JPS6047473A - アモルフアスシリコン光センサ - Google Patents
アモルフアスシリコン光センサInfo
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- JPS6047473A JPS6047473A JP58154805A JP15480583A JPS6047473A JP S6047473 A JPS6047473 A JP S6047473A JP 58154805 A JP58154805 A JP 58154805A JP 15480583 A JP15480583 A JP 15480583A JP S6047473 A JPS6047473 A JP S6047473A
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- Japan
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- cyclized rubber
- amorphous
- film
- sintered
- electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は性能の安定したアモルファスシリコン光センサ
に関する。
に関する。
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと略称）は、近年
その性能が急減に改善され、各種の用途に広く用いられ
るようになって来た。特に、光センサ用としては、従来
の８ｅやＣｄＳ系などに比し、信頼性はむしろ高く、公
害問題の恐れもなく、大型または長尺のものを作シ易い
ことなどから好んで用いられている。
その性能が急減に改善され、各種の用途に広く用いられ
るようになって来た。特に、光センサ用としては、従来
の８ｅやＣｄＳ系などに比し、信頼性はむしろ高く、公
害問題の恐れもなく、大型または長尺のものを作シ易い
ことなどから好んで用いられている。
しかし、ａ−８ｘは、高温度や非常に高い照度のもとで
は、現在多少性能が劣化する。光センサ用としては、通
常、その光源を任意に選択できるので、強すぎる光で劣
化する恐れはまずない。しかし、製造工程中に受けた高
温環境の影響で、期待通シの良好な性能が得られない場
合が生ずる。
は、現在多少性能が劣化する。光センサ用としては、通
常、その光源を任意に選択できるので、強すぎる光で劣
化する恐れはまずない。しかし、製造工程中に受けた高
温環境の影響で、期待通シの良好な性能が得られない場
合が生ずる。
従来、Ｓｉ系半導体素子の絶縁材料には、５ｉ（ｈ、８
ｉｓＮ４、あるいは有機のポリイミドｗ脂等が用いられ
て来たが、いずれも単結晶Ｓｌプロセスで発達して来た
ものなので、形成時の温度が高い。ＳｉＣ，８ｉｓＮ４
膜をプラズマＣＶＤ法で形成する場合でも、ポリイミド
徊脂膜を焼成する場合でも、３５０°Ｃ以上に加熱する
必要がある。しかるにａａ−８ｉ膜、の形成温度（基板
温度）は周知の如（２００−３５０・Ｃなので、これら
従来使い慣れた絶縁膜を用いて焼成するとａ−８ｉ膜の
特性を港しく劣化させてしまう恐れがあるという問題が
あった。
ｉｓＮ４、あるいは有機のポリイミドｗ脂等が用いられ
て来たが、いずれも単結晶Ｓｌプロセスで発達して来た
ものなので、形成時の温度が高い。ＳｉＣ，８ｉｓＮ４
膜をプラズマＣＶＤ法で形成する場合でも、ポリイミド
徊脂膜を焼成する場合でも、３５０°Ｃ以上に加熱する
必要がある。しかるにａａ−８ｉ膜、の形成温度（基板
温度）は周知の如（２００−３５０・Ｃなので、これら
従来使い慣れた絶縁膜を用いて焼成するとａ−８ｉ膜の
特性を港しく劣化させてしまう恐れがあるという問題が
あった。
本発明の目的は上記の如き問題のない、ａ−８ｊの特性
を劣化させる恐れの無い絶縁材料を用い六ａ−８ｉ光セ
ンザを提供することにある。
を劣化させる恐れの無い絶縁材料を用い六ａ−８ｉ光セ
ンザを提供することにある。
上記目的を達成するために本発明においては、絶縁体材
料の一部に、環化ゴム系ホトレジストの（芳香族ビスア
ジド系）を利用することとした。
料の一部に、環化ゴム系ホトレジストの（芳香族ビスア
ジド系）を利用することとした。
絶縁体材料であってもガラス基板のような既成部材は勿
論関係な゛い。
論関係な゛い。
まず基本概念を示すために最も簡単な構造を持つ第１実
施例について述べる。第１図はサンドイッチ型などと呼
ばれるａ−８ｉを元検出部とする光センナの断面図であ
る。ガラス基板１上にＣｒ’を極２を形成し、その上に
ａ−８ｉＪ６ｉ３Ｃ後述の実施例２参照）よシなるホト
ダイオードを設け、史にＡｔ’ｌｔ極４を形成させた後
、環化ゴム系ホトレジスト膜５でパッシベーションをし
たもので、Ｔｈ、６゜一般にファクシミリ用などの光セ
ンサは、紙にこすられたシ、特別の空調などしていない
室内で用いられ、パッシベーションは大切である。なお
環化ゴム系ホトレジスト膜は、その本来の用途上、微細
加工は自由であシ、極めて使用し易い。
施例について述べる。第１図はサンドイッチ型などと呼
ばれるａ−８ｉを元検出部とする光センナの断面図であ
る。ガラス基板１上にＣｒ’を極２を形成し、その上に
ａ−８ｉＪ６ｉ３Ｃ後述の実施例２参照）よシなるホト
ダイオードを設け、史にＡｔ’ｌｔ極４を形成させた後
、環化ゴム系ホトレジスト膜５でパッシベーションをし
たもので、Ｔｈ、６゜一般にファクシミリ用などの光セ
ンサは、紙にこすられたシ、特別の空調などしていない
室内で用いられ、パッシベーションは大切である。なお
環化ゴム系ホトレジスト膜は、その本来の用途上、微細
加工は自由であシ、極めて使用し易い。
第２図は環化ゴム系ホトレジスト膜５が感光性を有する
ことを利用してスルーホール部を形成した第２実施例を
示す。ガラス基板ｌ上にＣｒＨをスパッタ形成した後、
微細加工してＣｒ電極２のパターンを得る。次にａ −
８ｉ層をプラズマＣＶＤ法で形成したのちＣＦａガスで
微細加工してａ−８ｉ層３を作る。このａ−８ｉ層形成
に際しては、プシズマＣＶＩ）時の導入ガスを変えてｐ
ｉｎ ｍもしくはｎｉｐ ｍのダイオード構造にしてお
く。ついで、環化ゴム系ホトレジス）０ＭＲ８３（東京
応化社製）を２μｍ厚に塗布し、露光、現像して環化ゴ
ム系ホトレジスト膜５を所望パターンに形成する。さら
に１５０〜２００″Ｃの温夏範囲で３０分間焼成する。
ことを利用してスルーホール部を形成した第２実施例を
示す。ガラス基板ｌ上にＣｒＨをスパッタ形成した後、
微細加工してＣｒ電極２のパターンを得る。次にａ −
８ｉ層をプラズマＣＶＤ法で形成したのちＣＦａガスで
微細加工してａ−８ｉ層３を作る。このａ−８ｉ層形成
に際しては、プシズマＣＶＩ）時の導入ガスを変えてｐ
ｉｎ ｍもしくはｎｉｐ ｍのダイオード構造にしてお
く。ついで、環化ゴム系ホトレジス）０ＭＲ８３（東京
応化社製）を２μｍ厚に塗布し、露光、現像して環化ゴ
ム系ホトレジスト膜５を所望パターンに形成する。さら
に１５０〜２００″Ｃの温夏範囲で３０分間焼成する。
その後人を膜をスパッタし、微細加工してＡｔ電極４を
形成する。ここでａ−８ｉ層上に形成したＡ／膜はダイ
オードの電極となる。又、環化ゴム系ホトレジスト換の
スルーホールを通してＣｒ電極と接続させることにょシ
多層配線が可能となる。最後にＩＴＯ（インジウム、ス
ズ酸（１）透明電極６を設けてホトダイオードが形成さ
れ光センサアレイが完成する。このように、絶縁体材料
として、環化ゴム系ホトレジストを利用するとスルーホ
ール部を設けることも自由に出来、工程が短縮される。
形成する。ここでａ−８ｉ層上に形成したＡ／膜はダイ
オードの電極となる。又、環化ゴム系ホトレジスト換の
スルーホールを通してＣｒ電極と接続させることにょシ
多層配線が可能となる。最後にＩＴＯ（インジウム、ス
ズ酸（１）透明電極６を設けてホトダイオードが形成さ
れ光センサアレイが完成する。このように、絶縁体材料
として、環化ゴム系ホトレジストを利用するとスルーホ
ール部を設けることも自由に出来、工程が短縮される。
まノζ従来の無機パッシベーション膜などで問題になっ
ていたサイドエツチングによる形状不良も根絶出来た。
ていたサイドエツチングによる形状不良も根絶出来た。
なお、環化ゴム系ホトレジス）Ｎとして日本合成ゴム社
製のＣＤＩも−Ｍ９０１を用いても同様の結果が得られ
た。
製のＣＤＩも−Ｍ９０１を用いても同様の結果が得られ
た。
なお、塊化ゴム系ホトレジストの焼成温度は、そのメー
カや柚餉によって多少の差があるが、低い温度で焼成す
れば軟らかく、高い温度で焼成すれば破くなシ、本発明
の目的に対しては、焼成温度１００〜３００°Ｃの範囲
にあるものを用いるのが良い。
カや柚餉によって多少の差があるが、低い温度で焼成す
れば軟らかく、高い温度で焼成すれば破くなシ、本発明
の目的に対しては、焼成温度１００〜３００°Ｃの範囲
にあるものを用いるのが良い。
以上説明したように本発明によれば、絶縁体材料の焼成
に際し一、ａ−８ｉの特性劣化の恐れがなくなり、しか
も絶縁部材の形状の微細加工も極めて容易すので、特性
良好なアモルファスシリコン光センサが得られる。
に際し一、ａ−８ｉの特性劣化の恐れがなくなり、しか
も絶縁部材の形状の微細加工も極めて容易すので、特性
良好なアモルファスシリコン光センサが得られる。
第１図は本発明の第１実施例図、第２図は第２実施例図
である。 ｌ・・・・ガラス基板、２・・・・Ｃｒ電極、３・・・
・ａ−８ｉ層、４・・・・Ａ４電極、５・・・・環化ゴ
ム系ボトレジスト膜、６・・・・ＩＴＯ透明′成極。
である。 ｌ・・・・ガラス基板、２・・・・Ｃｒ電極、３・・・
・ａ−８ｉ層、４・・・・Ａ４電極、５・・・・環化ゴ
ム系ボトレジスト膜、６・・・・ＩＴＯ透明′成極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁体材料の一部に、環化ゴム系ホトレジスト材を
利用したことを特徴とするアモルファスシリコン光セン
サ。 ２、焼成温度１００〜３００°Ｃの範囲にある環化ゴム
系ホトレジスト材を用いた特許請求の範囲Ｍ１項記載の
アモルファスシリコン光センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154805A JPS6047473A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | アモルフアスシリコン光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154805A JPS6047473A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | アモルフアスシリコン光センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047473A true JPS6047473A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15592271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58154805A Pending JPS6047473A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | アモルフアスシリコン光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047473A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4999693A (en) * | 1986-01-06 | 1991-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device with a high response speed |
| JPH07122778A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Nec Corp | 半導体光結合装置 |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58154805A patent/JPS6047473A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4999693A (en) * | 1986-01-06 | 1991-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device with a high response speed |
| JPH07122778A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Nec Corp | 半導体光結合装置 |
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