JPS6033301B2 - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置の製造方法Info
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- JPS6033301B2 JPS6033301B2 JP53056194A JP5619478A JPS6033301B2 JP S6033301 B2 JPS6033301 B2 JP S6033301B2 JP 53056194 A JP53056194 A JP 53056194A JP 5619478 A JP5619478 A JP 5619478A JP S6033301 B2 JPS6033301 B2 JP S6033301B2
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- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法、特に化合物半導体べレ
ットを銅（Ｃｕ）あるいは銅を含む金属基体にボンディ
ングする方法に関するものである。
ットを銅（Ｃｕ）あるいは銅を含む金属基体にボンディ
ングする方法に関するものである。
従来、半導体装置の熱抵抗を小さくするためには、半導
体素子をボンディングするために金属基体として熱伝導
度の大きい銅あるいは銅合金材料を用いる場合が多い。
体素子をボンディングするために金属基体として熱伝導
度の大きい銅あるいは銅合金材料を用いる場合が多い。
そして半導体素子べレットの金属基体へのボンディング
方法としては、一般に導電性樹脂等の接着材を用いて行
なう方法と、銅あるいは銅合金の金属基体に銀（Ａｇ）
メッキあるいはニッケル（Ｎｉ）メッキを施しておきそ
の表面に半導体べレットを金一シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）
などの共晶合金べレットを用いて行なう方法とがある。
まず前者の導電性樹脂を用いた場合について説明すると
、ＡｇメッキもしくはＮｉメッキの施された金属基体上
に導電性樹脂を塗布し、その上に化合物半導体べレット
を軽く押え付けた後、熱処理を行ない、導電性樹脂を硬
化させればよいので作業性は非常によいが、導電性樹脂
は高温および熱衝撃に対し弱いため、せっかく接着され
た半導体べレツトが、次のワイヤボンディング工程にお
ける加熱処理時にはがれたり、また製品として完成され
たものについて温度サイクル試験を行なうと、導電性樹
脂が剥離することがある。したがって、導電性樹脂を用
いた場合には、歩留り、信頼性の面で問題点がある。
方法としては、一般に導電性樹脂等の接着材を用いて行
なう方法と、銅あるいは銅合金の金属基体に銀（Ａｇ）
メッキあるいはニッケル（Ｎｉ）メッキを施しておきそ
の表面に半導体べレットを金一シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）
などの共晶合金べレットを用いて行なう方法とがある。
まず前者の導電性樹脂を用いた場合について説明すると
、ＡｇメッキもしくはＮｉメッキの施された金属基体上
に導電性樹脂を塗布し、その上に化合物半導体べレット
を軽く押え付けた後、熱処理を行ない、導電性樹脂を硬
化させればよいので作業性は非常によいが、導電性樹脂
は高温および熱衝撃に対し弱いため、せっかく接着され
た半導体べレツトが、次のワイヤボンディング工程にお
ける加熱処理時にはがれたり、また製品として完成され
たものについて温度サイクル試験を行なうと、導電性樹
脂が剥離することがある。したがって、導電性樹脂を用
いた場合には、歩留り、信頼性の面で問題点がある。
また後者場合、例えば銀（Ａｇ）メッキの施された前記
金属基体上にＡｕ−Ｓｉなどの共品合金べレットを載贋
した状態で、金属基体を上記Ａｕ−Ｓｉの共晶点以上の
高温に加熱し、これを上記Ａｕ−Ｓｉに溶融せしめ、こ
の後化合物半導体べレツトを、かかる溶融したＡｕ−Ｓ
ｉに接触させてボンディングを行なっている。
金属基体上にＡｕ−Ｓｉなどの共品合金べレットを載贋
した状態で、金属基体を上記Ａｕ−Ｓｉの共晶点以上の
高温に加熱し、これを上記Ａｕ−Ｓｉに溶融せしめ、こ
の後化合物半導体べレツトを、かかる溶融したＡｕ−Ｓ
ｉに接触させてボンディングを行なっている。
ところがこの場合溶融した共晶合金べレット表面に、Ｓ
ｉなどの酸化物と思われるかなり厚く固い皮膜が形成さ
れ、この皮膜の影響で化合物半導体べレットを単に溶融
Ａｕ−Ｓｉに押えつけるだけでは、充分なボンディング
を行なうことは困難であった。したがって、ボンディン
グに先だって、この皮膜を除去する必要があるが、真空
にピンセットを備えた通常の量産用べレツトボンデイン
グ装置を用いてボンディングする場合には、この皮膜除
去作業を付加するのは困難である。
ｉなどの酸化物と思われるかなり厚く固い皮膜が形成さ
れ、この皮膜の影響で化合物半導体べレットを単に溶融
Ａｕ−Ｓｉに押えつけるだけでは、充分なボンディング
を行なうことは困難であった。したがって、ボンディン
グに先だって、この皮膜を除去する必要があるが、真空
にピンセットを備えた通常の量産用べレツトボンデイン
グ装置を用いてボンディングする場合には、この皮膜除
去作業を付加するのは困難である。
また通常のピンセットを用いてボンディングを行なう場
合には、皮膜の除去は比較的容易に行なうことができる
が、ボンディングの作業性が悪く、量産用としては不向
きであるという欠点があり、さらにまた、皮膜を除去し
た時に、ピンセットの側面に共晶合金が附着するので、
次のべレットボンデイングを行なう際、そのべレツトの
側面に上記共晶合金が附着し、不良発生の原因となるこ
ともある。
合には、皮膜の除去は比較的容易に行なうことができる
が、ボンディングの作業性が悪く、量産用としては不向
きであるという欠点があり、さらにまた、皮膜を除去し
た時に、ピンセットの側面に共晶合金が附着するので、
次のべレットボンデイングを行なう際、そのべレツトの
側面に上記共晶合金が附着し、不良発生の原因となるこ
ともある。
すなわち、液相ェピタキシャル成長法でｐ−ｎ接合を形
成したものでは、ベレツトの側面にｐ−ｎ接合を露出す
るが、このようにｐ−ｎ接合が側面に露出したべレツト
の側面に共晶合金が附着すると、リーク電流が生ずる等
の不良が発生し、歩留りが低下するという問題もある。
以上のように一旦上記皮膜が形成されてしまうと、その
除去は極めて困難となることから、共晶合金を溶融する
場合の雰囲気およびべレツトをボンディングする場合の
雰囲気を完全に不活性化し、皮膜が生じないようにする
方法も考えられる。しかし設備装置的に困難な点が多く
、さらに作業性も悪くなるという欠点がある。以上のよ
うにＡｕ−Ｓｉなどの共晶合金べレツトを用いた場合に
は、量産性、歩蟹りの面で問題点がある。
成したものでは、ベレツトの側面にｐ−ｎ接合を露出す
るが、このようにｐ−ｎ接合が側面に露出したべレツト
の側面に共晶合金が附着すると、リーク電流が生ずる等
の不良が発生し、歩留りが低下するという問題もある。
以上のように一旦上記皮膜が形成されてしまうと、その
除去は極めて困難となることから、共晶合金を溶融する
場合の雰囲気およびべレツトをボンディングする場合の
雰囲気を完全に不活性化し、皮膜が生じないようにする
方法も考えられる。しかし設備装置的に困難な点が多く
、さらに作業性も悪くなるという欠点がある。以上のよ
うにＡｕ−Ｓｉなどの共晶合金べレツトを用いた場合に
は、量産性、歩蟹りの面で問題点がある。
この発明は従来の問題点を解消するためになされたもの
で、歩留りが良好で、かつ量産性に適する化合物半導体
の製造方法を得ることを目的とする。
で、歩留りが良好で、かつ量産性に適する化合物半導体
の製造方法を得ることを目的とする。
すなわち、この発明は半導体べレットの一電極上にＱ，
ＳｉあるいはＳｎのいずれかの層を形成すると共に、Ｃ
ｕからなる金属基体上にＮｉ層およびＡｕ層を順次被着
した後、上記金属基体を加熱した状態で上記半導体べレ
ットのＱ，ＳｉあるいはＳｎからなる層を金属基体上の
Ａｕ層に圧接し、このらの界面において共晶合金を形成
することによって、上記半導体べレットをボンディング
する方法である。
ＳｉあるいはＳｎのいずれかの層を形成すると共に、Ｃ
ｕからなる金属基体上にＮｉ層およびＡｕ層を順次被着
した後、上記金属基体を加熱した状態で上記半導体べレ
ットのＱ，ＳｉあるいはＳｎからなる層を金属基体上の
Ａｕ層に圧接し、このらの界面において共晶合金を形成
することによって、上記半導体べレットをボンディング
する方法である。
したがって、本願発明は上記金属基体を加熱することに
より、半導体べレットのＧ，Ｓｉ，あるいはＳｎを直接
昇温するものでないから、蛇等の表面に酸化膜が形成さ
れにくく、またＱ，ＳｉまたはＳｎとＡｕとの接触した
部分から合金化が進むので単に半導体べレットを金属基
体に対して軽く圧接することでボンディングが実現し得
るものである。
より、半導体べレットのＧ，Ｓｉ，あるいはＳｎを直接
昇温するものでないから、蛇等の表面に酸化膜が形成さ
れにくく、またＱ，ＳｉまたはＳｎとＡｕとの接触した
部分から合金化が進むので単に半導体べレットを金属基
体に対して軽く圧接することでボンディングが実現し得
るものである。
以下本発明の一実施例たるガリウム・アーセナィド（Ｇ
ａＡｓ）化合物半導体を用いた赤外発光ＬＥＤ素子より
成る半導体べレットを金属基体にボンディングする場合
について説明する。
ａＡｓ）化合物半導体を用いた赤外発光ＬＥＤ素子より
成る半導体べレットを金属基体にボンディングする場合
について説明する。
第１図は本発明に供せられる化合物半導体べレットを示
し、第２図はかかる半導体べレットを本発明の方法によ
り金属基体たるリードフレームにボンデイングした状態
を示している。図において１は例えば０．４肌×０．４
柵×０．２５肌の形状を有するＧａ船赤外発光ＬＥＤ素
子より成る半導体べレット、ｌ ａは半導体べレットに
おけるｎ十形基板部分、ｌｂはかかるｎ十形基板に対し
ェピタキシャル成長により形成されたｎ形層、ｌｃは上
記ｎ形層に対しアクセプタを拡散したりｎ形層上にェピ
タキシャル成長するなどの方法により形成されたｐ形層
、２０はｐ形層ｌｃの主面の一部に形成されたアノード
電極、３はｎ十形基板ｌａの主面に形成されたカソード
電極、４はカソード電極３の上に形成された戊層である
。一方第２図に示すごとく上記半導体べレツト１をボン
ディングするためＣｕフレターム５の上にメッキなどの
方法によりＭ層６を２．５Ａ〜５一と厚く被着せしめ、
さらに上記半導体べレットがボンディングされる部分に
厚さ２．５仏以上で、面積として上記半導体べレットの
面積の１．封音以上のＡｕメッキ層を被着せしめる。次
にＯＣｕフレームをヒータなどによってＡｕとＣだとの
共晶点、すなわち３５６００に昇温させる。次に真空ピ
ンセットなどを用にて、半導体べレツトーのＧｅ層４を
Ｃｕフレーム５の上記Ａｕメッキされた面に接触させ、
上から軽く押える。このとき、半導体べレット１に形成
されたＣｅ層とＣｕフレームに形成されたＡｕ層との接
触界面において、蛇とＡｕとが相互拡散した状態となり
、上記共晶点‘こおいて合金化して溶融し、いわゆるＡ
ｕ−戊共晶合金が形成され、この合金は半導体べレット
１のｎ側電極３およびＣｕフレーム５の融着する。
し、第２図はかかる半導体べレットを本発明の方法によ
り金属基体たるリードフレームにボンデイングした状態
を示している。図において１は例えば０．４肌×０．４
柵×０．２５肌の形状を有するＧａ船赤外発光ＬＥＤ素
子より成る半導体べレット、ｌ ａは半導体べレットに
おけるｎ十形基板部分、ｌｂはかかるｎ十形基板に対し
ェピタキシャル成長により形成されたｎ形層、ｌｃは上
記ｎ形層に対しアクセプタを拡散したりｎ形層上にェピ
タキシャル成長するなどの方法により形成されたｐ形層
、２０はｐ形層ｌｃの主面の一部に形成されたアノード
電極、３はｎ十形基板ｌａの主面に形成されたカソード
電極、４はカソード電極３の上に形成された戊層である
。一方第２図に示すごとく上記半導体べレツト１をボン
ディングするためＣｕフレターム５の上にメッキなどの
方法によりＭ層６を２．５Ａ〜５一と厚く被着せしめ、
さらに上記半導体べレットがボンディングされる部分に
厚さ２．５仏以上で、面積として上記半導体べレットの
面積の１．封音以上のＡｕメッキ層を被着せしめる。次
にＯＣｕフレームをヒータなどによってＡｕとＣだとの
共晶点、すなわち３５６００に昇温させる。次に真空ピ
ンセットなどを用にて、半導体べレツトーのＧｅ層４を
Ｃｕフレーム５の上記Ａｕメッキされた面に接触させ、
上から軽く押える。このとき、半導体べレット１に形成
されたＣｅ層とＣｕフレームに形成されたＡｕ層との接
触界面において、蛇とＡｕとが相互拡散した状態となり
、上記共晶点‘こおいて合金化して溶融し、いわゆるＡ
ｕ−戊共晶合金が形成され、この合金は半導体べレット
１のｎ側電極３およびＣｕフレーム５の融着する。
この後Ｃｕフレームを冷却することによって、溶融した
ＡｕとＧｅとの合金は凝固し、半導体べレットーはＣｕ
フレーム５に固着される。上記実施例において、Ｃｕフ
レーム５上のＮｊ層６の厚さを約３ムｍとし、Ｃｕフレ
ームにボンディングされた半導体べレットのテンション
ゲージによる付着強度の分布を第３図ａに示す。
ＡｕとＧｅとの合金は凝固し、半導体べレットーはＣｕ
フレーム５に固着される。上記実施例において、Ｃｕフ
レーム５上のＮｊ層６の厚さを約３ムｍとし、Ｃｕフレ
ームにボンディングされた半導体べレットのテンション
ゲージによる付着強度の分布を第３図ａに示す。
また、他のボンディング方法、例えばＡｕ−Ｓｉ共晶合
金によった場合の半導体べレットの付着強度を第３図ｂ
に示す。したがって、上記実施例によれば、ボンディン
グ時においても、半導体べレットのＷ層は直接昇温され
ずに、しかも加熱された空気に触れることなく、Ｃｕフ
レーム上にＡｕと接触した部分から合金化が進むので、
Ａｕと蛇の界面に酸化物などの被膜が生じず、半導体べ
レットを単にＣｕフレームに接触もしくは軽く圧着させ
ることによって容易にボンディングを行なうことができ
、従来のＡｕ−Ｓｉなどの共晶合金べレットを用いる方
法に比して、非常に作業性がよい。
金によった場合の半導体べレットの付着強度を第３図ｂ
に示す。したがって、上記実施例によれば、ボンディン
グ時においても、半導体べレットのＷ層は直接昇温され
ずに、しかも加熱された空気に触れることなく、Ｃｕフ
レーム上にＡｕと接触した部分から合金化が進むので、
Ａｕと蛇の界面に酸化物などの被膜が生じず、半導体べ
レットを単にＣｕフレームに接触もしくは軽く圧着させ
ることによって容易にボンディングを行なうことができ
、従来のＡｕ−Ｓｉなどの共晶合金べレットを用いる方
法に比して、非常に作業性がよい。
しかも半導体べレツトとＣｕフレームとはＡｕ−蛇合金
によって強固に接着されるので、従来の導電性樹脂を用
いる方法に比して信頼性も優れている。なお、以上の実
施例ではＡｕと共晶をなす物質として蛇を用いた場合に
ついて説明したが、Ｓｉ，Ｓｕなど、Ａｕと共晶をなす
任意の元素物質を使用できることもできる。
によって強固に接着されるので、従来の導電性樹脂を用
いる方法に比して信頼性も優れている。なお、以上の実
施例ではＡｕと共晶をなす物質として蛇を用いた場合に
ついて説明したが、Ｓｉ，Ｓｕなど、Ａｕと共晶をなす
任意の元素物質を使用できることもできる。
この場合、Ｃｕフレームの加熱温度も半導体べレット上
にＧｅを用いた場合とは異なる温度にする必要がある。
にＧｅを用いた場合とは異なる温度にする必要がある。
すなわち、Ｓｉの場合はこのＳｉ層とＣｕフレ−ムのＡ
ｕ層との界面にＡｕ−Ｓｉ合金を形成するものであり、
このときの共晶点は３７０ｑｏ、またＳｎの場合はＡｕ
−Ｓｎ合金を形成させその共鶴点は２８０『０である。
これら戊，Ｓｊ，Ｓｎの材料を用いるのはＡｕとの共晶
点が２８０ｑｏ〜３７０ｑ○であり、それ程の高温では
ないため半導体べレットの高温による特性劣化、あるい
は製造設備の複雑化等が回避でき、また、非常に低い温
度でもないので、熱による半導体べレットの信頼性もあ
る程度担保し得るものである。また、上記実施例ではＧ
ａ偽赤外発光ＬＥＤを形成した半導体べレットをボンデ
ィングする方法について説明してきたが、この発明を他
の任意の化合物半導体べレットの金属基体へのボンディ
ングに適用することもできる。
ｕ層との界面にＡｕ−Ｓｉ合金を形成するものであり、
このときの共晶点は３７０ｑｏ、またＳｎの場合はＡｕ
−Ｓｎ合金を形成させその共鶴点は２８０『０である。
これら戊，Ｓｊ，Ｓｎの材料を用いるのはＡｕとの共晶
点が２８０ｑｏ〜３７０ｑ○であり、それ程の高温では
ないため半導体べレットの高温による特性劣化、あるい
は製造設備の複雑化等が回避でき、また、非常に低い温
度でもないので、熱による半導体べレットの信頼性もあ
る程度担保し得るものである。また、上記実施例ではＧ
ａ偽赤外発光ＬＥＤを形成した半導体べレットをボンデ
ィングする方法について説明してきたが、この発明を他
の任意の化合物半導体べレットの金属基体へのボンディ
ングに適用することもできる。
さらにまた、以上の実施例においては、化合物半導体べ
レットのボンディングされるべき電極上にＡｕと共晶を
なす元素のみが被着された場合について説明したが、前
記元素上にさらにＡｕを被着した半導体べレットを用い
てもよい。なお、上記実施例において、Ｃｕフレーム上
にＡｕとの相互拡散の４・さし、Ｎｉを２．５仏〜５仏
と厚く被着せしめた後、半導体べレットがボンディング
される部分にＡｕを２．５仏以上被着せしめ、Ｃｕフレ
ームを昇温させ、その後半導体べレットのＱ層とＣｕフ
レーム上のＡｕとを接触させたので、Ｎｉ表面へのＣｕ
の析出もなく、このためＣｕ‘こよる素子の特性劣化は
なくなり、しかも部分的にＡｕメッキが施されているた
め、Ｃｕフレームの価格もＩＪ−ドフレーム全面にＡｕ
メッキを施した従来のフレームに比べて極めて安くなる
。
レットのボンディングされるべき電極上にＡｕと共晶を
なす元素のみが被着された場合について説明したが、前
記元素上にさらにＡｕを被着した半導体べレットを用い
てもよい。なお、上記実施例において、Ｃｕフレーム上
にＡｕとの相互拡散の４・さし、Ｎｉを２．５仏〜５仏
と厚く被着せしめた後、半導体べレットがボンディング
される部分にＡｕを２．５仏以上被着せしめ、Ｃｕフレ
ームを昇温させ、その後半導体べレットのＱ層とＣｕフ
レーム上のＡｕとを接触させたので、Ｎｉ表面へのＣｕ
の析出もなく、このためＣｕ‘こよる素子の特性劣化は
なくなり、しかも部分的にＡｕメッキが施されているた
め、Ｃｕフレームの価格もＩＪ−ドフレーム全面にＡｕ
メッキを施した従来のフレームに比べて極めて安くなる
。
以上のようにこの発明によれば、半導体べレットのＷ，
ＳｉあるいはＳｎとＣｕからなる金属基体上のＡｕと界
面に共晶合金を形成させるものであるから、その共晶点
の温度でしかも半導体べレツトを金属基体に単に軽く押
さえるのみで簡単に圧着することができ、したがって量
産性に適する。
ＳｉあるいはＳｎとＣｕからなる金属基体上のＡｕと界
面に共晶合金を形成させるものであるから、その共晶点
の温度でしかも半導体べレツトを金属基体に単に軽く押
さえるのみで簡単に圧着することができ、したがって量
産性に適する。
また、この発明は金属基体を加熱するものであるから、
半導体べレットの蛇，ＳｉあるいはＳｎは直接昇温され
ないので、Ａｕと従，ＳｉあるいはＳｎの界面に酸化物
などの被膜が生ぜず、したがって歩留りも向上するなど
の効果を奏する。
半導体べレットの蛇，ＳｉあるいはＳｎは直接昇温され
ないので、Ａｕと従，ＳｉあるいはＳｎの界面に酸化物
などの被膜が生ぜず、したがって歩留りも向上するなど
の効果を奏する。
第１図は本発明の方法に供せられる半導体べレットの斜
視図、第２図は本発明の方法により半導体べレットをＣ
ｕフレームにボンディングする状態を示す縦断面図、第
３図は本発明の方法を用いたＧａＡｓ赤外発光ＬＥＤを
形成して成る半導体べレットのボンディング付着強度分
布を示す度数分布図である。 １・・・・・・ＧａＡｓ赤外発光ＬＥＤを形成して成る
半導体べレット、２・・・・・・アノード電極、３・・
・・・・カソード電極、４・・・・・・Ｇ層、５・・・
・・・金属基体たるＣｕフレーム、６……Ｎｉ層、７…
…Ａｕ層。 第１図 第２図 第３図
視図、第２図は本発明の方法により半導体べレットをＣ
ｕフレームにボンディングする状態を示す縦断面図、第
３図は本発明の方法を用いたＧａＡｓ赤外発光ＬＥＤを
形成して成る半導体べレットのボンディング付着強度分
布を示す度数分布図である。 １・・・・・・ＧａＡｓ赤外発光ＬＥＤを形成して成る
半導体べレット、２・・・・・・アノード電極、３・・
・・・・カソード電極、４・・・・・・Ｇ層、５・・・
・・・金属基体たるＣｕフレーム、６……Ｎｉ層、７…
…Ａｕ層。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- １ 化合物半導体ペレツトのボンデイングされるべき面
に形成された電極上にゲルマニウム、シリコンまたは錫
のうちいずれかを被着せしめて層を形成する工程、銅あ
るいは銅を主成分とする金属基体上にニツケル層および
金層を順次被着せしめる工程、上記金属基体を加熱しな
がら、上記半導体ペレツトのゲルマニウユ、シリコンま
たは錫からなる層を上記金属に圧接せしめ、上記金層と
上記ゲルマニウム、シリコンまたは錫層との界面におい
て各共晶点の温度にて共晶合金を形成せしめる工程を備
えたことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53056194A JPS6033301B2 (ja) | 1978-05-11 | 1978-05-11 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53056194A JPS6033301B2 (ja) | 1978-05-11 | 1978-05-11 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54147781A JPS54147781A (en) | 1979-11-19 |
| JPS6033301B2 true JPS6033301B2 (ja) | 1985-08-02 |
Family
ID=13020293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53056194A Expired JPS6033301B2 (ja) | 1978-05-11 | 1978-05-11 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033301B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2528497Y2 (ja) * | 1987-12-17 | 1997-03-12 | 株式会社白山製作所 | 平型光ファイバストリッパ |
-
1978
- 1978-05-11 JP JP53056194A patent/JPS6033301B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2528497Y2 (ja) * | 1987-12-17 | 1997-03-12 | 株式会社白山製作所 | 平型光ファイバストリッパ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54147781A (en) | 1979-11-19 |
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