JPS6032315A - ウェハ保管箱 - Google Patents
ウェハ保管箱Info
- Publication number
- JPS6032315A JPS6032315A JP14132083A JP14132083A JPS6032315A JP S6032315 A JPS6032315 A JP S6032315A JP 14132083 A JP14132083 A JP 14132083A JP 14132083 A JP14132083 A JP 14132083A JP S6032315 A JPS6032315 A JP S6032315A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- housing
- wafer
- storage box
- wafers
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体製造グロセスにおいて使用されるウェ
ハの保管箱の改良に関する。
ハの保管箱の改良に関する。
周知の如く、半導体製造プロセスにおいては、Si々ど
を材料とするウェハが用いられている。
を材料とするウェハが用いられている。
そして、かかるウェハは、半導体製造プロセス、例えば
前処理後、熱処理、拡散等の処理を行うまでの間、ある
じは熱処理、拡散等の処理後、次の工程に移るまでの間
、ゴミ、付着物等のウェハに対する素子特性の悪影響を
考慮して一時的にこれらゴミ等から守る必要がある。
前処理後、熱処理、拡散等の処理を行うまでの間、ある
じは熱処理、拡散等の処理後、次の工程に移るまでの間
、ゴミ、付着物等のウェハに対する素子特性の悪影響を
考慮して一時的にこれらゴミ等から守る必要がある。
従来、ウェハの汚染防止手段としては、ウェハをプラス
チック製の保管箱の中にウェハキャリアにセットした状
態のまま保管していた。
チック製の保管箱の中にウェハキャリアにセットした状
態のまま保管していた。
しかしながら、従来のウェハの保管箱によれば、通常、
内部に何ら特別な配慮がされていないため、ウェハを長
時間放置した場合、保管箱の内部からの汚染によシバク
チリアが発生し、これが増殖してそのウェハから製造さ
れるデバイスの素子特性に誤動作を生じさせる等の悪影
響を及ぼすおそれがある。
内部に何ら特別な配慮がされていないため、ウェハを長
時間放置した場合、保管箱の内部からの汚染によシバク
チリアが発生し、これが増殖してそのウェハから製造さ
れるデバイスの素子特性に誤動作を生じさせる等の悪影
響を及ぼすおそれがある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、バクテリ
アの発生、増殖を押え、もって素子特性の良好なデバイ
スを得ることのできるウェハ保管箱を提供することを目
的とするものである。
アの発生、増殖を押え、もって素子特性の良好なデバイ
スを得ることのできるウェハ保管箱を提供することを目
的とするものである。
本発明は、筐体内部及び筐体内のウェハを紫外線−オゾ
ン洗浄する洗浄手段を設けることによって、筐体内部で
のバクテリアの発生4殖を押え、もって上記ウェハから
素子特性の良好なデ・々イスを得ることを骨子とするも
のである。
ン洗浄する洗浄手段を設けることによって、筐体内部で
のバクテリアの発生4殖を押え、もって上記ウェハから
素子特性の良好なデ・々イスを得ることを骨子とするも
のである。
本発明に係る洗浄手段は、例えば、筐体内部及びウェハ
を照射する紫外線ラングと、筐体内部及びウェハ近傍に
清浄な空気を供給する空気送出器とからなる。
を照射する紫外線ラングと、筐体内部及びウェハ近傍に
清浄な空気を供給する空気送出器とからなる。
ここで、紫外線ラングとして波長が184.9nmと2
53.7 nmの紫外線を放射する低圧水銀灯を用いた
場合の作用について説明する。即ち、波長が184.9
nrnの紫外線は空気中の酸素に吸収されてオゾンを
生成し、波長253.7nmの紫外反応式は、以下に示
す通シである。
53.7 nmの紫外線を放射する低圧水銀灯を用いた
場合の作用について説明する。即ち、波長が184.9
nrnの紫外線は空気中の酸素に吸収されてオゾンを
生成し、波長253.7nmの紫外反応式は、以下に示
す通シである。
02 + 184.9 nm→05↑
03+ 253.7 nm →[0〕↑しかるに、紫外
線の大部分は、ウェハに付着している有機物に吸収され
てこれを分解する。従って、波長184.9nmと波長
253.7nmの紫外線が共存していると、オゾンの連
続的々生成と分解が起こり、その過程で発生する原子状
の酸素の酸化作用によシウェハに伺着している有機物が
揮発性の物質に変えられ、・ぐクチリアの発生、増殖が
押えられる。
線の大部分は、ウェハに付着している有機物に吸収され
てこれを分解する。従って、波長184.9nmと波長
253.7nmの紫外線が共存していると、オゾンの連
続的々生成と分解が起こり、その過程で発生する原子状
の酸素の酸化作用によシウェハに伺着している有機物が
揮発性の物質に変えられ、・ぐクチリアの発生、増殖が
押えられる。
以下、本発明の一実施例を第1図(a) 、 (b)を
参照して説明する。
参照して説明する。
図中の1は、内壁が鏡面加工された筐体である。この筐
体1の内部には、複数のウェハ2・・・を収納した2ケ
のテフロン製のウェハキャリア3.3が載置されている
。同筐体1内の上方には、筐体1内部及びウェハ2・・
・を照射する紫外線ラングとしての低圧水銀灯4・・・
が設けられている。この低圧水銀灯4・・・は波長が1
84.9nmと253.7nmの紫外線を照射し、ラン
プカバー5によシ筐体1の正面側が遮蔽されている。ま
た、前記ランf4・・・の上方には、筐体1の内部及び
ウェハ2近傍に清浄な空気を供給する空気送出器6が設
けられている。なお、前記ラング4・・・及び空気送出
器6とから洗浄手段が構成されている。更に、前記笛体
1の前面には、夫々左右に回転開き可能な扉7,7が設
けられている。
体1の内部には、複数のウェハ2・・・を収納した2ケ
のテフロン製のウェハキャリア3.3が載置されている
。同筐体1内の上方には、筐体1内部及びウェハ2・・
・を照射する紫外線ラングとしての低圧水銀灯4・・・
が設けられている。この低圧水銀灯4・・・は波長が1
84.9nmと253.7nmの紫外線を照射し、ラン
プカバー5によシ筐体1の正面側が遮蔽されている。ま
た、前記ランf4・・・の上方には、筐体1の内部及び
ウェハ2近傍に清浄な空気を供給する空気送出器6が設
けられている。なお、前記ラング4・・・及び空気送出
器6とから洗浄手段が構成されている。更に、前記笛体
1の前面には、夫々左右に回転開き可能な扉7,7が設
けられている。
こうした構造の保管箱の使用方法は次のように行う。即
ち、例えば前処理工程が終わったウェハ2・・・をセッ
トしたウェハキャリア3.3を、筐体1のn7,7を開
いて中に入れた後、扉7゜7を閉じ、熱処理、拡散等の
処理の次の工程までの間保管する。その間、筐体1の内
部及びウェハ2・・・には低圧水銀灯4・・・から紫外
線が照射され、既述した作用によジオシンの生成と分解
が行なわれるとともに、空気送出器6からfij i=
”な空気が紫外線照射部に送給される。
ち、例えば前処理工程が終わったウェハ2・・・をセッ
トしたウェハキャリア3.3を、筐体1のn7,7を開
いて中に入れた後、扉7゜7を閉じ、熱処理、拡散等の
処理の次の工程までの間保管する。その間、筐体1の内
部及びウェハ2・・・には低圧水銀灯4・・・から紫外
線が照射され、既述した作用によジオシンの生成と分解
が行なわれるとともに、空気送出器6からfij i=
”な空気が紫外線照射部に送給される。
しかして、前述した構造のウェハ保管箱は、筐体1内に
筐体1内部及びウェハ2・・・を照射する低圧水銀灯4
・・・を設け、かつ筐体1の上部に筐体1内部及びウェ
ハ2・・・に清浄な空気を送給する空気送出器6f:設
けた構造となっているため、筐体1内部でオゾンの生成
と分解を起こし、その過程で発生する原子状の酸素の酸
化作用−により、ウェハ2・・・に付着している有機物
を揮発性の物質に変え、これによ!ll筐体1内のバク
テリアの発生、増殖を防止できる。従って、こうして保
管したウェハ2・・・によシ素子特性の良好なデバイス
を得ることができる。
筐体1内部及びウェハ2・・・を照射する低圧水銀灯4
・・・を設け、かつ筐体1の上部に筐体1内部及びウェ
ハ2・・・に清浄な空気を送給する空気送出器6f:設
けた構造となっているため、筐体1内部でオゾンの生成
と分解を起こし、その過程で発生する原子状の酸素の酸
化作用−により、ウェハ2・・・に付着している有機物
を揮発性の物質に変え、これによ!ll筐体1内のバク
テリアの発生、増殖を防止できる。従って、こうして保
管したウェハ2・・・によシ素子特性の良好なデバイス
を得ることができる。
また、筐体1の内壁が鏡面加工されているため、低圧水
銀灯4・・・の紫外線を反射させてウェハ2・・・に照
射することができ、洗浄効果を一層増すことができる。
銀灯4・・・の紫外線を反射させてウェハ2・・・に照
射することができ、洗浄効果を一層増すことができる。
なお、ウェハ2・・・と低圧水銀灯4・・・との距離を
適宜変えることにより、洗浄度を変えることができる。
適宜変えることにより、洗浄度を変えることができる。
更に、低圧水銀灯4・・・の筐体1正面側がランシカパ
ー5によシ遮蔽されているため、扉7゜7を開閉する際
、作業者が低圧水銀灯4・・・からの紫外線を直接浴び
るととなく、安全性が高い。
ー5によシ遮蔽されているため、扉7゜7を開閉する際
、作業者が低圧水銀灯4・・・からの紫外線を直接浴び
るととなく、安全性が高い。
事実、本発明に係るウェハ保管箱で保管したウェハの清
浄効果を、従来の保管箱で保管したウェハと比較したと
ころ、第2図(a) 、 (b)に示すような結果が得
られた。即ち、従来及び本発明の保管箱で保管した夫々
のウェハ表面に薄い酸化膜を形成し、それらの絶縁耐圧
を測定したところ、同図(、)の従来の保管箱から得ら
れたウェハに基づくヒストグラフでは印加電界約4WN
/、rmでピークをもち、同図(b)の本発明の保管箱
から得られたウェハに基づくヒストグラフでは印加1区
界約8MV/cmでピークをもった。同図より、本発明
の深管箱から得られたウニ/・の酸化膜の絶縁耐圧が、
従来のそれと比べ向上していることが確認できる。
浄効果を、従来の保管箱で保管したウェハと比較したと
ころ、第2図(a) 、 (b)に示すような結果が得
られた。即ち、従来及び本発明の保管箱で保管した夫々
のウェハ表面に薄い酸化膜を形成し、それらの絶縁耐圧
を測定したところ、同図(、)の従来の保管箱から得ら
れたウェハに基づくヒストグラフでは印加電界約4WN
/、rmでピークをもち、同図(b)の本発明の保管箱
から得られたウェハに基づくヒストグラフでは印加1区
界約8MV/cmでピークをもった。同図より、本発明
の深管箱から得られたウニ/・の酸化膜の絶縁耐圧が、
従来のそれと比べ向上していることが確認できる。
本発明に係るウェハ保管箱は、上記実施例の如く、ウェ
ノ・キャリアを2ヶ筐体内に載置した構造のものに限ら
ず、第3図(a) 、 (b)に示すものでもよい。図
中の9・・・は、筐体8内にウェハキャリア3・・・に
応じて設けられた仕切りである。これら仕切り9・・・
で区切られた各チャンバー10・・・には、筐体1内部
の上方部側寄りから筐体正面側にスライド移動する扉1
1・・・が設けられている。この扉11・・・は、ウェ
ハキャリア3・・・全筐体1の各チャンバー10・・・
内にセットするときは筐体内の上方部に位置し、ウェハ
キャリア3・・・のセット後は筐体正面にスライド移動
な構造となっている。しかして、第3図(a)、(b)
の保管箱は、筐体1内部に仕切り9・・・を設け、各チ
ャンバー10・・・に夫々ウェノ・2・・・を収納した
ウェハキャリ刀・・・を載置できる構造となっているた
め、一つのウェハキャリア3を出し入りする際、他のウ
ェハキャリア3・・・にセットされたウェノS2・・・
への汚染を防止できる。また、同様な理由によシ、低圧
水銀灯4・・・のエネルギーを有効に利用できる。更に
、扉11・・・が各チャンバーlO・・・に筐体1内部
の上方部側寄シから筐体正面側にスライド移動できるよ
うに設けられているため、ウェハキャリア3・・・の各
チャンバー10・・・への出し入れの際、低圧水銀灯4
・・・からの紫外線を直接受けることを回避できる。
ノ・キャリアを2ヶ筐体内に載置した構造のものに限ら
ず、第3図(a) 、 (b)に示すものでもよい。図
中の9・・・は、筐体8内にウェハキャリア3・・・に
応じて設けられた仕切りである。これら仕切り9・・・
で区切られた各チャンバー10・・・には、筐体1内部
の上方部側寄りから筐体正面側にスライド移動する扉1
1・・・が設けられている。この扉11・・・は、ウェ
ハキャリア3・・・全筐体1の各チャンバー10・・・
内にセットするときは筐体内の上方部に位置し、ウェハ
キャリア3・・・のセット後は筐体正面にスライド移動
な構造となっている。しかして、第3図(a)、(b)
の保管箱は、筐体1内部に仕切り9・・・を設け、各チ
ャンバー10・・・に夫々ウェノ・2・・・を収納した
ウェハキャリ刀・・・を載置できる構造となっているた
め、一つのウェハキャリア3を出し入りする際、他のウ
ェハキャリア3・・・にセットされたウェノS2・・・
への汚染を防止できる。また、同様な理由によシ、低圧
水銀灯4・・・のエネルギーを有効に利用できる。更に
、扉11・・・が各チャンバーlO・・・に筐体1内部
の上方部側寄シから筐体正面側にスライド移動できるよ
うに設けられているため、ウェハキャリア3・・・の各
チャンバー10・・・への出し入れの際、低圧水銀灯4
・・・からの紫外線を直接受けることを回避できる。
以上詳述した如く本発明によれば、バクテリアの発生、
増殖を押え、もって絶縁耐圧を向上できる等素子特性の
良好なデバイスを得られるウェハ保管箱を提供できるも
のである。
増殖を押え、もって絶縁耐圧を向上できる等素子特性の
良好なデバイスを得られるウェハ保管箱を提供できるも
のである。
【図面の簡単な説明】
第1図(、)は本発明の一実施例に係るウェノ・保管箱
の正面図、同図(b)は同図(、)の側面図、第2図(
a) 、 (b)は夫々従来、本発明のウェハ保管箱で
保管されたウェノ・の印加電界と頻度との関係を示すヒ
ストグラフ、第3図(、)は本発明の他の実施例に係る
ウニ/・保管箱の正面図、同図軸)は同図(&)の側面
図である。 1.8・・・筐体、2・・・ウェハ、3・・・ウェハキ
ャリア、4・・・低圧水銀灯(紫外線ランプ)、5・・
・ランシカバー、6・・・空気送出器、7.11・・・
扉、9・・・仕切り、10・・・チャンバー。 第1図 (a) (b) 第2図 (a) (b)
の正面図、同図(b)は同図(、)の側面図、第2図(
a) 、 (b)は夫々従来、本発明のウェハ保管箱で
保管されたウェノ・の印加電界と頻度との関係を示すヒ
ストグラフ、第3図(、)は本発明の他の実施例に係る
ウニ/・保管箱の正面図、同図軸)は同図(&)の側面
図である。 1.8・・・筐体、2・・・ウェハ、3・・・ウェハキ
ャリア、4・・・低圧水銀灯(紫外線ランプ)、5・・
・ランシカバー、6・・・空気送出器、7.11・・・
扉、9・・・仕切り、10・・・チャンバー。 第1図 (a) (b) 第2図 (a) (b)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1χ 筐体と、この筐体内に載置されるウェハを収納
するウェハキャリアと、前記筐体内部及びウェハを紫外
線−オゾy洗浄する洗浄手段とを具備することを特徴と
するウェハ保管箱。 (21洗浄手段が、筐体内部及びウェハを照射する紫外
線ランプと、筐体内部及びウニ・・近傍に清浄な空気を
供給する空気送出器とからなることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のウェノ・保管箱。 (3) 筐体内壁を鏡面としたととを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のウェハ保管箱。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14132083A JPS6032315A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | ウェハ保管箱 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14132083A JPS6032315A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | ウェハ保管箱 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6032315A true JPS6032315A (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=15289170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14132083A Pending JPS6032315A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | ウェハ保管箱 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6032315A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63148584A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-21 | 株式会社 八光エンジニアリング | 端子圧着機 |
JPH01197982A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Nichifu Tanshi Kogyo:Kk | 電線端部への端子の装着方法とその装置 |
JPH01197983A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Nichifu Tanshi Kogyo:Kk | 電線端部への端子の装着方法とその装置 |
US5495662A (en) * | 1993-02-09 | 1996-03-05 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Cable guide for a terminal crimping apparatus |
JPH1012715A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Nec Corp | 半導体ウェーハの保管方法及び保管容器 |
-
1983
- 1983-08-02 JP JP14132083A patent/JPS6032315A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63148584A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-21 | 株式会社 八光エンジニアリング | 端子圧着機 |
JPH01197982A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Nichifu Tanshi Kogyo:Kk | 電線端部への端子の装着方法とその装置 |
JPH01197983A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Nichifu Tanshi Kogyo:Kk | 電線端部への端子の装着方法とその装置 |
US5495662A (en) * | 1993-02-09 | 1996-03-05 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Cable guide for a terminal crimping apparatus |
JPH1012715A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Nec Corp | 半導体ウェーハの保管方法及び保管容器 |
US5944193A (en) * | 1996-06-27 | 1999-08-31 | Nec Corporation | Wafer storing system having vessel coating with ozone-proof material and method of storing semiconductor wafer |
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