JPS6035557U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6035557U JPS6035557U JP1984098575U JP9857584U JPS6035557U JP S6035557 U JPS6035557 U JP S6035557U JP 1984098575 U JP1984098575 U JP 1984098575U JP 9857584 U JP9857584 U JP 9857584U JP S6035557 U JPS6035557 U JP S6035557U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- semiconductor
- type
- doped
- contact pads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は考案による半導体装置の第1例を示す線図的断
面図、第2図は同じくその第2例を示す線図的断面図で
ある。 1・・・第1層、2・・・誘電体材料層、3,4・・・
接点電極取付用窓、5・・・絶縁層、6・・・第3層、
7・・・活性層、8,12,13・・・環状部分、9・
・・中間層、10・・・金属ベース、11・・・電子放
射放出面、21・・・第1層、22・・・第1層の中央
部分、23・・・活性層、24・・・下側層、25.2
7・・・同軸接点電極、26・・・誘電体、28・・・
凹所底部(放射放出面)、29.30・・・周辺部分。
面図、第2図は同じくその第2例を示す線図的断面図で
ある。 1・・・第1層、2・・・誘電体材料層、3,4・・・
接点電極取付用窓、5・・・絶縁層、6・・・第3層、
7・・・活性層、8,12,13・・・環状部分、9・
・・中間層、10・・・金属ベース、11・・・電子放
射放出面、21・・・第1層、22・・・第1層の中央
部分、23・・・活性層、24・・・下側層、25.2
7・・・同軸接点電極、26・・・誘電体、28・・・
凹所底部(放射放出面)、29.30・・・周辺部分。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 1 光子リサイクルを利用して電磁放射を発生する半導
体装置にあって、該半導体装置における半導体本体が、 a 前記放射を放出させる部分的に反射性の第1表面を
有しているp−形の第1半導体層と; b 禁止帯幅が前記第1半導体層の禁止帯幅よりも小さ
く、直接遷接移型のエネルギー帯構造を有しており、補
償係数が1/3以下で、しかも前記放射に対する吸収長
が0.1〜3の範囲内の厚さを有するn−形の第2電界
発生半導体層と; C禁止帯幅が前記第2半導体層の禁止帯幅よりも大きく
、かつ2個の接点パッドを伴なう反射性の第2表面を有
しているn−形の第3半導体層と; d 前記両接点パッドの一方から前記第1半導体層まで
延在する高度にp+ドープした接点領域と; e 前記両接点パッドに接続される電極;とを順次具え
ていることを特徴とする半導体装置。 2 前記第1半導体層よりも高濃度にドープし、且つ前
記接点領域より低濃度にドープしたp−形の中間半導体
層も具えることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
1項記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7811857A FR2423869A1 (fr) | 1978-04-21 | 1978-04-21 | Dispositif semiconducteur electroluminescent a recyclage de photons |
FR7811857 | 1978-04-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6035557U true JPS6035557U (ja) | 1985-03-11 |
JPS611749Y2 JPS611749Y2 (ja) | 1986-01-21 |
Family
ID=9207447
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4850379A Pending JPS54141592A (en) | 1978-04-21 | 1979-04-18 | Semiconductor device |
JP1984098575U Granted JPS6035557U (ja) | 1978-04-21 | 1984-07-02 | 半導体装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4850379A Pending JPS54141592A (en) | 1978-04-21 | 1979-04-18 | Semiconductor device |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4243996A (ja) |
JP (2) | JPS54141592A (ja) |
CA (1) | CA1137606A (ja) |
DE (1) | DE2915888A1 (ja) |
FR (1) | FR2423869A1 (ja) |
GB (1) | GB2019643B (ja) |
NL (1) | NL7902967A (ja) |
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JPS5834986A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-01 | Sharp Corp | 発光素子の製造方法 |
JPS59145581A (ja) * | 1984-02-03 | 1984-08-21 | Hitachi Ltd | 発光半導体装置 |
JP2681431B2 (ja) * | 1991-05-31 | 1997-11-26 | 信越半導体株式会社 | 発光素子 |
EP0905797B1 (de) * | 1997-09-29 | 2010-02-10 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Halbleiterlichtquelle und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US20010042866A1 (en) | 1999-02-05 | 2001-11-22 | Carrie Carter Coman | Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal |
DE19963550B4 (de) * | 1999-12-22 | 2004-05-06 | Epigap Optoelektronik Gmbh | Bipolare Beleuchtungsquelle aus einem einseitig kontaktierten, selbstbündelnden Halbleiterkörper |
DE10017337C2 (de) * | 2000-04-07 | 2002-04-04 | Vishay Semiconductor Gmbh | Verfahren zum Herstellen lichtaussendender Halbleiterbauelemente |
JP2003532298A (ja) * | 2000-04-26 | 2003-10-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光半導体素子 |
WO2001084640A1 (de) * | 2000-04-26 | 2001-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LUMINESZENZDIODENCHIP AUF DER BASIS VON GaN UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LUMINESZENZDIODENBAUELEMENTS |
DE10051465A1 (de) | 2000-10-17 | 2002-05-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis |
DE10020464A1 (de) * | 2000-04-26 | 2001-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis |
DE10026255A1 (de) * | 2000-04-26 | 2001-11-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiosdenchip auf der Basis von GaN und Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenbauelements mit einem Lumineszenzdiodenchip auf der Basis von GaN |
TWI292227B (en) * | 2000-05-26 | 2008-01-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting-dioed-chip with a light-emitting-epitaxy-layer-series based on gan |
US20030198795A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Grant William K. | Modular material design system and method |
US10707380B2 (en) * | 2017-10-24 | 2020-07-07 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Light-emitting diode |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS5734671B2 (ja) * | 1974-09-20 | 1982-07-24 | ||
GB1478152A (en) * | 1974-10-03 | 1977-06-29 | Standard Telephones Cables Ltd | Light emissive diode |
GB1531238A (en) * | 1975-01-09 | 1978-11-08 | Standard Telephones Cables Ltd | Injection lasers |
FR2319980A1 (fr) * | 1975-07-28 | 1977-02-25 | Radiotechnique Compelec | Dispositif optoelectronique semi-conducteur reversible |
US4037241A (en) * | 1975-10-02 | 1977-07-19 | Texas Instruments Incorporated | Shaped emitters with buried-junction structure |
JPS5448493A (en) * | 1977-03-23 | 1979-04-17 | Toshiba Corp | Semiconductor optical device |
-
1978
- 1978-04-21 FR FR7811857A patent/FR2423869A1/fr active Granted
-
1979
- 1979-04-12 CA CA000325482A patent/CA1137606A/en not_active Expired
- 1979-04-17 NL NL7902967A patent/NL7902967A/xx not_active Application Discontinuation
- 1979-04-18 US US06/031,242 patent/US4243996A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-04-18 GB GB7913397A patent/GB2019643B/en not_active Expired
- 1979-04-18 JP JP4850379A patent/JPS54141592A/ja active Pending
- 1979-04-19 DE DE19792915888 patent/DE2915888A1/de active Granted
-
1984
- 1984-07-02 JP JP1984098575U patent/JPS6035557U/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS54141592A (en) | 1979-11-02 |
GB2019643A (en) | 1979-10-31 |
FR2423869A1 (fr) | 1979-11-16 |
FR2423869B1 (ja) | 1982-04-16 |
JPS611749Y2 (ja) | 1986-01-21 |
NL7902967A (nl) | 1979-10-23 |
GB2019643B (en) | 1982-05-12 |
US4243996A (en) | 1981-01-06 |
DE2915888C2 (ja) | 1989-01-19 |
CA1137606A (en) | 1982-12-14 |
DE2915888A1 (de) | 1979-10-31 |
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