JPS6037124A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6037124A
JPS6037124A JP14531483A JP14531483A JPS6037124A JP S6037124 A JPS6037124 A JP S6037124A JP 14531483 A JP14531483 A JP 14531483A JP 14531483 A JP14531483 A JP 14531483A JP S6037124 A JPS6037124 A JP S6037124A
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JP
Japan
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wiring
semiconductor device
silicided
silicified
films
Prior art date
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Pending
Application number
JP14531483A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS6037124A publication Critical patent/JPS6037124A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置におけるｓ１配線の構造に関する。
従来、半導体装置における８１配線の低抵抗化のための
構造は、第１図に断面図で示す如き構造をとっていた。
すなわち、８１基板１の表面には絶縁膜２が形成され、
該絶縁膜２上に８１配線３が多結晶８１により形成され
、該８１配線上にはＴｉ、Ｔａ等の膜形成後、シンター
処理によりシリサイド化したシリサイド層４が形成され
て成るのが通例であった。
しかし、上記従来技術では必ずしも８１配線の一層の低
抵抗化を計ることができないという欠点があった。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくシ、一層の低抵
抗Ｓ１配線が可能なり１配線構造を提供することを目的
とする。
上記目的を達成するための不発ＩＪの基本的な構成は、
半導体装置に於て、Ｅｌｉ配線の少くともいずれかの側
面および表面がシリサイド化されて成ることを特徴とす
ること、及びＳ１配線の少くともいずれかの側面がシリ
サイド化されて成ることを特徴とすること、及びＢ１配
線の底面がシリサイド化されて成ることを特徴とするこ
と、及びＢ１配線の底面と少くともいずれかの側面がシ
リサイド化されて成ることを特徴とすること、及びＢ１
配線の周囲全面がシリサイド化されて成ることを特徴と
すること、およびＢ１配線の８１抵抗体を除く少くとも
側面、底面、上面のいずれかの表面がシリサイド化され
て成ることを特徴とする以下、実施例により本発明を詳
述する。
第２乃至第７図は本発明の実施例を示す半導体装置の８
１配線構造の断面図である。すなわち、第２図は、Ｓｉ
基板１１上の絶縁膜１２上に形成された８１配線１３の
側面および上面にシリサイド化膜１４を形成した構造、
第３図は、８１基板２１上の絶縁膜２２上に形成された
β１配？ｆＭ２３の側面にシリサイド化膜２４を形成し
た構造、第４図は８１基板３１上の絶縁膜６２上のシリ
サイド化膜３４上に８１配紛３３を形成した構造、第５
図は、Ｅｌｉ基板４１上の絶縁膜４２上にシリサイド化
膜４３を８１配線４４の底面と側面にシリサイド化膜４
３を形成した構造、第６図は８１基板５１上の絶縁膜５
２上に形成するＳ１配線５３の周囲にシリサイド化膜５
６を形成した構造、第７図は、ｓｌ基板６１上の絶縁膜
６２上に形成した８１配線６３と８１配線内に形成した
８１抵抗体６４上にシリサイド化膜を形成するに際し、
β１抵抗体６４表面以外に７リサイド化膜６５を形成し
た構造である。上記いずれの場合もシリサイド化膜は８
１配線にＴｉ、Ｔａ等の金属膜を所定の位置に形成した
後シンター処理してシリサイド化され、金属膜が不要の
部分は除去されてル成される。
本発明の如く、半導体装置におけるシリサイド化膜を上
面に限定せずに設けることにより一層のＢ１配線の低抵
抗化が計れると共に、多層配線の場合の接触抵抗の減少
等も計れる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術による半導体装置の８１配線構造を示
す断面図、第２図乃至第７図は本発明の実施例を示す半
導体装置の、８１配線構造を示す断面図である。 １．１１，２１，３１，４１，５１．Ｓｉ・・・・・・
・・・・・・８１基板 ２．１２，２２，３２，４２，５２，６２・・・・・・
・・・・・・絶Ｒ膜 ３　、１３　、２３　、５５　、４’４　、５５　、６
３・・・・・・・・・・・・８１配線 ４．１４，２４，５４，４５，５４．６５・・・・・・
・・・・・・シリサイド化膜 ６４・・・・・・８１抵抗体 以上 出願人　株式会社諏訪精工舎 第１図 第２図 第３図 第５図 第６図 第７図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、８１配線の少くともいずれかの側面及び表面がシリ
    サイド化されて成ることを特徴とする半導体装置。 ２、　ｓ１配線の少くともいずれかの側面がシリサイド
    化されて成ることを特徴とする半導体装置。 五　８１配線の底面がシリサイド化されて成ることを特
    徴とする半導体装置。 ４、８１配線の底面と少くともいずれかの側面が７リサ
    イド化されて成ることを特徴とする半導体装置。 ５、　Ｂ１配勝の周囲全面がシリサイド化されて成るこ
    とを特徴とする半導体装置。 ６、　Ｂ１配線のＢ１抵抗体を除く少くとも側面。 底面、上面のいずれかの表面がシリサイド化されて成る
    ことを特徴とする半導体装置。
JP14531483A 1983-08-09 1983-08-09 半導体装置 Pending JPS6037124A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04112534A (ja) * 1990-08-31 1992-04-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5600153A (en) * 1994-10-07 1997-02-04 Micron Technology, Inc. Conductive polysilicon lines and thin film transistors
US5804838A (en) * 1995-05-26 1998-09-08 Micron Technology, Inc. Thin film transistors
US6204521B1 (en) 1998-08-28 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Thin film transistors

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5638840A (en) * 1979-09-06 1981-04-14 Nec Corp Semiconductor device
JPS5863174A (ja) * 1981-09-21 1983-04-14 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 導電性構造体の形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5638840A (en) * 1979-09-06 1981-04-14 Nec Corp Semiconductor device
JPS5863174A (ja) * 1981-09-21 1983-04-14 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 導電性構造体の形成方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04112534A (ja) * 1990-08-31 1992-04-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5600153A (en) * 1994-10-07 1997-02-04 Micron Technology, Inc. Conductive polysilicon lines and thin film transistors
US5658807A (en) * 1994-10-07 1997-08-19 Micron Technology, Inc. Methods of forming conductive polysilicon lines and bottom gated thin film transistors
US5670794A (en) * 1994-10-07 1997-09-23 Micron Technology, Inc. Thin film transistors
US5985702A (en) * 1994-10-07 1999-11-16 Micron Technology, Inc, Methods of forming conductive polysilicon lines and bottom gated thin film transistors, and conductive polysilicon lines and thin film transistors
US5804838A (en) * 1995-05-26 1998-09-08 Micron Technology, Inc. Thin film transistors
US6204521B1 (en) 1998-08-28 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Thin film transistors

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