また、上記の各種のｐｎ接合−１−の空乏層を先導波路
に利用した光偏向素子をＧａ１ｌｓ系にはＧａＡｓの、
またＩｎｒ’系ではＩｎＰの半絶縁性基板７１．８１１
に形成することも可能である。この構造を第７図、第８
図に示す。ＧａＡｓ系で構成した場合は基板７Ｉ、８１
は半絶縁性ＧａＡｓ層であり、その上の屓８２はｎ”　
Ｇａ八へｒＨであり、さらに」−の屓７３．８３はｎ　
−Ｇａ　Ａ　５ＪＦＩ　’（ｔ、ｂる。さらにその」−
の層７４．８４はｌ’　Ｇａ八へｌｒ！ｉ’（ｆある。

また１ｎ１１系で構成した場合はＲ２板７Ｉ、８１は一
″Ｉ６絶ｊ３性ＩｎＰ層であり、第８図において、その
土の層８２ばｎ＋ＩｎＰ層であり、その」二の屓７３．
８３はｎ−１ｎ１〕層であり、さらに上の屓７４．８４
１１’、　ｐ−１ｎＰ　１ｍである。

第９図に示す素子は、ダブルヘテＩ：Ｊ接合に、１、っ
て、光のとじ込めを良好にした場合の実施例素子である
。■１″−ＧａＡＩＡｓ基板９１　Ｊ：に、ｎ−ＧａＡ
ｓ１ｔｌｊ９２を１１：ずエピタキシアル成長させ、さ
らにｐ　ｃ　ａ　／ｌ＋　ＡＳＩＦＴ　Ｃ）３をエピタ
キシアル成長させて、基板の１−下面に、例えば篩のオ
ーシック電極９４．９５を形成したものである。このダ
ブルへテロ接合によって光のとし込めは良好になる。

また第９図６４示す素子と同様な構造をＩｎＰで構成す
ることもできる。すなわち基板はｎ−１ｎｌ’を、はじ
めのエピタキシアル層はｎ−１ｎＣ＋ａＡｓｌνを、次
のエピタキシアル層はＰ−１ｎｌ’をもって構成する。

第１Ｏ図および第１Ｉ図の素子は、シラノ１−キー接合
下に形成される空乏層にかご７１、れた部分を）１−導
波路としたもので、第二の製；’ｒ’ｉ方法により形成
された第一の発明の素子である。

第１０図に示す素子は金属−半導体のシシノトキー接合
下に形成される空乏層ではｌ１ｉｉ折率が減少するため
、その間隙が等測的に高１；ｉｉ折率となり、光導波路
が形成できることを利用するものである。

ｎ−−ＧａＡｓエピタキシアルＮ　１１１２−．１１に
形成された例えばｐｔなどのソヨソトキー？ｉｉ　Ｉ’
Ａ　Ｉ　［１３と基板下部の例えば八〇などのオーミッ
ク電ＪＪＡＨ１４間に逆バイアス電圧を印加すると、印
加電圧に比例してシラノ１−キー接合下に形成される空
乏ＪＨＩ０５は増大し、ｎ→−ＧａＡ４板１０１まで達
する。そのためショソ１−キー電極１０３の間隙が選択
的な光導波路１０６となる。また導波光ばＧａＡｓの電
気光学りＪ果によって印加電圧に応じた位相変化を受り
る。

第１＋図に示す素子ばＣｒなどがドープされた半絶縁性
ＧａＡｓ基板を用いたものである。先導波１洛の形成方
法は第１０図に示した素子と同様である。半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板１１１上にｎ−ＧａＡｓ１ｉｉ　１１２をエピ
タキシアル成長さゼ、基板の上面にＰＣなどによるソ：
Ｉノドキー電４伝］１３および八ＵなとＧこ、Ｌるオー
ミ、り１４ｕ極１１４を図示した配列順で配置する。ソ
ヨ、ｌ・−１−−接合部分に逆バイアス電圧を印加する
とソヨノトキー接合下の空乏層１１５は印加電圧に比例
して増大し、適当な印加電圧では空乏Ｊｉ４１０５が基
板１１１に達し、光導波１２３１１６が空乏層１１５に
囲まれた形で形成される。

次に第四の発明の実施例素子について説明する。

第１２図は第四の発明の実施例素子の基本構成を示す図
である。図に示すように、本素子はシングル・モードの
光導波路１２１と、各導波路に一対ずつ設りられた電極
１２２．１２３とにより構成される。

次に第１５図は第四の発明の実施例素子先導波１１＆の
形成方法を示す図である。まず第１５図にＬｉ１１ｂＯ
＋にＴｉを熱拡散法にて光導波路を形成する」二程を示
す。

まず第１５図（Ａ）は光学照射が完了し固化したレジス
ト１５１によるパターンが１．１Ｎｂ０３基板１５０、
」二に形成された状態を示す。同図（Ｉ３）はこのしシ
スト・パターン上にＴｉ１５２を蒸着しおえた状態を示
す。同図（Ｃ）はさらにレジスト・パターン上のＴｉを
リフトオフしおえてＴｉ１ｉ１５３のみが残存した状態
を示す。同図（Ｄ）はこれを熱拡散法による導波路１５
４の形成が完了した状態を示す。このようにして形成さ
れた光導波１／３部の屈折率は拡散が行われる前に比べ
１０−４〜１０−３程度上昇している。

次にＬｉＮｂＯ３結晶方向によって電気光学効果が異な
るため、Ｚカットの場合は第１５図（Ｅ）に示すように
、電極１５５での導波光の吸収を防ぐため、Ｓ’ｒ（ｈ
　・Ａ１２Ｃｈなどのバッファ層１５０を基板４０との
間に設ける。またＹカットの場合は第１５図（Ｆ）に示
すように電極４５を直接に基板１５０上に接合させる。

次に第１６図はＧａＡｓ化合物半導体にプロトン照射し
て光導波路を形成する工程を示す。まず第１６図（八）
は基板１６０上にＡｕのＦＪ股１６１が形成されていて
その上にレジスト材１６２によるパターンを形成しおえ
た状態を示す。同図（Ｂ）ばエツチングによってレジス
ト材１６２およびＡｕ薄股１６１の一部を除去しおえた
状態を示す。同図（Ｃ）はＡｕ薄映１６１の除去部にプ
ロトンを照射して先導波路１６３を形成しおえた状態を
示す。

次に光の入射の方法について説明する。

第一の発明の実施例素子は第３図および第４図にて、ま
た第四の発明の実施例素子は第１２図において、図の左
側からコヒーレント光が入射される。

入射の方法として、 （１）　プリズム結合、 （２）　ダレイティング結合、 （３）セルフォック・レンズなどを用いたレンズ結合、 （４）直接接合、 などがある。

また、第一の発明の実施例素子は同一基板上に集積した
半導体レーザ光源から直接入射させてもよい。

また、第四の発明の実施例素子は第１３図または第１４
図に示すようにレーザ光を入射および出射させてもよい
。

すなわち第１３図は導波路構造を有しない光制御素子を
示す斜視図であって、矢目目Ｊコヒーレント光の進行方
向を示す。　ＬｉＮｂＯ３、ｌ’ＬＺＴなどの電気光学
材料１３１上に平行電極１３２を設け、各電極１３２間
を通過するコヒーシン１−光の位相差を電極１３２間に
印加する電圧によって制御するものである。

また、第１４図は、光導波路として、シングルモード光
ファイバを用いる例であって図にて矢印は光ビームの進
行方向を示す。光ビームは光ファイバ１４１に入射され
光制御素子１４２にて変調を受ける。変調を受けた光ビ
ームは固定台１４３に固定された光ファイバを経て出射
されるものである。

第１７図および第１８図は、それぞれ第一の発明にかか
わる第３図、第４図と第四の発明にかかわる第１２図と
に示す基本構成素子の光入射方法を変形して例である。

一般に薄膜導波路への光の導入方法は、一般に細かい調
整を要する場合が多く、特に複数の導波路へ均一に入射
させるための調整は複雑である。その入射部分を１本の
光導波路として、各導波路に１回で複数本に分割した例
を第１７図に示す。第１７図にて矢印は光ビームの進行
方向を示ず。光導波路１７１は３部にて１本から複数本
に分岐されている。

第１８図に示ず光導波路１８１は、１本の光導波路を何
回かの三等分分岐によって各導波路へ均等に分配する例
である。なお矢印は光ビームの進行方向を示す。第１９
図は分岐部分ａの拡大図である。

図において（Ａ）はＹ字形分岐を示し、（Ｂ）は方向性
結合した分岐を示す。Ｙ字形分岐では、正確な三等分分
岐を実現することが困難である。力量性結合分岐の場合
には電極１９１により分岐比を微調整して、正確に三等
分分岐することができる。

第２０図に示す素子は第１２図に示す第四の発明の実施
例素子の変形例である。光導波路２０１の数を多くする
際に、素子全体の大きさを増大させないために、導波路
間隔をつめると、導波路間で位相結合が生じ光パワーの
やりとりが行われてしまうことになる。これを防止する
ために満２０２を設りる。溝２０２の形状を第２１図に
示す。この溝はケミカルエツチング、イオンピームコ゛
ノヂングなどの方法で形成することが゛（きる。

第２２図に示す素子は第１２図に示す第四の発明の実施
例素子の光導波路の変形例である。このもり上げ形状の
光導波路２２２も導波１１３間の位相結合を防＜’　９
）Ｊ果がある。この光導波路２２２は、たとえばザファ
イアなどの単結晶基板２２１にＬｉＮｂ０ｑ　、ＰＬＺ
Ｔなどの電気光学薄膜８２をエピタキシアル成長させた
後にイオンビーム・エツチング法などを用いて形成する
ことができる。

第２２図は第２３図の一部分のｇ’ｌ　？Ｍ図である。

本発明は次に列挙するｆｌ）〜（５）の効果がある。

（１）低電圧で導波路数にＬＬ例した大きなビームの分
解能が得られる。

（２）集積化されている。

（３）構造が単純で、製造面、ｆｉｉｌ・Ｌｉ性の面で
困芹が少ない。

（４）他の発光素子、受光素子などとの４．Ｊ＜、積比
が容易である。

（５）集光作用を併せて持っている。

【図面の簡単な説明】

第１図は偏１１ｊ１の原理を示す説明図。 第２図は偏向角と位相差との関係をボずグラフ。 第３図は第一の発明の実施倒木ｒ−の基本構成を示ず平
面図。 第４図は第３図の断面図。 第５図はｐｎ接合形素子の断面図。 第６図は光導波路をちり上げた形状のｐｎ接合形素子の
断面図。 第７図は半絶縁性基板上に形成した１）ｒ１１部形素子
の断面図。 第８図は光導波路をもりＪ−げた形状でかっ゛１−絶縁
性基板上に形成したｐｎ接合形素−４のｌｌｉ而し１゜
第９図はダブルへ１・口接合し７たｐ　Ｉ’ｌ接合形素
了素子断面図。 第１０図はショソ１−キー接合形素子の断面図。 第１１図は半絶縁性基板上に形成したシーｒ　７トキ一
接合素子の断面図。 第１２図は第四の発明の実施例素子の基本構成図。 第１３図４よ導波路構造を有しない光制御素−ｒの斜ン
見図。 第１４図ｔＪ光導波路に光フプーイハを使用した擢１合
の図。 第１５図はｊ：Ｊ５拡散法による光導波路の形成工程を
示ずし１゜ 第１６図はプロトン照射法による先導波路の形成工程を
示す図。 第１７図、第１８図は光導波１／＆を分岐する方法を示
す図。 第１９図は第１８図の８部の拡大図。 第２０図、第２１図は先導波路のイ１）相結合を防１］
−する溝を示す平面図および拡大した♀：１視図。 第２２図、第２３図は先導波路間の位相結合を防止する
ちり上げ構造を示ず側面図お、１、び斜視図。 ４Ｌ、５１．６１．７１．８１．９１．１０１　、ＩＩ
Ｉ・・・半導体基板、４２．５２．６２．７３．８２．
９２、Ｉｔ１？、１１２・・・第一層エビクキシアル層
、７４．８３．９：（・・・第二層エピタキシアル屓、
６３．８４・・・拡散表面層、４３．４４．５３．５４
．６５．６６．７５．７６．８５．８Ｇ、イＭ、！１５
．１０３．１０４．１１３．１１，１．１２２．１２３
．１３２．１５５．１６１・・・電１・ｊ・ｉ、１２１
．１５４．１６３．１７１．１１１１　、’、！Ｏｆ・
・光導７２１７路。 特許出願人　横河北辰電機株式会社 代理人　弁理士　井　出　的　孝 光強度 （Ａ）　（Ｂ） ；￥１１　旧 笛　２　図 ） ′°　第３図 肱 箔　４　口 つ４ 第　５　ロ ム。 箭　６　図 第　７　図 第８　圓 ９４　、９ｔ４ 第　９　図 第１０図 ３１１　ロ ３１２　図 第１４図 （Ａ）（Ｄ） （Ｂ） （Ｃ） （Ａ）　（Ｃ） （Ｂ） 元　１６団 第　１７図 第１８図 （Ａ）Ｍ２Ｓ図　３°） 爪２０団 ７ｉ２１図 元２２０　３２３０

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ＋１１　半導体層と、 この半導体層の表面に設けられた複数の電極とを備え、 上記電極に電圧を与えて上記半導体層内にシングルモー
   ドの先導波路を形成するように構成されたことを特徴と
   する光制御素子。 （２）半導体層と複数の電極との接合をオーミック接合
   とし、また半導体層にｐ　ｎ接合「）１１分を形成し、
   この複数の、電極下のｐｎ接合部分に形成される空乏層
   を光導波路とする光制御素子の製造方法。 （３）半導体層と複数の電極との接合をショットキー接
   合とし、このショットキー接合により形成された空乏層
   に囲まれた部分を光導波路とする光制御素子の製造方法
   。 （４）半導体のＩＩＥ抗率より１ｒＧい電気祠料内に形
   成されたシングルモードの先導波路と、 上記電気材料の表面に設＆Ｊられた複数の電４・９４と
   を 備えたことを特徴とする光制御素子。