JPS6032385A - レ−ザ・ダイオ−ド - Google Patents

レ−ザ・ダイオ−ド

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Publication number
JPS6032385A
JPS6032385A JP14210283A JP14210283A JPS6032385A JP S6032385 A JPS6032385 A JP S6032385A JP 14210283 A JP14210283 A JP 14210283A JP 14210283 A JP14210283 A JP 14210283A JP S6032385 A JPS6032385 A JP S6032385A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layers
lambda
layer
resonator
multilayers
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14210283A
Other languages
English (en)
Inventor
Masumi Takeshima
竹島 眞澄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP14210283A priority Critical patent/JPS6032385A/ja
Publication of JPS6032385A publication Critical patent/JPS6032385A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/125Distributed Bragg reflector [DBR] lasers

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は単一モード、高安定発振波長のレージ“・ダイ
オードに関する。
従来例の構成とその問題点 従来、単一モードで、かつ温度変化の微少な発振波長の
レーIF発振を1!7る強力な方法【よ、分イji増幅
型(DFB)レーザを用いることである。このDFBレ
ーザの基本的原理は、共振器に沿って屈折率の周期的変
化をつけることによって、その周期に一致する波長のレ
ーザ動作を1qるにある。周期的な屈折率の変化は、共
振器の側面に一定の間隔で設()られIこノツチにJ:
って、実効的に、もえられるのが代表的な方法であるが
、この方法はかなりの高度技術を要求し、このレーザ・
ダイア1−−ドの作製は容易ではないのが現状である。
発明の目的 本発明はDFBレーザよりも簡単に作製できるレーザ・
ダイオードを提供することを目的とする。
発明の構成 本発明のレーザ・ダイオードは、共振器となる活性層の
反射端面に屈折率の責なる二種の絶縁体層を交互に積層
して成る多重層を設置Jたことを特徴とする。
実施例の説明 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
図面1J本発明ににるダブルヘデ【]・レーザ・グイオ
ードの要部断面図である。JL振器としての活性層1の
両側には2,3で示すpとnのGaAρAsのクララ1
〜層が続き、n−GaAρASのクラット層3はn −
Ga Aρ基板(図示せず)へと続ぎ、p−Ga Au
Asのクラy t−層2は p−GaAp層(図示せず
)へ続いている。以上は通常のダブルへテロ・レーザ・
ダイオードの)苦造である。本発明では、活性層6の反
則端面外側からクララ1〜居2.3にわたって多重層4
カ’ QQ 4ノられている。
この多重層4は、5a、511,5c、5dで示される
へρ203層と、(3a、6b、6cで示される3iQ
2fflとを交互に積層して形成されている。各層の厚
さは、レーザ光の物質内波長をλとした時に〔n→−(
1/ 4) )λ(但し、nは零を含む整数〕のとき、
端面からの反則は最大となる。
この波長の選択度はブラッグ反射のために多m層4の層
の数が多いほど高い。
また、多重層4の層の厚さがλの整数18か(n+ (
1/ 2) )λ〔但し、nは零を含む整数〕のときに
は、図面のように多重層4の外部表面に更に例えばAU
から成る反射膜やを形成して高い反射率が確保される。
なJ3、(n +(1/ 4) )λの賜金にも同様に
反射膜7は反射率を高めるのに有用である。
次に、更に具体的な実施例を説明りる。
活性層1としてQa 、Asを用い、室温動作とする。
多重層4としてΔΩ203ど5iOzから成る11の層
を形成し、多重層4の外部表面にAuから成る反射膜7
を設置ノる。AQ203と5iOzの各層の厚さ【よそ
れぞれ0.12μmと0.14μmである。これにJ、
って8100Aの発振波長で、温度安定した発振波長の
単一モード発振レーザダイオードが得られた。
上記実施例において、多重F74の各(Dの厚さを(n
→−< 1/ 4) )λ、λの整数イ8、(11−1
−(1/2)Jλとして説明し−1こが、これ【31.
λ/2の整檻 数倍またはλ/4の奇数にすることににって安定な発振
が1qられる。
発明の詳細 な説明のように本発明のレーザ・ダイオードによると、
共振器の反射端面に多重層を形成した構成であるためD
 I= Bレーリ゛j:す・し作製が容易でかつ温度変
化の微少な安定した波長の発振が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明のレーザ・ダイオードの置部拡大断面図で
ある。 1・・・活性層、4・・・多重層、5a、5b、5c。 5d−AlI303.6a 、6b 、6b ・−8i
 02.7・・・反射膜 代理人 森 本 義 弘

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、共振器どなる活t!1層の反則面に屈折率の異なる
    二種類の絶縁体層を交互に積層して成る多重層を設けた
    レーザ・ダイオード。 2、絶縁体層の厚さ3、レーザ光の物質内波長をλとし
    た詩にλ/2の!l!!数(8またはλ/4の奇数倍に
    形成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    レーナ・ダイオード。
JP14210283A 1983-08-02 1983-08-02 レ−ザ・ダイオ−ド Pending JPS6032385A (ja)

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JPS6032385A true JPS6032385A (ja) 1985-02-19

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6370177B1 (en) 1998-03-30 2002-04-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser and method of manufacturing the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6370177B1 (en) 1998-03-30 2002-04-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser and method of manufacturing the same
US6667187B2 (en) 1998-03-30 2003-12-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser and method of manufacturing the same

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