JPS6043480A - 真空蒸着用蒸発源ルツボ - Google Patents
真空蒸着用蒸発源ルツボInfo
- Publication number
- JPS6043480A JPS6043480A JP15019483A JP15019483A JPS6043480A JP S6043480 A JPS6043480 A JP S6043480A JP 15019483 A JP15019483 A JP 15019483A JP 15019483 A JP15019483 A JP 15019483A JP S6043480 A JPS6043480 A JP S6043480A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- lid
- vacuum deposition
- spitting
- evaporated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はスピッティングのない均質な蒸着膜を得るフ、
二めの真空蒸着用蒸発源ルツボに関する。
二めの真空蒸着用蒸発源ルツボに関する。
第１図に示すような従来の蒸発源ルツボを用いて蒸着す
る場合、被蒸発材料の温度を雰囲気圧力に於ける沸点以
」二に上昇させると、表面の下方か？ したところ、（Ｃ）は表面ではじけてその結果微粒ンが
発生したところ、（ｄ）は微粒子が基板表面に達し示す
。この現象はスピッティングと呼ばれ、従来のルツボを
用いる限り避けられない欠点であった。
る場合、被蒸発材料の温度を雰囲気圧力に於ける沸点以
」二に上昇させると、表面の下方か？ したところ、（Ｃ）は表面ではじけてその結果微粒ンが
発生したところ、（ｄ）は微粒子が基板表面に達し示す
。この現象はスピッティングと呼ばれ、従来のルツボを
用いる限り避けられない欠点であった。
すなわち、従来のルツボを用いる限り、程度の差る。
この発明は上述した従来のルツボによる欠点を改良した
もので、スピッティングによる蒸着膜表面の粗面化を防
止することのできる真空蒸着用蒸発源ルツボを提供する
ことを目的とする。
もので、スピッティングによる蒸着膜表面の粗面化を防
止することのできる真空蒸着用蒸発源ルツボを提供する
ことを目的とする。
以下、本発明を実施例の図面て基づいて説明する。
第３図で、従来のルツボ１の内側に隙間４を有する円形
蓋３を置き、その下方に被蒸発物１が置かれる。蒸発源
として使用する際は、被蒸発物１から発生したスピッテ
ィングによる粒は大半、蓋３によシ捕えられる。−万、
被蒸発物はその表面張力によりルツボの内壁や蓋を儒ら
す（５）。その結果、蒸発面は盆の外側および蓋から上
方のルツボの内壁から構成される。
蓋３を置き、その下方に被蒸発物１が置かれる。蒸発源
として使用する際は、被蒸発物１から発生したスピッテ
ィングによる粒は大半、蓋３によシ捕えられる。−万、
被蒸発物はその表面張力によりルツボの内壁や蓋を儒ら
す（５）。その結果、蒸発面は盆の外側および蓋から上
方のルツボの内壁から構成される。
従って、本発明によるルツボ構造（第３図）によれば、
スピッティングが防止できる上に、蒸発面積を損うこと
がないので十分蒸着速度を増すことができる。しかも構
造が極めて簡単なため従来のルツボに比して殆んど価格
の上昇を伴なわない。
スピッティングが防止できる上に、蒸発面積を損うこと
がないので十分蒸着速度を増すことができる。しかも構
造が極めて簡単なため従来のルツボに比して殆んど価格
の上昇を伴なわない。
具体的には開口径２０闘、深さ７０鎮の第３図に示すＶ
字形ルツボに上から２０ＩＩｍの位置に１３非径の盆を
置きＧａを１０ｇチャージした。蓋の隙間は２×２順の
切り欠きを入れた。ルツボ材および蓋材はパイロリティ
ックＢＮを使用した。もう−万にＡｓ源を用意してＧａ
Ａｓ （００１）基板面に７００℃でエピタキシャルに
ＧａＡｓを蒸着したところ蒸着速度１〜３μｍ／時間に
対してスピッティングのない鏡面が得られた。この時の
蒸発源温度はＧａに対して１１００〜１２５０℃ Ａｓ
に対しては３５５〜３７０℃でおった。
字形ルツボに上から２０ＩＩｍの位置に１３非径の盆を
置きＧａを１０ｇチャージした。蓋の隙間は２×２順の
切り欠きを入れた。ルツボ材および蓋材はパイロリティ
ックＢＮを使用した。もう−万にＡｓ源を用意してＧａ
Ａｓ （００１）基板面に７００℃でエピタキシャルに
ＧａＡｓを蒸着したところ蒸着速度１〜３μｍ／時間に
対してスピッティングのない鏡面が得られた。この時の
蒸発源温度はＧａに対して１１００〜１２５０℃ Ａｓ
に対しては３５５〜３７０℃でおった。
なおルツボ形状は第３図に示したよりなＶ字形に限らず
、第４図に示すようにＶ字形でも全く同様に有効である
。ただし、蓋の落下を防ぐための支え６が数点８費であ
る。
、第４図に示すようにＶ字形でも全く同様に有効である
。ただし、蓋の落下を防ぐための支え６が数点８費であ
る。
第１図は従来のルツボを示す図、第２図はスピッティン
グ現象を説明するための図、第３図および第４図は本発
明の詳細な説明するための図である。 １：被蒸発物、２ニルツボ、３：蓋、４：隙間、５：表
面張力によって上昇した被蒸発物、６：蓋の支え。
グ現象を説明するための図、第３図および第４図は本発
明の詳細な説明するための図である。 １：被蒸発物、２ニルツボ、３：蓋、４：隙間、５：表
面張力によって上昇した被蒸発物、６：蓋の支え。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空蒸着に用いられる蒸発源ルツボの内側に被蒸発材料
を覆うように蓋を置いた構造で、上記蓋のルツボ側壁に
接する部分に蒸気が貫通できるよ汀 うＷＸ涛隙間を設けたことを特徴とする真空蒸着用蒸発
源ルツボ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15019483A JPS6043480A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 真空蒸着用蒸発源ルツボ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15019483A JPS6043480A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 真空蒸着用蒸発源ルツボ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043480A true JPS6043480A (ja) | 1985-03-08 |
Family
ID=15491567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15019483A Pending JPS6043480A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 真空蒸着用蒸発源ルツボ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043480A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8025733B2 (en) * | 2002-07-23 | 2011-09-27 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Heating crucible and deposition apparatus using the same |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP15019483A patent/JPS6043480A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8025733B2 (en) * | 2002-07-23 | 2011-09-27 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Heating crucible and deposition apparatus using the same |
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