JPS6040200B2 - 多層回路基板の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子回路基板、特に混成集積回路基板に関する
。

混成集積回路用多層回路基板の製造方法としては、セラ
ミック基板に銀、パラジウム等の貴金属を主体とする導
体ペーストとガラスあるいはアルミナ等絶縁物を主体と
する絶縁ペーストとを交互に印刷し、その後に焼成し多
層回路とする方法、いわゆるる厚膜技術と、セラミック
基板の金属を薄膜として蒸着し、この金属をエッチング
し、この上に絶縁物を蒸着する。

これを繰り返して多層回路とする方法、いわゆる薄膜技
術がある。しかしながら両技術ともそれぞれ利点、欠点
を有している。そこで、上記両技術を併用して混成集積
多層回路基板を製造する方法が強く要望されている。

即ち、絶縁体基板上に薄膜法と選択的メッキ法により導
体層を形成する工程と厚膜法により絶縁層を形成する工
程とを交互にくりかえして、混成集積多層回路基板を製
造する方法である。しかるに上記方法において厚膜法に
より得られた絶縁層の表面はガラスあるいはアルミナを
主成分とする絶縁ペーストを焼成した際に絶縁ペースト
の中のバインダーなどが揮発したあとが小さい孔となっ
て残り非常にポーラスな状態になっている。

従ってこのポーラスな表面上に薄膜法により形成された
選択的メッキ法のための薄膜層上に粘度の小さいフオト
レジストを塗布するとフオトレジストが薄膜層を通じて
絶縁層の小さい孔の中にまで浸透してしまう。このため
、このフオトレジストをフオトマスクで露光、現像し選
択的メッキが行われる所に窓あげを行った薄膜層の部分
にも小さい孔の中にはフオトレジストが残存し、メッキ
が行われず、導体パターンの断線の原因になったり、あ
るいは選択的メッキを行なったあとでフオトレジストを
はくりする工程で薄膜層および絶縁層の小さい孔の中に
浸透したフオトレジストをはくりすることができなく、
その後の導体パターン以外の不要な薄膜層をエッチング
する時に、エッチングが行われずに薄膜層が残って導体
パターン間の短絡に原因になるなどのため厚膿法により
形成された絶縁層上に薄膜法と選択的メッキ法により導
体層を形成することは実現不可能であった。

本発明はフオトレジストが薄膜層および絶縁層中に浸透
しないようにすることにより上記欠点をなくし容易にフ
オトレジストがはくりできるようにした混成集積多層回
路基板の製造方法を提供するものである。

本発明による多層回路基板の製造方法は、厚膜法により
形成された絶縁層上に薄膜法と選択メッキにより導体層
を形成し、回路基板を製造する際、前記絶縁層上に選択
メッキのために薄膜法により形成された薄膜導体層上に
フオトセンシティブドライフィルムレジストを接着する
ことを特徴とする。

以下図面を参照して本発明の実施例について説明する。

第１図ａ図から第１図ｇは本発明の適用の対象となる混
成集積多層回路基板を製造する工程段階を示す一実施例
である。説明を簡単にするため導体層が２層、絶縁層が
１層の場合について説明する。まず、絶縁体基板１は一
般にアルミナセラミックスが使用される。この絶縁体基
板１上に蒸着法あるいはスパッタリング法などのいわゆ
る薄膜法により第１層にチタン薄膜層２ａを形成し、真
空を破らず引きつづき第２層にニッケル薄膜層２ｂを形
成する。（第１図ａ）次に前記第２層のニッケル薄膜層
２ｂ上にフオトレジスト３を接着し、フオトマスクを通
して露光を行い、現像し、導体パターンとなるべき所に
窓あげを行う。

（第１図ｂ）このフオトレジスト３には例えばリストン
タイプ−１４（商標名）のようなフオトセンシティブド
ライフィルムレジストを使用した。

次に前記フオトレジスト３の窓あげ部分の中に所望の厚
さだけ金を選択的にメッキを行い、第３層の金導体層２
ｃを形成し適当なはくり剤でフオトレジスト３を除去す
る。

（第１図ｃ）次にニッケルエッチング液で前記金導体層
２ｃの下部以外づ第２層ニッケル薄膜層２ｂを除去し、
つついて同様にチタンエッチング液で第１層のチタン薄
膜層２ａを除去し、第１導体層２を形成する。

（第１図ｄ）次に前記第１導体層２上にガラスあるいは
アルミナを主体とする絶縁ペーストを前記第１導体層２
と第２導体層６との接続が必要な部分とバィャホール４
として残して、厚膿法により印刷し焼成して、絶縁層５
を形成する。

（第１図ｅ）次に前記絶縁層５上に第１図ａで説明した
工程により第１層のチタン薄膜層６ａと第２層のニッケ
ル薄膜層６ｂを形成する。

（第１図ｆ）次に、第１図ｂ、第１図ｃ、第１図ｄで説
明した工程と全く同じ工程により第２導体層６を形成す
る。

（第１図ｇ）以上のような工程により行なわれる、前記
説明したように絶縁層５の表面は非常にポーラスである
ため粘度の小さいフオトレジストを塗布すると小さい孔
の中にフオトレジストが入り込んでしまう。

このためフオトレジストをフオトマスクを通して露光、
現像し選択的メッキが行われる所に窓あげを行ったチタ
ン薄膜層６ａおよびニッケル薄膜層６ｂの部分にも小さ
い孔の中にはフオトレジストが残存し、メッキが行われ
ず、導体パターンの断線の原因になったり、あるいは選
択的メッキを行ったあとでフオトレジストをはくりする
工程でチタン薄膜層６ａおよびニッケル薄膜層６ｂ、さ
らには絶縁層５の小さい孔の中に浸透したフオトレジス
トをはくりすることができなく、その後の導体パターン
以外の不要な薄膜層をエッチングする時にエッチングや
行われずに薄膜層が残って導体パターン間の短絡の原因
になるなどのため、厚懐法により形成された絶縁層上に
薄膜法と選択的メッキ法により導体層を形成することは
実現不可能となってしまう。しかしなら、本発明のよう
に、フィルム状のフオトセンシティブドライフィルムレ
ジストを前記第１図ｆのニッケル薄膜層６ｂ上に接着し
、フオトマスクを通して露光し現像して選択的メッキを
行なうと、このフオトレジストが薄膜層６ａ，６ｂおよ
び絶縁層５の小さな孔の中に入り込むことはなく、現像
後もフオトレジストのはくり後もレジストの残存がない
。

本実施例の説明においては薄膜法による薄膜層としてチ
タン、ニッケルの場合について説明を行ったが、所望の
密着力と選択的メッキ法に使用できるものであれば如何
なる金属、例えば第１層にニッケルクロム合金、第２層
にニッケルの薄膜層を用いてもよい。

また選択的メッキ法に本実施例において金を用いたが、
メッキ可能な金属、例えばロジウムの如き金属を使用し
ても同様な効果が得られることも付言しておく。

さらに金導体層を選択的にメッキを行う前にパラジウム
を薄く選択的にメッキを行えば、絶縁ペーストを焼成す
る工程中にニッケル薄膜層を金導体層が相互に拡散する
のを防止できることを付言しておく。

さらにまた絶縁層を形成する絶縁ペーストに感光性絶縁
ペーストを用いて本発明による方法が適用できることは
言うまでもない。

要するに本発明は厚膜法で形成された絶縁層上に薄膜法
を選択的メッキ法とにより導体層を形成する場合に適用
されるのである。

本発明は以上説明したように、フオトセンシテイブドラ
イフイルムレジストを用いることにより厚膜法により形
成された絶縁層上に薄膜層と選択的メッキ法とにより導
体層を形成することが可能になった。

【図面の簡単な説明】

第１図ａから第１図ｇは本発明の適用の対象となる混成
集積多層回路基板を製造する工程を示す一実施例の拡大
断面図である。 １・・・・・・絶縁体基板、２ａ，６ａ・・・・・・チ
タン薄膜層、２ｂ，６ｂ・・・・・・ニッケル薄膜層、
２ｃ・・・・・・金導体層、２・・・・・・第１導体層
、３・・・・・・フオトレジスト、４…・・・バィャホ
ール、５・・・・・・絶縁層、６・・・・・・第２導体
層。 ☆１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 厚膜法により形成された絶縁層上に薄膜法と選択メ
   ツキ法により導体層を形成し、回路基板を製造する方法
   において、前記絶縁層上に選択メツキのために薄膜法よ
   り形成された薄膜導体層上にフオトセンシテイブドライ
   フイルムレジストを接着することを特徴とする多層回路
   基板の製造方法。