JPS6030135A - 位置合わせチェックパタ−ン - Google Patents
位置合わせチェックパタ−ンInfo
- Publication number
- JPS6030135A JPS6030135A JP58137975A JP13797583A JPS6030135A JP S6030135 A JPS6030135 A JP S6030135A JP 58137975 A JP58137975 A JP 58137975A JP 13797583 A JP13797583 A JP 13797583A JP S6030135 A JPS6030135 A JP S6030135A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- alignment
- axis
- displacement
- detecting
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体集積回路装置の製造時に使用する位置合
わせチェックパターンに関する。
わせチェックパターンに関する。
従来、半導体集積回路装置の製造における、各層パター
ン間の位置合わせずれを検出する為のチェックパターン
として、第１図のようなノ４ターンが用いられてきた。
ン間の位置合わせずれを検出する為のチェックパターン
として、第１図のようなノ４ターンが用いられてきた。
第１図において、１は被位置合わせ用ノくターン、２は
パターン１に対、する位置合わせずれ検出用ノくターン
、Ｒは位置合わせずれに対する設計上の余裕度である。
パターン１に対、する位置合わせずれ検出用ノくターン
、Ｒは位置合わせずれに対する設計上の余裕度である。
カ樗鴫４→例えば、被位置合わせ用ノくターンｚ１は半
導体ウェハに形成され、位置合わせずれ検出用パターン
／２は目合わせ露光工程に使用されるガラスマスクに形
成される。なお、被位置合わせ用パターンと位置合わせ
ずれ検出用ノくターンとは相対的なものであるから互に
その形を交換することができる。例えばパターン〆１の
形を位置合わセスれ検出用パターンとし、ノくターン、
Ｊ２の形をに示す従来の位置合わせずれチェツクノくタ
ーンでは、Ｘ及びＹ軸方向のずれについては、被位置合
わせ用パターン１と、位置合わせずれ検出用パターン２
のヘリ同士が接するところまでを位置合わせずれ許容範
囲としていた。即ち、Ｒがその範囲となる。また、角度
ずれ忙関しては、基板となるか否かで検出し、それらの
チップのいずれもが、許容範囲のＲ以内であれは良品と
していた。
導体ウェハに形成され、位置合わせずれ検出用パターン
／２は目合わせ露光工程に使用されるガラスマスクに形
成される。なお、被位置合わせ用パターンと位置合わせ
ずれ検出用ノくターンとは相対的なものであるから互に
その形を交換することができる。例えばパターン〆１の
形を位置合わセスれ検出用パターンとし、ノくターン、
Ｊ２の形をに示す従来の位置合わせずれチェツクノくタ
ーンでは、Ｘ及びＹ軸方向のずれについては、被位置合
わせ用パターン１と、位置合わせずれ検出用パターン２
のヘリ同士が接するところまでを位置合わせずれ許容範
囲としていた。即ち、Ｒがその範囲となる。また、角度
ずれ忙関しては、基板となるか否かで検出し、それらの
チップのいずれもが、許容範囲のＲ以内であれは良品と
していた。
しかし、上記パターンによれば、ヘリ同士の接線を判断
基準としている為、パターン段部に傾斜がつく場合、ヘ
リの線分がある幅をもっことＫなって、接線での判断が
しにくくなることがあった。
基準としている為、パターン段部に傾斜がつく場合、ヘ
リの線分がある幅をもっことＫなって、接線での判断が
しにくくなることがあった。
しかも、半導体装置の集積度が向上するに従って、位置
合わせずれ許容範囲も小さくする必要があるので、さら
に不都合なものとなっているという欠点があった。
合わせずれ許容範囲も小さくする必要があるので、さら
に不都合なものとなっているという欠点があった。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、半導体集積回路装
置のパターン形成時における位置合わせずれの程度が許
容範囲内かどうかを速やかに、かつ正確に判断できる位
置合わせチェックパターンを提供することにある。
置のパターン形成時における位置合わせずれの程度が許
容範囲内かどうかを速やかに、かつ正確に判断できる位
置合わせチェックパターンを提供することにある。
本発明の位置合わせチェックパターンは、被位置合わせ
用パターンと、該被位置合わせ用パターンに対する位置
合わせずれ検出用パターンとから成る位置合わせチェッ
クパターンにおいて、前記被位置合わせ用パターンと位
置合わせずれ検出用パターンのいずれか一方がＹ軸及び
Ｙ軸に対して一定の傾斜角をもつ線分から成るパターン
であり他方がＸａ凍たはＹ＠に対して平行及び垂直な線
分から成るパターンであるこＪ：を４ＨＪｋとして構成
される。
用パターンと、該被位置合わせ用パターンに対する位置
合わせずれ検出用パターンとから成る位置合わせチェッ
クパターンにおいて、前記被位置合わせ用パターンと位
置合わせずれ検出用パターンのいずれか一方がＹ軸及び
Ｙ軸に対して一定の傾斜角をもつ線分から成るパターン
であり他方がＸａ凍たはＹ＠に対して平行及び垂直な線
分から成るパターンであるこＪ：を４ＨＪｋとして構成
される。
次に、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第２図は本発明の第１の実施例の平面図である。
ｖ、２図において、１１は被位置合わせ用パターン、１
２は１１に対する位置合わせずれ検出用パターン、ｒ、
は位置合わせずれに対する設計上の余裕度である。被位
置合わせ用パターン１１は半導体ウェーハなどに形成さ
れているパターンであシ、位置合わせずれ検出用パター
ン１２は目合わせ露光工程に使用されるガラスマスクに
形成されているパターンである。
２は１１に対する位置合わせずれ検出用パターン、ｒ、
は位置合わせずれに対する設計上の余裕度である。被位
置合わせ用パターン１１は半導体ウェーハなどに形成さ
れているパターンであシ、位置合わせずれ検出用パター
ン１２は目合わせ露光工程に使用されるガラスマスクに
形成されているパターンである。
第２図に示すように１被位置合わせ用パターン１１はＹ
軸、Ｙ軸に対して平行・（または直角）の線分で構成さ
れている。このパターンに対して位置合わせずれの検出
用パターン１２はＹ軸及びＹ軸に対し４５度の角度をも
った線分で構成されている。位置合わせずれ許容範囲ｒ
、までずれた場合、従来と異なり、接点として判断でき
るので、不良品・良品の判定がしやすくなる。
軸、Ｙ軸に対して平行・（または直角）の線分で構成さ
れている。このパターンに対して位置合わせずれの検出
用パターン１２はＹ軸及びＹ軸に対し４５度の角度をも
った線分で構成されている。位置合わせずれ許容範囲ｒ
、までずれた場合、従来と異なり、接点として判断でき
るので、不良品・良品の判定がしやすくなる。
上記実施例では被位置合わせ用パターン１１をＸ、Ｙ軸
に平行（または垂直）な線分で構成されるパターンとし
、位置合わせずれ検出用パターン１２をＸ、Ｙ軸に対し
て４ｅの傾斜角をもつ線分で構成されるパターンとした
が、逆にすることもできる。
に平行（または垂直）な線分で構成されるパターンとし
、位置合わせずれ検出用パターン１２をＸ、Ｙ軸に対し
て４ｅの傾斜角をもつ線分で構成されるパターンとした
が、逆にすることもできる。
第３図は本発明の第２の実施例の平面図である。
第３図において、２１は被位置合わせ用パターン、２２
はパターン２１に対する位置合わせずれ検出用パターン
、「！は、位置合わせずれに対する設計上の余裕度であ
る。
はパターン２１に対する位置合わせずれ検出用パターン
、「！は、位置合わせずれに対する設計上の余裕度であ
る。
この第２の実施例も第１の実施例と同様に、位置合わせ
ずれ検出用パターンに、Ｙ軸及びＹ軸に対し４５度の角
度をもった線分を採用しており、その効果のほどは、第
１の実施例の場合と同様である。また、この第２の実施
例では、位置合わせずれ検出用パターン２２は、Ｙ軸お
よびＹ軸に対し、４５度の角度をもった線分で構成して
いるが、パターン２１と２２とを交換して被位置合わせ
用パターン２】の形を位置合わせ検出用パターンに採用
しても良い。
ずれ検出用パターンに、Ｙ軸及びＹ軸に対し４５度の角
度をもった線分を採用しており、その効果のほどは、第
１の実施例の場合と同様である。また、この第２の実施
例では、位置合わせずれ検出用パターン２２は、Ｙ軸お
よびＹ軸に対し、４５度の角度をもった線分で構成して
いるが、パターン２１と２２とを交換して被位置合わせ
用パターン２】の形を位置合わせ検出用パターンに採用
しても良い。
以上説明したように、本発明は、被位置合わせ用パター
ンと位置合わせずれ検出用パターンのいずれか一方に、
Ｘ、Ｙ軸に一定の傾斜角をもつ線分から成るパターンを
採用し、他方ＫＸ、Ｙ軸に対して平行（ｉたは垂直）な
線分から成るパターンを採用することによシ位置合わせ
チェックパターンを構成したので位置合わせずれが許容
範囲までずれた場合、そのずれを接点として判断できる
ようになるので、不良品・良品の判定がしやすくなると
いう効果がある。
ンと位置合わせずれ検出用パターンのいずれか一方に、
Ｘ、Ｙ軸に一定の傾斜角をもつ線分から成るパターンを
採用し、他方ＫＸ、Ｙ軸に対して平行（ｉたは垂直）な
線分から成るパターンを採用することによシ位置合わせ
チェックパターンを構成したので位置合わせずれが許容
範囲までずれた場合、そのずれを接点として判断できる
ようになるので、不良品・良品の判定がしやすくなると
いう効果がある。
第１図は、従来の位置合わせずれ検出用パターンの一例
の平面図、ｖＪ２図は本発明の第１の実施例の平面図、
第３図は本発明の第２の実施例の平面図である。 １．１１．２１・・・・・・被位置合わせ用パターン、
２．１２．２２・・・・・・位置合わせずれ検出用パタ
ーン、Ｒ＋ｒｌｌ’ｌ・・・・・・位置合わせずれに対
する設計上の余裕度。 〜〆゛ ・ 代理人 弁理士 内 原 晋ｒ 、 、” ” ””
””。 鷲 ′７１
の平面図、ｖＪ２図は本発明の第１の実施例の平面図、
第３図は本発明の第２の実施例の平面図である。 １．１１．２１・・・・・・被位置合わせ用パターン、
２．１２．２２・・・・・・位置合わせずれ検出用パタ
ーン、Ｒ＋ｒｌｌ’ｌ・・・・・・位置合わせずれに対
する設計上の余裕度。 〜〆゛ ・ 代理人 弁理士 内 原 晋ｒ 、 、” ” ””
””。 鷲 ′７１
Claims (1)
- 被位置合わせ用パターンと、該被位置合わせ用パターン
に対する位置合わせずれ検出用パターンとから成る位置
合わせチェックパターンにおいて、前記被位置合わせ用
パターンと位置合わせずれ検出用パターンのいずれか一
方がＸ軸及びＹ軸に対して一定の傾斜角をもつ線分から
成るパターンであり、他方がＸ軸またはＹ軸に対して平
行及び垂直な線分から成るパターンであることを特許と
する位置合わせチェックパターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137975A JPS6030135A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 位置合わせチェックパタ−ン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137975A JPS6030135A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 位置合わせチェックパタ−ン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030135A true JPS6030135A (ja) | 1985-02-15 |
| JPH0141248B2 JPH0141248B2 (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=15211111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58137975A Granted JPS6030135A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 位置合わせチェックパタ−ン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030135A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009023813A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Ricoh Co Ltd | シート材給送装置、画像形成装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748234A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-19 | Fujitsu Ltd | Position adjusting method of semiconductor device |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP58137975A patent/JPS6030135A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748234A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-19 | Fujitsu Ltd | Position adjusting method of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009023813A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Ricoh Co Ltd | シート材給送装置、画像形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0141248B2 (ja) | 1989-09-04 |
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