JPS6033747Y2 - 半導体変換装置 - Google Patents
半導体変換装置Info
- Publication number
- JPS6033747Y2 JPS6033747Y2 JP10919479U JP10919479U JPS6033747Y2 JP S6033747 Y2 JPS6033747 Y2 JP S6033747Y2 JP 10919479 U JP10919479 U JP 10919479U JP 10919479 U JP10919479 U JP 10919479U JP S6033747 Y2 JPS6033747 Y2 JP S6033747Y2
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- JP
- Japan
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- semiconductor
- output
- phase
- cathode
- metal blocks
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体変換装置のスタック構造に関する。
一般に半導体変換装置は部品点数が少く小形軽量で低価
格であることがのぞましい。
格であることがのぞましい。
従来中小容量の半導体変換装置のスタックにはカソード
部にリード線を取付けた半導体素子が用いられるのが普
通であった。
部にリード線を取付けた半導体素子が用いられるのが普
通であった。
第１図は従来の三相全波逆並列接続サイリスクスタック
の正面図、第２図はその接続部を示す。
の正面図、第２図はその接続部を示す。
アノード部に冷却体を取付けた２個のサイリスタＴＨ１
，ＴＨ２の夫々のカソードのリード線を互に相手側のア
ノード冷却体につないで逆並列接続とし、ＴＨｌのアノ
ードを三相交流のＲ相に、ＴＨ２のアノードを直流の正
極Ｐに導体バーでつなぎ、また逆並列接続をしたＴＨ３
，Ｔ）Ｌ、のＴＨ３のアノードをＲ相に、ＴＨｌのアノ
ードを直流の負極Ｎにつないでいる。
，ＴＨ２の夫々のカソードのリード線を互に相手側のア
ノード冷却体につないで逆並列接続とし、ＴＨｌのアノ
ードを三相交流のＲ相に、ＴＨ２のアノードを直流の正
極Ｐに導体バーでつなぎ、また逆並列接続をしたＴＨ３
，Ｔ）Ｌ、のＴＨ３のアノードをＲ相に、ＴＨｌのアノ
ードを直流の負極Ｎにつないでいる。
同様にＴＨ，ＴＨ８およびＴＨ７，ＴＨ８を逆並列につ
ないでＴＨ５とＴＨ７のアノードをＳ相に、ＴＨ，のア
ノードをＰ極に、ＴＨ８のアノードをＮ極に、またＴＨ
９゜ＴＨｌｌのアノードをＴ相にＴＨｌｏのアノードを
Ｐ極に、ＴＨｌ。
ないでＴＨ５とＴＨ７のアノードをＳ相に、ＴＨ，のア
ノードをＰ極に、ＴＨ８のアノードをＮ極に、またＴＨ
９゜ＴＨｌｌのアノードをＴ相にＴＨｌｏのアノードを
Ｐ極に、ＴＨｌ。
のアノードをＮ極につなぎ三相全波逆並列接続のスタッ
クを構成している。
クを構成している。
この構成では冷却体の数が多く、スタックが大形になり
、組立て時間がかかるので小形化、価格低減が困難であ
るといった欠点がある。
、組立て時間がかかるので小形化、価格低減が困難であ
るといった欠点がある。
本考案は上記欠点を除去し、小形で組立てが容易な半導
体変換装置のスタックを提供することを目的とする。
体変換装置のスタックを提供することを目的とする。
次に本考案の実施例を図面にもとづき説明する。
第３図は本考案の実施例による三相全波逆並列接続サイ
リスタ変換装置の正面図（第４図Ａ−Ａ視図）、第４図
はその側面図、第５図はその平面図、第６図はその接続
図である。
リスタ変換装置の正面図（第４図Ａ−Ａ視図）、第４図
はその側面図、第５図はその平面図、第６図はその接続
図である。
カソード部がねじ端子となっているサイリスタを（ＴＨ
ｌ。
ｌ。
ＴＨ４）！ （ＴＨ５９ＴＨｓ）ｔ （ＴＨ９９ＴＥｌ
。
。
）と２個づつ直線状に並べて、そのアノード部で金属ブ
ロック１．２．３に取付け、（ＴＨ２，ＴＨ６、ＴＨｔ
ｏ ）−（ＴＨ３，ＴＨ７，ＴＨ１□）の３個づつを直
線状に並べて、そのアノード部で金属ブロック４，５に
取付け、１，２．３の金属ブロックを絶縁誤離を隔てて
並行して並べ、１をＲ相、２をＳ相、３をＴ相の交流母
線に変流器ＣＴｕ、 ＣＴｗ、ヒユーズＦｕ。
ロック１．２．３に取付け、（ＴＨ２，ＴＨ６、ＴＨｔ
ｏ ）−（ＴＨ３，ＴＨ７，ＴＨ１□）の３個づつを直
線状に並べて、そのアノード部で金属ブロック４，５に
取付け、１，２．３の金属ブロックを絶縁誤離を隔てて
並行して並べ、１をＲ相、２をＳ相、３をＴ相の交流母
線に変流器ＣＴｕ、 ＣＴｗ、ヒユーズＦｕ。
Ｆｓ、 Ｆｗを介して接続している。
また金属ブロック４，５を上記１．２．３の金属ブロッ
ク列の直角方向に絶縁距離を隔てて平行して並べ、４を
Ｎ極に、５をＰ極に接続し、ＴＨｌ、ＴＨ５，ＴＨ９の
カソードを平板導体で一直線に水平につないでその端部
をＮ極に、ＴＨ４，ＴＨ８，ＴＨ１□のカソードを同じ
く水平に平板導体でつないでその端部をＰ極に、またＴ
Ｈ２，ＴＨ３のカソードを平板導体で鉛直につないでそ
の端部を金属ブロック１に、同様にＴＨ６，ＴＨ７のカ
ソードを２に、ＴＨｌｏ、ＴＨｌｌのカソードを３につ
なぎ、Ｐ極、Ｎ極は端子装置６につながれている。
ク列の直角方向に絶縁距離を隔てて平行して並べ、４を
Ｎ極に、５をＰ極に接続し、ＴＨｌ、ＴＨ５，ＴＨ９の
カソードを平板導体で一直線に水平につないでその端部
をＮ極に、ＴＨ４，ＴＨ８，ＴＨ１□のカソードを同じ
く水平に平板導体でつないでその端部をＰ極に、またＴ
Ｈ２，ＴＨ３のカソードを平板導体で鉛直につないでそ
の端部を金属ブロック１に、同様にＴＨ６，ＴＨ７のカ
ソードを２に、ＴＨｌｏ、ＴＨｌｌのカソードを３につ
なぎ、Ｐ極、Ｎ極は端子装置６につながれている。
金属ブロック１． ２． ３． ４゜５、は熱伝導性の
良好な絶縁薄膜７を介して共通冷却体８に取付けられ、
スナバ−回路９．プリント板１０と共に箱体１１に取付
けられカバー１２で覆われる。
良好な絶縁薄膜７を介して共通冷却体８に取付けられ、
スナバ−回路９．プリント板１０と共に箱体１１に取付
けられカバー１２で覆われる。
箱体の下部には制御装置１３が取付けられ、共通冷却体
８はその上部に設設けたファン１４によって強制的に冷
却されるようになっている。
８はその上部に設設けたファン１４によって強制的に冷
却されるようになっている。
このスタックは三相全波逆並列接続として素子の数は従
来と同様であるが、カソードがねじ端子となった素子を
配列を工夫して、できるだけ数少い金属ブロックに取付
け、それらを更に絶縁薄膜を介して１個の共通冷却体に
取付けて冷却面積を充分に取り、直線平板導体で配線が
行われるので配線工数が節限できる。
来と同様であるが、カソードがねじ端子となった素子を
配列を工夫して、できるだけ数少い金属ブロックに取付
け、それらを更に絶縁薄膜を介して１個の共通冷却体に
取付けて冷却面積を充分に取り、直線平板導体で配線が
行われるので配線工数が節限できる。
第７図は本考案の他の実施例による三相全波逆並列接続
サイリスタ変換装置の正面図、第８図はその側面図であ
る。
サイリスタ変換装置の正面図、第８図はその側面図であ
る。
半導体素子はカソード部にリード線を備えたものであり
、素子およびそれらを取付けた金属ブロックの配置なら
びにそれらの金属ブロックを熱伝導性の良好な絶縁薄膜
を介して共通冷却体に取付け、金属ブロック１．２．３
が夫々交流のＲ，Ｓ、Ｔに接続されている点は第３図、
第４図と同じであるが、半導体素子′■□。
、素子およびそれらを取付けた金属ブロックの配置なら
びにそれらの金属ブロックを熱伝導性の良好な絶縁薄膜
を介して共通冷却体に取付け、金属ブロック１．２．３
が夫々交流のＲ，Ｓ、Ｔに接続されている点は第３図、
第４図と同じであるが、半導体素子′■□。
ＴＨ５，ＴＨ９のカソードリードは絶縁座１５を介して
水平に設けられたバー１６に接続され、またＴＨ４，Ｔ
Ｈ８，ＴＨ１２のカソードリードは絶縁座１７を介して
水平に設けられたバー１８に接続され、バー１６は直流
のＮ極に、バー１８はＰ極に接続されている。
水平に設けられたバー１６に接続され、またＴＨ４，Ｔ
Ｈ８，ＴＨ１２のカソードリードは絶縁座１７を介して
水平に設けられたバー１８に接続され、バー１６は直流
のＮ極に、バー１８はＰ極に接続されている。
ＴＨ２，ＴＨ３のカソードリードは接続導体片を介して
金属ブロック１に同様にＴＨ６，ＴＨ７のカソードはブ
ロック２に、ＴＨｌｏ。
金属ブロック１に同様にＴＨ６，ＴＨ７のカソードはブ
ロック２に、ＴＨｌｏ。
ＴＨｌｌのカソードリードはブロック３に接続されてい
る。
る。
この構成によればリード線つき半導体素子を用いて、第
３図同様に整然とした配列がなされ共通冷却体に取付け
る金属ブロックの取付は寸法精度が緩和されるので組立
てが容易となる。
３図同様に整然とした配列がなされ共通冷却体に取付け
る金属ブロックの取付は寸法精度が緩和されるので組立
てが容易となる。
本考案によれば以上述べた如く構成部品が少く半導体ス
タックが整然と配列されるので小形軽量となり、組立て
工数も節減され価格抵減の効果は大である。
タックが整然と配列されるので小形軽量となり、組立て
工数も節減され価格抵減の効果は大である。
第１図は従来の三相全波逆並列接続サイリスクスタック
の正面図、第２図はその接続図、第３図は本考案の実施
例による三相全波逆並列接続サイリスタ変換装置の正面
図、第４図はその側面図、第５図はその平面図、第６図
はその接続図、第７図は本考案の他の実施例による三相
全波逆並列接続サイリスク変換装置の正面図、第８図は
その側面図である。 ＴＨ１〜ＴＨ□２：サイリスタ素子、Ｒ，Ｓ、Ｔ：三相
交流母線、Ｐ：直流正極、Ｎ：直流負極、１、２．３．
４．５：金属ブロック、６：端子装置、７：絶縁薄膜、
８：共通冷却体、９：スナバ−回路、１０ニブリント板
、１１：箱体、１２：カバ−１３：制御装置、１４：フ
ァン、１５゜１７：絶縁座、１６，１８：バ−１ＣＴｕ
。 ＣＴｗ：変流器、Ｆｕ、Ｆｖ、ＦＷ：ヒユーズ。
の正面図、第２図はその接続図、第３図は本考案の実施
例による三相全波逆並列接続サイリスタ変換装置の正面
図、第４図はその側面図、第５図はその平面図、第６図
はその接続図、第７図は本考案の他の実施例による三相
全波逆並列接続サイリスク変換装置の正面図、第８図は
その側面図である。 ＴＨ１〜ＴＨ□２：サイリスタ素子、Ｒ，Ｓ、Ｔ：三相
交流母線、Ｐ：直流正極、Ｎ：直流負極、１、２．３．
４．５：金属ブロック、６：端子装置、７：絶縁薄膜、
８：共通冷却体、９：スナバ−回路、１０ニブリント板
、１１：箱体、１２：カバ−１３：制御装置、１４：フ
ァン、１５゜１７：絶縁座、１６，１８：バ−１ＣＴｕ
。 ＣＴｗ：変流器、Ｆｕ、Ｆｖ、ＦＷ：ヒユーズ。
Claims (1)
- 三相全波逆並列接続半導体変換装置において、半導体素
子のアノードを２個づつ共通に取付けた３個の金属ブロ
ックを絶縁距離を隔てて並行して並べ、これらの金属ブ
ロックを交流入力の各相にそれぞれ接続し、またこれら
の金属ブロック列の直角方向に３個の半導体素子のアノ
ード部を共通に取付けた金属ブロックを２個絶縁距離を
隔てて並行して並べ、その一方を直流出力の正極に他方
を負極に接続し、上記交流入力につながる３個の金属ブ
ロックに取付けた各半導体素子の一方のカソードを共通
にして直流出力の正極に接続し、各半導体素子の他方の
カソードを共通して直流出力の負極に接続しまた上記直
流の正負極につながる２個の金属ブ遁ツクの半導体素子
を１個ずつ組にしてカソードを共通にそれぞれ上記交流
入力の各相に接続してなることを特徴とする半導体変換
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10919479U JPS6033747Y2 (ja) | 1979-08-08 | 1979-08-08 | 半導体変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10919479U JPS6033747Y2 (ja) | 1979-08-08 | 1979-08-08 | 半導体変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5627897U JPS5627897U (ja) | 1981-03-16 |
| JPS6033747Y2 true JPS6033747Y2 (ja) | 1985-10-07 |
Family
ID=29341791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10919479U Expired JPS6033747Y2 (ja) | 1979-08-08 | 1979-08-08 | 半導体変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033747Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-08-08 JP JP10919479U patent/JPS6033747Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5627897U (ja) | 1981-03-16 |
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