JPS6049633A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6049633A
JPS6049633A JP15682483A JP15682483A JPS6049633A JP S6049633 A JPS6049633 A JP S6049633A JP 15682483 A JP15682483 A JP 15682483A JP 15682483 A JP15682483 A JP 15682483A JP S6049633 A JPS6049633 A JP S6049633A
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Japan
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line
plane
semiconductor device
circuit pattern
mesa
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JP15682483A
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Toshio Sagawa
佐川　敏男
Tsunehiro Unno
恒弘 海野
Junkichi Nakagawa
中川　順吉
Kazuhiro Kurata
倉田　一宏
Tomoki Inada
稲田　知己
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Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の費用ど目的１ 本発明は半導体装置に係り、特に閃亜鉛鉱形結晶構造を
；６つ化合物半導体基板に回路パターンをエツチングに
より形成してなる半導体装置に関するものである。
■−■族、■−ｖ族化合物坐り９体等の閃亜鉛鉱型結晶
構造をもつ半導体は、［１１１］軸方向に極性を持って
いる。したがって、この結晶構造を有する結晶は、特性
の異なる２つの（１１１）面、すなわち、（１１１）Ａ
面と（１１１）　Ｆ３而とを持っており、Ａ面は不対電
子を持っていないが、８面はそれを持っているため、化
学的に活性であり、■ツヂャントに対する反応の仕方も
両面で異なる。
このため、例えば、第１図（ａ　）に示すＪ：うに、基
板１の（１００）面上の［１１０］の方向ヤ）［１１０
］方向に平行に回路のパターンを焼き付（プてエツチン
グして回路パターン２を形成すると、（１１０）へき開
面は、第１図（ｌ））に示すＪ：うなメサ型の断面形状
になる。
また、（１１０）へぎ開面では、第１図（Ｃ）に示すよ
うな逆メサ型またはブリッジ状の腐食跡を形成する。
したがって、集積回路等の回路素子とした場合、メサ型
の部分は、底部に行くにしたがって太くなる傾向がある
反面、逆メリー４“！の部分は、底部になるにしたがっ
て細くなり、回路の線幅に対して渦がある深さ以上に／
ｉると、根本の部分が破損１′る結果となる。
例えば、（１００）面に線幅１０μｍの回路パターン２
を形成した場合、深さが約８μｍ以」ニになると、逆メ
サ型の部分の接触点がなくなり、回路として製造が困難
になる。特に、超ＬＳＩなどのように、線幅が１μｍ程
度と細くなる場合は、さらに製造が困難になる。
また、単体の素子においても、メサ構造やチャネル構造
における幅と深さないしは高さとの関係は同様であり、
徴■加工が困Ｉ１１である。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とする
ところは、集積度を増づ−ため線幅を非常に細くしたり
、単体の素子にお（プる要素構造を微細化でき、しかも
、極性による悪影響を受けない半導体素子を提供するこ
とにある。
［発明の概要］ 本発明の特徴は、結晶学的に（１００）面を右する閃亜
鉛鉱形結晶構造をもつ化合物半導体基板の上記（１００
）面一トの［０１０］方向または［００１］方向に平行
にメサ型ないしチャネル型単体、素子または回路パター
ンをエツチングにより形成してなる構成の−ｂのとした
点にある。
「実施例１ 以下本発明を第２図に示Ｍ実施例を用いて詳細に説明す
る。
第２図は本発明の半導体装置の一実施例を示づ構成図で
、（ａ　）は平面図、（１〕）は正面図、（Ｃ）は側面
図である。なお、実施例ではＧａＡＳについて記Ｊ　７
Ｉるが、ＧａＡＳ以外のＱａ　ＭＡ　Ｓ　、　Ｇａ　Ｐ
、ＩｎＰ、１ｎ３ｂ、ｉｎ　ＡＳ　、その他の閃仰鉛型
結晶構造をもつ化合物半導体であって：ｂＪ、いことは
いうまでもない。
第２図において、３は結晶学的に（１００）面を有する
Ｑａ　Ａｓより１．−する化合物半導体基板で、基板３
の（１００）面上の１０１０１方向マタハ［００１］方
向に平行に回路パターン４を配列、形成しである。なお
、基板３」−にパターンを焼き付けて、硫酸−過酸化水
系の■ツヂャンでＱａ　Ａｓのエツチングを行い、その
後不要の３ｉ０２膜を除去して回路パターン４を形成し
て３− ある。この場合、（００１）断面におけるメサの形状を
観察すると、第２図（ｂ）に示すメサ形状を示す。また
、（０１０）断面におけるメサの形状を観察すると、第
２図（Ｃ）に示すメサ形状を示す。
すなわち、（００１）面、（０１０）面ともに基板３の
面に対して溝（エツチングした部分）が垂直になってお
り、線幅３μｍの場合、溝の深さ５μｍまでエツチング
してもメサがくずれることがない。
また、上記において、臭素−メタノール系エツチャン１
〜でエツチングを行った場合は、線幅１μｍで、溝の深
さ３μｍの回路パターン４を形成してもメサがくずれる
ことがなかった。
上記したように、本発明の実施例によれば、（１００）
而を有する閃亜鉛鉱形結晶構造をもつ化合物半導体基板
３の（１００）面上の（０１０’）方向またはＩ：　Ｏ
Ｏ１］方向に平行に回路パターン（メサ型ないしチャネ
ル型単体素子含む）４をエツチングにより形成した構成
の半導体装置とじた＝４− ので、従来、極性があるため困ガ１であった化合物半導
体の集積回路の線幅をシリコンのｊ：うな非極性のもの
に近づ（）ることができる。したがって、化合物半導体
を用いたＩＣ，１−３ｒ、超ＬＳＩなどの半導体装置を
提供できる。これらは、従来から知られる化合物半導体
の極性による集積化への制限をとりはらい、極性の影響
のない結晶方位に合わせて回路を形成するようにしたの
で、逆メナ形状となることがなく、回路の線幅の微細化
が可能になったためである。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、集積度を増すた
め線幅を非常に細くしたり、単体の素子における要素構
造を微細化できるので、集積化が進んだものを容易に製
作できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の構成図、第２図は本発明の
半導体装置の一実施例を示す構成図である。 ３：化合物半導体基板、４：回路パターン。 第１頁の続き ［相］発明者　稲１）知己　日立布Ｅ コ高町５丁目１番地　日立電線株式会社電線研究所手続
補正書（自発） １．事件の表示　；・４〉 昭和　５８　年　特　許　願第１５６８２４　号２発明
の名称　半導体装置 ａ　補正をする者 ４、代　理　人〒１００ 居　所　東京都千代田［ス丸の内二丁目１番２号補正の
対象 明細書及び図面。 補正の内容 （１）明細書の第２頁第８行目のｒ（１００）ｊをｒ（
１００）、Ｊと訂正する。 （２）明細書の第２頁第８行目のｒｃＯ１０］Ｊをｒ＜
０１１＞ｊと訂正する。 （６）明細書の第２頁第９行目のｒ［：１１０）Ｊを１
’−（０１１）ｊと訂正する。 （４）明細書の第２頁第１１行目のｒ（１１０）Ｊをｒ
（０１１）Ｊと訂正する。 （５）明細書の第２頁第１３行目の「（了１０）」を「
（０１１）」と訂正する。 （６）明細書の第４頁第１８行目の「硫酸−過酸化素糸
のエラチャン」を「硫酸−過酸化水素系のエッチャント
」と訂正する。 （ハ　明細書の第５頁第１行目および同頁第６行目のｒ
（ｏｏｉ）」をｒ（０１０）Ｊと訂正する。 （８）　明細書の第５頁第６行目および同頁第６行目の
ｒ（０１０）Ｊを「（００１）」と訂正する。 ＝２− （９）　明細書の第５頁第１７行目〜同頁第１８行目の
ｒ（０１０）方向または（００１：］方向」をｒ（０１
０）方向寸だ回、（００１）方向」と訂正する。 ００）第１図および第２図を別紙の通り訂正する。 添付書類の目録 図　面（第１図および第２図）　１通 以　」二 ３− 茅１図 児　２　日 手続補正店（自発） ５９．８．０９ １７個口　年　月　１］ 特許庁長官志賀学殿 昭和　５８　年　特　許　願第　１５６８２４　号２、
発明の名称　半導体装置 ａ　補正をする者 ４、代　理　人〒１００ 居　所　東京都千代田［２丸の内二丁目１番２号補正の
対象 明細書及び図面（第１図）。 補正の内容 （１）明細書の第２頁第８行目の「〈０ゴ１〉」を「〈
０１１〉」と訂正する。 （２）明細書の第２百第１１行目の「（０１１）Ｊをｒ
（０１１）Ｊと訂正する。 （６）明細書の第２頁第１６行目のｒ（０１１）ｊをｒ
（０１１）Ｊと訂正する。 （４）図面の第１図を別紙の通り訂正する。 添付書類の目録 図　面（第１図）　１通 以上 ２− 弥 −１６゜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 閃亜鉛鉱形結晶構造をもつ化合物半導体基板に回路パタ
    ーンをエツチングにより形成してなる半導体装置におい
    て、結晶学的に（、１００）而を有する前記化合物半導
    体基板の前記（１００）面上の［０１０Ｆ方向または［
    ００１］方向に平行にメサ型ないしヂ１７ネル型単体素
    子または回路パターンをエツチングにより形成してなる
    構成としであることを特徴とする半導体装置。
JP15682483A 1983-08-26 1983-08-26 半導体装置 Pending JPS6049633A (ja)

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JP15682483A JPS6049633A (ja) 1983-08-26 1983-08-26 半導体装置
GB08421580A GB2145375B (en) 1983-08-26 1984-08-24 Semiconductor device
FR8413224A FR2551265B1 (fr) 1983-08-26 1984-08-24 Dispositif semiconducteur obtenu par attaque

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JP15682483A JPS6049633A (ja) 1983-08-26 1983-08-26 半導体装置

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FR (1) FR2551265B1 (ja)
GB (1) GB2145375B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4971926A (en) * 1984-08-28 1990-11-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a semiconductor device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4844830B1 (ja) * 1969-08-21 1973-12-27 Tokyo Shibaura Electric Co

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4971926A (en) * 1984-08-28 1990-11-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a semiconductor device

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Publication number Publication date
GB2145375B (en) 1987-01-28
GB2145375A (en) 1985-03-27
FR2551265A1 (fr) 1985-03-01
FR2551265B1 (fr) 1988-10-14
GB8421580D0 (en) 1984-09-26

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