JPS6037610A - 容量性多層導体バーおよびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の利用分野 この発明はハスバー等の容量性素子から成る高容量性多
層導体バーの製造方法およびその方法により製造される
高容量性の多層導体バーに関する。

この明細書において、語“バスバー゛とは広い分野、特
に電子業界において例えば印刷回路およびその池の高い
集積度の構成部品にオ；ける主として電力および／又は
信号分配用構造部品のことである。

従来の技術 一般にハスバーは、例えは通常的０．１２＋ｎｍ〜０．
５　ｆ、’）　Ｉ＋１Ｉｌｌ程度の肉厚範囲の錫めっき
銅あるいは黄銅から成る給電用の２つ又はそれ以」二の
互いに離間すしめた導体素子から形成される。この種の
バスバーは延在する複数の分配ピンを担っている。

これ笠のピンは当該導体素子と印刷回路基板の複数の線
路との電気接続を行なう。そのようなバスバーにおいて
、導体素子間の室は当該バスバーに沿って分布容量をイ
」与するために通常誘電体祠料で充填される。このよう
にして、バスバーは電圧低下に基づく過渡現象の除去お
よび／又は固有雑音の低減化に有用である。

上記従来のバスバーにおいて、約２５〜１２５μｍ１１
の肉厚の絶縁フィルムあるいは合成紙が導体間に配置さ
れる。好適な誘電体材料としてＰＴＦＥフィルム（“テ
フロン（Ｔｅｆ　Ｉｏｎ）”）　、アラミド絶縁紙（例
えば゛”ノメックス（Ｎｏ＋ｎｅＸ）”）　、ポリエス
テルフィルム（例えば゛マイラー（Ｍｙｌａｒ）”）　
、ポリイミドフィルム（例えば″′カプトン（ＫａｐＬ
ｏｕ）”）およびＰ　Ｖ　Ｆ　フィルム（例えば′”テ
トラ−（１’ｅｄｌａｒ）”）かある。これ等の比誘電
率は２〜！〕の範囲内のものである。この種の型式のバ
スバーは比較的低いキャパシタンスを有する。

ハスバーの単位面積当りのキャパシタンスは誘電率に比
例するとともに該誘電体材料の肉厚に反比例する。キャ
パシタンス増大化のために肉厚を低減す沼二も、材料の
絶縁耐力のために限界かあ。

た。同一寸法での高キャパシタンスはより高い比誘電率
を有する誘電体により達成される。

従来技術において、ここ数年来、誘電体の肉厚および／
又は体積を変化させることなくキャパシタンスを増大す
るのには問題かあった。

誘電率の改良のためにセラミックチップが用いられてき
た。これ等のセラミツフナ・ンブは上述したものよ１）
も非常に高い誘電率を達成する。特に、チタン酸バリウ
ムあるいはチタン酸ストロンチュームセラミンクは、］
　ＯＯ、Ｏｆ、＋　（ｌ　およびそれ以」二の比誘電率
を達成する。二）Ｌ笠のナンブ、基体的に１３ａＴｉＯ
，（チタン酸バリ・ンム）および５ｒＴｉ０３（チタン
酸ストロンチューム）は多層型あるいは一値層型のチッ
プとして市場で簡単に入手できる。

第２番目のＪ乃合、チップは非常に薄厚、例えば０゜２
　ｍｍ程度の５１Ｌ行六面１本とされる。例えは、幅３
゜５〜Ｓ　１１１１１１　、長さ５〜３５１１１１１１
程度を有する両主面か導体フィルムの敷設あるいｌよス
パックリングあるいはそれと類似の方法により金属被覆
されがっ）　その縁部は金属被覆されない。これ笠のチ
ップは事実」二のキャパシタである。

金属被覆は銀又はニッケル又はその他の適当な金属から
普通の真空被膜方法により作らｈる。この金属フィルム
は両主面において連続導体層とする数μｍ程度までもの
肉厚を有する。当該チップの主面」二の連続導体層は主
電流を供給するものでなく、活性構成要素により発生さ
れた雑音電力に基づく可変電流を通過させるに過ぎない
から、該導体層の断面積を小さくすることかできる。こ
の雑音電力は、時々非常に有害なものではあるが、当該
容量性セラミック内に多量の熱を発生する二ともなく非
常に短い瞬時間のみ高い値となる。一方、導体層の可成
りの断面積は電気的直列抵抗を低く維持せしめかつ当該
キャパシタの等価直列抵抗を低下せしめるのに有用であ
る。米国’４’ｒ　ｉ’＋第・１゜２３６　、０４６号
および第４．２６６　、　ｏ　９重号により知られるバ
スバーにおいては、金属被覆化セラミックチップと導体
バーとの電気的接続は導電性接着剤により行われている
。導電性接着剤の使用は、製造工程時あるいは当該（数
冊の操作もしくは使用時のいずれかにチップの対向面間
に生起した短絡回路通路に基因する重大な信頼性の問題
をお起する。短絡回路は接着剤の底粘度に基因して発生
し、積層工程中一般に１４０〜２０５℃の温度およびｊ
子方の２重の影響下で導体間に接着剤のある過剰な流れ
を惹起させる。この問題を除去すルタメニ、米１月特許
ｆ５４．．２３６，０３８％ｉ＝＃いて、金属被覆セラ
ミックチップが非導電性接着剤を介して外側の導体バー
間に封止される一方、プレートバーの内方の面と対面す
るチップ表面は導体バーとチップの金属化層とを電気的
に接触させるためにｔ１１仕−トげ而とされる。

しかるに、そのような電気接続は、多層ハスバーアンセ
ンブ）バ組合せ１本）の内面を過剰に接着剤が被覆する
こと、あるいは接着剤、代表的には熱可塑性材料の性質
のいずれかによって不確定かつ信頼性かないものであり
、該接着剤が軟化点まで加熱されたときにこのように流
動を開始して電気接触を妨げる。何はともあれ、接着剤
の適当な量を選定することは困難なことである。

もう１つの従来例のセラミックチップを組込んだ多層バ
スバーが英国特許第２ｏａ１２υ号により知られている
。このバ′スパーアッセンブリは例えばｔ＼ｇの導体層
を有する例えばＢａＴ１（Ｌ＋の個別の容量性素子から
成り、各導体ＪＭはハスバー導体と電気接続されている
。電気接続は半Ｉｌｌに上って確立され、各導体はプラ
スチンクイｑで・変ｊ負することもできる。他の具体例
において、各バスバー導体１ｉ：、導電的に被覆した個
別のキ４・パシクを収容するようにした複数の穴を有す
る絶縁スペーサに積層されている。この絶縁スペーサに
印刷された導電トランクはバス導体と導体層との接続を
行なう。更に別の具体例において、各バス導体は穿孔プ
ラスナツタスペーサに穴内に導電的に’Ｉｊ１．ｍ？れ
たキャパシタおよび導体層とバス導体間の導電性接着剤
と一緒に接着されたプラスチンクシート上に印刷された
トラックとされる。

何れの場合も、そのようなバスバーを製造するこれ等の
方法は複雑でありかつ多数の処理Ｔｉソーｌ□ｔ要求さ
れる。導電性トラックの表面は酸化し易いため１こ機械
的接触により形成される電気接続の信頼性が乏しいもの
である。これ等の酸化層は不良導体である。米国特許第
４，２３６，０４Ｇ号および第４，２６６．０９１号に
、導電性接着材の使用の１記問題を惹起することを述べ
ている。

解決しようとする課題 この発明は高容量性の多層導体バーの簡単かつ安価な製
造方法を提供しようとするものであり、バスバーの種々
の素子間における所要の電気的および機械的接続か、高
温度あるいは（穴掘的高圧力等の極端な条件下において
も安定性および信頼性のあるものである。

もう１つの目的は、内部キャパシタの′：・γ刷面列抵
抗か可成り低くかつ固有雑１３を代滅するのに非常に有
効なバーを提供することにある。

この発明は特許請求の範囲に記載のとおりに特徴づけら
れる。この発明による利点は主として２つの異なった接
着材料を用いて賊械的および電気的接続が最良の形態で
行える、二とにある。一方において、耐久性がありしか
も低インピーダンスを有する最良の電気接続を行えるの
で半Ｉｎ合金材料が用いられる。他方、該半田合金材料
は機械的接続を確立する出来る限り最良の非導電性接着
材料と一緒に用いられ、それによりこの要望が最良の形
態で達成される。非導電性接着４・４料は当該多層導体
バーの機能を毀損することなく十分に付与される。さら
に、導体バーアッセンブリ内の各空間は好ましくは非導
電性接着材料で充填して、このアッセンブリを安定かつ
小型にしかつ良好な信頼性を右するようにされる。

この発明ｉこよれば、導体素子、容量性素子および誘電
体素子は半田合金および非導電性材料祠料と一緒に１回
のホットプレス工程で積層される。

したかって、半田合金材料は導体材料と容量性中間素子
との間に配置されるとともに、非導電性接着材料は種々
の誘電体素子表面に配置される。

機械的および電気的接続を確立する接着Ａ＝４料は工程
温度および／又は圧力に関する同様の性質を考１ど：し
て選択される。非導電性材料はＩｆましくは約１５０℃
〜２００℃の活性化温度を有する熱硬化性あるいは熱可
塑性接着剤である。熱可塑性接着剤による接続は、好ま
しくは約１５０℃の軟化温度で行なわれるようにする。

熱硬化性接着剤による接続は好ましくは約１８５℃の重
合化温度で行なわれるようにする。周接着剤は金属およ
び誘電体を接着するのに好適な材料である。そのように
行なわれた機械的接続は耐久性および安定性がある。半
田」会合材料は好ましくは半■」ペースト、半田成形材
料あるいは約１４（１’Ｃ〜２００　’Ｃの融点を有す
る溶接遂行材料であり、即ち、硬ろう付けよりもむしろ
半田刊はを行なうものである。一般に鉛−錫合金の半田
」材料は心電性素子の表面と容量性素子の表面とを、そ
の両者を溶融することなく接合する。また、半ＩＩＩ　
（−１けは良好な電気的および機械的接続を行なう。適
宜な半田としては、例えば、融点１７９°Ｃ、クラス５
ｎ６２のＳ　ｎ　Ｐ　ｂＡＦｉＳｂ　Ｇ　２／　３５．
７／　２７０．３　あるいは融点１４９℃のＩｎＰｂＡ
ｇ８０／Ｉ　Ｓ１５　（マルチコアソルダー製作所（ｍ
ａ＋＋ｕｔａｃＬｕｒｅｒ　ＭｕｌｔｉｃｏｒｅＳｏｌ
ｄｅｒ　）リミテッド、ＵＫ）がある。これ等の半田は
普通２５°Ｃで２００．０００　ｃＰ（センチポアズ）
以上の粘性を有するペーストである。この半田ペースト
は可成り粘性が高いために高い作業温度においても流動
が阻止される。

特に好ましくは、融点」４９℃のＩｎＰｌ＋ＡＢ半田ペ
ーストと一緒に約１５０’Ｃの軟化温度な有する熱可塑
性接着剤を用い、あるいは：融点」７９’ＣノＳ　ｎ　
Ｐｂ　Ａｇ　Ｓ　ｂ半田ペーストと一緒１：］８５’ｃ
の重合化温度を有する熱硬化性接着剤を用いる。

二り等の好ましい材料の組み合わぜは１回の接着工程に
おいて種々の処理パラメータをうまく調節する。

容量性素子は好ましくは金属被覆したセラミンクチップ
であり、該セラミックチップの縁部は非導電性とされる
。各金属被覆主面は適当な導体素子と対向している。そ
れ等の開の電気的接続のために半田合金材料は当該チン
プサイス゛に応した適宜大きさの面積の容量性素子の金
属被覆面および／又は導体素子の対向面に配置される。

半１ｕは、例えばチップの両面上で縁部から少なくとも
１ｎｕ＋＋以上の中央領域および／又は導体素子の中央
領域に点状もしくは連続ストリップ状に設けられる。

その量は、例えば１点部当り約０．０２ｇ、直線部１ｃ
１１当り約０．ｂ＋が好都合である。各チップは好まし
くは導体素子の中央に設置される。半田はその粘性のた
めに導体素子に対する相対的な容量性素子の位置決めを
より容易に行なわしめる。半田は容量性素子の縁部から
十分に離間した中央部に残留するので、製造作業時に少
量の半１１１がどのような短絡回路をも形成することが
ない。

この発明の好ましい実施例において、各誘電体素子は当
該アンセンブリを絶縁１．かつカプセルに入れるために
導体素子１４の外方に対面しあるいは露出面に接続され
る。この外部絶縁は」一連した１回のホットプレス工程
中に確立される。これ等の外部誘電体は好ましくは合成
紙あるいはフィルムストリップとされる。こノｔ′４−
の素子は好ましくは内面に乾燥接着剤層を右する。二〇
熱硬化性あるいは熱可塑性接着剤はアクリル系、エポキ
シ系あるいはポリエステル系接着剤である。

また、導体素子と容Ｍｆ’Ｊ：素子との間に１又はそれ
以上の絶縁層を有する多層導体バーが提供される。この
絶縁層、好ましくは内部誘電体素子１．を非導電性接着
剤を介して導体素子と容量性素子とに接着される。内部
誘電体素子の両主面は好ましくは乾燥接着層で被覆され
る。この素子は複数の貫通孔を有し、貫通孔を介して隣
接する導体素子と容量性素子゛との開の電気的接触がそ
れ等の貫通孔に充填し得る半田ペーストあるいは半田千
ｍｕ成形溶接材料によりなされている。約１〜３１１１
１１１の直径を有する複数の孔が容量性素子の中心に設
けられ、そこで電気的接続が行なわれる。

この発明のもう１つの実施例において、容量性素子か導
体バーの全長に亘って充填されない場合、内部誘電体素
子が容量性素子の片方の空の末端部に配置されるととも
に導体素子の内方に面する表面に接着される。この接着
は外部誘電体素子用に便、１１されたと同一の接着剤に
より行なわれる。接着剤は誘電体素子の片面あるいは両
面上のフィルム層であってもよい。スペーサとして用い
られる内部誘電体素子は、好ましくは、容量性素子と同
じ肉厚を有し、この内部誘電体素子は合成紙あるいはフ
ィルムストリップとすることもできる。

また、この発明は１以上の工程で高容量性多層導体バー
を製造する方法の変形例を提供する。例えば、初めに容
量性素子と導体素子に半田（ＸＩけすると同時に内部誘
電体素子を導体素子および／又は容量性素子に接着し、
その後、接３１素子を外部から保護および絶縁材料でコ
ーティングする。このコーティングは、例えば、浸）ｒ
ｒあるいは静電装置によりエポキシ樹脂あるいはシリコ
ン樹脂により行なわれる。

高容量性バスバーは種々のものに有用なものである。こ
れ等は集積回路に組み込んでスペースを節約するととも
に該集積回路へ電流の供給を行ない並びに／あるいは２
つ又はそれ以上の集積回路間の電気接続を確立するもの
である。

実施例 ：　のＷＩ］Ｉｌｎ宏ｍＭ１４ｉイ１）Ｆ７１希）−＞
　ｔ、　ＩＩ”　ＭＢ　ｌｌｎｌｎ電入第１図いて、バ
スバー１０は導体素子１４゜１６間に設置するセラミッ
クチップ１２と熱硬化性あるいは熱可塑性の乾燥接着剤
層２２および２４をそれぞれ設けたクト部誘電体素子と
からｔｋる。組み合わせ後、乾燥接着剤層２２および２
４は導１本１・４封よび１６の外面と接続される。この
場合、外部コーティングは各導体上にそれぞれエポキシ
あるいはシリコン（ｊｊ脂を設けて行なわれる。

チタン酸バリウムあるいはチタン酸ス）・ロンチューム
のセラミ７クチツプ１２の両側の主面は公知の方法で金
属被覆され、金属層１２゛が設けられる。空間誘電体１
３およびその乾燥接着剤Ｍ１３゛が上記導体間における
当該バスバーの空間部に設けられる。適宜量の半１ηペ
ーストか容量性素子１２の金属被覆面１２゛および／又
は導体素子１４と１６の内面に設けられる。導体バー１
４および１６は好ましくはすずめつき銅および／又はづ
１銅から成り、外部回路との接続用に幾つかのビン３２
を備えている。このバスパー１０は、前述したように、
導体バー１４および１Ｇと熱硬化性あるいは熱可塑性乾
燥接着剤とを直接的にバ備するようにしてもよい。

バスバ′−１０は１回のホントプレス工程において互い
に組み合わされる。

第２ａ図に示すように１．多層導体バーは互いに組み立
てられかつサンドイツナル、にされる。側方にピン３２
を延在せしめている導体素子ｉ４．，１６開に、乾燥接
着剤層１３゛を有する内部誘電体素子１３か設置される
。全体が外）ｉｂ誘電圧素了１８゜２（）により被覆さ
れ、これ等の講電体素了１８゜２０は接着剤層２２．２
＝４を介して導体素子１，１゜１Ｇに（穴掘的に接続さ
れる。この導体バーアンセンブリ内の各空間は同一の接
着剤で゛充填される。

このアッセンブリの中央に金属被覆面１２゛を（ｉｉｉ
ｉえた容量性素子１２か示される（第２１〕図）。この
電気接続は容量性素子］２の両本部と２つの導体素子と
の開で半１」３０を介して行わｊ上、これ等の導体素子
は容量性素子１２のト・下に配置される。その池の構成
部分は第２ａ図のものと同一である。　第３図において
、バスバー内方の各ナンプ開の絶ｉ幻ま導体素子１４よ
り僅かに長い内部誘電体素子１１３によ１）強化される
。両本部に乾燥接着剤層１１３゛を有する内部誘電体素
子１１３は複数の孔３１をｌ＋ｉｉｔえている。金属被
覆面１２゛を有する容量性素子１２の中央位置もよび／
又は各導体素子の内面上の名札に対応する位置に半［１
１３０か設けられる。内部誘電体素子］１３の名札３１
は容量性素子の中央領域の調節を行なう。このようＩこ
して、導体素子」６と容量性素子１２との間において名
札３１を介して半１旧３０により電気接続か行なわれる
。第３図の分解図にもＩＪる上部および下部に、それぞ
れ、内面に（・にｊ〜：４ｕ’Ａ’ｉｎ’１層２２．２
　／Ｉを備えた外部誘電本素子ｊＵ＋ｉ０か示される。

第３１〕図に示すバーは、第２１〕図のものと異なり、
容量性素子１２と導体素子１Ｇとの開にイ・ｊ加重に内
部誘電体素子１］３を備える。半田３０は内部誘電本素
子１１３の孔３１を介して容量性素子１２と導体素子１
６とを接続する。このように、製Ｊｊｉ物の実質的な特
性を変更することなく、むしろ成る特性を抑制して信頼
性を高めるもう１つの半田予備成形法の導入は製造工程
を改良しかつ電気的特性をより均一化する。

金属被覆セラミックチップと導体との接触は誘電体スト
リップの穿孔を１１η提とするものであり、１チップ当
り１又はそれ以上の孔３１　（直径１〜３＋ｎ＋ｎ）の
中心は、チップの存在しない場所で穿孔を行なわないよ
うに注意しなければならない。各誘電体ストリップは導
体素子よりも約１又は２　＋＋ｌＩ＋ｌ程度幅広くされ
かつ一般に肉厚的５０μｍを有する。これ笠の誘電体ス
トリップの肉厚が厚ければ厚い程、より高い絶縁耐力か
要求される。この誘電体ストリップ材料は少なくとム１
５０”Ｃ１あるいは２０　（１’Ｃまでも良好な絶縁性
を呈し、それはフィルムあるいはアラミドファイバーと
してもよい。　接着剤は熱硬化性又は熱可塑性ＩｔＡ料
であってもよく、その活性化温度は約１５０〜２００℃
である。製造工程時、穿孔された誘電体ス）　Ｕツブは
既に貼合わぜ用型内に横たわる第１導体素子上に設置さ
れ、名札に約Ｈｆｇの半［］コペーストか十分に充填さ
れる。

半田ペーストとして、たとえば、融点１７９℃で非活性
化フラックスタイプＲまたはタイプクセルシン（Ｘｅｒ
ｓｉｎ）　２０００または良好な絶縁４．４性を有する
類似のＳｎＰｌ）ＡｇＳｂ　６２／　３５．７　／　２
／（１，３（マルチコア　ソルダーズ製作所すミテッｆ
’（＋ｎａｎＪａｃｔｕｒｅｒ　Ｎ１ｕｌｔｉｃｏｒｅ
　５ｏｌｄｅｒｓ　Ｌｔｄ、）Ｕ、Ｋ）がある。池の半
田ペーストとして、上記製造者に係る融点１４０℃を有
する　Ｉｎ円）　Ａ　ｇ８（１／１５１５かある。それ
とも、半田予備成形法を用いることもできる。予備成形
素子は、１１Ｘ１成％分の封止時に過剰に材料を７８融
することもなく正方形の素子、例えば、１　、５　Ｘ　
］　、　５　Ｘ　（Ｊ　、　２　ｍ＋ｎの全領域を十分
に溶接ぜＬめイ（ｊる。この場合、半田の流れか１ｕｌ
ｌ止される。その後、半Ｏｊを充填した名札にセラミッ
クチップが設置される。各チップおよび対応する孔は当
該バーの中心に設置するが、あるいは、当該バーに沿っ
て均一に分布せしめるようにすることもでき、後者の場
合、より良好な均一な電気的パラメータを達成すること
ができる。

上述したと同様のタイプおよび量の半田ペーストあるい
は予備成形溶接体がほぼ主軸に沿ってチップのもう１つ
の金属被覆面上に段調ざ・れる。溶融後の半田漏れを回
避でとる。

−上述したタイプの半田Ｈ料を例示したか、特性が同一
で・あれば池の４・Ｊ料を用いることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は二の発明の一実施例の高容量性多層導体バーの
分１１子図、第２ａ図は第１図のＥ−１’：線断面図、
第２１〕図は第１図のＡ　Ａ線断面図、第３ａ図はこの
発明のもう１つｐ実施例の分解図、第３１１図は第３ｄ
図のＡ　Ａ線断面図で゛ある。 １（１・・・バスバー、１２・・・セラミ・／クチノブ
（容量性素子）、　１３・・・誘電体 １．４．１６・・・導体バー（導体素子）、　１８．２
゜・・・外部誘電体素子、　２２．２４・・・乾燥接着
剤層、３０・・・半田、３１・・・孔、３２・・・ピン
、１１３・・・内部誘電体素子。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）離間した少なくとも２つの導体素子と、これ等の
   導体素子間に設置する少なくとも１つの容量性素子と、
   これ等の導体素子の少なくとも１つの導体素子の主面上
   に設置する誘電体素子とを備え、これ等の導体素子、容
   量性素子および誘電体素子を互いに接着せしめた高容量
   性釜ノＺ導体バーを製造するにあたり、 上記導体素子と誘電体素子との機械的接続を非導電性材
   料祠料を介して行い、上記導体素子と容量性素子との電
   気的接続を半Ｌｌ’１合金材料を介して行い、かつ、上
   記導体素子、容量性索子および誘電体素子間の接着を１
   工程において行うことを特徴とする方法。 （２）導体素子、容量性素子および誘電体素子が半田合
   金および非導電性材料を介して１回のホットプレス工程
   で積層される特許請求の範囲第１項に記載の方法。 （３）非導電性接着材料が熱硬化性あるいは熱可塑性接
   着剤である特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の方
   法。 （４）熱硬化性接着剤あるいは熱可塑性接着剤を介して
   行う接着かそれぞれ当該接着剤の重合化温度あるいは軟
   化温度にて行われる特許請３７Ｇの範囲第３項に記載の
   方法。 （５）接着か約１８５°Ｃの重合化温度あるいは約１５
   υ℃の軟化温度にて行われる特５＋１−請求の範囲第４
   項に記載の方法。 （６）半田合金が半田ペーストあるいは半１］］予備成
   形材料である特許請求の範囲第１項乃至第５項のいずれ
   かに記載の方法。 （７）半田ペースト、半１］３予備成形材料がそれぞれ
   融点１４　ｔ）　’（：、２００°Ｃを有する特許請求
   の範囲第６項に記載の方法。 （８）半田ペーストが融点１７９°Ｃを有するＳ。 ＰｂＡｇＳｂ　６２／３５．７／２１０．３　合金から
   成る特許請求の範囲第７項に記載の方法。 （９）半田ぺ一又トか融点１４　！］　’Ｃを有する　
   ＩｎＰ　ｂＡｇ　８０　／　１５　／　Ｓ　合金から成
   る特許請求の範囲第７項に記載の方法。 （１０）容量性素子か金属被覆セラミックチップである
   特３′［請求の範囲第１項乃至第１〕項のいずれかに記
   載の方法。 （１１）容量性素子の金属被覆面および／又は導体素子
   のヌ・］向而に、一点当り約０．（１２ｇあるいは直線
   １ｃｂ＋当り約０．１８のキロ」合金月利を設ける特許
   請求の範囲第１項乃至第１０項のいずれかに記載の方法
   。 （１２）キロ］ペース）・あるいは半１）１予備成形材
   料の粘性が容量性素子の導体素子にλ・］する位置決め
   を容易に行わしめ摺るものである特Ｈ′（請求の範囲第
   ６項乃至第１１項のいずれかに記載の方法。 （１３）誘電体素子を導体素子の露出面に接着せしめる
   特許請求の範囲第１項乃至第１２項のいずれかに記載の
   方法。 （１４）内部誘電体素子か導体素子と容量性素子とに画
   素子間の絶縁層として接着せしめられた特許請求の範囲
   第１項乃至第１３項のいずれかに記載の方法。 （１５）内部誘電体素子が導体素子と容量性素子間の電
   気接触を行うように所定位置に設置′ｌられた少なくと
   も１つの孔を含み、読札に半０１ペース）・あるいは半
   田予備成形材料を挿通させることにより電気接触を行わ
   しめる特許請求の範囲ｔｉＳ１４項に記載の方法。 （１６）内部誘電体素子を副導体素子にスペー勺として
   接着せしめる特許請求の範囲第１項乃至第１５項のいず
   れかに記載の方法。 （１７）上記スペーサか同一の肉厚を有する容ＩＪＬ性
   素子に隣接して設置される特許請求の範囲第１に１項に
   記載の方法。 （ｊ８）容量性素子を導体素子に半１′Ｊ］付けする工
   程と該接着素子を保護および絶縁材料で外部コーティン
   グする工程とを含む特許請求の範囲第１項乃至第１７項
   のいずれかに記載の方法。 （１，９）　Ｊｘ記特許請求の範囲第１項乃至第１８項
   のいずれかに記載の方法により製造される高容量性多層
   導体バー。 （２０）集積回路に嵌合せしめるように形成した特許請
   求の範囲第１９項に記載の導体バー。