JPS604246A - リ−ドフレ−ム - Google Patents

リ−ドフレ−ム

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JPS604246A
JPS604246A JP11303883A JP11303883A JPS604246A JP S604246 A JPS604246 A JP S604246A JP 11303883 A JP11303883 A JP 11303883A JP 11303883 A JP11303883 A JP 11303883A JP S604246 A JPS604246 A JP S604246A
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JP
Japan
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paste
bed
lead frame
semiconductor element
grooves
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JP11303883A
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「だい」　克明
Katsuaki Utena
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技？ｄｉｒ分野〕 本発明はリードフレームに関し、特に半導体素子がマウ
ントされるベッドの形状を改良したリードフレームζ二
係る。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来のリードフレームは第１図に示す如く枠体１と、こ
の枠体ｌの中央にブリッジ２を介して支持され、゛ト導
体素子が一７ウントされるベッド３と、このベッド３０
周縁ｇニ一端が近接して配置された複数のインナーリー
ド４・・・と、これらインナーリード４・・・の他端に
一体的≦二連結したアウターリード５・・・とから構成
されている。
こうしたリードフレームに半導体素子をマウントするに
は、第２図直二示す如くベッド３上に二半導体素子６を
ペースト７會介してマウントしている。
ところで、半導体素子６のマウント後を二おいて、同第
２図゛（二示ず如く半導体素子６１Ｕ辺へのペースト７
のはみ出し晴が多くなり、該素子６側面にはい上がると
、半導体素子を樹脂封止して製品化した場合、前郁半分
体素子側面ｌ二はい上がったペースト中の不純物がＣ−
１庄１・５４脂層と素子側面との界面を通って素子土面
−＼移動し、４５頼性の劣化を招く。このため、ペース
トのリードフレームのベッド上への供給にあたっては、
前記はい上がりが半導体素子の厚さに対し出来るだけ低
くなるように管理している。Ｅ〜かしながら、ベッドへ
のペースト供給１ｉ−ｆ一定に管理することは困難であ
り、しかも半導体素子のサイズも種々あるため、作業性
の低下原因上なる。
このようなことから、リードフレームにマウントする半
導体素子（特に半偉体基板）をできる限り厚くする等の
措置がとられている。しかしながら、半導体素子の裁板
は基板抵抗の低減や高密ＬＷ化の９諸から薄くなる傾向
にあるため、半導体素子６側くすることは限界があり・
前述した半導体素子の劣化全１’ｉｊ止することは田面
ｆであった。しンハも、半導体素子の寸法も小さくなる
ａ、ｉ：　１ｉｌＪ　ｉ二あり、リードフレームのベッ
ドも小さくなるンこめ、−ぐ−ストの供給量の管理は一
層厳しくなり、従来のリードフレームの構造では前述し
た半ｔ％％体索子υ）劣化を防止することはより困蛯と
なる。
〔発明の目的〕
本発明はペーストのベッドへの供給量のばらつき≦二伴
う該ベッドｇニマウントする半導体素子の信頼性劣化を
Ｎｊ止し得るリードフレーム全提供しようとするもので
ある。
〔光明の植装〕
本発明はベッドの半４を体累子マウント予定部周辺の少
なくとも一部Ｃ二溝部を設けること≦二よって、該ベッ
ド（二半導体素子をマウントするσ）Ｃｍｍいられるペ
ーストの供給（、＞、　ｏ）ｐ−にらつきを前記溝部で
補正して、該ばらつき１：よる半導イ本素子の信頼性劣
化を防止することヲ彊・子とするものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を′ｔＡ′″−３図ＩＡ）、ｔＢ
ｌ（Ｃ−１釘頓して計部（（二説明する。なお、第１図
と１ｔ１１様な邑へ材に同符号ケ１月シて説明を省ｌｌ
洛する。
本発明のリードフレームは第３図ｔＡ）　、　ｔＢ）　
１ｍ示す如くベッド３の主面（二おける半１ｉｑ（４４
；素イーマウント予定部周辺シニ互Ｃ二四角形υ）コー
ラ１Ｓで分）ＭＩされた４つの細長状溝部８．〜８４全
設レプだ４ｉチ成ｌニなっている。
このような構成を二よれば、ベッド３にｉｙ１定１４の
ペーストを供給し、半４４体素子ヲ１）亥−ξ−ストに
押圧して第４１図１−示す如くベッド３上番二半導体素
子６をペースト７を介してマウントすると、ベッド３の
マウント予定部周辺に二は刑１１長状０）溝部８１〜８
４が設けられているため、半導体素子６周辺にはみ出し
たペースト７は前記溝部８、〜８４１−流れ込んでペー
スト７の半導体素子６側面・＼Ｖ）はい上がりを阻止で
さる。つまり、ベッドへのペースト供給量のばらつきを
前記溝部８Ｉ〜８４で補正して、該ペースト供給量のば
らつきに伴うペーストの半導体素子側面へのはい上かり
全阻止できる。その結果、半導体素子を樹脂封止を−で
製品化した場合、半導体素子６側にはペーストのはい上
がりがないため、ペースト中の不純物の半導体素子上面
一＼の移動を防止できる。したがって、ベッド３へのペ
ースト供給量を厳密に管理せずシニ、かつ素子の基板厚
さを厚くせずＣ＜−スト中の不純物ｌ二よる半導体素子
上面のイ′！５染を防雨して高倍題性の樹脂封止半導体
製品を得ることができる。また、素子の高密度化、微細
化に伴うペッド面積の縮小化においても、厳密な被−ス
ト供給管理を行なうことなく、同様５二高信頼の樹脂封
止半導体製品を得ることができる。
なお、本発明のリードフレームｌｄ　！ｆ、　３１図ｔ
Ａ）　。
ｔＢｌに示す構造のものＣ二限定されず、ｇｌｌ六−し
ま第５図或いは第６図≦二示ず第１イ造ｉ二Ｉ〜てもよ
し）。ｆ’ｌｌち、第５図のリードフレームはベッド、
９σ）己Ｉ′ｊ１享イ木Ｊミ子マウント予定部局辺にコ
字形σ）溝＠ＩＳＲ＆　、　８ｂを互Ｃ′″一対称とな
るようｌ二股けたもＱ）である。４３６図のリードフレ
ームは−２・ソド、″Ｉσ）半孔リイ本Ｊ子マウント予
定部周辺≦二枠状の２に部８　ｋ　ｍｋけたものである
。
〔発明の効果〕
以上詳述した如く、本発明ｌニイ系るＩ＋　−ト’フレ
ーム（二よればベッドへ０）−２−スト供給１ｉυ）シ
イらつきを該ベッドに設けた溝部Ｃ二よ０捕市すること
によって、波−スト供給室の！肢密な管理を行なわず（
−１該ベツドへの半ｉ、Ｉ？体素子Ｑ）マげ７ント、樹
脂封止等の工程を経た樹脂封止λヒ導イ本製占＾σ）ベ
ース１、中の不純後）にＪ二る信頼性劣化を防［Ｌでき
る等顕著な効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のリードフレームｆ　）ｌ：、す５１７−
１Ｍ図、第２図は従来のリードフレームに半導体素子を
マウントした状態金示す要部断面図、第３図（Ｎは本発
明の一実施例を示すリードフレームの要部平面１ン１１
同図（Ｂ）は同図＋Ａ）　Ｑ、）　Ｂ　−Ｂ紳ｌ二沿う
断面図、第４図は第３図（Ａ）　、　ＩＢ＋のリードフ
レームｊ二半導体素子をマウントした状態を示す断面図
、第５図、第６図に夫々本発明の他の実施例を示すリー
ドフレームの要部平面図である。 １・・・枠体、３・・°ベッド、４・・・インナーリー
ド、５・・・アウターリード、６・・・半導体素子、７
・・・ペースト、ｓ、〜８４．８ａ、Ｒｂ、ＦＬ＝・湾
部。 出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦第１図 第３図 ／ ／ ＼ 第４図 第５図 ８；Ｉ ｂ 第６図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子がペーストを介してマウントされるベッドを
    有するリードフレームにおいて、前記ベッドの半導体素
    子マウント予定ｆ！Ａ周辺の少なくとも一部に溝部を設
    けたことを特徴とするリードフレーム。
JP11303883A 1983-06-23 1983-06-23 リ−ドフレ−ム Pending JPS604246A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5021864A (en) * 1989-09-05 1991-06-04 Micron Technology, Inc. Die-mounting paddle for mechanical stress reduction in plastic IC packages
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JP2014175321A (ja) * 2013-03-05 2014-09-22 Nichia Chem Ind Ltd リードフレーム及び発光装置

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