JPH04223409A - 3次元集積案内構造体及び該案内構造体の製造方法 - Google Patents
3次元集積案内構造体及び該案内構造体の製造方法Info
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- JPH04223409A JPH04223409A JP3084623A JP8462391A JPH04223409A JP H04223409 A JPH04223409 A JP H04223409A JP 3084623 A JP3084623 A JP 3084623A JP 8462391 A JP8462391 A JP 8462391A JP H04223409 A JPH04223409 A JP H04223409A
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
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-
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-
- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、3次元集積案内構造体
、中でも特に半導体材料から製造される構造体、及び該
構造体の製造方法に関する。
、中でも特に半導体材料から製造される構造体、及び該
構造体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】導波路を相互に結合して製造するには、
マイクロリトグラフィ技術が制限されているために、公
知の技術では得にくい精度が必要となる。
マイクロリトグラフィ技術が制限されているために、公
知の技術では得にくい精度が必要となる。
【0003】本発明により、結合区域内で導波路の距離
を正確に調整し得る光学導波路を製造することができる
。
を正確に調整し得る光学導波路を製造することができる
。
【0004】更には現在、半導体は光学電子部品の製造
用基本材料として大いに利用可能である。使用されてい
る進歩する技術(MOCVD又はMBE)により、厚さ
を数A内で調整することができ、また同一基板上で異な
る型の半導体を成長させることができる。2つの異なる
半導体層間のインターフェースは階段的(abrupt
)であり、且つ結晶学的品質が非常に高く、それにより
光学損失が非常に低くなり得る。現在、伝播損失は0.
2dB/cm未満である(Y. Bourdin等の“
Very LowLoss Waveguides A
nd Efficient Modulators I
n InGaAsP/InP”,Proceeding
s of the IGWO Conference
in Boston, U.S.A., Februa
ry 1989,pp. 110−112を参照)。
用基本材料として大いに利用可能である。使用されてい
る進歩する技術(MOCVD又はMBE)により、厚さ
を数A内で調整することができ、また同一基板上で異な
る型の半導体を成長させることができる。2つの異なる
半導体層間のインターフェースは階段的(abrupt
)であり、且つ結晶学的品質が非常に高く、それにより
光学損失が非常に低くなり得る。現在、伝播損失は0.
2dB/cm未満である(Y. Bourdin等の“
Very LowLoss Waveguides A
nd Efficient Modulators I
n InGaAsP/InP”,Proceeding
s of the IGWO Conference
in Boston, U.S.A., Februa
ry 1989,pp. 110−112を参照)。
【0005】更には現在、マイクロリトグラフィ技術及
び選択的化学エッチング法により、ミクロン寸法のパタ
ーンを製造することができる。選択的化学エッチングは
障壁層を介して調整され、数cmの長さ上に、厚さが数
十Aで、幅が約1ミクロンのストリップを製造するのが
通常である。
び選択的化学エッチング法により、ミクロン寸法のパタ
ーンを製造することができる。選択的化学エッチングは
障壁層を介して調整され、数cmの長さ上に、厚さが数
十Aで、幅が約1ミクロンのストリップを製造するのが
通常である。
【0006】従って、これら2つの技術を組み合わせる
ことにより現在、本発明で説明する構造体を製造するこ
とができる。
ことにより現在、本発明で説明する構造体を製造するこ
とができる。
【0007】光学電子部品の技術の状態では、本発明で
説明する構造体により果たされ得る機能を実現すること
ができる。しかしながら、本発明の有利な特徴は構造体
のコンパクト性、性能及び多機能性、並びに非常に簡単
な製造方法である。
説明する構造体により果たされ得る機能を実現すること
ができる。しかしながら、本発明の有利な特徴は構造体
のコンパクト性、性能及び多機能性、並びに非常に簡単
な製造方法である。
【0008】本発明は垂直次元を使用しているので、本
発明により3次元集積の問題は解決される。2モード構
造体内で光の結合を垂直に使用し、且つ2つの平面次元
に対してリトグラフィ法を使用するのが理想である。
発明により3次元集積の問題は解決される。2モード構
造体内で光の結合を垂直に使用し、且つ2つの平面次元
に対してリトグラフィ法を使用するのが理想である。
【0009】多機能性は、この構造体の場合、結合長さ
が非常に短いという特徴を有する指向性結合器の特性に
より得られる。これは波長のマルチプレクシング又はデ
マルチプレクシングにとって重要な利点である。対照的
に光変調の場合、多重量子井戸(multiple q
uantum well)(MQW)のような能動性の
高い材料が構造体内に存在するために、効果は高められ
得る。
が非常に短いという特徴を有する指向性結合器の特性に
より得られる。これは波長のマルチプレクシング又はデ
マルチプレクシングにとって重要な利点である。対照的
に光変調の場合、多重量子井戸(multiple q
uantum well)(MQW)のような能動性の
高い材料が構造体内に存在するために、効果は高められ
得る。
【0010】
【課題を解決するための手段】従って本発明の構造体は
、3次元集積、多機能性、性能、簡単な製造、簡略性と
いう利点を有する。
、3次元集積、多機能性、性能、簡単な製造、簡略性と
いう利点を有する。
【0011】従って本発明は、それぞれが第1の面及び
第2の面に位置している少なくとも2つの導波路を含み
且つ第1の導波路の少なくとも一部が第2の導波路の一
部に接近している少なくとも1つの結合区域を有してい
る3次元集積案内構造体に関する。
第2の面に位置している少なくとも2つの導波路を含み
且つ第1の導波路の少なくとも一部が第2の導波路の一
部に接近している少なくとも1つの結合区域を有してい
る3次元集積案内構造体に関する。
【0012】本発明は中でも特に、第1の屈折率を有す
る第1の緩衝層と、第1の層上に位置する、第1の屈折
率より高い第2の屈折率を有する第1のストリップと、
第1のストリップ及び第1の緩衝層を被覆する、第2の
屈折率より低い第3の屈折率を有する案内層と、案内層
を被覆する、第4の屈折率を有する第2の緩衝層と、第
2の緩衝層上に位置する、第4の屈折率より高い第5の
屈折率を有する第2のストリップと、第2のストリップ
及び第2の緩衝層を被覆する、第5の屈折率より低い第
6の屈折率を有する第3の緩衝層とを含んでいる案内構
造体に関する。
る第1の緩衝層と、第1の層上に位置する、第1の屈折
率より高い第2の屈折率を有する第1のストリップと、
第1のストリップ及び第1の緩衝層を被覆する、第2の
屈折率より低い第3の屈折率を有する案内層と、案内層
を被覆する、第4の屈折率を有する第2の緩衝層と、第
2の緩衝層上に位置する、第4の屈折率より高い第5の
屈折率を有する第2のストリップと、第2のストリップ
及び第2の緩衝層を被覆する、第5の屈折率より低い第
6の屈折率を有する第3の緩衝層とを含んでいる案内構
造体に関する。
【0013】本発明は更に、基板上に第1の緩衝層を製
造する第1の段階と、第1の緩衝層より屈折率の高い材
料の層を製造し、その後第1のストリップをエッチング
する第2の段階と、第1のストリップ及び第1の緩衝層
上に案内層を製造する第3の段階と、案内層上に第2の
緩衝層を製造する第4の段階と、第2の緩衝層より屈折
率の高い材料の層を製造し、その後第2のストリップを
エッチングする第5の段階と、第2のストリップ及び第
2の緩衝層上に第3の緩衝層を製造する第6の段階とを
含んでいる案内構造体の製造方法に関する。
造する第1の段階と、第1の緩衝層より屈折率の高い材
料の層を製造し、その後第1のストリップをエッチング
する第2の段階と、第1のストリップ及び第1の緩衝層
上に案内層を製造する第3の段階と、案内層上に第2の
緩衝層を製造する第4の段階と、第2の緩衝層より屈折
率の高い材料の層を製造し、その後第2のストリップを
エッチングする第5の段階と、第2のストリップ及び第
2の緩衝層上に第3の緩衝層を製造する第6の段階とを
含んでいる案内構造体の製造方法に関する。
【0014】
【実施例】添付図面を参照して以下の説明を読めば、本
発明の異なる目的及び特徴がより明白となろう。
発明の異なる目的及び特徴がより明白となろう。
【0015】最初に第1図を参照して、本発明の構造体
の一般的な実施例を説明する。この構造体は基板の面P
1に位置する第1の導波路G1を有する。第2の導波路
G2は面P1に平行な面P2に位置している。2つの導
波路は、互いに接近し且つ結合区域Cを構成している部
分g1,g2を含んでいる。好ましくはこれらの部分g
1,g2は面P1,P2に垂直な面に位置している。こ
のような状況では、部分g1,g2は面P1,P2間の
距離により離隔されている。容易に正確に測定され得る
面P1,P2間の距離は、導波路G1,G2の部分g1
,g2間の結合を特徴づけている。
の一般的な実施例を説明する。この構造体は基板の面P
1に位置する第1の導波路G1を有する。第2の導波路
G2は面P1に平行な面P2に位置している。2つの導
波路は、互いに接近し且つ結合区域Cを構成している部
分g1,g2を含んでいる。好ましくはこれらの部分g
1,g2は面P1,P2に垂直な面に位置している。こ
のような状況では、部分g1,g2は面P1,P2間の
距離により離隔されている。容易に正確に測定され得る
面P1,P2間の距離は、導波路G1,G2の部分g1
,g2間の結合を特徴づけている。
【0016】これから図2を参照して、半導体材料から
製造される本発明の装置を説明する。半導体材料は、例
えばインジウム及びリンを主成分としている。
製造される本発明の装置を説明する。半導体材料は、例
えばインジウム及びリンを主成分としている。
【0017】装置はドーピングされたInP半導体から
なる基板上に、ドーピングされたInPn−形半導体か
らなる緩衝層1を有する。
なる基板上に、ドーピングされたInPn−形半導体か
らなる緩衝層1を有する。
【0018】ストリップ2はこの緩衝層1上に製造され
ている。このストリップ2は例えばInGaAsPから
なり且つ緩衝層1の材料より屈折率が高い。このストリ
ップ2は装置の平面図を示す図3に示す如き形状を有す
る。
ている。このストリップ2は例えばInGaAsPから
なり且つ緩衝層1の材料より屈折率が高い。このストリ
ップ2は装置の平面図を示す図3に示す如き形状を有す
る。
【0019】緩衝層1及びストリップ2により形成され
るユニットは、ドーピングされたInPn−形半導体か
らなる緩衝層3で被覆されている。しかしながらこの緩
衝層は全ての場合に必要なわけではない。
るユニットは、ドーピングされたInPn−形半導体か
らなる緩衝層3で被覆されている。しかしながらこの緩
衝層は全ての場合に必要なわけではない。
【0020】InGaAsPからなる案内層4が緩衝層
3を被覆している。
3を被覆している。
【0021】ドーピングされたInPn−形半導体から
なる緩衝層5が案内層4を被覆している。
なる緩衝層5が案内層4を被覆している。
【0022】層5の材料より屈折率の高いInPからな
る第2のストリップ6がこの緩衝層5上に製造されてい
る。
る第2のストリップ6がこの緩衝層5上に製造されてい
る。
【0023】ストリップ6の形状は、図3に示す通りで
ある。
ある。
【0024】最後に、緩衝層5及びストリップ6はIn
Pからなる緩衝層7で被覆されている。
Pからなる緩衝層7で被覆されている。
【0025】各導波路は、フランス特許第860452
3号に記載の如き埋込み式構造体を有する。従って2つ
の導波路は、異なる高さに埋込まれ且つ構造体の異なる
面に位置している。
3号に記載の如き埋込み式構造体を有する。従って2つ
の導波路は、異なる高さに埋込まれ且つ構造体の異なる
面に位置している。
【0026】異なる緩衝層に使用されている材料が同一
であるのが好ましい。同様に2つのストリップの種類は
同一である。
であるのが好ましい。同様に2つのストリップの種類は
同一である。
【0027】図3に示すストリップが非線形形状である
ために、結合区域C内でのように導波路同士を結合する
ことができる。
ために、結合区域C内でのように導波路同士を結合する
ことができる。
【0028】このような結合器により、導波路の出入力
の接続が簡単になり得る。実際に導波路に対して垂直な
断面を示している図4では、導波路へのアクセスポイン
トは完全に異なっている。対照的に図5は結合区域C内
の垂直断面を示している。
の接続が簡単になり得る。実際に導波路に対して垂直な
断面を示している図4では、導波路へのアクセスポイン
トは完全に異なっている。対照的に図5は結合区域C内
の垂直断面を示している。
【0029】前述した構造体は能動モード又は受動モー
ドの2つのモードで動作し得、即ち電界を適用すること
ができるか又は電流を流すことができる。
ドの2つのモードで動作し得、即ち電界を適用すること
ができるか又は電流を流すことができる。
【0030】受動部品としてはこの構造体は、約数十マ
イクロメータと非常に短い結合長さを通じて、非常に高
い分離性能で波長を分離させ得る。逆にこの構造体は、
アクセスガイドを通じて波長を多重化させ得る。従って
この構造体により体積部分の2つの点を接続することが
できる。実際には、第一に2つの水平方向ではリトグラ
フィにより、第二には垂直方向では2つの重なった導波
路の間のエネルギ交換により、光線束を3つの方向に偏
向させることができる。
イクロメータと非常に短い結合長さを通じて、非常に高
い分離性能で波長を分離させ得る。逆にこの構造体は、
アクセスガイドを通じて波長を多重化させ得る。従って
この構造体により体積部分の2つの点を接続することが
できる。実際には、第一に2つの水平方向ではリトグラ
フィにより、第二には垂直方向では2つの重なった導波
路の間のエネルギ交換により、光線束を3つの方向に偏
向させることができる。
【0031】この部品は、導波路上に電極(図示せず)
を備えることにより電界下に置かれ、このようにして印
加電界に依存する動作を有し得る。
を備えることにより電界下に置かれ、このようにして印
加電界に依存する動作を有し得る。
【0032】部品は光スイッチとして使用され得る。こ
のために、電界はエネルギ交換を、従って2つの導波路
の間の結合長さを撹乱する。電界の適用に従って、光エ
ネルギは一方の出力導波路から他方の出力導波路に転換
される。層の屈折率は電界を適用して、又は電荷を加え
て変更され得る。
のために、電界はエネルギ交換を、従って2つの導波路
の間の結合長さを撹乱する。電界の適用に従って、光エ
ネルギは一方の出力導波路から他方の出力導波路に転換
される。層の屈折率は電界を適用して、又は電荷を加え
て変更され得る。
【0033】電界により、マルチプレクサ又はデマルチ
プレクサとしての構造体の動作を動作波長に関して調整
することもできる。
プレクサとしての構造体の動作を動作波長に関して調整
することもできる。
【0034】構造体への電界効果を増すために、主要案
内層4は多重量子井戸(MQW)構造体であり得る。こ
のMQW構造体は光の屈折率の選択に付加的自由を与え
且つ能動モードでの異なる重要な物理的作用を与える。
内層4は多重量子井戸(MQW)構造体であり得る。こ
のMQW構造体は光の屈折率の選択に付加的自由を与え
且つ能動モードでの異なる重要な物理的作用を与える。
【0035】構造体内では、自由キャリヤの減少した不
均一区域が電界下に生じる。この区域の作用は非常に大
きく且つ部品の動作のために使用され得る。
均一区域が電界下に生じる。この区域の作用は非常に大
きく且つ部品の動作のために使用され得る。
【0036】図6は本発明の装置の実施例の詳細図を示
している。
している。
【0037】前述した異なる素子は(材料及び厚さに関
して)以下の特性を有する。
して)以下の特性を有する。
【0038】基板:n+にドーピングされたInP。
【0039】緩衝層1:ドーピングされていない(真性
)InP。厚さは500nm。
)InP。厚さは500nm。
【0040】ストリップ2:エネルギ帯域幅が953m
eVのドーピングされていないInGaAsP。厚さは
80nm。
eVのドーピングされていないInGaAsP。厚さは
80nm。
【0041】緩衝層3:ドーピングされていないInP
。厚さは100nm。
。厚さは100nm。
【0042】主要案内層4:エネルギ帯域幅が953m
eVのドーピングされていないInGaAsP。厚さは
500nm。
eVのドーピングされていないInGaAsP。厚さは
500nm。
【0043】緩衝層5:ドーピングされていないInP
。厚さは100nm。
。厚さは100nm。
【0044】ストリップ6:エネルギ帯域幅が953m
eVのInGaAsP。厚さは80nm。
eVのInGaAsP。厚さは80nm。
【0045】緩衝層7:ドーピングされているp型In
P。厚さは1500nm。
P。厚さは1500nm。
【0046】緩衝層7は、p接触(p contact
)が設定され得るように、例えば約1000nmの深さ
に亜鉛を拡散させることによりp型ドーピングが行われ
ている。
)が設定され得るように、例えば約1000nmの深さ
に亜鉛を拡散させることによりp型ドーピングが行われ
ている。
【0047】このような構造体は、互いに殆ど同一の層
3,5及び互いに殆ど同一のストリップ2,6を有する
。この構造体は従って主要案内層4に対して対称である
。
3,5及び互いに殆ど同一のストリップ2,6を有する
。この構造体は従って主要案内層4に対して対称である
。
【0048】ストリップ2,6の組成は例えば、In0
・72Ga0・28As0・6P0・4である。
・72Ga0・28As0・6P0・4である。
【0049】本発明の一実施例での主要案内層4は多重
量子井戸を構成し得る。例えばこの多重量子井戸はIn
GaAsP及びInPの交番層であり得る。
量子井戸を構成し得る。例えばこの多重量子井戸はIn
GaAsP及びInPの交番層であり得る。
【0050】中でも特にこの多重量子井戸は、エネルギ
帯域幅が1.55μmであり、式:In0・58Ga0
・42As0・9P0・1で表され且つ各厚さが8nm
である30のInGaAsP層と、厚さが10nmであ
る30のInP層とからなり得る。
帯域幅が1.55μmであり、式:In0・58Ga0
・42As0・9P0・1で表され且つ各厚さが8nm
である30のInGaAsP層と、厚さが10nmであ
る30のInP層とからなり得る。
【0051】従ってこのような案内層は540nmの厚
さを有する。
さを有する。
【0052】主要案内層の電界を増すために、図7に示
す如く層1,2,3にn+型ドーピングを行い且つ層7
,6,5により深いp+型拡散を行うことができる。
す如く層1,2,3にn+型ドーピングを行い且つ層7
,6,5により深いp+型拡散を行うことができる。
【0053】真性帯域4及び層3,5は逆電圧下でキャ
リヤが減少し且つ屈折率の変動を生じる。
リヤが減少し且つ屈折率の変動を生じる。
【0054】図8の実施例では、2つの導波路G1,G
2は、互いに交差するように製造され得る。更には電界
印加電極E1,E2,E3,E4が導波路上において、
交差部分付近の交差部分の両側に配置され得る。
2は、互いに交差するように製造され得る。更には電界
印加電極E1,E2,E3,E4が導波路上において、
交差部分付近の交差部分の両側に配置され得る。
【0055】これから本発明の装置の製造方法について
説明する。
説明する。
【0056】(例えばInP製の)半導体基板を出発点
として、緩衝層1を、次には緩衝層1より屈折率の高い
異なる材料からなる第2の層を付着させるために、MO
CVD又はMBE付着技術が使用される。この材料は所
定形状に化学的溶液によりエッチングされ得、側方が閉
込められたストリップ2を提供する。このストリップは
相互作用区域及びS状部分を備えたマスクにより与えら
れる形状を有するか、又は信号の入力若しくは出力を可
能とするためにミラーを備えた形にされている。
として、緩衝層1を、次には緩衝層1より屈折率の高い
異なる材料からなる第2の層を付着させるために、MO
CVD又はMBE付着技術が使用される。この材料は所
定形状に化学的溶液によりエッチングされ得、側方が閉
込められたストリップ2を提供する。このストリップは
相互作用区域及びS状部分を備えたマスクにより与えら
れる形状を有するか、又は信号の入力若しくは出力を可
能とするためにミラーを備えた形にされている。
【0057】この段階の後に、試料はエピタキシの更新
のために成長用装置内に再度置かれる。この装置は既に
使用された最初の装置とは異なり得る。次に、緩衝層と
して蒸着されるのは層3である。この層は不可決という
わけではないが、所望とあればこの層により構造体を対
称にすることができる。次に、緩衝層より屈折率の高い
案内層4が蒸着される。この層は層2と同一の材料から
なり得るか、他の型の半導体材料からなり得るか、又は
多重量子井戸の構造体を形成する2つの型の半導体の層
の積み重ねにより形成され得る。緩衝層及び障壁層であ
る層5が蒸着され、最後に緩衝層より屈折率の高い他の
層6が蒸着される。この層は対称的な構造体が所望され
るか所望されないかによって、層2とは異なる材料から
製造され得る。
のために成長用装置内に再度置かれる。この装置は既に
使用された最初の装置とは異なり得る。次に、緩衝層と
して蒸着されるのは層3である。この層は不可決という
わけではないが、所望とあればこの層により構造体を対
称にすることができる。次に、緩衝層より屈折率の高い
案内層4が蒸着される。この層は層2と同一の材料から
なり得るか、他の型の半導体材料からなり得るか、又は
多重量子井戸の構造体を形成する2つの型の半導体の層
の積み重ねにより形成され得る。緩衝層及び障壁層であ
る層5が蒸着され、最後に緩衝層より屈折率の高い他の
層6が蒸着される。この層は対称的な構造体が所望され
るか所望されないかによって、層2とは異なる材料から
製造され得る。
【0058】次の段階は、マスクにより示される平面形
状を有するストリップを限定する局限層の選択的化学エ
ッチングの段階である。この層6の処理は層2の処理と
同様である。
状を有するストリップを限定する局限層の選択的化学エ
ッチングの段階である。この層6の処理は層2の処理と
同様である。
【0059】伝播損失を低減し且つ電気接触に必要とさ
れる技術段階を容易にするために構造体を埋込むように
、試料が緩衝層の付着のために成長用装置内に再度置か
れる。
れる技術段階を容易にするために構造体を埋込むように
、試料が緩衝層の付着のために成長用装置内に再度置か
れる。
【図1】本発明の装置の一般的な実施例を示す斜方透視
図である。
図である。
【図2】半導体材料により製造された、本発明の装置の
実施例の詳細断面図である。
実施例の詳細断面図である。
【図3】図2の装置の詳細平面図である。
【図4】図2の装置の詳細断面図である。
【図5】図2の装置の詳細断面図である。
【図6】本発明の異なる層の構造例を示す断面図である
。
。
【図7】本発明の異なる層の構造例を示す断面図である
。
。
【図8】本発明の装置の変形例の平面図である。
1,3,5,7 緩衝層
2,6 ストリップ
4 案内層
C 結合区域
G1,G2 導波路
P1,P2 面
Claims (14)
- 【請求項1】 それぞれが第1の面及び第2の面に位
置している少なくとも2つの導波路を含み且つ第1の導
波路の少なくとも一部が第2の導波路の一部に接近して
いる少なくとも1つの結合区域を有していることを特徴
とする3次元集積案内構造体。 - 【請求項2】 第1の面と第2の面とが互いに平行で
あり且つ2つの導波路の部分が第1の面及び第2の面に
垂直な第3の面に位置することを特徴とする請求項1に
記載の案内構造体。 - 【請求項3】 導波路が、結合区域の部分以外では、
第3の面から実質的に等距離の所にあり且つ第1の面及
び第2の面に垂直な2つの面に包含されていることを特
徴とする請求項1に記載の案内構造体。 - 【請求項4】 第1の屈折率を有する第1の緩衝層と
、第1の層上に位置する、第1の屈折率より高い第2の
屈折率を有する第1のストリップと、第1のストリップ
及び第1の緩衝層を被覆する、第2の屈折率より低い第
3の屈折率を有する案内層と、案内層を被覆する、第4
の屈折率を有する第2の緩衝層と、第2の緩衝層上に位
置する、第4の屈折率より高い第5の屈折率を有する第
2のストリップと、第2のストリップ及び第2の緩衝層
を被覆する、第5の屈折率より低い第6の屈折率を有す
る第3の緩衝層とを含んでいることを特徴とする請求項
1に記載の案内構造体。 - 【請求項5】 第1のストリップと案内層との間に位
置する第4の緩衝層を含んでいることを特徴とする請求
項4に記載の案内構造体。 - 【請求項6】 第1、第2、第3及び第4の緩衝層が
同様の材料から製造されていることを特徴とする請求項
4に記載の案内構造体。 - 【請求項7】 ストリップが、緩衝層の材料より屈折
率の高い同様の材料から製造されていることを特徴とす
る請求項6に記載の案内構造体。 - 【請求項8】 構造体が案内層に対して対称となるよ
うに、第2の層及び第4の層の組成、ドーピング及び厚
さが殆ど同一であり、且つストリップの組成、ドーピン
グ及び寸法も殆ど同一であることを特徴とする請求項5
に記載の案内構造体。 - 【請求項9】 案内層が、多重量子井戸を構成する交
番層の形態に製造されていることを特徴とする請求項4
に記載の案内構造体。 - 【請求項10】 第1及び第2のストリップが結合区
域を形成し、該結合区域内においてストリップが層の面
に垂直な面に位置する部分を有していることを特徴とす
る請求項4に記載の案内構造体。 - 【請求項11】 基板上に第1の緩衝層を製造する第
1の段階と、第1の緩衝層より屈折率の高い材料の層を
製造し、その後第1のストリップをエッチングする第2
の段階と、第1のストリップ及び第1の緩衝層上に案内
層を製造する第3の段階と、案内層上に第2の緩衝層を
製造する第4の段階と、第2の緩衝層より屈折率の高い
材料の層を製造し、その後第2のストリップをエッチン
グする第5の段階と、第2のストリップ及び第2の緩衝
層上に第3の緩衝層を製造する第6の段階とを含んでい
ることを特徴とする請求項4に記載の案内構造体の製造
方法。 - 【請求項12】 第2の段階と第3の段階との間に、
案内層より屈折率の低い材料からなる第4の緩衝層を製
造する付加的段階を含んでいることを特徴とする請求項
11に記載の方法。 - 【請求項13】 層の製造のための段階が、MOCV
D(有機金属熱分解法)及びMBE(分子線エピタキシ
ャル成長)による蒸着技術を使用していることを特徴と
する請求項12に記載の方法。 - 【請求項14】 第1及び第2のストリップのエッチ
ング作業が、選択的化学エッチングにより実施されるこ
とを特徴とする請求項12に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9003878A FR2660439B1 (fr) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | Structure guidante integree en trois dimensions et son procede de realisation. |
FR9003878 | 1990-03-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04223409A true JPH04223409A (ja) | 1992-08-13 |
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ID=9395148
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3084623A Pending JPH04223409A (ja) | 1990-03-27 | 1991-03-25 | 3次元集積案内構造体及び該案内構造体の製造方法 |
Country Status (4)
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---|---|
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EP (1) | EP0449719A1 (ja) |
JP (1) | JPH04223409A (ja) |
FR (1) | FR2660439B1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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DE19849862C1 (de) | 1998-10-29 | 2000-04-06 | Alcatel Sa | Thermooptischer Schalter |
EP1234199A1 (en) | 1999-12-02 | 2002-08-28 | Gemfire Corporation | Photodefinition of optical devices |
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-
1990
- 1990-03-27 FR FR9003878A patent/FR2660439B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-03-13 US US07/668,783 patent/US5159699A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-25 JP JP3084623A patent/JPH04223409A/ja active Pending
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---|---|
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FR2660439B1 (fr) | 1993-06-04 |
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