JPH04223409A - ３次元集積案内構造体及び該案内構造体の製造方法 - Google Patents
３次元集積案内構造体及び該案内構造体の製造方法Info
- Publication number
- JPH04223409A JPH04223409A JP3084623A JP8462391A JPH04223409A JP H04223409 A JPH04223409 A JP H04223409A JP 3084623 A JP3084623 A JP 3084623A JP 8462391 A JP8462391 A JP 8462391A JP H04223409 A JPH04223409 A JP H04223409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- buffer layer
- refractive index
- guide
- strip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 241000700560 Molluscum contagiosum virus Species 0.000 claims 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
- G02F1/3133—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type the optical waveguides being made of semiconducting materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
- G01N33/50—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing
- G01N33/53—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor
- G01N33/564—Immunoassay; Biospecific binding assay; Materials therefor for pre-existing immune complex or autoimmune disease, i.e. systemic lupus erythematosus, rheumatoid arthritis, multiple sclerosis, rheumatoid factors or complement components C1-C9
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
- G01N33/50—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing
- G01N33/80—Chemical analysis of biological material, e.g. blood, urine; Testing involving biospecific ligand binding methods; Immunological testing involving blood groups or blood types or red blood cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12002—Three-dimensional structures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
- G02F1/3135—Vertical structure
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Hematology (AREA)
- Immunology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Urology & Nephrology (AREA)
- Cell Biology (AREA)
- Biotechnology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Microbiology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Rehabilitation Therapy (AREA)
- Rheumatology (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、３次元集積案内構造体
、中でも特に半導体材料から製造される構造体、及び該
構造体の製造方法に関する。
、中でも特に半導体材料から製造される構造体、及び該
構造体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】導波路を相互に結合して製造するには、
マイクロリトグラフィ技術が制限されているために、公
知の技術では得にくい精度が必要となる。
マイクロリトグラフィ技術が制限されているために、公
知の技術では得にくい精度が必要となる。
【０００３】本発明により、結合区域内で導波路の距離
を正確に調整し得る光学導波路を製造することができる
。
を正確に調整し得る光学導波路を製造することができる
。
【０００４】更には現在、半導体は光学電子部品の製造
用基本材料として大いに利用可能である。使用されてい
る進歩する技術（ＭＯＣＶＤ又はＭＢＥ）により、厚さ
を数Ａ内で調整することができ、また同一基板上で異な
る型の半導体を成長させることができる。２つの異なる
半導体層間のインターフェースは階段的（ａｂｒｕｐｔ
）であり、且つ結晶学的品質が非常に高く、それにより
光学損失が非常に低くなり得る。現在、伝播損失は０．
２ｄＢ／ｃｍ未満である（Ｙ． Ｂｏｕｒｄｉｎ等の“
Ｖｅｒｙ ＬｏｗＬｏｓｓ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ Ａ
ｎｄ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒｓ Ｉ
ｎ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ”，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＧＷＯ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｉｎ Ｂｏｓｔｏｎ， Ｕ．Ｓ．Ａ．， Ｆｅｂｒｕａ
ｒｙ １９８９，ｐｐ． １１０−１１２を参照）。
用基本材料として大いに利用可能である。使用されてい
る進歩する技術（ＭＯＣＶＤ又はＭＢＥ）により、厚さ
を数Ａ内で調整することができ、また同一基板上で異な
る型の半導体を成長させることができる。２つの異なる
半導体層間のインターフェースは階段的（ａｂｒｕｐｔ
）であり、且つ結晶学的品質が非常に高く、それにより
光学損失が非常に低くなり得る。現在、伝播損失は０．
２ｄＢ／ｃｍ未満である（Ｙ． Ｂｏｕｒｄｉｎ等の“
Ｖｅｒｙ ＬｏｗＬｏｓｓ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ Ａ
ｎｄ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒｓ Ｉ
ｎ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ”，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｓ ｏｆ ｔｈｅ ＩＧＷＯ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｉｎ Ｂｏｓｔｏｎ， Ｕ．Ｓ．Ａ．， Ｆｅｂｒｕａ
ｒｙ １９８９，ｐｐ． １１０−１１２を参照）。
【０００５】更には現在、マイクロリトグラフィ技術及
び選択的化学エッチング法により、ミクロン寸法のパタ
ーンを製造することができる。選択的化学エッチングは
障壁層を介して調整され、数ｃｍの長さ上に、厚さが数
十Ａで、幅が約１ミクロンのストリップを製造するのが
通常である。
び選択的化学エッチング法により、ミクロン寸法のパタ
ーンを製造することができる。選択的化学エッチングは
障壁層を介して調整され、数ｃｍの長さ上に、厚さが数
十Ａで、幅が約１ミクロンのストリップを製造するのが
通常である。
【０００６】従って、これら２つの技術を組み合わせる
ことにより現在、本発明で説明する構造体を製造するこ
とができる。
ことにより現在、本発明で説明する構造体を製造するこ
とができる。
【０００７】光学電子部品の技術の状態では、本発明で
説明する構造体により果たされ得る機能を実現すること
ができる。しかしながら、本発明の有利な特徴は構造体
のコンパクト性、性能及び多機能性、並びに非常に簡単
な製造方法である。
説明する構造体により果たされ得る機能を実現すること
ができる。しかしながら、本発明の有利な特徴は構造体
のコンパクト性、性能及び多機能性、並びに非常に簡単
な製造方法である。
【０００８】本発明は垂直次元を使用しているので、本
発明により３次元集積の問題は解決される。２モード構
造体内で光の結合を垂直に使用し、且つ２つの平面次元
に対してリトグラフィ法を使用するのが理想である。
発明により３次元集積の問題は解決される。２モード構
造体内で光の結合を垂直に使用し、且つ２つの平面次元
に対してリトグラフィ法を使用するのが理想である。
【０００９】多機能性は、この構造体の場合、結合長さ
が非常に短いという特徴を有する指向性結合器の特性に
より得られる。これは波長のマルチプレクシング又はデ
マルチプレクシングにとって重要な利点である。対照的
に光変調の場合、多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑ
ｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）（ＭＱＷ）のような能動性の
高い材料が構造体内に存在するために、効果は高められ
得る。
が非常に短いという特徴を有する指向性結合器の特性に
より得られる。これは波長のマルチプレクシング又はデ
マルチプレクシングにとって重要な利点である。対照的
に光変調の場合、多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑ
ｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）（ＭＱＷ）のような能動性の
高い材料が構造体内に存在するために、効果は高められ
得る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】従って本発明の構造体は
、３次元集積、多機能性、性能、簡単な製造、簡略性と
いう利点を有する。
、３次元集積、多機能性、性能、簡単な製造、簡略性と
いう利点を有する。
【００１１】従って本発明は、それぞれが第１の面及び
第２の面に位置している少なくとも２つの導波路を含み
且つ第１の導波路の少なくとも一部が第２の導波路の一
部に接近している少なくとも１つの結合区域を有してい
る３次元集積案内構造体に関する。
第２の面に位置している少なくとも２つの導波路を含み
且つ第１の導波路の少なくとも一部が第２の導波路の一
部に接近している少なくとも１つの結合区域を有してい
る３次元集積案内構造体に関する。
【００１２】本発明は中でも特に、第１の屈折率を有す
る第１の緩衝層と、第１の層上に位置する、第１の屈折
率より高い第２の屈折率を有する第１のストリップと、
第１のストリップ及び第１の緩衝層を被覆する、第２の
屈折率より低い第３の屈折率を有する案内層と、案内層
を被覆する、第４の屈折率を有する第２の緩衝層と、第
２の緩衝層上に位置する、第４の屈折率より高い第５の
屈折率を有する第２のストリップと、第２のストリップ
及び第２の緩衝層を被覆する、第５の屈折率より低い第
６の屈折率を有する第３の緩衝層とを含んでいる案内構
造体に関する。
る第１の緩衝層と、第１の層上に位置する、第１の屈折
率より高い第２の屈折率を有する第１のストリップと、
第１のストリップ及び第１の緩衝層を被覆する、第２の
屈折率より低い第３の屈折率を有する案内層と、案内層
を被覆する、第４の屈折率を有する第２の緩衝層と、第
２の緩衝層上に位置する、第４の屈折率より高い第５の
屈折率を有する第２のストリップと、第２のストリップ
及び第２の緩衝層を被覆する、第５の屈折率より低い第
６の屈折率を有する第３の緩衝層とを含んでいる案内構
造体に関する。
【００１３】本発明は更に、基板上に第１の緩衝層を製
造する第１の段階と、第１の緩衝層より屈折率の高い材
料の層を製造し、その後第１のストリップをエッチング
する第２の段階と、第１のストリップ及び第１の緩衝層
上に案内層を製造する第３の段階と、案内層上に第２の
緩衝層を製造する第４の段階と、第２の緩衝層より屈折
率の高い材料の層を製造し、その後第２のストリップを
エッチングする第５の段階と、第２のストリップ及び第
２の緩衝層上に第３の緩衝層を製造する第６の段階とを
含んでいる案内構造体の製造方法に関する。
造する第１の段階と、第１の緩衝層より屈折率の高い材
料の層を製造し、その後第１のストリップをエッチング
する第２の段階と、第１のストリップ及び第１の緩衝層
上に案内層を製造する第３の段階と、案内層上に第２の
緩衝層を製造する第４の段階と、第２の緩衝層より屈折
率の高い材料の層を製造し、その後第２のストリップを
エッチングする第５の段階と、第２のストリップ及び第
２の緩衝層上に第３の緩衝層を製造する第６の段階とを
含んでいる案内構造体の製造方法に関する。
【００１４】
【実施例】添付図面を参照して以下の説明を読めば、本
発明の異なる目的及び特徴がより明白となろう。
発明の異なる目的及び特徴がより明白となろう。
【００１５】最初に第１図を参照して、本発明の構造体
の一般的な実施例を説明する。この構造体は基板の面Ｐ
１に位置する第１の導波路Ｇ１を有する。第２の導波路
Ｇ２は面Ｐ１に平行な面Ｐ２に位置している。２つの導
波路は、互いに接近し且つ結合区域Ｃを構成している部
分ｇ１，ｇ２を含んでいる。好ましくはこれらの部分ｇ
１，ｇ２は面Ｐ１，Ｐ２に垂直な面に位置している。こ
のような状況では、部分ｇ１，ｇ２は面Ｐ１，Ｐ２間の
距離により離隔されている。容易に正確に測定され得る
面Ｐ１，Ｐ２間の距離は、導波路Ｇ１，Ｇ２の部分ｇ１
，ｇ２間の結合を特徴づけている。
の一般的な実施例を説明する。この構造体は基板の面Ｐ
１に位置する第１の導波路Ｇ１を有する。第２の導波路
Ｇ２は面Ｐ１に平行な面Ｐ２に位置している。２つの導
波路は、互いに接近し且つ結合区域Ｃを構成している部
分ｇ１，ｇ２を含んでいる。好ましくはこれらの部分ｇ
１，ｇ２は面Ｐ１，Ｐ２に垂直な面に位置している。こ
のような状況では、部分ｇ１，ｇ２は面Ｐ１，Ｐ２間の
距離により離隔されている。容易に正確に測定され得る
面Ｐ１，Ｐ２間の距離は、導波路Ｇ１，Ｇ２の部分ｇ１
，ｇ２間の結合を特徴づけている。
【００１６】これから図２を参照して、半導体材料から
製造される本発明の装置を説明する。半導体材料は、例
えばインジウム及びリンを主成分としている。
製造される本発明の装置を説明する。半導体材料は、例
えばインジウム及びリンを主成分としている。
【００１７】装置はドーピングされたＩｎＰ半導体から
なる基板上に、ドーピングされたＩｎＰｎ−形半導体か
らなる緩衝層１を有する。
なる基板上に、ドーピングされたＩｎＰｎ−形半導体か
らなる緩衝層１を有する。
【００１８】ストリップ２はこの緩衝層１上に製造され
ている。このストリップ２は例えばＩｎＧａＡｓＰから
なり且つ緩衝層１の材料より屈折率が高い。このストリ
ップ２は装置の平面図を示す図３に示す如き形状を有す
る。
ている。このストリップ２は例えばＩｎＧａＡｓＰから
なり且つ緩衝層１の材料より屈折率が高い。このストリ
ップ２は装置の平面図を示す図３に示す如き形状を有す
る。
【００１９】緩衝層１及びストリップ２により形成され
るユニットは、ドーピングされたＩｎＰｎ−形半導体か
らなる緩衝層３で被覆されている。しかしながらこの緩
衝層は全ての場合に必要なわけではない。
るユニットは、ドーピングされたＩｎＰｎ−形半導体か
らなる緩衝層３で被覆されている。しかしながらこの緩
衝層は全ての場合に必要なわけではない。
【００２０】ＩｎＧａＡｓＰからなる案内層４が緩衝層
３を被覆している。
３を被覆している。
【００２１】ドーピングされたＩｎＰｎ−形半導体から
なる緩衝層５が案内層４を被覆している。
なる緩衝層５が案内層４を被覆している。
【００２２】層５の材料より屈折率の高いＩｎＰからな
る第２のストリップ６がこの緩衝層５上に製造されてい
る。
る第２のストリップ６がこの緩衝層５上に製造されてい
る。
【００２３】ストリップ６の形状は、図３に示す通りで
ある。
ある。
【００２４】最後に、緩衝層５及びストリップ６はＩｎ
Ｐからなる緩衝層７で被覆されている。
Ｐからなる緩衝層７で被覆されている。
【００２５】各導波路は、フランス特許第８６０４５２
３号に記載の如き埋込み式構造体を有する。従って２つ
の導波路は、異なる高さに埋込まれ且つ構造体の異なる
面に位置している。
３号に記載の如き埋込み式構造体を有する。従って２つ
の導波路は、異なる高さに埋込まれ且つ構造体の異なる
面に位置している。
【００２６】異なる緩衝層に使用されている材料が同一
であるのが好ましい。同様に２つのストリップの種類は
同一である。
であるのが好ましい。同様に２つのストリップの種類は
同一である。
【００２７】図３に示すストリップが非線形形状である
ために、結合区域Ｃ内でのように導波路同士を結合する
ことができる。
ために、結合区域Ｃ内でのように導波路同士を結合する
ことができる。
【００２８】このような結合器により、導波路の出入力
の接続が簡単になり得る。実際に導波路に対して垂直な
断面を示している図４では、導波路へのアクセスポイン
トは完全に異なっている。対照的に図５は結合区域Ｃ内
の垂直断面を示している。
の接続が簡単になり得る。実際に導波路に対して垂直な
断面を示している図４では、導波路へのアクセスポイン
トは完全に異なっている。対照的に図５は結合区域Ｃ内
の垂直断面を示している。
【００２９】前述した構造体は能動モード又は受動モー
ドの２つのモードで動作し得、即ち電界を適用すること
ができるか又は電流を流すことができる。
ドの２つのモードで動作し得、即ち電界を適用すること
ができるか又は電流を流すことができる。
【００３０】受動部品としてはこの構造体は、約数十マ
イクロメータと非常に短い結合長さを通じて、非常に高
い分離性能で波長を分離させ得る。逆にこの構造体は、
アクセスガイドを通じて波長を多重化させ得る。従って
この構造体により体積部分の２つの点を接続することが
できる。実際には、第一に２つの水平方向ではリトグラ
フィにより、第二には垂直方向では２つの重なった導波
路の間のエネルギ交換により、光線束を３つの方向に偏
向させることができる。
イクロメータと非常に短い結合長さを通じて、非常に高
い分離性能で波長を分離させ得る。逆にこの構造体は、
アクセスガイドを通じて波長を多重化させ得る。従って
この構造体により体積部分の２つの点を接続することが
できる。実際には、第一に２つの水平方向ではリトグラ
フィにより、第二には垂直方向では２つの重なった導波
路の間のエネルギ交換により、光線束を３つの方向に偏
向させることができる。
【００３１】この部品は、導波路上に電極（図示せず）
を備えることにより電界下に置かれ、このようにして印
加電界に依存する動作を有し得る。
を備えることにより電界下に置かれ、このようにして印
加電界に依存する動作を有し得る。
【００３２】部品は光スイッチとして使用され得る。こ
のために、電界はエネルギ交換を、従って２つの導波路
の間の結合長さを撹乱する。電界の適用に従って、光エ
ネルギは一方の出力導波路から他方の出力導波路に転換
される。層の屈折率は電界を適用して、又は電荷を加え
て変更され得る。
のために、電界はエネルギ交換を、従って２つの導波路
の間の結合長さを撹乱する。電界の適用に従って、光エ
ネルギは一方の出力導波路から他方の出力導波路に転換
される。層の屈折率は電界を適用して、又は電荷を加え
て変更され得る。
【００３３】電界により、マルチプレクサ又はデマルチ
プレクサとしての構造体の動作を動作波長に関して調整
することもできる。
プレクサとしての構造体の動作を動作波長に関して調整
することもできる。
【００３４】構造体への電界効果を増すために、主要案
内層４は多重量子井戸（ＭＱＷ）構造体であり得る。こ
のＭＱＷ構造体は光の屈折率の選択に付加的自由を与え
且つ能動モードでの異なる重要な物理的作用を与える。
内層４は多重量子井戸（ＭＱＷ）構造体であり得る。こ
のＭＱＷ構造体は光の屈折率の選択に付加的自由を与え
且つ能動モードでの異なる重要な物理的作用を与える。
【００３５】構造体内では、自由キャリヤの減少した不
均一区域が電界下に生じる。この区域の作用は非常に大
きく且つ部品の動作のために使用され得る。
均一区域が電界下に生じる。この区域の作用は非常に大
きく且つ部品の動作のために使用され得る。
【００３６】図６は本発明の装置の実施例の詳細図を示
している。
している。
【００３７】前述した異なる素子は（材料及び厚さに関
して）以下の特性を有する。
して）以下の特性を有する。
【００３８】基板：ｎ＋にドーピングされたＩｎＰ。
【００３９】緩衝層１：ドーピングされていない（真性
）ＩｎＰ。厚さは５００ｎｍ。
）ＩｎＰ。厚さは５００ｎｍ。
【００４０】ストリップ２：エネルギ帯域幅が９５３ｍ
ｅＶのドーピングされていないＩｎＧａＡｓＰ。厚さは
８０ｎｍ。
ｅＶのドーピングされていないＩｎＧａＡｓＰ。厚さは
８０ｎｍ。
【００４１】緩衝層３：ドーピングされていないＩｎＰ
。厚さは１００ｎｍ。
。厚さは１００ｎｍ。
【００４２】主要案内層４：エネルギ帯域幅が９５３ｍ
ｅＶのドーピングされていないＩｎＧａＡｓＰ。厚さは
５００ｎｍ。
ｅＶのドーピングされていないＩｎＧａＡｓＰ。厚さは
５００ｎｍ。
【００４３】緩衝層５：ドーピングされていないＩｎＰ
。厚さは１００ｎｍ。
。厚さは１００ｎｍ。
【００４４】ストリップ６：エネルギ帯域幅が９５３ｍ
ｅＶのＩｎＧａＡｓＰ。厚さは８０ｎｍ。
ｅＶのＩｎＧａＡｓＰ。厚さは８０ｎｍ。
【００４５】緩衝層７：ドーピングされているｐ型Ｉｎ
Ｐ。厚さは１５００ｎｍ。
Ｐ。厚さは１５００ｎｍ。
【００４６】緩衝層７は、ｐ接触（ｐ ｃｏｎｔａｃｔ
）が設定され得るように、例えば約１０００ｎｍの深さ
に亜鉛を拡散させることによりｐ型ドーピングが行われ
ている。
）が設定され得るように、例えば約１０００ｎｍの深さ
に亜鉛を拡散させることによりｐ型ドーピングが行われ
ている。
【００４７】このような構造体は、互いに殆ど同一の層
３，５及び互いに殆ど同一のストリップ２，６を有する
。この構造体は従って主要案内層４に対して対称である
。
３，５及び互いに殆ど同一のストリップ２，６を有する
。この構造体は従って主要案内層４に対して対称である
。
【００４８】ストリップ２，６の組成は例えば、Ｉｎ０
・７２Ｇａ０・２８Ａｓ０・６Ｐ０・４である。
・７２Ｇａ０・２８Ａｓ０・６Ｐ０・４である。
【００４９】本発明の一実施例での主要案内層４は多重
量子井戸を構成し得る。例えばこの多重量子井戸はＩｎ
ＧａＡｓＰ及びＩｎＰの交番層であり得る。
量子井戸を構成し得る。例えばこの多重量子井戸はＩｎ
ＧａＡｓＰ及びＩｎＰの交番層であり得る。
【００５０】中でも特にこの多重量子井戸は、エネルギ
帯域幅が１．５５μｍであり、式：Ｉｎ０・５８Ｇａ０
・４２Ａｓ０・９Ｐ０・１で表され且つ各厚さが８ｎｍ
である３０のＩｎＧａＡｓＰ層と、厚さが１０ｎｍであ
る３０のＩｎＰ層とからなり得る。
帯域幅が１．５５μｍであり、式：Ｉｎ０・５８Ｇａ０
・４２Ａｓ０・９Ｐ０・１で表され且つ各厚さが８ｎｍ
である３０のＩｎＧａＡｓＰ層と、厚さが１０ｎｍであ
る３０のＩｎＰ層とからなり得る。
【００５１】従ってこのような案内層は５４０ｎｍの厚
さを有する。
さを有する。
【００５２】主要案内層の電界を増すために、図７に示
す如く層１，２，３にｎ＋型ドーピングを行い且つ層７
，６，５により深いｐ＋型拡散を行うことができる。
す如く層１，２，３にｎ＋型ドーピングを行い且つ層７
，６，５により深いｐ＋型拡散を行うことができる。
【００５３】真性帯域４及び層３，５は逆電圧下でキャ
リヤが減少し且つ屈折率の変動を生じる。
リヤが減少し且つ屈折率の変動を生じる。
【００５４】図８の実施例では、２つの導波路Ｇ１，Ｇ
２は、互いに交差するように製造され得る。更には電界
印加電極Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４が導波路上において、
交差部分付近の交差部分の両側に配置され得る。
２は、互いに交差するように製造され得る。更には電界
印加電極Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４が導波路上において、
交差部分付近の交差部分の両側に配置され得る。
【００５５】これから本発明の装置の製造方法について
説明する。
説明する。
【００５６】（例えばＩｎＰ製の）半導体基板を出発点
として、緩衝層１を、次には緩衝層１より屈折率の高い
異なる材料からなる第２の層を付着させるために、ＭＯ
ＣＶＤ又はＭＢＥ付着技術が使用される。この材料は所
定形状に化学的溶液によりエッチングされ得、側方が閉
込められたストリップ２を提供する。このストリップは
相互作用区域及びＳ状部分を備えたマスクにより与えら
れる形状を有するか、又は信号の入力若しくは出力を可
能とするためにミラーを備えた形にされている。
として、緩衝層１を、次には緩衝層１より屈折率の高い
異なる材料からなる第２の層を付着させるために、ＭＯ
ＣＶＤ又はＭＢＥ付着技術が使用される。この材料は所
定形状に化学的溶液によりエッチングされ得、側方が閉
込められたストリップ２を提供する。このストリップは
相互作用区域及びＳ状部分を備えたマスクにより与えら
れる形状を有するか、又は信号の入力若しくは出力を可
能とするためにミラーを備えた形にされている。
【００５７】この段階の後に、試料はエピタキシの更新
のために成長用装置内に再度置かれる。この装置は既に
使用された最初の装置とは異なり得る。次に、緩衝層と
して蒸着されるのは層３である。この層は不可決という
わけではないが、所望とあればこの層により構造体を対
称にすることができる。次に、緩衝層より屈折率の高い
案内層４が蒸着される。この層は層２と同一の材料から
なり得るか、他の型の半導体材料からなり得るか、又は
多重量子井戸の構造体を形成する２つの型の半導体の層
の積み重ねにより形成され得る。緩衝層及び障壁層であ
る層５が蒸着され、最後に緩衝層より屈折率の高い他の
層６が蒸着される。この層は対称的な構造体が所望され
るか所望されないかによって、層２とは異なる材料から
製造され得る。
のために成長用装置内に再度置かれる。この装置は既に
使用された最初の装置とは異なり得る。次に、緩衝層と
して蒸着されるのは層３である。この層は不可決という
わけではないが、所望とあればこの層により構造体を対
称にすることができる。次に、緩衝層より屈折率の高い
案内層４が蒸着される。この層は層２と同一の材料から
なり得るか、他の型の半導体材料からなり得るか、又は
多重量子井戸の構造体を形成する２つの型の半導体の層
の積み重ねにより形成され得る。緩衝層及び障壁層であ
る層５が蒸着され、最後に緩衝層より屈折率の高い他の
層６が蒸着される。この層は対称的な構造体が所望され
るか所望されないかによって、層２とは異なる材料から
製造され得る。
【００５８】次の段階は、マスクにより示される平面形
状を有するストリップを限定する局限層の選択的化学エ
ッチングの段階である。この層６の処理は層２の処理と
同様である。
状を有するストリップを限定する局限層の選択的化学エ
ッチングの段階である。この層６の処理は層２の処理と
同様である。
【００５９】伝播損失を低減し且つ電気接触に必要とさ
れる技術段階を容易にするために構造体を埋込むように
、試料が緩衝層の付着のために成長用装置内に再度置か
れる。
れる技術段階を容易にするために構造体を埋込むように
、試料が緩衝層の付着のために成長用装置内に再度置か
れる。
【図１】本発明の装置の一般的な実施例を示す斜方透視
図である。
図である。
【図２】半導体材料により製造された、本発明の装置の
実施例の詳細断面図である。
実施例の詳細断面図である。
【図３】図２の装置の詳細平面図である。
【図４】図２の装置の詳細断面図である。
【図５】図２の装置の詳細断面図である。
【図６】本発明の異なる層の構造例を示す断面図である
。
。
【図７】本発明の異なる層の構造例を示す断面図である
。
。
【図８】本発明の装置の変形例の平面図である。
１，３，５，７ 緩衝層
２，６ ストリップ
４ 案内層
Ｃ 結合区域
Ｇ１，Ｇ２ 導波路
Ｐ１，Ｐ２ 面
Claims (14)
- 【請求項１】 それぞれが第１の面及び第２の面に位
置している少なくとも２つの導波路を含み且つ第１の導
波路の少なくとも一部が第２の導波路の一部に接近して
いる少なくとも１つの結合区域を有していることを特徴
とする３次元集積案内構造体。 - 【請求項２】 第１の面と第２の面とが互いに平行で
あり且つ２つの導波路の部分が第１の面及び第２の面に
垂直な第３の面に位置することを特徴とする請求項１に
記載の案内構造体。 - 【請求項３】 導波路が、結合区域の部分以外では、
第３の面から実質的に等距離の所にあり且つ第１の面及
び第２の面に垂直な２つの面に包含されていることを特
徴とする請求項１に記載の案内構造体。 - 【請求項４】 第１の屈折率を有する第１の緩衝層と
、第１の層上に位置する、第１の屈折率より高い第２の
屈折率を有する第１のストリップと、第１のストリップ
及び第１の緩衝層を被覆する、第２の屈折率より低い第
３の屈折率を有する案内層と、案内層を被覆する、第４
の屈折率を有する第２の緩衝層と、第２の緩衝層上に位
置する、第４の屈折率より高い第５の屈折率を有する第
２のストリップと、第２のストリップ及び第２の緩衝層
を被覆する、第５の屈折率より低い第６の屈折率を有す
る第３の緩衝層とを含んでいることを特徴とする請求項
１に記載の案内構造体。 - 【請求項５】 第１のストリップと案内層との間に位
置する第４の緩衝層を含んでいることを特徴とする請求
項４に記載の案内構造体。 - 【請求項６】 第１、第２、第３及び第４の緩衝層が
同様の材料から製造されていることを特徴とする請求項
４に記載の案内構造体。 - 【請求項７】 ストリップが、緩衝層の材料より屈折
率の高い同様の材料から製造されていることを特徴とす
る請求項６に記載の案内構造体。 - 【請求項８】 構造体が案内層に対して対称となるよ
うに、第２の層及び第４の層の組成、ドーピング及び厚
さが殆ど同一であり、且つストリップの組成、ドーピン
グ及び寸法も殆ど同一であることを特徴とする請求項５
に記載の案内構造体。 - 【請求項９】 案内層が、多重量子井戸を構成する交
番層の形態に製造されていることを特徴とする請求項４
に記載の案内構造体。 - 【請求項１０】 第１及び第２のストリップが結合区
域を形成し、該結合区域内においてストリップが層の面
に垂直な面に位置する部分を有していることを特徴とす
る請求項４に記載の案内構造体。 - 【請求項１１】 基板上に第１の緩衝層を製造する第
１の段階と、第１の緩衝層より屈折率の高い材料の層を
製造し、その後第１のストリップをエッチングする第２
の段階と、第１のストリップ及び第１の緩衝層上に案内
層を製造する第３の段階と、案内層上に第２の緩衝層を
製造する第４の段階と、第２の緩衝層より屈折率の高い
材料の層を製造し、その後第２のストリップをエッチン
グする第５の段階と、第２のストリップ及び第２の緩衝
層上に第３の緩衝層を製造する第６の段階とを含んでい
ることを特徴とする請求項４に記載の案内構造体の製造
方法。 - 【請求項１２】 第２の段階と第３の段階との間に、
案内層より屈折率の低い材料からなる第４の緩衝層を製
造する付加的段階を含んでいることを特徴とする請求項
１１に記載の方法。 - 【請求項１３】 層の製造のための段階が、ＭＯＣＶ
Ｄ（有機金属熱分解法）及びＭＢＥ（分子線エピタキシ
ャル成長）による蒸着技術を使用していることを特徴と
する請求項１２に記載の方法。 - 【請求項１４】 第１及び第２のストリップのエッチ
ング作業が、選択的化学エッチングにより実施されるこ
とを特徴とする請求項１２に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9003878A FR2660439B1 (fr) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Structure guidante integree en trois dimensions et son procede de realisation. |
| FR9003878 | 1990-03-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04223409A true JPH04223409A (ja) | 1992-08-13 |
Family
ID=9395148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3084623A Pending JPH04223409A (ja) | 1990-03-27 | 1991-03-25 | ３次元集積案内構造体及び該案内構造体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5159699A (ja) |
| EP (1) | EP0449719A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04223409A (ja) |
| FR (1) | FR2660439B1 (ja) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5854866A (en) * | 1995-03-14 | 1998-12-29 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level architecture for optical time delays in integrated circuits |
| JP3517477B2 (ja) * | 1995-04-07 | 2004-04-12 | キヤノン株式会社 | ハイパーテキストシステム及びその表示方法 |
| US5651086A (en) * | 1995-06-07 | 1997-07-22 | The Boeing Company | Trilaminar dual reflex light guide |
| DE19849862C1 (de) * | 1998-10-29 | 2000-04-06 | Alcatel Sa | Thermooptischer Schalter |
| CA2389347A1 (en) | 1999-12-02 | 2001-06-07 | Tony C. Kowalczyk | Photodefinition of optical devices |
| AU2001243161A1 (en) * | 2000-08-01 | 2002-02-13 | University Of Maryland, College Park | Method for fabrication of vertically coupled integrated optical structures |
| US6507681B1 (en) | 2000-08-02 | 2003-01-14 | Gemfire Corporation | Anti-waveguide routing structure |
| US6434318B1 (en) | 2000-08-02 | 2002-08-13 | Gemfire Corporation | Device and method for variable attenuation of an optical channel |
| US20020186949A1 (en) * | 2001-06-08 | 2002-12-12 | Photon-X, Inc. | Integrated rare earth doped optical waveguide amplifier array |
| CA2464715C (en) * | 2001-10-30 | 2012-05-08 | Xponent Photonics, Inc. | Optical junction apparatus and methods employing optical power transverse-transfer |
| US7013070B2 (en) * | 2002-06-04 | 2006-03-14 | Intel Corporation | Method and apparatus for switching an optical beam between first and second waveguides in a semiconductor substrate layer |
| JP4473732B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2010-06-02 | ホーヤ コーポレイション ユーエスエイ | 光学装置 |
| US6975798B2 (en) * | 2002-07-05 | 2005-12-13 | Xponent Photonics Inc | Waveguides assembled for transverse-transfer of optical power |
| US7095920B1 (en) * | 2003-02-11 | 2006-08-22 | Little Optics Inc | Broadband optical via |
| US7184643B2 (en) | 2003-04-29 | 2007-02-27 | Xponent Photonics Inc | Multiple-core planar optical waveguides and methods of fabrication and use thereof |
| US7437026B2 (en) * | 2004-09-22 | 2008-10-14 | Intel Corporation | Three dimensional semiconductor based optical switching device |
| US7164838B2 (en) | 2005-02-15 | 2007-01-16 | Xponent Photonics Inc | Multiple-core planar optical waveguides and methods of fabrication and use thereof |
| US7171065B2 (en) * | 2005-03-17 | 2007-01-30 | Fujitsu Limited | Compact optical devices and methods for making the same |
| RU2345392C1 (ru) * | 2007-08-13 | 2009-01-27 | Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственное Предприятие "Мифотекс" | Интегральный многоканальный волоконно-оптический коммутатор |
| WO2014023804A2 (en) * | 2012-08-08 | 2014-02-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. | Directional coupler and optical waveguide |
| US9207399B2 (en) | 2013-01-28 | 2015-12-08 | Aurrion, Inc. | Athermal optical filter with active tuning and simplified control |
| US9122006B1 (en) | 2013-02-27 | 2015-09-01 | Aurrion, Inc. | Integrated polarization splitter and rotator |
| US9322996B2 (en) | 2013-03-07 | 2016-04-26 | Aurrion, Inc. | Simultaneous processing of multiple photonic device layers |
| US8948555B1 (en) * | 2013-05-21 | 2015-02-03 | Aurrion, Inc. | Skew waveguide directional coupler |
| US9400354B2 (en) * | 2014-11-06 | 2016-07-26 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Waveguide polarization rotator and method of construction thereof |
| US20160306256A1 (en) * | 2015-04-15 | 2016-10-20 | Chen-Kuo Sun | Method for configuring an optical modulator |
| US20180081253A9 (en) * | 2015-04-15 | 2018-03-22 | Chen-Kuo Sun | Optical modulator |
| US9500929B2 (en) * | 2015-04-15 | 2016-11-22 | Chen-Kuo Sun | Vertical electro-optically coupled switch |
| EP3929654A1 (en) | 2015-07-24 | 2021-12-29 | Aurrion, Inc. | Phase tuning in waveguide arrays |
| US10197818B2 (en) * | 2016-10-24 | 2019-02-05 | Electronics & Telecommunications Research Institute | Thermo-optic optical switch |
| US10036855B1 (en) * | 2017-07-13 | 2018-07-31 | Chen-Kuo Sun | Reverse bias modulating waveguide/diode |
| US10126496B1 (en) | 2017-07-13 | 2018-11-13 | Chen-Kuo Sun | Reverse bias modulating multi-material waveguide/diode |
| US10409137B2 (en) | 2017-08-22 | 2019-09-10 | Chen-Kuo Sun | System and method for controlling energy flux modulation |
| US10962710B2 (en) * | 2018-06-04 | 2021-03-30 | The Boeing Company | Multidimensional optical waveguide in planar dielectric structures |
| US11275210B1 (en) * | 2018-12-07 | 2022-03-15 | PsiQuantum Corp. | Waveguide couplers for multi-mode waveguides |
| US11635570B1 (en) | 2019-02-08 | 2023-04-25 | PsiQuantum Corp. | Multi-mode multi-pass delay |
| US11391890B1 (en) | 2019-05-15 | 2022-07-19 | PsiQuantum Corp. | Multi-mode spiral delay device |
| US10816832B1 (en) | 2019-09-04 | 2020-10-27 | Veo, Inc. | Optical phase shifter using fine lithography defined volumetric junctions |
| CN111007592A (zh) * | 2019-11-22 | 2020-04-14 | 河南仕佳光子科技股份有限公司 | 一种缩短耦合长度的3dB定向耦合器及其制作方法 |
| IT202100025166A1 (it) * | 2021-09-30 | 2023-03-30 | Photonpath S R L | Dispositivo di accoppiamento ottico e relativo metodo di sintonizzazione |
| US11899240B2 (en) * | 2022-06-09 | 2024-02-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Photonic device, system and method of making same |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2174212B (en) * | 1985-04-27 | 1989-05-24 | Stc Plc | Optical switch |
| FR2596529B1 (fr) * | 1986-03-28 | 1988-05-13 | Thomson Csf | Guide d'onde optique en materiau semiconducteur, laser appliquant ce guide d'onde et procede de realisation |
| NL8800939A (nl) * | 1988-04-12 | 1989-11-01 | Philips Nv | Stralingskoppelinrichting. |
| DE3815293A1 (de) * | 1988-05-05 | 1989-11-16 | Licentia Gmbh | Dreidimensional angeordnete wellenleiter |
-
1990
- 1990-03-27 FR FR9003878A patent/FR2660439B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-03-13 US US07/668,783 patent/US5159699A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-25 JP JP3084623A patent/JPH04223409A/ja active Pending
- 1991-03-26 EP EP91400805A patent/EP0449719A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2660439B1 (fr) | 1993-06-04 |
| FR2660439A1 (fr) | 1991-10-04 |
| EP0449719A1 (fr) | 1991-10-02 |
| US5159699A (en) | 1992-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04223409A (ja) | ３次元集積案内構造体及び該案内構造体の製造方法 | |
| JP3414753B2 (ja) | 光学構造及びその製造方法 | |
| US4114257A (en) | Method of fabrication of a monolithic integrated optical circuit | |
| JP2873062B2 (ja) | 光集積装置およびその製造方法 | |
| US6162655A (en) | Method of fabricating an expanded beam optical waveguide device | |
| WO1997049150A1 (en) | An integrated optical device | |
| EP1245971B1 (en) | Waveguide taper with lateral rib confinement waveguides | |
| JPH05249331A (ja) | 導波路形ビームスポット変換素子およびその製造方法 | |
| CN110289553A (zh) | 多波长硅基iii-v族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法 | |
| JP3284994B2 (ja) | 半導体光集積素子及びその製造方法 | |
| WO2007107782A1 (en) | Monolithically integrated optoelectronic components | |
| KR100581569B1 (ko) | 밀착 만곡형 디지탈 광학 스위치 | |
| JPH01116530A (ja) | 光スイッチング素子及び該素子から成る光スイッチングマトリクス | |
| JPH1197799A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100427581B1 (ko) | 반도체 광소자의 제조방법 | |
| JP2662059B2 (ja) | 光電スイッチ素子を有する集積半導体装置 | |
| US11934007B2 (en) | Assembly of an active semiconductor component and of a silicon-based passive optical component | |
| US10725241B2 (en) | Asymmetrical spot-size converter and method of manufacturing spot-size converter | |
| KR20020013986A (ko) | 반도체 광 변조기 및 제작 방법 | |
| JP2634687B2 (ja) | テーパ付き半導体導波路とその形成方法 | |
| JP3347738B2 (ja) | 導波路の結合されたｄｆｂ式レーザーダイオードの製造法及びｄｆｂ式レーザーダイオード層構造 | |
| JPH025028A (ja) | 非線形光方向性結合器 | |
| JPH04211228A (ja) | 光電増幅装置の作製方法、この方法によって得られた装置および種々の光電装置に対する応用 | |
| JP4150344B2 (ja) | 三次元フォトニック結晶導波路構造形成方法 | |
| KR0185371B1 (ko) | 광전 스위칭 소자를 내장한 집적 반도체 소자 |