JPS6032385A - レ−ザ・ダイオ−ド - Google Patents
レ−ザ・ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6032385A JPS6032385A JP14210283A JP14210283A JPS6032385A JP S6032385 A JPS6032385 A JP S6032385A JP 14210283 A JP14210283 A JP 14210283A JP 14210283 A JP14210283 A JP 14210283A JP S6032385 A JPS6032385 A JP S6032385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layers
- lambda
- layer
- resonator
- multilayers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は単一モード、高安定発振波長のレージ“・ダイ
オードに関する。
オードに関する。
従来例の構成とその問題点
従来、単一モードで、かつ温度変化の微少な発振波長の
レーIF発振を1!7る強力な方法【よ、分イji増幅
型(DFB)レーザを用いることである。このDFBレ
ーザの基本的原理は、共振器に沿って屈折率の周期的変
化をつけることによって、その周期に一致する波長のレ
ーザ動作を1qるにある。周期的な屈折率の変化は、共
振器の側面に一定の間隔で設()られIこノツチにJ:
って、実効的に、もえられるのが代表的な方法であるが
、この方法はかなりの高度技術を要求し、このレーザ・
ダイア1−−ドの作製は容易ではないのが現状である。
レーIF発振を1!7る強力な方法【よ、分イji増幅
型(DFB)レーザを用いることである。このDFBレ
ーザの基本的原理は、共振器に沿って屈折率の周期的変
化をつけることによって、その周期に一致する波長のレ
ーザ動作を1qるにある。周期的な屈折率の変化は、共
振器の側面に一定の間隔で設()られIこノツチにJ:
って、実効的に、もえられるのが代表的な方法であるが
、この方法はかなりの高度技術を要求し、このレーザ・
ダイア1−−ドの作製は容易ではないのが現状である。
発明の目的
本発明はDFBレーザよりも簡単に作製できるレーザ・
ダイオードを提供することを目的とする。
ダイオードを提供することを目的とする。
発明の構成
本発明のレーザ・ダイオードは、共振器となる活性層の
反射端面に屈折率の責なる二種の絶縁体層を交互に積層
して成る多重層を設置Jたことを特徴とする。
反射端面に屈折率の責なる二種の絶縁体層を交互に積層
して成る多重層を設置Jたことを特徴とする。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
図面1J本発明ににるダブルヘデ【]・レーザ・グイオ
ードの要部断面図である。JL振器としての活性層1の
両側には2,3で示すpとnのGaAρAsのクララ1
〜層が続き、n−GaAρASのクラット層3はn −
Ga Aρ基板(図示せず)へと続ぎ、p−Ga Au
Asのクラy t−層2は p−GaAp層(図示せず
)へ続いている。以上は通常のダブルへテロ・レーザ・
ダイオードの)苦造である。本発明では、活性層6の反
則端面外側からクララ1〜居2.3にわたって多重層4
カ’ QQ 4ノられている。
ードの要部断面図である。JL振器としての活性層1の
両側には2,3で示すpとnのGaAρAsのクララ1
〜層が続き、n−GaAρASのクラット層3はn −
Ga Aρ基板(図示せず)へと続ぎ、p−Ga Au
Asのクラy t−層2は p−GaAp層(図示せず
)へ続いている。以上は通常のダブルへテロ・レーザ・
ダイオードの)苦造である。本発明では、活性層6の反
則端面外側からクララ1〜居2.3にわたって多重層4
カ’ QQ 4ノられている。
この多重層4は、5a、511,5c、5dで示される
へρ203層と、(3a、6b、6cで示される3iQ
2fflとを交互に積層して形成されている。各層の厚
さは、レーザ光の物質内波長をλとした時に〔n→−(
1/ 4) )λ(但し、nは零を含む整数〕のとき、
端面からの反則は最大となる。
へρ203層と、(3a、6b、6cで示される3iQ
2fflとを交互に積層して形成されている。各層の厚
さは、レーザ光の物質内波長をλとした時に〔n→−(
1/ 4) )λ(但し、nは零を含む整数〕のとき、
端面からの反則は最大となる。
この波長の選択度はブラッグ反射のために多m層4の層
の数が多いほど高い。
の数が多いほど高い。
また、多重層4の層の厚さがλの整数18か(n+ (
1/ 2) )λ〔但し、nは零を含む整数〕のときに
は、図面のように多重層4の外部表面に更に例えばAU
から成る反射膜やを形成して高い反射率が確保される。
1/ 2) )λ〔但し、nは零を含む整数〕のときに
は、図面のように多重層4の外部表面に更に例えばAU
から成る反射膜やを形成して高い反射率が確保される。
なJ3、(n +(1/ 4) )λの賜金にも同様に
反射膜7は反射率を高めるのに有用である。
反射膜7は反射率を高めるのに有用である。
次に、更に具体的な実施例を説明りる。
活性層1としてQa 、Asを用い、室温動作とする。
多重層4としてΔΩ203ど5iOzから成る11の層
を形成し、多重層4の外部表面にAuから成る反射膜7
を設置ノる。AQ203と5iOzの各層の厚さ【よそ
れぞれ0.12μmと0.14μmである。これにJ、
って8100Aの発振波長で、温度安定した発振波長の
単一モード発振レーザダイオードが得られた。
を形成し、多重層4の外部表面にAuから成る反射膜7
を設置ノる。AQ203と5iOzの各層の厚さ【よそ
れぞれ0.12μmと0.14μmである。これにJ、
って8100Aの発振波長で、温度安定した発振波長の
単一モード発振レーザダイオードが得られた。
上記実施例において、多重F74の各(Dの厚さを(n
→−< 1/ 4) )λ、λの整数イ8、(11−1
−(1/2)Jλとして説明し−1こが、これ【31.
λ/2の整檻 数倍またはλ/4の奇数にすることににって安定な発振
が1qられる。
→−< 1/ 4) )λ、λの整数イ8、(11−1
−(1/2)Jλとして説明し−1こが、これ【31.
λ/2の整檻 数倍またはλ/4の奇数にすることににって安定な発振
が1qられる。
発明の詳細
な説明のように本発明のレーザ・ダイオードによると、
共振器の反射端面に多重層を形成した構成であるためD
I= Bレーリ゛j:す・し作製が容易でかつ温度変
化の微少な安定した波長の発振が得られるものである。
共振器の反射端面に多重層を形成した構成であるためD
I= Bレーリ゛j:す・し作製が容易でかつ温度変
化の微少な安定した波長の発振が得られるものである。
図面は本発明のレーザ・ダイオードの置部拡大断面図で
ある。 1・・・活性層、4・・・多重層、5a、5b、5c。 5d−AlI303.6a 、6b 、6b ・−8i
02.7・・・反射膜 代理人 森 本 義 弘
ある。 1・・・活性層、4・・・多重層、5a、5b、5c。 5d−AlI303.6a 、6b 、6b ・−8i
02.7・・・反射膜 代理人 森 本 義 弘
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、共振器どなる活t!1層の反則面に屈折率の異なる
二種類の絶縁体層を交互に積層して成る多重層を設けた
レーザ・ダイオード。 2、絶縁体層の厚さ3、レーザ光の物質内波長をλとし
た詩にλ/2の!l!!数(8またはλ/4の奇数倍に
形成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
レーナ・ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14210283A JPS6032385A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | レ−ザ・ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14210283A JPS6032385A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | レ−ザ・ダイオ−ド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6032385A true JPS6032385A (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=15307473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14210283A Pending JPS6032385A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | レ−ザ・ダイオ−ド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6032385A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6370177B1 (en) | 1998-03-30 | 2002-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser and method of manufacturing the same |
-
1983
- 1983-08-02 JP JP14210283A patent/JPS6032385A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6370177B1 (en) | 1998-03-30 | 2002-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser and method of manufacturing the same |
US6667187B2 (en) | 1998-03-30 | 2003-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser and method of manufacturing the same |
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