JPS6047473A - アモルフアスシリコン光センサ - Google Patents
アモルフアスシリコン光センサInfo
- Publication number
- JPS6047473A JPS6047473A JP58154805A JP15480583A JPS6047473A JP S6047473 A JPS6047473 A JP S6047473A JP 58154805 A JP58154805 A JP 58154805A JP 15480583 A JP15480583 A JP 15480583A JP S6047473 A JPS6047473 A JP S6047473A
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- JP
- Japan
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- cyclized rubber
- amorphous
- film
- optical sensor
- sintered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は性能の安定したアモルファスシリコン光センサ
に関する。
に関する。
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと略称）は、近年
その性能が急減に改善され、各種の用途に広く用いられ
るようになって来た。特に、光センサ用としては、従来
の８ｅやＣｄＳ系などに比し、信頼性はむしろ高く、公
害問題の恐れもなく、大型または長尺のものを作シ易い
ことなどから好んで用いられている。
その性能が急減に改善され、各種の用途に広く用いられ
るようになって来た。特に、光センサ用としては、従来
の８ｅやＣｄＳ系などに比し、信頼性はむしろ高く、公
害問題の恐れもなく、大型または長尺のものを作シ易い
ことなどから好んで用いられている。
しかし、ａ−８ｘは、高温度や非常に高い照度のもとで
は、現在多少性能が劣化する。光センサ用としては、通
常、その光源を任意に選択できるので、強すぎる光で劣
化する恐れはまずない。しかし、製造工程中に受けた高
温環境の影響で、期待通シの良好な性能が得られない場
合が生ずる。
は、現在多少性能が劣化する。光センサ用としては、通
常、その光源を任意に選択できるので、強すぎる光で劣
化する恐れはまずない。しかし、製造工程中に受けた高
温環境の影響で、期待通シの良好な性能が得られない場
合が生ずる。
従来、Ｓｉ系半導体素子の絶縁材料には、５ｉ（ｈ、８
ｉｓＮ４、あるいは有機のポリイミドｗ脂等が用いられ
て来たが、いずれも単結晶Ｓｌプロセスで発達して来た
ものなので、形成時の温度が高い。ＳｉＣ，８ｉｓＮ４
膜をプラズマＣＶＤ法で形成する場合でも、ポリイミド
徊脂膜を焼成する場合でも、３５０°Ｃ以上に加熱する
必要がある。しかるにａａ−８ｉ膜、の形成温度（基板
温度）は周知の如（２００−３５０・Ｃなので、これら
従来使い慣れた絶縁膜を用いて焼成するとａ−８ｉ膜の
特性を港しく劣化させてしまう恐れがあるという問題が
あった。
ｉｓＮ４、あるいは有機のポリイミドｗ脂等が用いられ
て来たが、いずれも単結晶Ｓｌプロセスで発達して来た
ものなので、形成時の温度が高い。ＳｉＣ，８ｉｓＮ４
膜をプラズマＣＶＤ法で形成する場合でも、ポリイミド
徊脂膜を焼成する場合でも、３５０°Ｃ以上に加熱する
必要がある。しかるにａａ−８ｉ膜、の形成温度（基板
温度）は周知の如（２００−３５０・Ｃなので、これら
従来使い慣れた絶縁膜を用いて焼成するとａ−８ｉ膜の
特性を港しく劣化させてしまう恐れがあるという問題が
あった。
本発明の目的は上記の如き問題のない、ａ−８ｊの特性
を劣化させる恐れの無い絶縁材料を用い六ａ−８ｉ光セ
ンザを提供することにある。
を劣化させる恐れの無い絶縁材料を用い六ａ−８ｉ光セ
ンザを提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、絶縁体材
料の一部に、環化ゴム系ホトレジストの（芳香族ビスア
ジド系）を利用することとした。
料の一部に、環化ゴム系ホトレジストの（芳香族ビスア
ジド系）を利用することとした。
絶縁体材料であってもガラス基板のような既成部材は勿
論関係な゛い。
論関係な゛い。
まず基本概念を示すために最も簡単な構造を持つ第１実
施例について述べる。第１図はサンドイッチ型などと呼
ばれるａ−８ｉを元検出部とする光センナの断面図であ
る。ガラス基板１上にＣｒ’を極２を形成し、その上に
ａ−８ｉＪ６ｉ３Ｃ後述の実施例２参照）よシなるホト
ダイオードを設け、史にＡｔ’ｌｔ極４を形成させた後
、環化ゴム系ホトレジスト膜５でパッシベーションをし
たもので、Ｔｈ、６゜一般にファクシミリ用などの光セ
ンサは、紙にこすられたシ、特別の空調などしていない
室内で用いられ、パッシベーションは大切である。なお
環化ゴム系ホトレジスト膜は、その本来の用途上、微細
加工は自由であシ、極めて使用し易い。
施例について述べる。第１図はサンドイッチ型などと呼
ばれるａ−８ｉを元検出部とする光センナの断面図であ
る。ガラス基板１上にＣｒ’を極２を形成し、その上に
ａ−８ｉＪ６ｉ３Ｃ後述の実施例２参照）よシなるホト
ダイオードを設け、史にＡｔ’ｌｔ極４を形成させた後
、環化ゴム系ホトレジスト膜５でパッシベーションをし
たもので、Ｔｈ、６゜一般にファクシミリ用などの光セ
ンサは、紙にこすられたシ、特別の空調などしていない
室内で用いられ、パッシベーションは大切である。なお
環化ゴム系ホトレジスト膜は、その本来の用途上、微細
加工は自由であシ、極めて使用し易い。
第２図は環化ゴム系ホトレジスト膜５が感光性を有する
ことを利用してスルーホール部を形成した第２実施例を
示す。ガラス基板ｌ上にＣｒＨをスパッタ形成した後、
微細加工してＣｒ電極２のパターンを得る。次にａ −
８ｉ層をプラズマＣＶＤ法で形成したのちＣＦａガスで
微細加工してａ−８ｉ層３を作る。このａ−８ｉ層形成
に際しては、プシズマＣＶＩ）時の導入ガスを変えてｐ
ｉｎ ｍもしくはｎｉｐ ｍのダイオード構造にしてお
く。ついで、環化ゴム系ホトレジス）０ＭＲ８３（東京
応化社製）を２μｍ厚に塗布し、露光、現像して環化ゴ
ム系ホトレジスト膜５を所望パターンに形成する。さら
に１５０〜２００″Ｃの温夏範囲で３０分間焼成する。
ことを利用してスルーホール部を形成した第２実施例を
示す。ガラス基板ｌ上にＣｒＨをスパッタ形成した後、
微細加工してＣｒ電極２のパターンを得る。次にａ −
８ｉ層をプラズマＣＶＤ法で形成したのちＣＦａガスで
微細加工してａ−８ｉ層３を作る。このａ−８ｉ層形成
に際しては、プシズマＣＶＩ）時の導入ガスを変えてｐ
ｉｎ ｍもしくはｎｉｐ ｍのダイオード構造にしてお
く。ついで、環化ゴム系ホトレジス）０ＭＲ８３（東京
応化社製）を２μｍ厚に塗布し、露光、現像して環化ゴ
ム系ホトレジスト膜５を所望パターンに形成する。さら
に１５０〜２００″Ｃの温夏範囲で３０分間焼成する。
その後人を膜をスパッタし、微細加工してＡｔ電極４を
形成する。ここでａ−８ｉ層上に形成したＡ／膜はダイ
オードの電極となる。又、環化ゴム系ホトレジスト換の
スルーホールを通してＣｒ電極と接続させることにょシ
多層配線が可能となる。最後にＩＴＯ（インジウム、ス
ズ酸（１）透明電極６を設けてホトダイオードが形成さ
れ光センサアレイが完成する。このように、絶縁体材料
として、環化ゴム系ホトレジストを利用するとスルーホ
ール部を設けることも自由に出来、工程が短縮される。
形成する。ここでａ−８ｉ層上に形成したＡ／膜はダイ
オードの電極となる。又、環化ゴム系ホトレジスト換の
スルーホールを通してＣｒ電極と接続させることにょシ
多層配線が可能となる。最後にＩＴＯ（インジウム、ス
ズ酸（１）透明電極６を設けてホトダイオードが形成さ
れ光センサアレイが完成する。このように、絶縁体材料
として、環化ゴム系ホトレジストを利用するとスルーホ
ール部を設けることも自由に出来、工程が短縮される。
まノζ従来の無機パッシベーション膜などで問題になっ
ていたサイドエツチングによる形状不良も根絶出来た。
ていたサイドエツチングによる形状不良も根絶出来た。
なお、環化ゴム系ホトレジス）Ｎとして日本合成ゴム社
製のＣＤＩも−Ｍ９０１を用いても同様の結果が得られ
た。
製のＣＤＩも−Ｍ９０１を用いても同様の結果が得られ
た。
なお、塊化ゴム系ホトレジストの焼成温度は、そのメー
カや柚餉によって多少の差があるが、低い温度で焼成す
れば軟らかく、高い温度で焼成すれば破くなシ、本発明
の目的に対しては、焼成温度１００〜３００°Ｃの範囲
にあるものを用いるのが良い。
カや柚餉によって多少の差があるが、低い温度で焼成す
れば軟らかく、高い温度で焼成すれば破くなシ、本発明
の目的に対しては、焼成温度１００〜３００°Ｃの範囲
にあるものを用いるのが良い。
以上説明したように本発明によれば、絶縁体材料の焼成
に際し一、ａ−８ｉの特性劣化の恐れがなくなり、しか
も絶縁部材の形状の微細加工も極めて容易すので、特性
良好なアモルファスシリコン光センサが得られる。
に際し一、ａ−８ｉの特性劣化の恐れがなくなり、しか
も絶縁部材の形状の微細加工も極めて容易すので、特性
良好なアモルファスシリコン光センサが得られる。
第１図は本発明の第１実施例図、第２図は第２実施例図
である。 ｌ・・・・ガラス基板、２・・・・Ｃｒ電極、３・・・
・ａ−８ｉ層、４・・・・Ａ４電極、５・・・・環化ゴ
ム系ボトレジスト膜、６・・・・ＩＴＯ透明′成極。
である。 ｌ・・・・ガラス基板、２・・・・Ｃｒ電極、３・・・
・ａ−８ｉ層、４・・・・Ａ４電極、５・・・・環化ゴ
ム系ボトレジスト膜、６・・・・ＩＴＯ透明′成極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁体材料の一部に、環化ゴム系ホトレジスト材を
利用したことを特徴とするアモルファスシリコン光セン
サ。 ２、焼成温度１００〜３００°Ｃの範囲にある環化ゴム
系ホトレジスト材を用いた特許請求の範囲Ｍ１項記載の
アモルファスシリコン光センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154805A JPS6047473A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | アモルフアスシリコン光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154805A JPS6047473A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | アモルフアスシリコン光センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047473A true JPS6047473A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15592271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58154805A Pending JPS6047473A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | アモルフアスシリコン光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047473A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4999693A (en) * | 1986-01-06 | 1991-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device with a high response speed |
| JPH07122778A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Nec Corp | 半導体光結合装置 |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58154805A patent/JPS6047473A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4999693A (en) * | 1986-01-06 | 1991-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device with a high response speed |
| JPH07122778A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Nec Corp | 半導体光結合装置 |
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