JPS6039710A - 透明で電導性のドーパント添加酸化インジウム層を製造するための浸漬方法 - Google Patents
透明で電導性のドーパント添加酸化インジウム層を製造するための浸漬方法Info
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- JPS6039710A JPS6039710A JP59140761A JP14076184A JPS6039710A JP S6039710 A JPS6039710 A JP S6039710A JP 59140761 A JP59140761 A JP 59140761A JP 14076184 A JP14076184 A JP 14076184A JP S6039710 A JPS6039710 A JP S6039710A
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- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
1、発明のし1的
(産業上の利用分野)
本発明は、透明で電導性のドーパン1°・添加酸化イン
ジウム層を製3mづるlこめの浸漬方法に関りるもので
ある。
ジウム層を製3mづるlこめの浸漬方法に関りるもので
ある。
(従来の技術)
熱艮耐の目的のためま/jは表示装置(デイスブlノイ
)もしくは加熱装置(例えば防曇賛同)として等、透明
で電導性の酸化被膜はたいへん911味のあるところで
ある。金属薄層と比較して、酸化物薄層は相当高い安定
性をl=i L/ (’ 83す、それゆえ外面に用い
られるものとして適しCいる。フッ素添加酸化錫、アン
チモン添加酸化錫およびスズ酸カドミウム笠の公知の酸
化物@層と(:L、ドーバン1〜添加酸化インジウムは
高い透過iffにおい−(非常に高い伝うひ性を示すゆ
えに異なるも、のである。先行技術によると、酸化イン
ジウムは、酸化錫を添加されCいる。真空法またはスプ
レー法におい(製造さ゛れるl11203薄層の他の添
加剤(ドーパン1〜)、例えばC(1、Sb 、 ’1
”i 、 Zrおよびノッ化物を加えた111203な
どもすでに公知である[アール グ0ス[R,Grot
hl 、Phys 、 5tat 、 Sol、 14
: 69 (1966)参照。]が、これらはいまだ
実用化されていない。
)もしくは加熱装置(例えば防曇賛同)として等、透明
で電導性の酸化被膜はたいへん911味のあるところで
ある。金属薄層と比較して、酸化物薄層は相当高い安定
性をl=i L/ (’ 83す、それゆえ外面に用い
られるものとして適しCいる。フッ素添加酸化錫、アン
チモン添加酸化錫およびスズ酸カドミウム笠の公知の酸
化物@層と(:L、ドーバン1〜添加酸化インジウムは
高い透過iffにおい−(非常に高い伝うひ性を示すゆ
えに異なるも、のである。先行技術によると、酸化イン
ジウムは、酸化錫を添加されCいる。真空法またはスプ
レー法におい(製造さ゛れるl11203薄層の他の添
加剤(ドーパン1〜)、例えばC(1、Sb 、 ’1
”i 、 Zrおよびノッ化物を加えた111203な
どもすでに公知である[アール グ0ス[R,Grot
hl 、Phys 、 5tat 、 Sol、 14
: 69 (1966)参照。]が、これらはいまだ
実用化されていない。
ドーバン[・添加酸化インジウム躾の品質おJ、び経済
的実効性は、用いられる製ン責方法により人さ゛(影¥
Qされる。真空法が通1;(多く投資を必要とすること
は公知のことである。またスプレー法おJ、びCVD法
が、被膜を形成することはな(、そして高1i1tiな
方法で再生されな番ジればならない′!l!−吊の原料
を必要とJる1、:め多くの投資を必要どりること、特
にlAJ!it!なインジウムを用いる揚台に4.Lこ
とさらであることb公知のことである。力じミウムに関
しく’ LL 、 iJi t!iの問題は無視できな
いらのである。浸漬v1はこのJ、・)な欠点をイ5
L/ ’Z’ J3らザ、このためり「2Lシい方法で
あるといえる。しかしながら、錫添加酸化インジウムの
揚台、最ρな電気的d5J、び光学的特t/1.4(!
するために該方法は(114の方法と同じく、方V(の
操作中または操f「後に特定の還元ガス1?聞気を高温
で必要とするという欠点をイアしている。これは、欧々
、還元ガスから比較1−12燃焼を防ぐために非触媒性
壁材を使用Jべさことを必要とじた。さらに、これ番、
1、^渇で操作、される気密な炉をイ)ηることを必要
とした。。
的実効性は、用いられる製ン責方法により人さ゛(影¥
Qされる。真空法が通1;(多く投資を必要とすること
は公知のことである。またスプレー法おJ、びCVD法
が、被膜を形成することはな(、そして高1i1tiな
方法で再生されな番ジればならない′!l!−吊の原料
を必要とJる1、:め多くの投資を必要どりること、特
にlAJ!it!なインジウムを用いる揚台に4.Lこ
とさらであることb公知のことである。力じミウムに関
しく’ LL 、 iJi t!iの問題は無視できな
いらのである。浸漬v1はこのJ、・)な欠点をイ5
L/ ’Z’ J3らザ、このためり「2Lシい方法で
あるといえる。しかしながら、錫添加酸化インジウムの
揚台、最ρな電気的d5J、び光学的特t/1.4(!
するために該方法は(114の方法と同じく、方V(の
操作中または操f「後に特定の還元ガス1?聞気を高温
で必要とするという欠点をイアしている。これは、欧々
、還元ガスから比較1−12燃焼を防ぐために非触媒性
壁材を使用Jべさことを必要とじた。さらに、これ番、
1、^渇で操作、される気密な炉をイ)ηることを必要
とした。。
先()技4物にJ、るl!!l造のさらに他の欠点は、
ドーパント添加酸化インジウム薄層が、先行技術による
ど酸化インジウム被膜中に拡散づるNaイAンが酸化イ
ンジウム被nなの伝瑯麿を不適当な値にまで低下さ“μ
る(かえ、−1接所望の!is S?iへ、特に最も重
要な基11、J′なわもz ルカリ金石)I:] −]
1−ガラへ適用できないということである。
ドーパント添加酸化インジウム薄層が、先行技術による
ど酸化インジウム被膜中に拡散づるNaイAンが酸化イ
ンジウム被nなの伝瑯麿を不適当な値にまで低下さ“μ
る(かえ、−1接所望の!is S?iへ、特に最も重
要な基11、J′なわもz ルカリ金石)I:] −]
1−ガラへ適用できないということである。
(発明の解決しJ、うどりる問題点)
てれゆえ、本発明は、公知の製πiの欠点を解決し1.
:製造を11y供ノーることを目的どりる。1゛なわら
、本発明は、透明でjJIf3#性のドーパント添加酸
化インジウム被膜を製造覆るため浸漬lJ法を111供
りることを[1的とJる1゜ If 、発明の椙成 (問題点を解決するための手段) 上記開目的は、被覆される基質を、インジウムの加水分
解性化合物を含む溶液中に浸清し、この基質を溶液中J
、り引き、(−げ、乾燥しぞし’N’ 500℃以下の
湯境ぐ焼成Jることでなり、該浸漬溶液がインジウム化
合物以外に元素の周!111系の第1[、第■ししくは
第Vのa亜族または第11第■、第■、第Vらしくは第
■1のl) ilI族ま1.:は希土類の元素の加水分
解性化合物を少なくとも1つ8右、りることを特徴とす
る透明で伝導性のドーパント添加酸化インジウム層の浸
漬法による製造方法により達成される。
:製造を11y供ノーることを目的どりる。1゛なわら
、本発明は、透明でjJIf3#性のドーパント添加酸
化インジウム被膜を製造覆るため浸漬lJ法を111供
りることを[1的とJる1゜ If 、発明の椙成 (問題点を解決するための手段) 上記開目的は、被覆される基質を、インジウムの加水分
解性化合物を含む溶液中に浸清し、この基質を溶液中J
、り引き、(−げ、乾燥しぞし’N’ 500℃以下の
湯境ぐ焼成Jることでなり、該浸漬溶液がインジウム化
合物以外に元素の周!111系の第1[、第■ししくは
第Vのa亜族または第11第■、第■、第Vらしくは第
■1のl) ilI族ま1.:は希土類の元素の加水分
解性化合物を少なくとも1つ8右、りることを特徴とす
る透明で伝導性のドーパント添加酸化インジウム層の浸
漬法による製造方法により達成される。
本発明はまた、浸漬溶液がMa、Ca、Y、l−a、S
i 、Ga、Sn、Pb’、’3b、E3tJ3よびA
sから4Tる群から選ばれた1つの元素の化合物を含ん
でなるドーパン[・添加酸化インジウム膜の浸♂1法に
よる製造方法を示Jものである。本発明は、さらに、浸
漬溶液がCLI、△9.△u、7n。
i 、Ga、Sn、Pb’、’3b、E3tJ3よびA
sから4Tる群から選ばれた1つの元素の化合物を含ん
でなるドーパン[・添加酸化インジウム膜の浸♂1法に
よる製造方法を示Jものである。本発明は、さらに、浸
漬溶液がCLI、△9.△u、7n。
Cd、H(1,T’i 、Zr、If、V、Nb、T’
a。
a。
Fc、Co、Ni、Ru、R1+、Pd、Os、(r
、 Pt 、 Cc J3よびN dからなる君Yから
3バばれた1つの元素の化合物を含んでなる透明C電i
ff性のビーパン1〜添加−rンジウlX膜の浸)方法
にJ:る製j告方法を示′Ilbのである。本発明はま
た、Ji(:?T上にある被膜が焼成されlこ後3W元
ガスにJ、す200°〜;500℃の湿度C改質される
もの′Cある透明r電力性のドーパント添加酸化インジ
ウム膜の浸漬法にJ、る製造方法を示J°ものである。
、 Pt 、 Cc J3よびN dからなる君Yから
3バばれた1つの元素の化合物を含んでなる透明C電i
ff性のビーパン1〜添加−rンジウlX膜の浸)方法
にJ:る製j告方法を示′Ilbのである。本発明はま
た、Ji(:?T上にある被膜が焼成されlこ後3W元
ガスにJ、す200°〜;500℃の湿度C改質される
もの′Cある透明r電力性のドーパント添加酸化インジ
ウム膜の浸漬法にJ、る製造方法を示J°ものである。
本発明は、さらに、゛ノフル:1.1シト、硝酸■スj
ル、有機酸のjnまたはアレデルアセ[・ンのVレート
・らしくはアレトfi) NU IUスアルのニル−1
〜等のキレ−1−がインジウムの加水分解性化合物J9
にび添加元系の加水分解性化合物として用いられるも
のである透明で電力性のドーパント添加酸化インジウム
l1%lの浸漬法による製造方法を示J°ものである。
ル、有機酸のjnまたはアレデルアセ[・ンのVレート
・らしくはアレトfi) NU IUスアルのニル−1
〜等のキレ−1−がインジウムの加水分解性化合物J9
にび添加元系の加水分解性化合物として用いられるも
のである透明で電力性のドーパント添加酸化インジウム
l1%lの浸漬法による製造方法を示J°ものである。
本発明はさらにまた、アレチルアl?+・ン、アヒト拍
酸エステル、しノカルボン酸、アルデヒド、グリコール
らしくはグリヒリン等のポリアルコール ボン酸、ケトン、Aキシケトン、脂肪M bL <は芳
香族UJ化水素、ピリジン等の脂肪族もしくは芳?す族
アミン、α−ビニ】リン、トリエヂルアミン、エタノー
ルアミン、尿素ま/cはウロトロビンなどの4−レート
形成化合物が浸漬溶液に加えられてなる透明で電尊性の
ドーパント添加酸化インジウl\膜の62漬法による製
造方法を示づものである。本発明はまlこ、ドーパント
添加酸化インジウム膜が表示装置中に用いられるま/j
はヒータ層もしくはレン゛リー一層ど1ノて用いられる
ものである透明で重り〃性のドーパント・添加酢化イン
ジウム膜の浸漬法にJ:る製造方法を示づものである。
酸エステル、しノカルボン酸、アルデヒド、グリコール
らしくはグリヒリン等のポリアルコール ボン酸、ケトン、Aキシケトン、脂肪M bL <は芳
香族UJ化水素、ピリジン等の脂肪族もしくは芳?す族
アミン、α−ビニ】リン、トリエヂルアミン、エタノー
ルアミン、尿素ま/cはウロトロビンなどの4−レート
形成化合物が浸漬溶液に加えられてなる透明で電尊性の
ドーパント添加酸化インジウl\膜の62漬法による製
造方法を示づものである。本発明はまlこ、ドーパント
添加酸化インジウム膜が表示装置中に用いられるま/j
はヒータ層もしくはレン゛リー一層ど1ノて用いられる
ものである透明で重り〃性のドーパント・添加酢化イン
ジウム膜の浸漬法にJ:る製造方法を示づものである。
(発明の詳細な説明)
本発明において使用される浸)負溶液(よ、例えばA
g,A U * CLl 、 Ca 、M9 、l−
1 、3 l’l 、Nb.Rh,Os. [r,−1
”a,f)t, ト(f, ト((1。
g,A U * CLl 、 Ca 、M9 、l−
1 、3 l’l 、Nb.Rh,Os. [r,−1
”a,f)t, ト(f, ト((1。
As,13i 、SIN,Zn,Cd.Y.Si 、1
−i 。
−i 。
lr,Ply,Qe.CO,Pd,C(1,Nd,Ni
t Ru 、 V, l′:c ’!7の元素周期系
の第■、第■bt,<は第V (7) a il.li
mまたは第1、第+t 、第■、第Vもしくは第■の
11亜族または希土類の元素の加水分解性化合物とアル
ニ′1ール溶液中でtri!合された酸化インジウムの
加水分解1q化合物であり、また必要に応じて、例えば
アレデルアセ1ヘン、ノア1?1・酢酸エブールエステ
ル、モノカルボン酸、ポリカルボン酸、グリコールおに
びグリ12リン等のポリアルコール、Aキンク1ヘン、
ケ1ヘン、アルデヒド、111を肪族43,J、び芳香
族炭化水素、ピリジン等のIltf肪ハおよび芳丙広ア
ミン、αーピーJリン、トす11ルアミン、、■タノー
ルノ7ミン、尿素ならびにウロ1− 1ピンなどのJ、
うなキレート形成剤を添加してなるものである。
t Ru 、 V, l′:c ’!7の元素周期系
の第■、第■bt,<は第V (7) a il.li
mまたは第1、第+t 、第■、第Vもしくは第■の
11亜族または希土類の元素の加水分解性化合物とアル
ニ′1ール溶液中でtri!合された酸化インジウムの
加水分解1q化合物であり、また必要に応じて、例えば
アレデルアセ1ヘン、ノア1?1・酢酸エブールエステ
ル、モノカルボン酸、ポリカルボン酸、グリコールおに
びグリ12リン等のポリアルコール、Aキンク1ヘン、
ケ1ヘン、アルデヒド、111を肪族43,J、び芳香
族炭化水素、ピリジン等のIltf肪ハおよび芳丙広ア
ミン、αーピーJリン、トす11ルアミン、、■タノー
ルノ7ミン、尿素ならびにウロ1− 1ピンなどのJ、
うなキレート形成剤を添加してなるものである。
加水分M竹化合物は、例えばアルコキシド、硝百エステ
ル、酢酸塩等の有機酸の塩a5よびアレデルアセ[・ン
のキレート等のキレ−[・など、種々の形体である1g
る。
ル、酢酸塩等の有機酸の塩a5よびアレデルアセ[・ン
のキレート等のキレ−[・など、種々の形体である1g
る。
上記の如さ・浸漬溶液の調vJは、単純でしかもスパッ
ター法に関して2秤ないし数種の成分ウーブン1〜を調
製づるよりも安価なものでおる。所望の化合物まl、:
は薄層の化学量論の維持t,L、溶液中であるいGJ,
It くとも被n分形成時にバー1−ナーがりでに反応
しているで必ろうゆえに、真空法と比較して、2種ない
し数挿の成分を右づる系にJ3い(も単純でかつ信頼性
のあるものである。
ター法に関して2秤ないし数種の成分ウーブン1〜を調
製づるよりも安価なものでおる。所望の化合物まl、:
は薄層の化学量論の維持t,L、溶液中であるいGJ,
It くとも被n分形成時にバー1−ナーがりでに反応
しているで必ろうゆえに、真空法と比較して、2種ない
し数挿の成分を右づる系にJ3い(も単純でかつ信頼性
のあるものである。
例えばガラス板のよう4に基質が、上記のごとき浸漬溶
液に公知方法のように浸漬され、調整された湿度および
湿度の雰囲気中へ一定速度で引ぎ」−げられ、最終的に
空気存イE ”Fで400〜500℃の湿度に加熱され
る。適当な基質は、特にアルカリ含有フロート・ガラス
、シリカガラス、ガラスレラミックスおよび雲母を含む
ずべでのガラスならびにmおよび鉄などのJ、うな金属
等であり得る。
液に公知方法のように浸漬され、調整された湿度および
湿度の雰囲気中へ一定速度で引ぎ」−げられ、最終的に
空気存イE ”Fで400〜500℃の湿度に加熱され
る。適当な基質は、特にアルカリ含有フロート・ガラス
、シリカガラス、ガラスレラミックスおよび雲母を含む
ずべでのガラスならびにmおよび鉄などのJ、うな金属
等であり得る。
本発明による浸漬溶液は、ガラスの被覆に[!JIJる
多くの公知の浸漬溶液のしのJ、リム良好な、遺ス質の
優1′シたぬれ性を与えるという4・11魚を有()て
l、)る。
多くの公知の浸漬溶液のしのJ、リム良好な、遺ス質の
優1′シたぬれ性を与えるという4・11魚を有()て
l、)る。
本発明にJ3いて、カドミウム含イjインジウム溶液が
特に右利であることがわかって(13す、一方間11、
+lにl11203被膜のQdQd加・1【1を上Fi
114 J−ジー[order of magnitu
de ]にまC変更させることを許容りる。
特に右利であることがわかって(13す、一方間11、
+lにl11203被膜のQdQd加・1【1を上Fi
114 J−ジー[order of magnitu
de ]にまC変更させることを許容りる。
111203に対してCdQd加1fiが1m01%を
越える場合、空気存在下500℃に二加熱し’C4!?
られる被II分は、その全電導度が500 (ン/ l
:’1 /I< it’)となる。
越える場合、空気存在下500℃に二加熱し’C4!?
られる被II分は、その全電導度が500 (ン/ l
:’1 /I< it’)となる。
これは、アルカリが50’O″C’U” J、く拡1l
Il!りるということからすると浸)貨被膜に1341
1ノ(閏(べさ発見である。
Il!りるということからすると浸)貨被膜に1341
1ノ(閏(べさ発見である。
低CdO含有Ji’j ’l” /J’ ツ500 ’
Cに/、 下(7) 洞tu −’C形成された被膜の
有する電>yr +a、 cよ、その後3非常に単純な
改質■桿にJ、り改良され得る。これは、厳密に設定さ
れることを必要とせず、(シて一定1ifjを維持覆る
ことを必要としない)A−ミングガス雰囲気中C実tj
iiI能であり、かつ気密性を要しなイQi f’[i
<>炉中で200〜350℃テ実tT j’J &
テア115るゆえに、非常に単純でまた続演的である。
Cに/、 下(7) 洞tu −’C形成された被膜の
有する電>yr +a、 cよ、その後3非常に単純な
改質■桿にJ、り改良され得る。これは、厳密に設定さ
れることを必要とせず、(シて一定1ifjを維持覆る
ことを必要としない)A−ミングガス雰囲気中C実tj
iiI能であり、かつ気密性を要しなイQi f’[i
<>炉中で200〜350℃テ実tT j’J &
テア115るゆえに、非常に単純でまた続演的である。
先行技術と比較するに、気密炉おにびそれらにおける運
搬システム1、そして寿is 脣別の非触媒性壁材が不
要となる。、改質は、例えば0.5mm厚などの薄いガ
ラスの揚台に、これらが変形りることなく500℃に加
熱されることができないゆえ、特に右利である。この種
のガラスは、所望の表面抵抗率、特に木R:明の製造方
法にJ、り与えられる200〜500Ω/[]の範囲の
表面抵抗率を右りるディスプレイに用いられるものであ
る。木製3告方法により!Fl造される薄層は@塩酸を
用いて、ディス1174層におい゛(必要とされる工ツ
ブーングをされる(−とがCきる。
搬システム1、そして寿is 脣別の非触媒性壁材が不
要となる。、改質は、例えば0.5mm厚などの薄いガ
ラスの揚台に、これらが変形りることなく500℃に加
熱されることができないゆえ、特に右利である。この種
のガラスは、所望の表面抵抗率、特に木R:明の製造方
法にJ、り与えられる200〜500Ω/[]の範囲の
表面抵抗率を右りるディスプレイに用いられるものであ
る。木製3告方法により!Fl造される薄層は@塩酸を
用いて、ディス1174層におい゛(必要とされる工ツ
ブーングをされる(−とがCきる。
従来、CdOd加111203被膜は、加熱ガラス板上
にスプレー法により適用されている(アール グD ス
、P t+ys 、 S tat 、 3 of 1土
:69(1966)参照)。1.5%CdO含右11金
石03被膜は、荷電担体濃度3 X i O” cm−
3おにび移動1ff6cn+2 V−I 8−1を右し
ており、従って荷電担体gev3 、3 x 10 a
m−3おにび移1FI11.([16cn+2 V−I
r+−1を右4る本発明に係る被膜J、りもかなり劣る
ものである。加えて、スプレー法により製造される被膜
は、要求される同質性を右して(13らり゛、被膜どな
らないスプレー材illの損失は不経済である。、スプ
レー法のJa合Cd化合物のlIt性ににる問題は長1
目べきもの(゛あるが、浸漬法ぐは、溶液tit空気中
に撒き散らされるしので<’K < 、W ’;1tに
残るのみ(・あるから、全く問題はない。蒸気圧は、用
いられるcdd合物に関して低・(、M△に1「1は眉
1持される。
にスプレー法により適用されている(アール グD ス
、P t+ys 、 S tat 、 3 of 1土
:69(1966)参照)。1.5%CdO含右11金
石03被膜は、荷電担体濃度3 X i O” cm−
3おにび移動1ff6cn+2 V−I 8−1を右し
ており、従って荷電担体gev3 、3 x 10 a
m−3おにび移1FI11.([16cn+2 V−I
r+−1を右4る本発明に係る被膜J、りもかなり劣る
ものである。加えて、スプレー法により製造される被膜
は、要求される同質性を右して(13らり゛、被膜どな
らないスプレー材illの損失は不経済である。、スプ
レー法のJa合Cd化合物のlIt性ににる問題は長1
目べきもの(゛あるが、浸漬法ぐは、溶液tit空気中
に撒き散らされるしので<’K < 、W ’;1tに
残るのみ(・あるから、全く問題はない。蒸気圧は、用
いられるcdd合物に関して低・(、M△に1「1は眉
1持される。
7−JL/ り[17,、Phys 、 3tat 、
3ol ’l /l :69(196(i)のスパッ
ター法において、インジ・ラム5原子%を添加され/=
CtIOの被膜は、移動1.(L2.3co+2 V−
1s −’ j3ヨU比電気伝力串189Ω−1に「I
を右づるjj9厚281 mm)らのと1ノ”c製造さ
ル/CQこれは、表面抵抗キ188Ω/[1に一致し、
でしく本発明に係る被膜どの比較においてまた劣るしの
(・ある。
3ol ’l /l :69(196(i)のスパッ
ター法において、インジ・ラム5原子%を添加され/=
CtIOの被膜は、移動1.(L2.3co+2 V−
1s −’ j3ヨU比電気伝力串189Ω−1に「I
を右づるjj9厚281 mm)らのと1ノ”c製造さ
ル/CQこれは、表面抵抗キ188Ω/[1に一致し、
でしく本発明に係る被膜どの比較においてまた劣るしの
(・ある。
文献にお番〕るもっとも最近の引例(ジー ハック [
G 、I−1aakeコ 、S’PI’E V’o1.
324 0ptical Coa 口ng for
[丁 nergy [ヨ ffeciencV all
d 501fll’ Application (19
82))は゛、1隻れ/j(直である3 000−4.
OOOΩ−j C11−1の電気伝導度を右JるCd
−Ill 203被膜(RFスパッター法)につい(
報告t)℃いる。荷電担体暗度、移動度おJ、び膜厚な
どの1ljlのデータの欠如は本発明に係る被膜とのJ
、り詳細な比較をさまたげでいる。さらにこのCd −
I n 203被膜はシリノコガラスに関してのみ述べ
られている。
G 、I−1aakeコ 、S’PI’E V’o1.
324 0ptical Coa 口ng for
[丁 nergy [ヨ ffeciencV all
d 501fll’ Application (19
82))は゛、1隻れ/j(直である3 000−4.
OOOΩ−j C11−1の電気伝導度を右JるCd
−Ill 203被膜(RFスパッター法)につい(
報告t)℃いる。荷電担体暗度、移動度おJ、び膜厚な
どの1ljlのデータの欠如は本発明に係る被膜とのJ
、り詳細な比較をさまたげでいる。さらにこのCd −
I n 203被膜はシリノコガラスに関してのみ述べ
られている。
本発明の寥1造り法において、良好な電1 (((の被
膜が直接ノノルカリ含イ1ガラス上に形成されるという
ことは、どりわ【]驚くべきことである。これは、本発
明に(r3いUFA製されるJ、うな被膜組成物の今だ
解明されていないQUj性C・あろうと思われ、またこ
れ【よ、Cd含行右11+203被股関して特に見られ
得るものである。これは、最も頻繁に基質として用いら
れている)Iルカリ含有ガラスが従来方法においてはア
ルカリ拡散を防止Jるlこめに、例えば5i02等のア
ルカリバリヤ一層を最初に適用することを當に必要して
いたちのであることからして1盾目リベさ技術の進歩で
あるといλ、J5う。
膜が直接ノノルカリ含イ1ガラス上に形成されるという
ことは、どりわ【]驚くべきことである。これは、本発
明に(r3いUFA製されるJ、うな被膜組成物の今だ
解明されていないQUj性C・あろうと思われ、またこ
れ【よ、Cd含行右11+203被股関して特に見られ
得るものである。これは、最も頻繁に基質として用いら
れている)Iルカリ含有ガラスが従来方法においてはア
ルカリ拡散を防止Jるlこめに、例えば5i02等のア
ルカリバリヤ一層を最初に適用することを當に必要して
いたちのであることからして1盾目リベさ技術の進歩で
あるといλ、J5う。
バリヤ一層の除去(J、かなりの経済的な利点である。
他の添加物!1もまIC今まC1,l:観察されなかっ
た特定の特性を示す。例^ば銀、金、銅、パラジウム、
ルテニウム、[1ジウムまたは白金を添加しIこ酸化イ
ンジウム被膜(Lリ−−メット被膜と呼ぶことかできる
。
た特定の特性を示す。例^ば銀、金、銅、パラジウム、
ルテニウム、[1ジウムまたは白金を添加しIこ酸化イ
ンジウム被膜(Lリ−−メット被膜と呼ぶことかできる
。
例えば、バラジウl\添加酸化インジウム?ll!膜は
、適切に設置されるとJると、ガスレンリーとして、狛
に水素、1L窒索、アルコールJ3J、び水のガスレン
リ゛−としC用いlうれ青る。被膜の応答選択性−は湯
境に依Uしてa3す、例えば酸素測定には被I9温庶を
120〜150 ℃と゛す°べさ゛で、ま〕ζ人気中の
一エタノール満度を測定りるには2[3へ・50℃の温
度が適当である。特別な利点は限tQ法にまり被1%%
された場合、必然的に両面が被膜されるという事実にJ
、るちのである。接触物が位if!′スリ”るト面、
はpンリーとしC比較的J、りよく機能し、一方下面は
イの適当な抵抗によって基質を加熱することを実行し1
qる。電圧8’OVがかけられた場合、流れる電流は、
被膜の表面抵抗率に依存して、通常約200〜500ミ
リアンペアである。これは単Fi湿度を50〜250℃
と覆るのに十分である。
、適切に設置されるとJると、ガスレンリーとして、狛
に水素、1L窒索、アルコールJ3J、び水のガスレン
リ゛−としC用いlうれ青る。被膜の応答選択性−は湯
境に依Uしてa3す、例えば酸素測定には被I9温庶を
120〜150 ℃と゛す°べさ゛で、ま〕ζ人気中の
一エタノール満度を測定りるには2[3へ・50℃の温
度が適当である。特別な利点は限tQ法にまり被1%%
された場合、必然的に両面が被膜されるという事実にJ
、るちのである。接触物が位if!′スリ”るト面、
はpンリーとしC比較的J、りよく機能し、一方下面は
イの適当な抵抗によって基質を加熱することを実行し1
qる。電圧8’OVがかけられた場合、流れる電流は、
被膜の表面抵抗率に依存して、通常約200〜500ミ
リアンペアである。これは単Fi湿度を50〜250℃
と覆るのに十分である。
この温)■範囲で1よ、被膜は、づべCの実施用途に関
]ノで、′例えば表面抵抗率等の被膜の特性を変化させ
ることGJない。中でも、Cd 、Pt、Rh 。
]ノで、′例えば表面抵抗率等の被膜の特性を変化させ
ることGJない。中でも、Cd 、Pt、Rh 。
1(u、7nまたは△9を添加1)た111203被l
つ1は、最も多くのガス、例えば飽和および不飽和炭化
水素、窒素酸化物、二酸化硫j/i 、−酸化炭素、ア
ルニ1−ル、水素ならびにその他のガス等に対しで優れ
たヒンリ°−特性を示り゛。
つ1は、最も多くのガス、例えば飽和および不飽和炭化
水素、窒素酸化物、二酸化硫j/i 、−酸化炭素、ア
ルニ1−ル、水素ならびにその他のガス等に対しで優れ
たヒンリ°−特性を示り゛。
T、酸化チタン添加酸化インジウム被n9は高%’J
laの酸に対し−(極めて安定である。酸化インジウム
および/よたは錫添加酸化インジウム被膜は酸に比較的
容易に溶番)ることは公知である。しかしながら、二酸
化チタン添加酸化インジウム被膜は、例えば、塩酸、硝
酸およびIii!l酸等の希釈または濃11i!酸に数
時間さらした後にJ3いてさえも溶解しない。この種の
被膜は、化学攻撃w体中にil3ける適用に関して、理
想的/r透明で電導f(の電極となる。
laの酸に対し−(極めて安定である。酸化インジウム
および/よたは錫添加酸化インジウム被膜は酸に比較的
容易に溶番)ることは公知である。しかしながら、二酸
化チタン添加酸化インジウム被膜は、例えば、塩酸、硝
酸およびIii!l酸等の希釈または濃11i!酸に数
時間さらした後にJ3いてさえも溶解しない。この種の
被膜は、化学攻撃w体中にil3ける適用に関して、理
想的/r透明で電導f(の電極となる。
)Jルシウムを添加した被膜は、特別な硬rftに31
゜り特徴づりられる。
゜り特徴づりられる。
[実施例]
本発明を、以下の実施例によりさらにHTltll+に
説明する。
説明する。
比較例
il)M化fンジウ1.s p rn m ”/l 吠
i1’J jEI−t1°j酸インジウム(III)2
6.5(Iが水1BrttnJ3よび酢酸14nL久の
iIコ含物申に溶解され、イ(。
i1’J jEI−t1°j酸インジウム(III)2
6.5(Iが水1BrttnJ3よび酢酸14nL久の
iIコ含物申に溶解され、イ(。
【エタノール200 m Aで希釈された。
1))酸化イン2ラノ)被II分の製造ホウケイ酸塩の
カラス板(テンパックス [−1−(!ll1llax
″rH])が実施例1にJ3ν亘述べる様にし1m:(
!JiJされた酸化インジークム浸;I!1溶液中l\
浸;へさtし、−てしχ一定31度(0、0cm/分)
で溶液より引き」二げられIζ。このガラス4反は25
0 ”Cで簡IJに1zt(M W、燥され、イして窒
素/水索雰v11気中で/100この方法により調製さ
れた被膜は以下の特性−を有していた。
カラス板(テンパックス [−1−(!ll1llax
″rH])が実施例1にJ3ν亘述べる様にし1m:(
!JiJされた酸化インジークム浸;I!1溶液中l\
浸;へさtし、−てしχ一定31度(0、0cm/分)
で溶液より引き」二げられIζ。このガラス4反は25
0 ”Cで簡IJに1zt(M W、燥され、イして窒
素/水索雰v11気中で/100この方法により調製さ
れた被膜は以下の特性−を有していた。
膜 片 617Lm
表面抵抗率 432Ω/[−1
電 唐 バi 3 7 9 cm−1
荷?1H1l休)lPIIjt 7 、5 x 101
′1cm−3移肋1a 31cm2 V−1δ゛1 実施例1 a)酸化カドミウム添加酸化インジウlX?2 iTj
n’f L−友」1 比較例と同杯にして調製された酸化インジウム濯)へ溶
液が11盪拌しながら61Mカドニウム(Cd(OOC
CI−h )2 ・2ト120)Ui(Iで処JIl」
され、−で(〕(二「タノール40m(lでさらに希釈
されIこ。
′1cm−3移肋1a 31cm2 V−1δ゛1 実施例1 a)酸化カドミウム添加酸化インジウlX?2 iTj
n’f L−友」1 比較例と同杯にして調製された酸化インジウム濯)へ溶
液が11盪拌しながら61Mカドニウム(Cd(OOC
CI−h )2 ・2ト120)Ui(Iで処JIl」
され、−で(〕(二「タノール40m(lでさらに希釈
されIこ。
21nm厚の〕[]−1〜ガラス板が比較例において述
べるようにして調製された浸)六溶液に浸漬され、ぞし
て一定速度で引さ−1−け゛られた。250℃′c2右
下500℃に加熱され、この湿度で5分間保持された。
べるようにして調製された浸)六溶液に浸漬され、ぞし
て一定速度で引さ−1−け゛られた。250℃′c2右
下500℃に加熱され、この湿度で5分間保持された。
冷rJI 40、得られた被膜は次の特性を有しCいた
。
。
膜 1’; C3171m
表面抵抗率 194Ω/[−1
電導度 8300−’ c+n−1
移動1a 16cm2V−1!i −+611電担体i
(# III 、 3 、3 x 10” c+n−1
透過率< 55071−m ) 約80%反則串(5E
)071. rn ) 約17%実施例2 0.7+Rm厚のガラス薄板が実施例1ぐ述べたJ、う
にして調製された浸漬溶液に浸漬され、イして一定速度
で引き上げられた。2 b O℃で2分間予備乾燥した
のt5、この被覆されたガラス板は、空気存在−F−/
I 30 ’Cに加熱され、イし゛(°直ちに急冷され
た。つづいて、この被覆されlζガラス板は)A−ミン
グガス雰囲気中1c250℃で5〜10分叫、再加熱さ
れた。改質前の表面抵抗率番ま約8゜O〜1200Ω/
口r4ったが、ぞのW該被膜は200〜300Ω/口の
表面抵抗率をイjしていた。
(# III 、 3 、3 x 10” c+n−1
透過率< 55071−m ) 約80%反則串(5E
)071. rn ) 約17%実施例2 0.7+Rm厚のガラス薄板が実施例1ぐ述べたJ、う
にして調製された浸漬溶液に浸漬され、イして一定速度
で引き上げられた。2 b O℃で2分間予備乾燥した
のt5、この被覆されたガラス板は、空気存在−F−/
I 30 ’Cに加熱され、イし゛(°直ちに急冷され
た。つづいて、この被覆されlζガラス板は)A−ミン
グガス雰囲気中1c250℃で5〜10分叫、再加熱さ
れた。改質前の表面抵抗率番ま約8゜O〜1200Ω/
口r4ったが、ぞのW該被膜は200〜300Ω/口の
表面抵抗率をイjしていた。
実施例3
比較例で述べた様にして調製され/、:H化インジウム
浸漬溶液が、1躍11’−Lながらn酸カドミウム(C
d (OOCCI−13>2 ・2i−L+ O)1.
5VC処理されIC11 ” ) a ll;12F”;ニウムをに込」シ杏−加
した酸化インジウム被yHのし配 被膜は実施例3(a)で111られだ浸漬溶液を用い、
実Mj例1とIE 4&にしl!!造された。このよう
な被膜の表面抵抗率は500にΩを越えるものであった
。このような被膜がノオーミングガス雰囲気中で400
℃に加熱され、そしく直らに急冷された場合、被膜は4
50Ω/口の表面抵抗率を有していた。
浸漬溶液が、1躍11’−Lながらn酸カドミウム(C
d (OOCCI−13>2 ・2i−L+ O)1.
5VC処理されIC11 ” ) a ll;12F”;ニウムをに込」シ杏−加
した酸化インジウム被yHのし配 被膜は実施例3(a)で111られだ浸漬溶液を用い、
実Mj例1とIE 4&にしl!!造された。このよう
な被膜の表面抵抗率は500にΩを越えるものであった
。このような被膜がノオーミングガス雰囲気中で400
℃に加熱され、そしく直らに急冷された場合、被膜は4
50Ω/口の表面抵抗率を有していた。
実施例4
a)酸化lI釦添加酸化インジウム浸泊溶液の調製硝酸
亜鉛(Z n (N O’s > 2 ・/I ’l−
120> 5 。
亜鉛(Z n (N O’s > 2 ・/I ’l−
120> 5 。
79が攪拌Jることによって、比較例で述べた様にして
調製された酸化インジウム浸漬溶液中へ溶解され、イの
接顔溶液は工゛タノール250m1で希釈された。
調製された酸化インジウム浸漬溶液中へ溶解され、イの
接顔溶液は工゛タノール250m1で希釈された。
+3 >酸化亜鉛添加酸化Lンライム被nシ)の製)責
ホウグイg +3のガラス板が実施例/la)で得られ
た浸)貞溶液に浸:?iされ、ぞして一定速度で引ぎ上
げられ7:o250℃で5分間乾燥した後、この被覆さ
れたガラス板番よ、空気存在下で4 b O’(yへ加
熱されイして直ちに冷却された。次にこの試料は)A−
ミングガス雰囲気中350 ’(Cで゛10分間熱処理
された。この方法により(!1られた被部1は以トの特
性を右していた。
ホウグイg +3のガラス板が実施例/la)で得られ
た浸)貞溶液に浸:?iされ、ぞして一定速度で引ぎ上
げられ7:o250℃で5分間乾燥した後、この被覆さ
れたガラス板番よ、空気存在下で4 b O’(yへ加
熱されイして直ちに冷却された。次にこの試料は)A−
ミングガス雰囲気中350 ’(Cで゛10分間熱処理
された。この方法により(!1られた被部1は以トの特
性を右していた。
膜 Jツ 90n乱
表面抵抗率 343(]/口
帯電担体澹度 1 、6x 10” cr3移s麿13
01112 V −1s −1電イ;(1哀 β 30
Ω−I C11l−1実胞例5 a)氏之之文人差l」化インジウム−をjk」lIL少
−1」 ビス(アレデルアレ1へ)−1〜)パラジウム(1F)
1gが、攪拌しながら、比較例に述べた様にして調vJ
された酸化インジウム浸漬溶液中に溶解され1こ 。
01112 V −1s −1電イ;(1哀 β 30
Ω−I C11l−1実胞例5 a)氏之之文人差l」化インジウム−をjk」lIL少
−1」 ビス(アレデルアレ1へ)−1〜)パラジウム(1F)
1gが、攪拌しながら、比較例に述べた様にして調vJ
された酸化インジウム浸漬溶液中に溶解され1こ 。
b )パラジウム添加酸化インジウム被15)のIJ
3Lホウケイ酸塩のガラス板が実施例5a)で10られ
た浸1d溶液中に浸)肖されそし【一定速バ[で引ぎ上
げられた。該試flは空気存在下で5oo℃に加熱され
、−了して直)5に急冷されIC。得られた被膜t;t
、1.(3にΩの表面抵抗ヰニを右していた。400℃
で5分間の改質の後、この被膜は300Ω/口の表面抵
抗率を右していた。
3Lホウケイ酸塩のガラス板が実施例5a)で10られ
た浸1d溶液中に浸)肖されそし【一定速バ[で引ぎ上
げられた。該試flは空気存在下で5oo℃に加熱され
、−了して直)5に急冷されIC。得られた被膜t;t
、1.(3にΩの表面抵抗ヰニを右していた。400℃
で5分間の改質の後、この被膜は300Ω/口の表面抵
抗率を右していた。
実施例6
a)二酸化Lタン添加酸化インジウム深漬溶液の1
比較例で述べIC様にして調製された酸化インジラム浸
漬溶液がエタノール3o雇λと酢酸20711λどに溶
解されIこチクンブ1′・う1チノラーf−9(1で処
1!I!された。
漬溶液がエタノール3o雇λと酢酸20711λどに溶
解されIこチクンブ1′・う1チノラーf−9(1で処
1!I!された。
1))二酸化ブータン添加酸化インジウl\被膜の製遁
小つケイK 1mのガラス板が、実施例6a)でtlJ
られIこ浸漬溶液中へゆっ(りと乙さ潰され、イして定
力1度で引さ′Lす1)れlco口の被膜4J、250
’C′c10分間乾燥され、イしく空気存在下500
’C(’ 10分間前処Jjlされた。10られl、
、l:被膜【311、表面抵抗率約2MΩ/口を41し
くいた。)A−ミングガス雰囲気中/IE)O℃’U:
1 j’i分間熱処理の1糸、この被11Qは表面抵
抗的630Ω/1]を有しくいた9゜ごの被IIQは、
濃酸おj、σ濶5)、1基に対1ノ(非常に安定Cあっ
IC,I 実施例7 比較例で述べた様にしてjl!J製された酸化インジウ
ム郊)内溶液が酢酸5m1.と1タノ一ル2o麓℃どに
溶解されたジルコニウム−j1ヘラブタノラ−1・5g
で処理された。
小つケイK 1mのガラス板が、実施例6a)でtlJ
られIこ浸漬溶液中へゆっ(りと乙さ潰され、イして定
力1度で引さ′Lす1)れlco口の被膜4J、250
’C′c10分間乾燥され、イしく空気存在下500
’C(’ 10分間前処Jjlされた。10られl、
、l:被膜【311、表面抵抗率約2MΩ/口を41し
くいた。)A−ミングガス雰囲気中/IE)O℃’U:
1 j’i分間熱処理の1糸、この被11Qは表面抵
抗的630Ω/1]を有しくいた9゜ごの被IIQは、
濃酸おj、σ濶5)、1基に対1ノ(非常に安定Cあっ
IC,I 実施例7 比較例で述べた様にしてjl!J製された酸化インジウ
ム郊)内溶液が酢酸5m1.と1タノ一ル2o麓℃どに
溶解されたジルコニウム−j1ヘラブタノラ−1・5g
で処理された。
ボウケイ酸塩のガラスが実施例7a)で得られた浸漬溶
液中へ浸漬され、一定速19.で引き上げらレタ。被膜
は250℃で2分間乾燥され、ぞして500°0に加熱
し、直ちに急冷された。jitられた被膜は5MΩを超
える表面抵抗率を右してぃICQフA−ミングガス雰囲
気中で400℃に加熱し急冷しIC後、?l!!膜L;
Lし500 /口の表面抵抗率を示した。
液中へ浸漬され、一定速19.で引き上げらレタ。被膜
は250℃で2分間乾燥され、ぞして500°0に加熱
し、直ちに急冷された。jitられた被膜は5MΩを超
える表面抵抗率を右してぃICQフA−ミングガス雰囲
気中で400℃に加熱し急冷しIC後、?l!!膜L;
Lし500 /口の表面抵抗率を示した。
実施例8
a)酸化マクネシウl\添加1しインジウム浸漬溶液の
調製 比較例で述べた様にして調製された酸化インジウム浸漬
溶液が(ll′I酸マグネジ1クム(Mg (NO3)
2 ・21−h O)1.3(lで処理され、エタノー
ル50丑aで希釈された。
調製 比較例で述べた様にして調製された酸化インジウム浸漬
溶液が(ll′I酸マグネジ1クム(Mg (NO3)
2 ・21−h O)1.3(lで処理され、エタノー
ル50丑aで希釈された。
1))酸化マグネシウム添加酸化インジウム?I!!
駆(’J」1 ボウケイ酸塩のガラス板がゆっくりと実施例8a〉で得
られた浸漬溶液に浸1?7され、ぞして一定速度で引さ
トげられた。被膜は250℃で5分間乾燥されイして)
A−ミングガス雰囲気中500℃で15分間熱熱処g!
されI(。得られた被膜(よ2゜2 K O/ [1の
表面抵抗率をイ1しくいIC0実施例9 比較例で述べた様に1)(調製された醇化インジウム浸
漬溶液がI+l’l酸カルシウム(Ca (NO3)2
・2H20)1.4(JおJ5び二[タノール100
nt(lで希釈され71+ 11 1r)41化カルシウム町凰F化インジウム?ll!n
b+ (7)」距 ボウケイ酸塩のガラス板がゆっくりと実施例9a)ぐ得
られ!、二限II′1溶液に浸)へされ、一定速度で引
き上げられた。被膜は250 ’Cでt)分間乾燥され
、そしてフォーミングガス雰囲気中で500 ’Cで4
5分間熱熱処g1された。得られt= ?ll!Sは1
0−15、にΩ/口の表面紙を抗゛串を有していた。酸
化カルシウム添加酸化インジウム被膜は被膜の異例な硬
1.印により特徴づ()られ/1.、6実施例10 a)銀添加酸化インジ文1h t’p ?+”を溶液の
調製比較例に述べた様にして調製された酸化インジウム
浸漬溶液に硝酸銀0.59が添加された。
駆(’J」1 ボウケイ酸塩のガラス板がゆっくりと実施例8a〉で得
られた浸漬溶液に浸1?7され、ぞして一定速度で引さ
トげられた。被膜は250℃で5分間乾燥されイして)
A−ミングガス雰囲気中500℃で15分間熱熱処g!
されI(。得られた被膜(よ2゜2 K O/ [1の
表面抵抗率をイ1しくいIC0実施例9 比較例で述べた様に1)(調製された醇化インジウム浸
漬溶液がI+l’l酸カルシウム(Ca (NO3)2
・2H20)1.4(JおJ5び二[タノール100
nt(lで希釈され71+ 11 1r)41化カルシウム町凰F化インジウム?ll!n
b+ (7)」距 ボウケイ酸塩のガラス板がゆっくりと実施例9a)ぐ得
られ!、二限II′1溶液に浸)へされ、一定速度で引
き上げられた。被膜は250 ’Cでt)分間乾燥され
、そしてフォーミングガス雰囲気中で500 ’Cで4
5分間熱熱処g1された。得られt= ?ll!Sは1
0−15、にΩ/口の表面紙を抗゛串を有していた。酸
化カルシウム添加酸化インジウム被膜は被膜の異例な硬
1.印により特徴づ()られ/1.、6実施例10 a)銀添加酸化インジ文1h t’p ?+”を溶液の
調製比較例に述べた様にして調製された酸化インジウム
浸漬溶液に硝酸銀0.59が添加された。
1))銀添加酸化インーンニ7 /−%−柁−■シ1の
製造ボウケイ酸塩のガラス板がゆっくりと実施例1Qa
)で11られた浸)自溶液中に浸)ζ1され。一定速度
で引き上げられた。被膜は250 ’Cで5分間乾燥さ
れ、空気存在F 4 !’i 0℃に加熱された。冷7
JIの掛、被膜はフォーミングガス雰囲気中4O0℃C
熱処1.qtされた。被膜)よ3にΩ/口の表面抵抗−
今?をfjシていた。
製造ボウケイ酸塩のガラス板がゆっくりと実施例1Qa
)で11られた浸)自溶液中に浸)ζ1され。一定速度
で引き上げられた。被膜は250 ’Cで5分間乾燥さ
れ、空気存在F 4 !’i 0℃に加熱された。冷7
JIの掛、被膜はフォーミングガス雰囲気中4O0℃C
熱処1.qtされた。被膜)よ3にΩ/口の表面抵抗−
今?をfjシていた。
実施例11
+1>酸化ネAジウム添加酸化インジウム浸Wi溶液の
調製 比較例に述べた様にして;11J賀された酸化インジウ
ム涜)へ溶液がトリス(アレブールノシ!:!トナト)
ネAジウム(Ill)3.9CIで処Iす!され、」エ
タノール50mJ2で希釈8れだ。
調製 比較例に述べた様にして;11J賀された酸化インジウ
ム涜)へ溶液がトリス(アレブールノシ!:!トナト)
ネAジウム(Ill)3.9CIで処Iす!され、」エ
タノール50mJ2で希釈8れだ。
+1)七ネAジ・入に監狸醪化インジウノ\波1ル窯ユ
ツ五 小つケイ醇1油のガラス板がゆ・ノくりと実施例1゛1
a)で1!1られたB)iffi溶液に浸)へされ、一
定速度C引き上げられた。被膜は250 ’CF 5分
間乾燥され、フA−ミングガス1v囲気中で400℃に
加熱された。冷却の後、1!lられた被膜は530Ω/
(−1の表面1【(抗オニを右しくい1.:、。
ツ五 小つケイ醇1油のガラス板がゆ・ノくりと実施例1゛1
a)で1!1られたB)iffi溶液に浸)へされ、一
定速度C引き上げられた。被膜は250 ’CF 5分
間乾燥され、フA−ミングガス1v囲気中で400℃に
加熱された。冷却の後、1!lられた被膜は530Ω/
(−1の表面1【(抗オニを右しくい1.:、。
実施例12
比較例に)ホベる杵にして調v1された酸化インジウム
浸漬溶液が酢酸23m1と水22ytlとに溶解した口
1酎カドミウム(Ctl (00CCl−13’ >
2・2ト120)19.5(!とlll’l ’ rl
!2亜鉛(7n(N。
浸漬溶液が酢酸23m1と水22ytlとに溶解した口
1酎カドミウム(Ctl (00CCl−13’ >
2・2ト120)19.5(!とlll’l ’ rl
!2亜鉛(7n(N。
3)2 ・/11120)19.1gで処3!1!され
、イしC」エタノール−1!jOnL℃で・希釈されl
こ。
、イしC」エタノール−1!jOnL℃で・希釈されl
こ。
1))酸化カド(久ムーJ3よび酸化亜ti)添加酸イ
しゴ1ンージウム被膜ご製造 小つケイ酸塩のガラス板がゆっくりと実施例12a)で
111られIc ン’J ii?f Iff ’Nkに
ン桑偵され、一定速1身で引ぎ」ぼられた。被膜は空気
存イ1下500℃へ加だ1された。4′tられl、二、
il! IIb!は800Ω/′[1の表面抵抗ニドζ
を右1)でいた。
しゴ1ンージウム被膜ご製造 小つケイ酸塩のガラス板がゆっくりと実施例12a)で
111られIc ン’J ii?f Iff ’Nkに
ン桑偵され、一定速1身で引ぎ」ぼられた。被膜は空気
存イ1下500℃へ加だ1された。4′tられl、二、
il! IIb!は800Ω/′[1の表面抵抗ニドζ
を右1)でいた。
実施例13
a )全添加酸化インジウム浸♂1溶液の調製比較例で
3!l(べる様にし−(調製された酸化インジウム浸)
右溶液が塩化金(Ill) 1.7!J aLJ、びク
エン酸0.5!I′r:処理された。
3!l(べる様にし−(調製された酸化インジウム浸)
右溶液が塩化金(Ill) 1.7!J aLJ、びク
エン酸0.5!I′r:処理された。
b)主多加酸化インジウム被膜の調製
水ウケイ酸塩のガラス板がゆつ(つと実施例13a)C
”if7られIこ浸漬溶液中に浸W4され、一定)■1
身で引きノーげられた。被膜4;L 250℃ぐ5分間
乾燥され、フォーミングガス雰囲気中で/l 50 ’
Cで10分間熱処理され/、= 、 i”、7られた被
膜Gよ2.1にΩ/]]の表面抵抗率を右していた。
”if7られIこ浸漬溶液中に浸W4され、一定)■1
身で引きノーげられた。被膜4;L 250℃ぐ5分間
乾燥され、フォーミングガス雰囲気中で/l 50 ’
Cで10分間熱処理され/、= 、 i”、7られた被
膜Gよ2.1にΩ/]]の表面抵抗率を右していた。
実施例14
a)酸化4)添V化インジウム浸漬溶液の■比較例で述
べるJ、うにしでiil!I製された酸化インジ’)
lXオ榮消ンn液がクリコール20 yrt (lにン
?f解され人: Pjl?1!l 釘) (K ) <
1) l+ (OOCCtl 3 ) 2 ・ 2’
N20)69で処J11!され、エタノールIEiO
mlで希釈された。
べるJ、うにしでiil!I製された酸化インジ’)
lXオ榮消ンn液がクリコール20 yrt (lにン
?f解され人: Pjl?1!l 釘) (K ) <
1) l+ (OOCCtl 3 ) 2 ・ 2’
N20)69で処J11!され、エタノールIEiO
mlで希釈された。
1))ら9 (E、 if) 2潰班豊↓イクジウムニ
他」を、臥孔1小ウケイ酸j3のガラス板がゆっくりと
実施例14aンで1!7られノ、二ン;2)♂1溶液に
浸)凸され、一定速1腹で引き上げられた。被膜は25
0 ’C’C” 5分間乾燥され、ノA−ミングガス雰
囲気中400°OCb分間熱処]IIIされた。11ら
れだ被11は1.8K()の表面11(抗率を’h L
でいた。
他」を、臥孔1小ウケイ酸j3のガラス板がゆっくりと
実施例14aンで1!7られノ、二ン;2)♂1溶液に
浸)凸され、一定速1腹で引き上げられた。被膜は25
0 ’C’C” 5分間乾燥され、ノA−ミングガス雰
囲気中400°OCb分間熱処]IIIされた。11ら
れだ被11は1.8K()の表面11(抗率を’h L
でいた。
実施例I Ei
a )醇化7」パル1−添加管uL蛇乏グ人庄酊0U死
波L」 比較例(・述べ!、′:様にし゛(il!l lilさ
れlこ酸化インジウムン1.!iごi)客演が句゛1酸
コバル1−(拝) (Co (N。
波L」 比較例(・述べ!、′:様にし゛(il!l lilさ
れlこ酸化インジウムン1.!iごi)客演が句゛1酸
コバル1−(拝) (Co (N。
3)2 ・41−120) 1. 1(I T”処理さ
れた。
れた。
b ) −M (Is ::+パル1−添−711+1
直」ニインジウム被膜の製造ホウケイl!塩のガラス板
がゆっくりと実施例゛15a)ぐ得られl、:涜)CI
溶液中に浸漬され、一定速1哀で引き上げられた。被膜
は250℃で10分間乾燥され、フォーミングガス雰囲
気中500℃で10分間熱処理された。1!1られた被
膜は300 KΩ7/[]の表面抵抗率をイiしてぃl
、: 、。
直」ニインジウム被膜の製造ホウケイl!塩のガラス板
がゆっくりと実施例゛15a)ぐ得られl、:涜)CI
溶液中に浸漬され、一定速1哀で引き上げられた。被膜
は250℃で10分間乾燥され、フォーミングガス雰囲
気中500℃で10分間熱処理された。1!1られた被
膜は300 KΩ7/[]の表面抵抗率をイiしてぃl
、: 、。
実施例1G
a)酸化バナジウム添加酸」ヒインジウム浸??i溶液
の調M− 比較例ぐ述べた様にして調製された酸化インジウム浸)
ζ(溶液がブト・シー1ス(アレチルノノセ[・ブト)
バプラ’)l\(IV ) 2 、3CI テ処JQ!
され、tし”<ピリジン0.5(+でさらに処理された
。
の調M− 比較例ぐ述べた様にして調製された酸化インジウム浸)
ζ(溶液がブト・シー1ス(アレチルノノセ[・ブト)
バプラ’)l\(IV ) 2 、3CI テ処JQ!
され、tし”<ピリジン0.5(+でさらに処理された
。
1〕)氏去ジウム添り口L(インジウム被膜の1【小つ
グイ酸塩のガラス板がゆっくりと実施例16a)で得ら
れ1.:浸漬溶液中に1;2潰され、一定速1良で引ぎ
1げられlこ。被膜は250 ”Cで10分間乾燥され
、モしてフォーミングガス雰囲気中500℃で10分間
熱処理された。得ら′41に被膜は、15にΩ/口の表
面(【(抗率を有していた。
グイ酸塩のガラス板がゆっくりと実施例16a)で得ら
れ1.:浸漬溶液中に1;2潰され、一定速1良で引ぎ
1げられlこ。被膜は250 ”Cで10分間乾燥され
、モしてフォーミングガス雰囲気中500℃で10分間
熱処理された。得ら′41に被膜は、15にΩ/口の表
面(【(抗率を有していた。
実施例17
a)j%進アンヂLン添加酸化インジウム浸漬溶液比較
例で3d(べた様にL/て;1.す製された酸化インジ
ウム6〉潰溶液がア酸1−〇1酸」−チルニスプル10
ηt2に溶解された塩化アンプ−Iン(Il[)2.
/Igで処理され1.:、。
例で3d(べた様にL/て;1.す製された酸化インジ
ウム6〉潰溶液がア酸1−〇1酸」−チルニスプル10
ηt2に溶解された塩化アンプ−Iン(Il[)2.
/Igで処理され1.:、。
1+)Wli化アンヂモン添+311 酸11;インジ
ウム被膜の乱り 小つケイNL 幅のガラス板がゆっくりと実施例17a
)t’l!?られた決)自溶液中へ浸i!Ilされ、一
定速度で引き上げられた。被11つ)は250℃で10
分間乾燥され、ぞしU7J−ミングガス’J? II]
I気中500 ’Cで10分間熱処理した。得られた被
膜は4゜6にΩ/11の表面抵抗率を右していた。
ウム被膜の乱り 小つケイNL 幅のガラス板がゆっくりと実施例17a
)t’l!?られた決)自溶液中へ浸i!Ilされ、一
定速度で引き上げられた。被11つ)は250℃で10
分間乾燥され、ぞしU7J−ミングガス’J? II]
I気中500 ’Cで10分間熱処理した。得られた被
膜は4゜6にΩ/11の表面抵抗率を右していた。
実Mlt例18
a)ルテニウム添加酸ルニ(身ニンーウム浸偵溶液のl
」 比較例て・迩べlこ様に1)てiil!J製され1.:
酸化インジウム浸)貞)8液が1福化ルyニウム(Il
[)1.0CIで処Jり1された。
」 比較例て・迩べlこ様に1)てiil!J製され1.:
酸化インジウム浸)貞)8液が1福化ルyニウム(Il
[)1.0CIで処Jり1された。
b )ルデニウム添加酸化インジウム被膜の製造小つケ
イ酸Jgのガラス板がゆっ(りと実施例′IQa)でl
iられだ浸漬溶液中へ浸漬され、一定速1嶽で引さ」二
げられた。被膜LL 2−50°0ぐ10分間乾燥され
イしてフA−ミングガス雰囲気中400℃で10分間熱
処理され1Jo1ワられた被膜は420℃Ω/[)の表
面抵抗率をイボしてぃ7C6IV 、発明の効果 以上述べたように、本発明は、被覆される−え貿をイン
ジウムの加水分解性化合物を含む溶液中にFB i5i
L/、この基t1を溶液中より引き上げ、乾燥1ノぞ
しく500℃以下の瀾1頁で焼成Jることでなり、該浸
清音液がインジウl\化合物以外に、元素の周111J
系の第LIVもしくは第Vのa亜族また番、1第1゜!
iJ]1.第■、第Vもシクハ第Vlll(7) b
1lli IM t: 1= 4;J、 希」二類の元
素の加水分解性化合物を少なくとも1つ含イjすること
を特徴どづる透明で、電導性のドーパン1−・添加酸化
インジウム膜の浸げ1法による製造方法であるから、高
品負で好演性の良好なドーパント添加酸化インジ・クム
欣を提供することが可能C(ちる。
イ酸Jgのガラス板がゆっ(りと実施例′IQa)でl
iられだ浸漬溶液中へ浸漬され、一定速1嶽で引さ」二
げられた。被膜LL 2−50°0ぐ10分間乾燥され
イしてフA−ミングガス雰囲気中400℃で10分間熱
処理され1Jo1ワられた被膜は420℃Ω/[)の表
面抵抗率をイボしてぃ7C6IV 、発明の効果 以上述べたように、本発明は、被覆される−え貿をイン
ジウムの加水分解性化合物を含む溶液中にFB i5i
L/、この基t1を溶液中より引き上げ、乾燥1ノぞ
しく500℃以下の瀾1頁で焼成Jることでなり、該浸
清音液がインジウl\化合物以外に、元素の周111J
系の第LIVもしくは第Vのa亜族また番、1第1゜!
iJ]1.第■、第Vもシクハ第Vlll(7) b
1lli IM t: 1= 4;J、 希」二類の元
素の加水分解性化合物を少なくとも1つ含イjすること
を特徴どづる透明で、電導性のドーパン1−・添加酸化
インジウム膜の浸げ1法による製造方法であるから、高
品負で好演性の良好なドーパント添加酸化インジ・クム
欣を提供することが可能C(ちる。
Claims (7)
- (1)被rRされる基デ1を、インジウl\の加水分解
性化合物を含む溶液中に浸清し、この基jC1を溶液中
J、り引ぎ上げ、乾燥しイして500℃以下の湿度で焼
成りることでなり、該浸漬溶液が、インジウム化合物以
外に、元素の周期系の第■、第■もしくは第Vのa亜族
また番よ第1、第■、第1V 、第Vもしくは第■の1
1亜族または希二1類の元素の加水分W(−1!l−化
合物を少な・(とも1つの金石Jることを特徴どジる透
明ぐ電導性のドーバン1〜添加酸化インジウム膜の浸漬
法による製造方法。 - (2)浸漬溶液がMrJ 、 Ca 、 Y、 La
、 S i 。 Gc 、 Sn 、 I)I]、 St) 、 Biお
J、びΔSからなるIYから選ばれた1−)の元素の化
合物を含/vでなる特許請求の範II]I第1項に記載
の製造方法。 - (3) 浸漬溶液がCu、Δ!J、AU、 Zn、 c
d。 1−1g、T’i 、Zr、1−If’、V、Nb、
Ta、 [e。 C(1,N i 、 RLI、 Rh、 Pd、 Os
、 lr、 I〕t、CeおよびNdからなる群から選
ばれた1つの元素の化合物を含んでなる特許請求の範囲
第1項または第2項に記載の製造方法。 - (4)基質上にある被膜が、焼成された後還元ガスによ
り200°〜500℃の温度で改質される6のである特
許請求の範囲第1項〜第3項のいずれか1つに記載のI
!A造方法。 - (5)アルコキシド、硝酸コニスプル、有機酸の塩まI
こはアL/′/−ルアし1〜ンのキレ−1・もしくはア
レト酢酸二[スプルの1゛レート等の4レー1−がイン
ジウl\の加水分解性化合物および添加元素の加水分解
t!1.化合物として用いられるbのである特6’l請
求の範囲!11〜/I lriのいずれか1つに記載の
製造方法。 - (6)アレチルン7t?トン、アレト酢酸ニスデル、モ
ノカルボン酸、アルデヒド、グリコールb、b<はグリ
セリン等のポリアルコール、ポリカルボン酸、ケトン、
オキシケトン、脂肪族もしく【よ芳占#炭化水素、ピリ
ジン等の脂肪族もしくは芳占族フ7ミン、α−ピコリン
、トリエチルアミン、コニタノールアミン、1ボ素よた
はウロト[1ビンt(どのキレ−1〜形成化合物が浸漬
溶液に加えられてなる特B′F請求の範囲第1・〜5項
のい れかjつに記載の製造方法。 - (7)ドーバン1〜添加酸化インジウム膜かび(示装閘
中に用いられるまたはヒータ一層もしくはUンリ一層と
1. C用いられるものである特許ん請求の範囲第1〜
6項のいずれか′1つに記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3324647.5 | 1983-07-08 | ||
DE19833324647 DE3324647A1 (de) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | Tauchverfahren zur herstellung transparenter, elektrisch leitfaehiger, dotierter indiumoxidschichten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6039710A true JPS6039710A (ja) | 1985-03-01 |
JPH056289B2 JPH056289B2 (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=6203470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59140761A Granted JPS6039710A (ja) | 1983-07-08 | 1984-07-09 | 透明で電導性のドーパント添加酸化インジウム層を製造するための浸漬方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4849252A (ja) |
EP (1) | EP0131827B1 (ja) |
JP (1) | JPS6039710A (ja) |
DE (1) | DE3324647A1 (ja) |
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