JPS6029718B2 - カナマイシンb新規誘導体の製造法 - Google Patents
カナマイシンb新規誘導体の製造法Info
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- JPS6029718B2 JPS6029718B2 JP14593075A JP14593075A JPS6029718B2 JP S6029718 B2 JPS6029718 B2 JP S6029718B2 JP 14593075 A JP14593075 A JP 14593075A JP 14593075 A JP14593075 A JP 14593075A JP S6029718 B2 JPS6029718 B2 JP S6029718B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07H—SUGARS; DERIVATIVES THEREOF; NUCLEOSIDES; NUCLEOTIDES; NUCLEIC ACIDS
- C07H15/00—Compounds containing hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals directly attached to hetero atoms of saccharide radicals
- C07H15/20—Carbocyclic rings
- C07H15/22—Cyclohexane rings, substituted by nitrogen atoms
- C07H15/222—Cyclohexane rings substituted by at least two nitrogen atoms
- C07H15/226—Cyclohexane rings substituted by at least two nitrogen atoms with at least two saccharide radicals directly attached to the cyclohexane rings
- C07H15/234—Cyclohexane rings substituted by at least two nitrogen atoms with at least two saccharide radicals directly attached to the cyclohexane rings attached to non-adjacent ring carbon atoms of the cyclohexane rings, e.g. kanamycins, tobramycin, nebramycin, gentamicin A2
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカナマイシンBから導かれる新規な化*合物に
して、抗菌性物質として極めて有効な3′,4′ージデ
オキシカナマィシンBの合成中間体として産業上有用な
下記一般式;(式中、Rは水素原子,アルキル基,アリ
−ル基を表わし、Z肝記の式号>C<にこでP,P′は
それぞれ水素原子、アルキル基又はアリール基を示す)
で示される基又はシクロヘキシリデン基を表わす〕で表
わされるカナマイシンB新規誘導体の製造法に関する。
して、抗菌性物質として極めて有効な3′,4′ージデ
オキシカナマィシンBの合成中間体として産業上有用な
下記一般式;(式中、Rは水素原子,アルキル基,アリ
−ル基を表わし、Z肝記の式号>C<にこでP,P′は
それぞれ水素原子、アルキル基又はアリール基を示す)
で示される基又はシクロヘキシリデン基を表わす〕で表
わされるカナマイシンB新規誘導体の製造法に関する。
現在、各種耐性菌に有効な3,4′ージデオキシカナマ
ィシンBはカナマイシンBを出発原料とし、その5個の
アミノ基と4″,6″位の水酸基を保護した3,4′位
不飽和議導体に導き、この化合物を水素添加によって還
元して3′,4′位不飽和結合を飽和させ、最後にその
アミノ基並びに水酸基の保護基を常法によって脱離せし
めカナマイシンBより合計9工程を経て化学的に合成す
る(特公昭50一7595号公報、特願昭45−657
60号参照)方法を採って製造されている。
ィシンBはカナマイシンBを出発原料とし、その5個の
アミノ基と4″,6″位の水酸基を保護した3,4′位
不飽和議導体に導き、この化合物を水素添加によって還
元して3′,4′位不飽和結合を飽和させ、最後にその
アミノ基並びに水酸基の保護基を常法によって脱離せし
めカナマイシンBより合計9工程を経て化学的に合成す
る(特公昭50一7595号公報、特願昭45−657
60号参照)方法を採って製造されている。
この方法には、沃化ソーダや亜鉛末が多量に使用される
ので、ヨードの資源的な問題及び公害の問題を含め3′
,4′−ジデオキシカナマィシンBの工業的にさらに有
利な合成方法の確立が切望されてきた。
ので、ヨードの資源的な問題及び公害の問題を含め3′
,4′−ジデオキシカナマィシンBの工業的にさらに有
利な合成方法の確立が切望されてきた。
本発明は、その問題の解決の一環をなすものである。
即ち、本発明者等は3′ー4′ージデオキシカナマィシ
ンBの新合成法の研究中、カナマイシンBのアミノ基を
ウレタン型にして保護した化合物を室温で公知のヒドロ
キシル保護基導入剤則ち、アルキリデン化剤、アリーリ
デン化剤又はシクロヘキシリデン化剤を反応させて4″
,6″位のみを選択的に保護した誘導体に導き、さらに
この化合物を低温下にてアルカロィル基(例えばアセチ
ル**基)又はア。ィル基(例えば、ベンソーィル基)
等のヒドロキシル保護基を導入する公知のヒド。キシル
保護基導入剤で処理して2″,3″位の水酸基を保護し
もしくは、2″位の水酸基のみを保護することは特公昭
50−7595号公報2〜3頁に記載されると同じ要領
で行うが、かくして得られるカナマイシンB保護誘導体
のうち、前者の2″,3″,4″,6″位ヒドロキシル
保護誘導体を塩化又は臭化メシルと反応させて4′位メ
シル化し、次いで金属アルコラートで処理すると、3′
,4′ーェポキシ化することにより次の一般式;(式中
、R及びZは前記と同意義を有す)で示される新規誘導
体が得られること、生じた3′,4′ーェポキシ環は3
位にあること、この新規誘導体は一連の化学的処理をほ
どこすことにより、工業上、有利に3,4′−ジデオキ
シカナマィシンBへ誘導され得ることを見出し、これに
基づいて本発明を完成させた。
ンBの新合成法の研究中、カナマイシンBのアミノ基を
ウレタン型にして保護した化合物を室温で公知のヒドロ
キシル保護基導入剤則ち、アルキリデン化剤、アリーリ
デン化剤又はシクロヘキシリデン化剤を反応させて4″
,6″位のみを選択的に保護した誘導体に導き、さらに
この化合物を低温下にてアルカロィル基(例えばアセチ
ル**基)又はア。ィル基(例えば、ベンソーィル基)
等のヒドロキシル保護基を導入する公知のヒド。キシル
保護基導入剤で処理して2″,3″位の水酸基を保護し
もしくは、2″位の水酸基のみを保護することは特公昭
50−7595号公報2〜3頁に記載されると同じ要領
で行うが、かくして得られるカナマイシンB保護誘導体
のうち、前者の2″,3″,4″,6″位ヒドロキシル
保護誘導体を塩化又は臭化メシルと反応させて4′位メ
シル化し、次いで金属アルコラートで処理すると、3′
,4′ーェポキシ化することにより次の一般式;(式中
、R及びZは前記と同意義を有す)で示される新規誘導
体が得られること、生じた3′,4′ーェポキシ環は3
位にあること、この新規誘導体は一連の化学的処理をほ
どこすことにより、工業上、有利に3,4′−ジデオキ
シカナマィシンBへ誘導され得ることを見出し、これに
基づいて本発明を完成させた。
なお、前記の保護基導入工程で得られるカナマイシンB
の2″,4″,6″位ヒドロキシル保護誘導体は特公昭
50−7595号の合成法の中間体として使用すること
ができる。また前記2″,3,4″,6″位ヒドロキシ
ル水素基保護誘導体と2″,4″,6″位ヒドロキシル
保護譲導体との分離は、シリカゲルクロマトグラフィー
(溶媒系:クロロホルムーメタノール(2:1))によ
って行なうことができる(前記溶媒系の薄層シリカゲル
クロマトグラフィーでモノベンゾィル体はRf=0.3
,ジベンゾイル体はRf=0.5である)。第1の本発
明の要旨とするところは下記の一般式;〔式中、Rは水
素原子、アルキル基又はアリール基を表わし、Zは式(
ここでP,P′はそれぞれ水素原子、アルキル基又はア
リール基を示す)で示される基又はシクロヘキシリデン
基又はテトラヒドロピラニリデン基**を表わし、×は
水素原子又はアルカロィル基,アロィル基又はアラルキ
ル基を表わし、Yはアルカロィル基,アロィル基又はア
ラルキル基を表わしMsはメシル基を示す〕で表わされ
る4′一○ーメシルカナマイシンB保護誘導体を金属ア
ルコラートで処理して3,4−ェボキシ化することを特
徴とする、下記の一般式;〔式中R及びZは前記と同意
義である〕で表わされるカナマイシンB新規誘導体の製
造法にある。
の2″,4″,6″位ヒドロキシル保護誘導体は特公昭
50−7595号の合成法の中間体として使用すること
ができる。また前記2″,3,4″,6″位ヒドロキシ
ル水素基保護誘導体と2″,4″,6″位ヒドロキシル
保護譲導体との分離は、シリカゲルクロマトグラフィー
(溶媒系:クロロホルムーメタノール(2:1))によ
って行なうことができる(前記溶媒系の薄層シリカゲル
クロマトグラフィーでモノベンゾィル体はRf=0.3
,ジベンゾイル体はRf=0.5である)。第1の本発
明の要旨とするところは下記の一般式;〔式中、Rは水
素原子、アルキル基又はアリール基を表わし、Zは式(
ここでP,P′はそれぞれ水素原子、アルキル基又はア
リール基を示す)で示される基又はシクロヘキシリデン
基又はテトラヒドロピラニリデン基**を表わし、×は
水素原子又はアルカロィル基,アロィル基又はアラルキ
ル基を表わし、Yはアルカロィル基,アロィル基又はア
ラルキル基を表わしMsはメシル基を示す〕で表わされ
る4′一○ーメシルカナマイシンB保護誘導体を金属ア
ルコラートで処理して3,4−ェボキシ化することを特
徴とする、下記の一般式;〔式中R及びZは前記と同意
義である〕で表わされるカナマイシンB新規誘導体の製
造法にある。
また、第2の本発明の要旨とするところは、次の一般式
;〔式中、Rは水素原子、アルキル基又はアリール基を
表わし、Zは式(ここでP,P′はそれぞれ水素原子、
アルキル基又はアリール基を示す)で示される基又はシ
クロ*へキシリデン基又はテトラヒドロピラニリデン基
を表わす〕で表わされるカナマイシンB保護謙導体をヒ
ドロキシル保護基導入剤で処理して〆ーヒドロキシル基
を、また場合によっては3′ーヒドロキシル基も保護し
下記の一般式;〔式中、R及びZは前記と同意義を有し
、×は水素原子又はアルカロィル基,ァロィル基又はァ
ラルキル基を示し、Yはアルカロィル基,アロィル基又
はアラルキル基を示す)で表わされる3′,2′′,4
″,6″ーヒドロキシル保護譲導体又は2″,4″,6
″−ヒドロキシル保護誘導体を得て、これを4位メシル
化して前記式(ロ)の化合物を生成し、この化合物を次
いで金属アルコラートで処理して3′,4−ェポキシ化
することを特徴とする下記の一般式:〔式中、R及びZ
は前記と同意義を有する〕で表わされるカナマイシンB
新規誘導体の製造方法にある。
;〔式中、Rは水素原子、アルキル基又はアリール基を
表わし、Zは式(ここでP,P′はそれぞれ水素原子、
アルキル基又はアリール基を示す)で示される基又はシ
クロ*へキシリデン基又はテトラヒドロピラニリデン基
を表わす〕で表わされるカナマイシンB保護謙導体をヒ
ドロキシル保護基導入剤で処理して〆ーヒドロキシル基
を、また場合によっては3′ーヒドロキシル基も保護し
下記の一般式;〔式中、R及びZは前記と同意義を有し
、×は水素原子又はアルカロィル基,ァロィル基又はァ
ラルキル基を示し、Yはアルカロィル基,アロィル基又
はアラルキル基を示す)で表わされる3′,2′′,4
″,6″ーヒドロキシル保護譲導体又は2″,4″,6
″−ヒドロキシル保護誘導体を得て、これを4位メシル
化して前記式(ロ)の化合物を生成し、この化合物を次
いで金属アルコラートで処理して3′,4−ェポキシ化
することを特徴とする下記の一般式:〔式中、R及びZ
は前記と同意義を有する〕で表わされるカナマイシンB
新規誘導体の製造方法にある。
カナマイシンBを出発原料として、本発明の方発明の方
法を経て式(1)の新規誘導体へと導く工程の一例を図
式化すると次の通りである(Z=シクロヘキシリデン基
、Y=ペンゾィル基、X=ペンゾィル基又は水素の場合
)。
法を経て式(1)の新規誘導体へと導く工程の一例を図
式化すると次の通りである(Z=シクロヘキシリデン基
、Y=ペンゾィル基、X=ペンゾィル基又は水素の場合
)。
本発明の方法を実施することに当って、先づ式(0)の
4′一〇−メシルカナマィシンB保護譲導体を調製する
が、この調製は例えば次の如く行われる。
4′一〇−メシルカナマィシンB保護譲導体を調製する
が、この調製は例えば次の如く行われる。
カナマイシンB(遊離塩基)に対して特公昭50−75
95号公報に記載されると同じ公知の要領で式RCOO
C1(式中はRは前記の意味をもつ)のクロロホルメー
トを作用させてカナマイシンBの5個のアミノ基にアミ
ノ保護基−COORを導入する。次いで4″ー及び6″
ーヒドロキシル基を選択的に保護するために、例えばジ
メチルホルムアミド中で室温で、一般的には15〜25
oCの温度で触媒量のP−トルェンスルホン酸の存在下
に1〜18時間、アセトアルデヒド,2′,2′ージメ
トキシプロ/ぐン,アニスアルデヒド,ベンズアルデヒ
ド,ジメチルアセタール,トルアルデヒドの如き公知の
アルキリデン化剤又はアリーリデン化剤あるいは1,1
−ジメトキシシクロヘキサンの如きシクロヘキシリデン
化剤又は1,1−ジメトキシテトラヒドロヒランの如き
テトラヒドロピラニリデン化剤を作用させる。その結果
、式(m)のカナマイシンB保護誘導体が得られる。上
記の如くしてカナマイシンBのアミノ基5個及び4″,
6″位の水酸基を保護して得られたカナマイシンB誘導
体を、次にそれの2″位の水酸基を保護するために公知
のヒドロキシル保護基Yとしてアルカロィル基(好まし
くはアセチル基の如き炭素数2〜4のアルカロィル基)
,ベンゾィル基の如きアロィル基又はペンジル基の如き
アラルキル基を導入するように処理する。
95号公報に記載されると同じ公知の要領で式RCOO
C1(式中はRは前記の意味をもつ)のクロロホルメー
トを作用させてカナマイシンBの5個のアミノ基にアミ
ノ保護基−COORを導入する。次いで4″ー及び6″
ーヒドロキシル基を選択的に保護するために、例えばジ
メチルホルムアミド中で室温で、一般的には15〜25
oCの温度で触媒量のP−トルェンスルホン酸の存在下
に1〜18時間、アセトアルデヒド,2′,2′ージメ
トキシプロ/ぐン,アニスアルデヒド,ベンズアルデヒ
ド,ジメチルアセタール,トルアルデヒドの如き公知の
アルキリデン化剤又はアリーリデン化剤あるいは1,1
−ジメトキシシクロヘキサンの如きシクロヘキシリデン
化剤又は1,1−ジメトキシテトラヒドロヒランの如き
テトラヒドロピラニリデン化剤を作用させる。その結果
、式(m)のカナマイシンB保護誘導体が得られる。上
記の如くしてカナマイシンBのアミノ基5個及び4″,
6″位の水酸基を保護して得られたカナマイシンB誘導
体を、次にそれの2″位の水酸基を保護するために公知
のヒドロキシル保護基Yとしてアルカロィル基(好まし
くはアセチル基の如き炭素数2〜4のアルカロィル基)
,ベンゾィル基の如きアロィル基又はペンジル基の如き
アラルキル基を導入するように処理する。
この目的のためには、適当なカルボン酸又は酸クロラィ
ド例えば、アセチルクロライド又はペンゾイルクロライ
ド、あるいはペンジルクロライドをピリジン中で常法で
作用させるのが適当である。この際、3位の水酸基も同
時にヒドロキシル保護基Xで保護されるが、使用した反
応条件及び反応時間の如何によって保護されないことも
ある。但し、5位の水酸基は比較的不活性であるので通
常はヒドロキシル保護基導入剤の作用を受けない。その
結果、式(N)で示される3′,2″,4″,6″−又
は2″,4″,6″−ヒドロキシル保護誘導体が得られ
る。次にこの式(W)の保護誘導体に対してピリジン中
で塩化メシルを30〜50q○の温度で1〜3時間作用
させると、4′位の水酸基は選択的にメシル化される結
果、式(0)の4′一〇−メシルカナマィシンB保護誘
導体が調製されるのである。本発明の方法において、式
(0)の化合物を3,4′ーェポキシ化する工程は、式
(0)の化合物を例えば水,メタノール又はエタノール
の如き低級アルカノール,ジグライム,スルホラン,テ
トラヒドロフラン又はジメチルスルホキシドの如き溶剤
にとかし、その溶液中でアルカリ金属例えばナトリウム
又はカリウム又はリチウムの又はアルカリ士類金属のア
ルコラート、特に低級アルコキシド、例えばメトキシド
又はェトキシドで処理して行われる。
ド例えば、アセチルクロライド又はペンゾイルクロライ
ド、あるいはペンジルクロライドをピリジン中で常法で
作用させるのが適当である。この際、3位の水酸基も同
時にヒドロキシル保護基Xで保護されるが、使用した反
応条件及び反応時間の如何によって保護されないことも
ある。但し、5位の水酸基は比較的不活性であるので通
常はヒドロキシル保護基導入剤の作用を受けない。その
結果、式(N)で示される3′,2″,4″,6″−又
は2″,4″,6″−ヒドロキシル保護誘導体が得られ
る。次にこの式(W)の保護誘導体に対してピリジン中
で塩化メシルを30〜50q○の温度で1〜3時間作用
させると、4′位の水酸基は選択的にメシル化される結
果、式(0)の4′一〇−メシルカナマィシンB保護誘
導体が調製されるのである。本発明の方法において、式
(0)の化合物を3,4′ーェポキシ化する工程は、式
(0)の化合物を例えば水,メタノール又はエタノール
の如き低級アルカノール,ジグライム,スルホラン,テ
トラヒドロフラン又はジメチルスルホキシドの如き溶剤
にとかし、その溶液中でアルカリ金属例えばナトリウム
又はカリウム又はリチウムの又はアルカリ士類金属のア
ルコラート、特に低級アルコキシド、例えばメトキシド
又はェトキシドで処理して行われる。
ナトリウム・メトキシド又はナトリウム・ェトキシドが
好適である。3′,4′ーェポキシ化反応は室温で、一
般的には15〜25o0の温度で行い、また反応時間は
0.5〜3時間であるのが適当である。
好適である。3′,4′ーェポキシ化反応は室温で、一
般的には15〜25o0の温度で行い、また反応時間は
0.5〜3時間であるのが適当である。
この反応中に、アルカリ性反応条件下であるために2″
位のヒドロキシル保護基上は脱離されるから、3,4′
ーェポキシ化生成物(1)中では2″−OH基が再生さ
れる。本発明で得られる式(1)の化合物(Z=シクロ
ヘキシリデンの場合)をキサントゲン酸塩等と反応させ
ると、ベンターZ−保護−3′,4′−ジデオキシー3
′,4′ージデヒドロー4″,パーシクロヘキシリデン
ーカナマイシンBと共に次式で示される3,4′−ェピ
スルフィド体が得られ、さらにこの化合物をハロゲン酸
,ヒドラジン,ラネーニッケルで処理することにより3
,4′−ジデオキシ−3′,4′−ジデヒドロ体が得ら
れ、さらに常法によって還元することにより3,4′ー
ジデオキシカナマイシンBが得られる。
位のヒドロキシル保護基上は脱離されるから、3,4′
ーェポキシ化生成物(1)中では2″−OH基が再生さ
れる。本発明で得られる式(1)の化合物(Z=シクロ
ヘキシリデンの場合)をキサントゲン酸塩等と反応させ
ると、ベンターZ−保護−3′,4′−ジデオキシー3
′,4′ージデヒドロー4″,パーシクロヘキシリデン
ーカナマイシンBと共に次式で示される3,4′−ェピ
スルフィド体が得られ、さらにこの化合物をハロゲン酸
,ヒドラジン,ラネーニッケルで処理することにより3
,4′−ジデオキシ−3′,4′−ジデヒドロ体が得ら
れ、さらに常法によって還元することにより3,4′ー
ジデオキシカナマイシンBが得られる。
このように、本発明の目的化合物(1)は3′,4′ー
ジデオキシカナマィシンBの合成用の中間体原料として
有用である。以下本発明を実施例により説明する。
ジデオキシカナマィシンBの合成用の中間体原料として
有用である。以下本発明を実施例により説明する。
実施例 1
(イ} ペンターNーエトキシカルボニルカナマイシン
Bの製造カナマイシンB遊離塩基10夕を水ーアセトン
(1:1)の混合液20の【に溶解せしめ、無水炭酸ナ
トリウム0.9夕を加えて後、クロルギ酸エチル1.0
5のとを加え、室温にて鷹辞した。
Bの製造カナマイシンB遊離塩基10夕を水ーアセトン
(1:1)の混合液20の【に溶解せしめ、無水炭酸ナ
トリウム0.9夕を加えて後、クロルギ酸エチル1.0
5のとを加え、室温にて鷹辞した。
5時間後析出した沈澱を炉過し、水洗し乾燥した。
収量1.46夕,融点305qo。{口’2″,3′ー
ジ−○ーベンゾイルーベンタ‐N−ヱトキシカルボニル
ー4″,6″一〇ーシクロヘキシリデンーカナマイシン
Bの製造。前項‘ィーで作ったペンターNーヱトキシカ
ルボニルカナマイシンBIO夕をジメチルホルムアミド
70の‘に懸濁し、パラトルェンスルホン酸をpH=3
.0以下になるまで加える。
ジ−○ーベンゾイルーベンタ‐N−ヱトキシカルボニル
ー4″,6″一〇ーシクロヘキシリデンーカナマイシン
Bの製造。前項‘ィーで作ったペンターNーヱトキシカ
ルボニルカナマイシンBIO夕をジメチルホルムアミド
70の‘に懸濁し、パラトルェンスルホン酸をpH=3
.0以下になるまで加える。
さらにシクロヘキサンジメチルケタール10の‘を加え
燈拝しつつ25qol糊時間反応せしめた。反応終了を
薄層クロマトグラフィー(シリカゲル(メルク社),展
開剤:クロロホルム;メタノール(10:1))によっ
て確認しトリメチルアミンで中和する。
燈拝しつつ25qol糊時間反応せしめた。反応終了を
薄層クロマトグラフィー(シリカゲル(メルク社),展
開剤:クロロホルム;メタノール(10:1))によっ
て確認しトリメチルアミンで中和する。
中和液を25の‘まで減圧濃縮しピリジン150の【に
溶解する。0〜5℃に冷却後塩化ペンゾィル3.9の‘
を加え3時間反応せしめる。
溶解する。0〜5℃に冷却後塩化ペンゾィル3.9の‘
を加え3時間反応せしめる。
反応は薄層クロマトグラフィーによって確認する。反応
液に水5の‘を加え室温で3び分間縄枠後濃縮し、水2
00の上に注ぎ沈澱を生ぜしめ炉取した収量12.7夕
(収率95%)。これをシリカゲルクロマトグラフィで
精製して表題化合物を得た。〔Q〕。
液に水5の‘を加え室温で3び分間縄枠後濃縮し、水2
00の上に注ぎ沈澱を生ぜしめ炉取した収量12.7夕
(収率95%)。これをシリカゲルクロマトグラフィで
精製して表題化合物を得た。〔Q〕。
十76.60(c=1,ピリジン)融点:233〜23
5qo。なおシリカゲルクロマトグラフィーによる精製
で分画される2″−○ーベンゾィル−ペンターN−エト
キシカルボニルー4′′,6′′一○ーシクロヘキシリ
デンーカナマィシンBの融点は280〜285qo(d
ec)であることが確認された。
5qo。なおシリカゲルクロマトグラフィーによる精製
で分画される2″−○ーベンゾィル−ペンターN−エト
キシカルボニルー4′′,6′′一○ーシクロヘキシリ
デンーカナマィシンBの融点は280〜285qo(d
ec)であることが確認された。
し一 2″,3′ージー○ーベンゾイルーベンタ‐Nー
エトキシカルボニル一4″,6″−○−シクロヘキシリ
デン−4一〇ーメシルーカナマイシンBの製造2″,3
′ージ−○ーベンゾイル−ペンターNターエトキシカル
ボニルー4″,6″ー0ーシクロヘキシリデンーカナマ
イシンB5夕をピリジン100の‘に溶解してから、塩
化メシル1.4の‘を加え40qoで1.虫時間灘伴反
応せしめる。
エトキシカルボニル一4″,6″−○−シクロヘキシリ
デン−4一〇ーメシルーカナマイシンBの製造2″,3
′ージ−○ーベンゾイル−ペンターNターエトキシカル
ボニルー4″,6″ー0ーシクロヘキシリデンーカナマ
イシンB5夕をピリジン100の‘に溶解してから、塩
化メシル1.4の‘を加え40qoで1.虫時間灘伴反
応せしめる。
室温まで冷却してから水5の‘を加え過剰の塩化〆Zシ
ルを分解したのち濃縮し水200の‘を加えて沈澱を生
ぜしめ炉取した。収量5.0夕(収率94%)〔Q〕。
十103.60(c=1.0,ピリジン)、融点:17
6〜179q○。元素分析値;C54日75N5024
Sとして Z実験値(%);C53.28日6
.25N5.41S2.95%計算値(%);C球.5
9日6.25N5.79S2.65%Q 3′,4′−
アンヒドロ−ペンターN−エトキ2シカルボニル−4″
,6″一〇−シクロヘキシリデンーカナマイシンBの製
造2″,3′ージ−○ーベンゾイルーベンタ一N−エト
キシカルボニルー4″,6′′一○ーシクロヘキシリデ
ン一4′一〇−メシルーカナマイシンB5夕をメタノー
ル100叫に熔解しナトリウムメチラート2.2夕を加
え室温で2時間燭拝し反応しめる。
ルを分解したのち濃縮し水200の‘を加えて沈澱を生
ぜしめ炉取した。収量5.0夕(収率94%)〔Q〕。
十103.60(c=1.0,ピリジン)、融点:17
6〜179q○。元素分析値;C54日75N5024
Sとして Z実験値(%);C53.28日6
.25N5.41S2.95%計算値(%);C球.5
9日6.25N5.79S2.65%Q 3′,4′−
アンヒドロ−ペンターN−エトキ2シカルボニル−4″
,6″一〇−シクロヘキシリデンーカナマイシンBの製
造2″,3′ージ−○ーベンゾイルーベンタ一N−エト
キシカルボニルー4″,6′′一○ーシクロヘキシリデ
ン一4′一〇−メシルーカナマイシンB5夕をメタノー
ル100叫に熔解しナトリウムメチラート2.2夕を加
え室温で2時間燭拝し反応しめる。
薄層クロマトグラフィー(シリカゲル,展開剤;四塩化
炭素;アセトン(1:1))で確認後氷冷し濃塩酸1.
25の‘で中和する。
炭素;アセトン(1:1))で確認後氷冷し濃塩酸1.
25の‘で中和する。
中和液を濃縮後、水100奴を加えて沈澱を生ぜしめ炉
収した。
収した。
収量3.5夕(収率95%)〔Q〕。十37.8o(c
=1.0,ピリジン)、融点;254〜2班℃(発泡分
解)元素分析値:C3虹63N5C,9として実験値(
%) C51.86日6.89N7.53033.67
%計算値(%) C51.69日7.02N7.730
33.55%実施例 2 ‘ィ) ペンターN一tーブトキシカルボニルカナマイ
シンBの製造カナマイシンBIO夕を水34の‘,トリ
ェチルアミン24叫,ジメチルホルムアミド48の【の
混合液に加え、tーブチル−s−(4,6ージメチルー
ピリミジンー2ーイル)一チオールカーボネート40夕
を室温で添加し1劉時間そのまま櫨拝した。
=1.0,ピリジン)、融点;254〜2班℃(発泡分
解)元素分析値:C3虹63N5C,9として実験値(
%) C51.86日6.89N7.53033.67
%計算値(%) C51.69日7.02N7.730
33.55%実施例 2 ‘ィ) ペンターN一tーブトキシカルボニルカナマイ
シンBの製造カナマイシンBIO夕を水34の‘,トリ
ェチルアミン24叫,ジメチルホルムアミド48の【の
混合液に加え、tーブチル−s−(4,6ージメチルー
ピリミジンー2ーイル)一チオールカーボネート40夕
を室温で添加し1劉時間そのまま櫨拝した。
反応液に水150泌を加え生じた結晶を炉取し酢酸エチ
ル飽和水で充分洗浄した。収量20夕(収率100%)
,融点229〜234℃(発泡分解)元素分析値 C4
3日77N502。
ル飽和水で充分洗浄した。収量20夕(収率100%)
,融点229〜234℃(発泡分解)元素分析値 C4
3日77N502。
として実験値(%) C52.61日7.86N6.9
3計算値(%) C52.47日7.90N7.12(
ロー 3,4′−アンヒドローベンタ−N−tーフトキ
シカルポニル−4″.6″一〇ーシクロヘキシリデンー
カナマイシンBの製造。前項‘ィ}で得られたペンター
N−tーブトキシカルポニルカナマイシンBIO.0夕
を、実施例1‘o},し一及び〇と同様に処理して表題
の化合物を得た。
3計算値(%) C52.47日7.90N7.12(
ロー 3,4′−アンヒドローベンタ−N−tーフトキ
シカルポニル−4″.6″一〇ーシクロヘキシリデンー
カナマイシンBの製造。前項‘ィ}で得られたペンター
N−tーブトキシカルポニルカナマイシンBIO.0夕
を、実施例1‘o},し一及び〇と同様に処理して表題
の化合物を得た。
収率80.0%〔Q〕谷十27.0(c=1.0,ピリ
ジン)、融点:232〜234℃(発泡分解)。元素分
析値 C4虹83N50.9として実験値(%) C5
6.31日7.84N6.49計算値(%) C56.
24日8.01N6.69参考例 1W 3′,4′−
エピチオーベンターNーエトキシカルボニルー4″,6
″一○ーシクロヘキシリデンーカナマィシンBの製造実
施例18で得られた3′,4′ーアンヒドローベンター
N−エトキシカルボニル−4″,6″一○−シクロヘキ
シリデンーカナマイシンB800の9をnーブタノール
40の‘に懸濁しn−ブチルキサントゲン酸カリウム1
.7夕を加え80qoで4時間反応させる。
ジン)、融点:232〜234℃(発泡分解)。元素分
析値 C4虹83N50.9として実験値(%) C5
6.31日7.84N6.49計算値(%) C56.
24日8.01N6.69参考例 1W 3′,4′−
エピチオーベンターNーエトキシカルボニルー4″,6
″一○ーシクロヘキシリデンーカナマィシンBの製造実
施例18で得られた3′,4′ーアンヒドローベンター
N−エトキシカルボニル−4″,6″一○−シクロヘキ
シリデンーカナマイシンB800の9をnーブタノール
40の‘に懸濁しn−ブチルキサントゲン酸カリウム1
.7夕を加え80qoで4時間反応させる。
反応終了後、混合物を冷却し水40の【で2回水洗後ブ
タノール層を濃縮乾固した。収量200雌、この粗生成
物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し、3,4′
ーェピチオ−ペンターNーエトキシカルボニル一4″,
6″一〇ーシクロヘキシリデンーカナマイシンBを得た
。
タノール層を濃縮乾固した。収量200雌、この粗生成
物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製し、3,4′
ーェピチオ−ペンターNーエトキシカルボニル一4″,
6″一〇ーシクロヘキシリデンーカナマイシンBを得た
。
〔Q〕。
十10.ず、(c=1,日20)、融点250一260
q0(分解)元素分析値;C3ぷ63N50,8Sとし
て実験値(%) C50.41日6.95N7.45%
計算値(%) C50.79日6.90N7.6003
.48%{o)3,4−エピチオ−ペン夕−Nーエトキ
シカルボニルー4″,6″ー0−シクロヘキシリデンー
カナマイシンBより3,4′ージデオキシ−3′,4′
ージデヒドロカナマイシンBの製造前項{ィ}で得られ
た3,4′−ェピチオ−ペン夕−N−エトキシカルボニ
ルー4″,6′′ーシクロヘキシリデンーカナマイシン
BI.15夕をメタノール12の‘に溶解し濃塩酸3の
‘を加え室温下で3時間反応せしめる。
q0(分解)元素分析値;C3ぷ63N50,8Sとし
て実験値(%) C50.41日6.95N7.45%
計算値(%) C50.79日6.90N7.6003
.48%{o)3,4−エピチオ−ペン夕−Nーエトキ
シカルボニルー4″,6″ー0−シクロヘキシリデンー
カナマイシンBより3,4′ージデオキシ−3′,4′
ージデヒドロカナマイシンBの製造前項{ィ}で得られ
た3,4′−ェピチオ−ペン夕−N−エトキシカルボニ
ルー4″,6′′ーシクロヘキシリデンーカナマイシン
BI.15夕をメタノール12の‘に溶解し濃塩酸3の
‘を加え室温下で3時間反応せしめる。
反応物を濃縮乾固して水18の‘‘こ溶解しIN−苛性
ソーダ2.5の‘でpH6.5に調整する。アンバーラ
イトCG5。(NH4)20凧‘に吸着し水洗後さらに
0.1N−アンモニァ水で予洗してから0.洲−アンモ
ニア水で港雛する。溶雛液を字農縮乾固すると3′,4
ージデオキシー3,4′−ジデヒドロカナマイシンB(
3,4′−ジデオキシー3−ヱノカナマイシンB)19
物9が得られた。mP し一 3′,4′−ジデオキシカナマィシンBの製法前
項【ローで得られた3′,4′−ジデオキシ−3,4−
ジデヒドローカナマイシンBの120雌を水4の‘に溶
かし、これにラネーニッケル0.2私に加え水素を常温
常圧で2時間通じた。
ソーダ2.5の‘でpH6.5に調整する。アンバーラ
イトCG5。(NH4)20凧‘に吸着し水洗後さらに
0.1N−アンモニァ水で予洗してから0.洲−アンモ
ニア水で港雛する。溶雛液を字農縮乾固すると3′,4
ージデオキシー3,4′−ジデヒドロカナマイシンB(
3,4′−ジデオキシー3−ヱノカナマイシンB)19
物9が得られた。mP し一 3′,4′−ジデオキシカナマィシンBの製法前
項【ローで得られた3′,4′−ジデオキシ−3,4−
ジデヒドローカナマイシンBの120雌を水4の‘に溶
かし、これにラネーニッケル0.2私に加え水素を常温
常圧で2時間通じた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 下記の一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Rは水素原子、アルキル基又はアリール基表わ
し、Zは式▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでP,P′はそれぞれ水素原子、アルキル基又は
アリール基を示す)で示される基又はシクロヘキシリデ
ン基又はテトラヒドロピラニリデン基を表わし、Xは水
素原子又はアルカロイル基,アロイル基又はアラルキル
基を表わし、Yはアルカロイル基、アロイル基又はアラ
ルキル基を表わしMsはメシル基を示す〕で表わされる
4′−O−メシルカナマイシンB保護誘導体を金属アル
コラートで処理して3′,4′−エポキシ化することを
特徴とする、下記の一般式;▲数式、化学式、表等があ
ります▼ 〔式中R及びZは前記と同意義である〕で表わされるカ
ナマイシンB新規誘導体の製造法。 2 次の一般式; ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Rは水素原子、アルキル基又はアリール基を表
わしZは式▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでP,P′はそれぞれ水素原子、アルキル基又は
アリール基を示す)で示される基又はシクロヘキシリデ
ン基又はテトラヒドロピラニリデン基を表わす〕で表わ
されるカナマイシンB保護誘導体をヒドロキシル保護基
導入剤で処理して2″−ヒドロキシル基を、また場合に
よつては3′−ヒドロキシル基も保護し下記の一般式;
▲数式、化学式、表等があります▼〔式中、R及びZは
前記と同意義を有し、Xは水素原子又はアルカロイル基
,アロイル基又はアラルキル基を示し、Yはアルカロイ
ル基、アロイル基又はアラルキル基を示す)で表わされ
る3′2″,4″,6″−ヒドロキシル保護誘導体又は
2″,4″,6″−ヒドロキシル保護誘導体を得て、こ
れを4′位メシル化して下記の一般式;▲数式、化学式
、表等があります▼ 〔式中、R,X,Y及びZは前記と同じ意義を有し、M
sはメシル基を表わす〕の化合物を生成し、この化合物
を次いで金属アルコラートで処理して3′,4′−エポ
キシ化することを特徴とする下記の一般式;▲数式、化
学式、表等があります▼ 〔式中、R及びZは前記と同意義を有する〕で表わされ
るカナマイシンB新規誘導体の製造法。
Priority Applications (20)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14593075A JPS6029718B2 (ja) | 1975-12-09 | 1975-12-09 | カナマイシンb新規誘導体の製造法 |
GB49033/76A GB1537905A (en) | 1975-12-09 | 1976-11-24 | Processes for the preparation of 3',4'-dideoxykanamycin b |
DE2654764A DE2654764C3 (de) | 1975-12-09 | 1976-12-03 | Verfahren zur Herstellung von 3', 4'-Didesoxykanamycin B und als Zwischenprodukte erhaltene Kanamycin B-Derivate |
CA267,236A CA1076564A (en) | 1975-12-09 | 1976-12-06 | Processes for the preparation of 3',4'-dideoxykanamycin b |
FR7637815A FR2334690A1 (fr) | 1975-12-09 | 1976-12-08 | Procede de preparation de la 3',4'-didesoxykanamycine b |
YU2998/76A YU41293B (en) | 1975-12-09 | 1976-12-09 | Process for the producing of 3,4-dideoxy-kanamycin b |
ES454113A ES454113A1 (es) | 1975-12-09 | 1976-12-09 | Un procedimiento para la preparacion de 3',4'-dideoxicanami-cina, o sus sales de adicion de acidos. |
NL7613691A NL7613691A (nl) | 1975-12-09 | 1976-12-09 | Werkwijze voor het bereiden van 3',4'-dideoxy- kanamycine b. |
DK554176A DK159788C (da) | 1975-12-09 | 1976-12-09 | Fremgangsmaade til fremstilling af 3',4'-dideoxykanamycin b og beskyttede kanamycin b-derivater til anvendelse som udgangsmateriale ved fremgangsmaaden |
BE173121A BE849244A (fr) | 1975-12-09 | 1976-12-09 | Nouveaux procedes de preparations de la 3',4'-didesoxykanamycine b. |
ES465741A ES465741A1 (es) | 1975-12-09 | 1978-01-03 | Un procedimiento para la preparacion de 3',4'-didesoxikana- micina b o sus sales de adicion de acidos. |
US05/880,401 US4195170A (en) | 1975-12-09 | 1978-02-23 | 3',4'-Episulfido kanamycin B compounds |
CA337,674A CA1076568A (en) | 1975-12-09 | 1979-10-16 | Processes for the preparation of 3',4'-dideoxykanamycin b |
CA337,673A CA1076567A (en) | 1975-12-09 | 1979-10-16 | Processes for the preparation of 3',4'-dideoxykanamycin b |
CA337,671A CA1076565A (en) | 1975-12-09 | 1979-10-16 | Processes for the preparation of 3',4'-dideoxykanamycin b |
CA337,672A CA1076566A (en) | 1975-12-09 | 1979-10-16 | Processes for the preparation of 3',4'-dideoxykanamycin b |
US06/187,014 US4357465A (en) | 1975-12-09 | 1980-09-15 | 3',4'-Diedeoxykanamycin B derivatives |
YU1461/85A YU42626B (en) | 1975-12-09 | 1985-09-16 | Process for making 3',4'-dideoxykanamycine b |
YU1460/85A YU42625B (en) | 1975-12-09 | 1985-09-16 | Process for making 3',4'-dideoxicanamycine b |
DK126390A DK160615C (da) | 1975-12-09 | 1990-05-22 | 3',4'-dideoxy-3'-eno- og 3',4'-episulfidokanamycin b-derivater til anvendelse som mellemprodukter og fremgangsmaade til fremstilling deraf |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14593075A JPS6029718B2 (ja) | 1975-12-09 | 1975-12-09 | カナマイシンb新規誘導体の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5271478A JPS5271478A (en) | 1977-06-14 |
JPS6029718B2 true JPS6029718B2 (ja) | 1985-07-12 |
Family
ID=15396355
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14593075A Expired JPS6029718B2 (ja) | 1975-12-09 | 1975-12-09 | カナマイシンb新規誘導体の製造法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6029718B2 (ja) |
BE (1) | BE849244A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0584522U (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-16 | 允久 小川 | 自動車の車体保護カバー |
-
1975
- 1975-12-09 JP JP14593075A patent/JPS6029718B2/ja not_active Expired
-
1976
- 1976-12-09 BE BE173121A patent/BE849244A/fr not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0584522U (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-16 | 允久 小川 | 自動車の車体保護カバー |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5271478A (en) | 1977-06-14 |
BE849244A (fr) | 1977-06-09 |
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