JPS6018946A - 三次元集積回路装置 - Google Patents
三次元集積回路装置Info
- Publication number
- JPS6018946A JPS6018946A JP12664683A JP12664683A JPS6018946A JP S6018946 A JPS6018946 A JP S6018946A JP 12664683 A JP12664683 A JP 12664683A JP 12664683 A JP12664683 A JP 12664683A JP S6018946 A JPS6018946 A JP S6018946A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- film
- semiconductor
- circuit device
- dimensional integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 241000282596 Hylobatidae Species 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0688—Integrated circuits having a three-dimensional layout
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は三次元半導体集積回路装置の構造に関する。
従来、三次元半導体集積回路装置は、Ｊ、Ｆ。
Ｇｉｂｂｏｎｓ ａｎａ Ｋ、Ｆ、Ｌｅｅ、” ０ｎｅ
−Ｇａｔｅ−Ｗ：Ｌａｅ ０ＭＯ８工ｎｖｅｒｔｅｒ
ｏｎＬａｓｅｒ−Ｒｅｃｒｙｓｔａｌ’１ｉｚｅｄＰｏ
ｌｙｓｉｌｉｃｏｎ”、工ＥＦｉＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｄｅｖｉｃｅ Ｌθｔｔｅｔｓ、Ｖｏｌ、ＥＤＬ−１。
−Ｇａｔｅ−Ｗ：Ｌａｅ ０ＭＯ８工ｎｖｅｒｔｅｒ
ｏｎＬａｓｅｒ−Ｒｅｃｒｙｓｔａｌ’１ｉｚｅｄＰｏ
ｌｙｓｉｌｉｃｏｎ”、工ＥＦｉＥ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
Ｄｅｖｉｃｅ Ｌθｔｔｅｔｓ、Ｖｏｌ、ＥＤＬ−１。
Ｎｏ、６．Ｐ、Ｐ、１１７−１１８（１９８０ン 。
に記されている三次元集積回路に代表される如く、例え
ば８１基板上に形成された第１の半導体集積回路上に第
２の８１膜からなる半導体集積回路を形成する如く、同
一半導体材料を多層に重ねた三次元集積回路となすのが
通例であった。
ば８１基板上に形成された第１の半導体集積回路上に第
２の８１膜からなる半導体集積回路を形成する如く、同
一半導体材料を多層に重ねた三次元集積回路となすのが
通例であった。
しかし、上記従来技術によると、高移動度を要する集積
回路と低移動度で済む集積回路とを組み合わせて集積化
できない等の欠点があった。
回路と低移動度で済む集積回路とを組み合わせて集積化
できない等の欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、高移動度を
要する集積回路と低移動度で済む集積回路とを組み合わ
せて集積化できる三次元集積回路構造を提供することを
目的とする。
要する集積回路と低移動度で済む集積回路とを組み合わ
せて集積化できる三次元集積回路構造を提供することを
目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、三
次元集積回路装置において、第１の半導体材料からなる
基板上には第１の半導体集積回路が形成され、該第１の
半導体集積回路上には第２の半導体材料からなる膜に第
２の半導体材料からなる膜に第２の半導体集積回路が形
成されて成ることを特徴とする事、及び、絶縁基板上に
は第１の半導体材料膜からなる第１の半導体集積回路が
形成され、該第１の半導体集積回路上には第２の半導体
膜からなる第２の半導体集積回路が形成されて成ること
を特徴とする。
次元集積回路装置において、第１の半導体材料からなる
基板上には第１の半導体集積回路が形成され、該第１の
半導体集積回路上には第２の半導体材料からなる膜に第
２の半導体材料からなる膜に第２の半導体集積回路が形
成されて成ることを特徴とする事、及び、絶縁基板上に
は第１の半導体材料膜からなる第１の半導体集積回路が
形成され、該第１の半導体集積回路上には第２の半導体
膜からなる第２の半導体集積回路が形成されて成ること
を特徴とする。
以下、実施例によ゛り本発明を詳述する。
第１図は従来技術による三次元集積回路の断面図を示す
。８１基板１には拡散層２．フィールド酸化膜３．第１
のゲート酸化膜４．共通Ｓ１ゲート５．引出し電極６等
からなる第１の集積回路が形成され、該第１の集積回路
上に、第２のゲート酸化膜７．Ｓ１膜８．該Ｓ１膜８に
形成された拡散層９．引出し電極１０、およびＳｉ共通
ゲート５からなる第２の集積回路が形成されて成る。
。８１基板１には拡散層２．フィールド酸化膜３．第１
のゲート酸化膜４．共通Ｓ１ゲート５．引出し電極６等
からなる第１の集積回路が形成され、該第１の集積回路
上に、第２のゲート酸化膜７．Ｓ１膜８．該Ｓ１膜８に
形成された拡散層９．引出し電極１０、およびＳｉ共通
ゲート５からなる第２の集積回路が形成されて成る。
第２図は、本発明の一実施例を示す三次元集積回路の断
面図である。サファイヤからなる絶縁基板１１の表面に
はＳ１膜１２が形成され、該Ｓ１膜１２には拡散層１３
＋フイールド酸化膜１４゜ゲート酸化Ｎ １５ 、 Ｓ
ｉ共通ゲート１６．引出し電極１７からなる第１の集
積回路が形成され、該第１の集積回路上には、ゲート酸
化膜１７ 、 工ｎＰ等からなる化合物半導体膜は、拡
散層１９．フィールド酸化１１ｉ ２０ 、引出し電極
２１、および８１共通ゲート１６から成る第２の集積回
路が形成されて成る。
面図である。サファイヤからなる絶縁基板１１の表面に
はＳ１膜１２が形成され、該Ｓ１膜１２には拡散層１３
＋フイールド酸化膜１４゜ゲート酸化Ｎ １５ 、 Ｓ
ｉ共通ゲート１６．引出し電極１７からなる第１の集
積回路が形成され、該第１の集積回路上には、ゲート酸
化膜１７ 、 工ｎＰ等からなる化合物半導体膜は、拡
散層１９．フィールド酸化１１ｉ ２０ 、引出し電極
２１、および８１共通ゲート１６から成る第２の集積回
路が形成されて成る。
本発明の場合、基板をＳｉとして該８１基板に第１の集
積回路を形成し、その上に化合物半導体膜から成る第２
の集積回路を形成しても良く、更に、基板を化合物半導
体として、該化合物半導体基板に第１の集積回路を形成
し、その上に８１膜を形成し、該Ｓ１膜に第２の集積回
路を形成しても良く、更に、基板を絶縁膜として、第１
の集積回路を化合物半導体膜に形成し、その上に第２の
集積回路を８ｉ膜に形成しても良い。
積回路を形成し、その上に化合物半導体膜から成る第２
の集積回路を形成しても良く、更に、基板を化合物半導
体として、該化合物半導体基板に第１の集積回路を形成
し、その上に８１膜を形成し、該Ｓ１膜に第２の集積回
路を形成しても良く、更に、基板を絶縁膜として、第１
の集積回路を化合物半導体膜に形成し、その上に第２の
集積回路を８ｉ膜に形成しても良い。
本発明の如く、第１の集積回路と第２の集積回路を８１
と化合物半導体に形成した組合せとすることにより、低
速で済む回路・素子を８１に高速を要する回路・素子を
化合物半導体に形成することが出来、更に例えば発光素
子を化合物半導体集積回路に形成し、発光素子をｓ１半
導体集積回路に形成し、相互間の信号の伝達も可能とな
る等の効果がある。
と化合物半導体に形成した組合せとすることにより、低
速で済む回路・素子を８１に高速を要する回路・素子を
化合物半導体に形成することが出来、更に例えば発光素
子を化合物半導体集積回路に形成し、発光素子をｓ１半
導体集積回路に形成し、相互間の信号の伝達も可能とな
る等の効果がある。
第１図は従来技術による三次元集積回路装置の断面図、
第２図は本発明による三次元集積回路装置の一実施例を
示す断面図である。 １・・・・・・８１基板 ２．９，１５．１９・・・・・・拡散層３．１４，９，
２０・・・・・・フィールド酸化膜ｊ２．１８・・・・
・・Ｓ１膜 ４．７，１５．１７・・・・・・ゲート酸化膜５．１６
・・・・・・Ｓｉ共通ゲート
第２図は本発明による三次元集積回路装置の一実施例を
示す断面図である。 １・・・・・・８１基板 ２．９，１５．１９・・・・・・拡散層３．１４，９，
２０・・・・・・フィールド酸化膜ｊ２．１８・・・・
・・Ｓ１膜 ４．７，１５．１７・・・・・・ゲート酸化膜５．１６
・・・・・・Ｓｉ共通ゲート
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 第１の半導体材料からなる基板上には第１の半導
体集積回路が形成され、該第１の半導体集積回路上には
第２の半導体材料からなる膜に、第２の半導体集積回路
が形成されて成ることを特徴とする三次元集積回路装置
。 ２、第１の半導体材料をＳｉ、第２の半導体材料を化合
物半導体膜となすことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の三次元集積回路装置。 ３、 第１の半導体材料を化合物半導体、第２の半導体
材料を８１膜となすことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の三次元集積回路装置。 ４、 絶縁基板上には第１の半導体材料膜からなる第１
の半導体集積回路が形成され、該第１の半導体集積回路
上には第２の半導体膜からなる第２の半導体集積回路が
形成されて成ることを特徴とする三次元集積回路装置。 ５、 第１の半導体材料膜を８１膜、第２の半導体膜を
化合物半導体膜となすことを特徴とする特許請求の範囲
第４項記載の三次元集積回路装置。 ６、 第１の半導体材料膜を化合物半導体膜、第２の半
導体材料膜を８１膜となすことを特徴とする特許請求の
範囲第４項記載の三次元集積回路装置。 Ｚ 絶縁基板をサファイヤ基板となすことを特徴とする
特許請求の範囲第４項記載の三次元集積回路装置。 ａ 絶縁基板を石英基板となすことを特徴とする特許請
求の範囲第４項記載の三次元集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12664683A JPS6018946A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 三次元集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12664683A JPS6018946A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 三次元集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6018946A true JPS6018946A (ja) | 1985-01-31 |
Family
ID=14940349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12664683A Pending JPS6018946A (ja) | 1983-07-12 | 1983-07-12 | 三次元集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018946A (ja) |
-
1983
- 1983-07-12 JP JP12664683A patent/JPS6018946A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05267563A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS5516464A (en) | Method of forming wafer for semiconductor device | |
| US3341743A (en) | Integrated circuitry having discrete regions of semiconductor material isolated by an insulating material | |
| JPS55163877A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPS6018946A (ja) | 三次元集積回路装置 | |
| JPH02209735A (ja) | 半導体装置 | |
| KR970017918A (ko) | 고주파 회로 장치 및 그의 제조 방법 | |
| JPS59150465A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS5892254A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6158266A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS63120481A (ja) | 薄膜ハイブリツドｉｃ | |
| JPS57145361A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPS59208796A (ja) | ジヨセフソン素子 | |
| JPS5925249A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS54157496A (en) | Manufacture of tunnel junction | |
| JPS63246842A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS6091662A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2532471B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59145569A (ja) | マルチコレクタ縦型ｐｎｐトランジスタ | |
| JPS61154142A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06101561B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6288339A (ja) | ポリイミド膜多層記線 | |
| JPS55111172A (en) | Nonvolatile semiconductor memory device | |
| JPS6017942A (ja) | 三次元集積回路装置 | |
| JPH0563167A (ja) | 半導体装置 |