JPS6029106B2 - 光電導性絶縁要素 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はポリフェニル系光導電体に関する。

より具体的には、本発明は、ｐ−テルフェニルとより高
度なｐーポリフェニル（例、ｐ−クアテルフェニル）と
からなる共結晶性の（ｃｏ−ｃひｓｏｉｌｉｎｅ）光導
電体、ならびにかかる共結晶性物質を含有する光電導性
不均一絶縁要素に関する。

電子写真要素の製造には各種の光電導性絶縁材料が使用
されてきた。

たとえば、セレンまたはセレン合金を適当な支持体に蒸
着したもの、或いは光電導性の酸化亜鉛の粒子をフィル
ム形成性のある樹脂結合剤中に分散させたものは、今日
の複写機に広範に利用されている。電子写真が考え出さ
れて以釆、莫大な数の有機化合物がその光電導的性質に
ついて検討され直した。

その結果、非常に多くの有機化合物が或る程度の光電導
性を有していることを示した。また、多くの有機化合物
は有用水準の光電導を示すので、これを電子写真要素の
中の光電導性絶縁層に含有させて使用することが行われ
てきた。有機光導電体を使用した光電導性絶縁層では、
光導電体は、高重合体でない限り、フィルム形成性の結
合剤中に分布させるのが普通である。

代表的な結合剤は、フェノール樹脂、ケトン樹脂、アク
リルェステル樹脂、ポリスチレンなどの絶縁耐力がかな
り高い重合体材料である。光導電体は結合剤と共に共通
溶媒にとかして均一な光電導性組成物を調製する場合も
ある。別法としては、光導電体を結合剤の溶液中に４・
粒子状で分散させて、不均一な光電導層を調製してもよ
い。当業界で公知の有機光導電体には、ｐーテルフェニ
ル、ｐ−クアテルフェニルおよびそれ以上の高度なｐ−
ポリフェニル類がある。

これらの化合物は特に色、重量、安定性などの点で有利
である。しかし、不均一形態で使用される他の有機光導
電体と同様に、上記のｐーポリフェニル光導電体を含有
する光電導性絶縁層は、酸化亜鉛のような無機光導電体
を使用した光電導性絶縁層のようには普及しなかった。
その原因は、これらの光導電体の光電導性の低さか、高
価格のいずれかにあろう。Ｐ−テルフェニルを結合剤中
に分散させて光電導性絶縁層を形成すると、得られた絶
縁層の光電導性は、ｐ−クアテルフェニルの分散物を含
有する同様な層より低くなる。

しかし、両者の中でｐーテルフェニルの方がはるかに安
価である。ただし、結合剤中にｐーテルフェニルとｐー
クアテルフェニルの単純混合物を含有する層は、米国特
許第３２８７１２３に開示するように、よくても混合物
中の各光導電体の比率に基し、た重量平均の光電導性し
か示さない。実際、ｐークアテルフェニルの量が混合物
の約１の重量％より少ないときには、ｐ−クァテルフェ
ニルのもつより高い光電導性を与える能力がまったく発
揮されないようである。本発明によれば、ｐ−テルフェ
ニルをｐ−クアテルフェニルのようなより高度のｐ−ポ
リフェニルと共結晶化させた粒子を電気絶縁性結合剤中
に分散させて含有する不均一な光電導性絶縁層を含有す
る光電導性絶縁要素と、共結晶性光導電体の好ましい製
法が提供される。明細書の以下の部分では、記述を簡単
にするために、ｐークアテルフェニルという用語のみを
使用したが、この用語はｐーベンタフエニル、ｐ−へキ
サフエニルなどの他のより高度なｐーボリフェノール類
を包含するものである。共結晶化したｐ−テルフェニル
とｐークアテルフェニル（上記の定義の通り）は、予想
外にも、その他の点では同一のｐーテルフヱニルとｐー
クァテルフェニルの単純混合物より高い光電導性“スピ
ード”を示す。

上記の英結晶性有機光導電体の好ましい製法によると、
（ａ）予じめ決めた量のｐーテルフェニルとＰ−クアテ
ルフヱニルを共通溶媒に溶解させて溶液を形成し、【Ｗ
溶解した物質を溶液から共結晶化させて、目的とする共
結晶性光導電体を形成するという工程からなる方法が提
供される。

共結晶化の非常に好ましい方法は、上記溶液から溶媒を
実質的に全部蒸発させることであるが、単純な冷却でも
所期の結果を生じよう。ｐ−テルフエニルやｐークアテ
ルフエニルなどのｐーポリフェニル化合物は周知の有機
光導電体である。

この両者を単に物理的に混合した後、絶縁結合剤中に分
散させた場合には、得られた組成物の光電導性は混合物
中の各化合物の比率に応じた平均値となろう。ｐーテル
フェニルとｐークアテルフェニルとを共結晶化させたも
のからなる光導電体は、同じ比率のｐ−テルフェニルと
ｐークアテルフェニルの単純混合物に比べて著しく高い
光電導性を示すことがここに判明した。本発明の共結晶
性の有機光導電体の粒子を電気絶縁性の結合剤中に分散
させると、得られた不均一な光導電性層は、同じｐーテ
ルフェニルとｐ−クアテルフェニルの単純混合物を含有
するそれ以外では同一の不均一組成物より大きな光電導
スピードを示す。本発明の共結晶性光導重体は固有のＸ
線回折図を示すのでその同定が可能である。

すなわち、共結晶性のｐーテルフェニル／ｐークアテル
フェニルの回折図は、ｐーテルフェニル単独のＸ線図と
も異なるし、またｐ−テルフェニルと他の光導電体（例
、ｐークアテルフェニル）との単純混合物のＸ線図とも
異なる。たとえば、１５重量％までのＰークアテルフェ
ニルと共結晶化させたｐ−テル・フェニルについての（
１１２）極大（ｄ間隔の実測値で３．１８Ａ、また銅照
射プラッグ角２０で約２８ｏに相当する）の回折ピーク
の幅は、純テルフェニルまたはｐーテルフエニルとｐ−
クアテルフエニルの混合物の対応する（１１２）ピーク
の幅より広いことが認められた。ピーク幅の測定は、（
１１２）ピークの半値幅、すなわちピークの半分の強度
における幅で行なった。上で利用した（１１２）または
３．１８△のピークは、ｐーテルフェニルについて決定
された単斜晶系単位格子（米国、ペンシルバニア州の粉
末回折基準についての共同委員会により１９７６王に出
版された粉末回折法ファイル・サーチ・マニュアル・特
にデータ・カード２２−１８＄参照）に特有なものであ
る。

Ｘ線回折図はどの慣用法によっても測定できる。

ここで用いた特に有用な方法は、試験物質の空気粉砕し
た試料の圧縮ディスクを用いて、ブラッグ角２のこ対す
る強度または計数量のＸ線回折図を形成していく方式の
ものであった。実際には、まず２インチのＳｔｍＰｖｅ
ｎｔミクロナイザーを用いて試料を空気粉砕して微粉末
にし、この粉末を約１１０００ｐｓｉ（７７０ｋ９／地
）の圧力下で圧縮しておよそ１．仇肋（０．０４２イン
チ）の厚さのディスク形試料の回折図を、１／２ｏ発散
と０．２肋検出器スリットを有し、シンチレーションカ
ウンターを備えたシーメンス社製Ｘ線回折計で測定した
。使用したＸ線は、波長が１．５４１８△の銅ＫＱ線で
あった。或る試料について適当なＸ線図を作製した後、
（１１２）ピークの半値幅をブラッグ角度（２８）の単
位で測定した。この方法で得た結果は後出の第１表に示
してある。シーメンス回折計による分析を行う際に留意
すべき点は、試料ディスクの厚みが（１１２）ピーク幅
の実測値に影響を与えることがあるということである。

したがって、最良の比較をなすためには、すべての試験
ディスクの厚みをできるだけ均一にするのがよい。本発
明の光導電体の製造には、さまざまな濃度水準のｐ−ク
アテルフェニルをｐーテルフェニルに共結晶化させるこ
とができる。

ｐーテルフェニルに１〜１５重量％のｐ−クアテルフェ
ニルを共結晶化させたもので有用な光電導スピードが得
られるが、これより多量または少量のｐ−クアテルフェ
ニルも使用できる。ｐ−クアテルフヱニルは共結晶化光
導電体中のｐ−ポリフェニル類の合計量に基いて２〜５
重量％の水準であるのが好ましい。本発明はまた、ｐー
テルフェニルに上記のようにｐ−クアテルフェニルを混
入（共結晶化）することによりｐーテルフェニルの光電
導スピードを向上させる方法も包含している。

ｐーテルフェニルのスピードを、これにアントラセン、
１・１・４・４ーテトラフヱニルブタジェンなどの他の
有機光導電体を共結晶化させて向上させようとする試み
は失敗に終っており、純ｐ−テルフェニルに比べて得ら
れた物質のスピードの方が低下する結果になっていた（
後世の第３表参照）。本発明の共結晶性有機光導電体は
、ｐ−テルフヱニルとｐ−クアテルフェニルを共通溶媒
にとかした溶液を蒸発させることによって生成させるこ
とができる。

この方法を実施するのに好適な溶媒にはトルェン、キシ
レンなどがある。好ましい溶媒としては、酢酸、アセト
ン、酢酸エチル、酢酸ブチル、２−プロパノール、これ
らの混合物などがある。溶媒の選択は、当然のことなが
ち、その溶媒がｐークアテルフェニルとｐ−テルフェニ
ルの両方に対して共通溶媒として作用しうろことが前提
条件となっている。溶媒の蒸発処理中に溶液の液面上に
空気のような不活性気体を通すのが望ましいご場合によ
っては、溶液の完全な蒸発乾圏が好ましし・こともある
。そのような場合には、あまり高くない温度で長時間、
たとえば２４時間またはそれ以上の加熱を行うこともで
きる。同時に残澄に真空を適用して乾燥を助けてもよい
。溢または熱溶液を室温に冷却して、その後共結晶性の
残澄を炉週により残澄から分離するという方法も、本発
明の共結晶性光導電体を得るのに有効である。本発明の
共結晶性有機光導電体は、その後電気絶縁性の結合剤中
に分散させて、光電導性不均一絶縁層の形成に利用でき
る。

得られた層は、電気伝導性支持体、特に電導性紙支持体
に被覆されているのが非常に望ましい。このような光電
導性不均一絶縁層には化学および光学増感剤を存在させ
ることができる。

光学増感剤は、主に、光導電体にその固有の感度領域の
範囲外のスペクトル領域にも感光性を持たせるようにす
るためのものである。化学増感剤は主に、その光導電体
の固有感度のスペクトル領域および光学増感の結果とし
て感光性となった領域（光学増感した場合）における感
光性を高める作用をする。代表的な化学増感剤には、ク
ロレンデート（ｃｈｉｏｒｅｎｄａに）系の１価側鎖基
を有する重合体型増感剤（ポリビニルクロレンデートな
ど）；へキサクロルシクロベンテン化学増感剤とニトロ
セルロースとの混合物：ならびに２・３・６ートリクロ
ルキノキサリンなどのキノキサリンおよびハロゲン化キ
ノキサリンとニトロセルロースとの混合物がある。

その他の化学増感剤としては、鉱酸；カルボン酸（例、
マレィン酸、ジおよびトリクロル酢酸、サリチル酸）；
スルホン酸およびリン酸類：ならびに電子受容体型化合
物、たとえば日．Ｈｏｅｇｌ、Ｊ．Ｐｈ＄．Ｃｈｅｍ．
、６９、Ｎｏ．３、７５５〜７６６（１９６５．３）お
よび米国特許３２３２７５５に記載のものがある。光学
増感剤は、多様な物質、たとえばチアピリリウムおよび
セレナピリリウム染料塩を含むピリリゥム染料塩；ペン
ゾピリリウム型増感剤；或いはシアニン、メロシアニン
もしくはアザシアニン染料から選ぶことができる。

本発明の光電導性絶縁層に用いるのに通した光学増感剤
には、ベンゾピリリウム染料カチオンの４一（チアフラ
ビリジルメチレン）フラビリウムおよび／またはシアニ
ン染料カチオンの１・３−ジェチル−２一〔２−（２・
３・４・５−テトラフヱニルー３−ピロリル）ピニル〕
一ＩＨーイミダゾ〔４．・５−ｂ〕キノキサリニウムが
ある。本発明の光電導性絶縁層への化学増感剤の浸入量
は、通常は共結晶性光導電体の０．１〜１の重量％であ
る。

光学増感剤は通常この層に光導電体の０．００１〜０．
１重量％の量で存在させる。使用量はこれより広範囲で
もよい。本発明の不均一系光電導性層に使用する有用な
結合剤は、絶縁耐力がかなり高く、良好な電気絶縁性フ
ィルム形成能を有するポリマー物質である。

このようなポリマ−の例には、スチレンーフタジェンコ
ポリマー：シリコーン樹脂；ポリ塩化ビニル；ポリ塩化
ビニリデン；塩化ビニリデン−アクリロニトリルコポリ
マー；ポリビニルアセタール、たとえばポリビニルブチ
ラール；ポリアクリルおよびメタクリルエステル、たと
えばポリメチルメタクリレート、ポリ（ｎ−ブチルメタ
クリレート）、ポリ（イソブチルメタクリレート）など
；ポリスチレン；ニトロ化ポリスチレン；ポリメチルス
チレン；イソブチレンポリマ−；ポリエステル、たとえ
ばポリ（エチレンアルカリールオキシアルキレンテレフ
タレート）；フェノールーホルムアルデヒド樹脂；ケト
ン樹脂；ポリアミド；ポリカ−ボネートなどがある。好
ましい結合剤はニトロセルロースである。

窒素含有量が１１．５〜１３％のニトロセルロースが好
ましい。ニトロセルロース結合剤は、有機光導電体に対
する溶媒作用をほとんど或いはまったく有しない溶媒混
合物中に可溶性であるのがよい。アルコール可溶性のニ
トロセルロースが好適である。本発明の実施に非常に好
適に用いられる結合剤としては、ポリアクリレート：ポ
リメタクリレート；ボリメチルおよびボリヱチルメタク
リレートなどを初めとするポリアルキルメタクリレート
；ポリメチルおよびポリエチルアクリレートなどを初め
とするボリアルキルアクリレート：ポリアクリル酸；ポ
リメタクリル酸：ポリアルキルァクリル酸；なるびにポ
リアルキルメタクリル酸のようなアクリルポリマーがあ
る。アクリル系結合剤は、入手が容易で耐摩耗性（硬度
）がある点で望ましい。また、上記のアクリルポリマー
は、そのホモポリマ−のほかに、他のアクリルポリマー
または別タイプのポリマーとのコポリマーとしても使用
できる。特に好ましいポリマーは、アクリレートとアク
リル酸またはアルキルアクリル酸とのコポリマー、たと
えばメチルメタクリレートとメタクリル酸またはアクリ
ル酸とのコポリマーである。つや消剤を本発明の光電導
性絶縁層に混入するのも有利である。

つや消剤は、英結晶性光導電体を用いて製造した層に生
じやすい光沢を防止する傾向を有している。これにより
、紙支持体を用いた場合の本発明の電子写真要素の特徴
となりうる“プレーン・ペーパー（ｐｌａｉｎｐａｐｅ
ｒ）”の外観と感触が高まる。つや消剤は、このような
層が層上にマークされた情報を受け取る能力もまた向上
させることができる。つや消剤は、電子写真の像形成に
影響を与える帯電性、電荷保持熊その他のパラメータの
妨げとならないように電気的に不活性で疎水性であるの
が好ましい。メタクリレートおよびポリエチレンのビー
ズは有用なつや消剤である。ケイ素含有材料は米国特許
第３６５２２７１号につや消剤と記されている。特に好
ましいケイ素基材つや消剤は、超微粉（ｆ山ｍｅｄ）二
酸化ケイ素のような無機酸化物顔料を、シランのような
有機化合物と反応させて、この二酸化ケイ素鎖にもとも
と存在するヒドロキシル基をヒドロカルビルシリルその
他の疎水性基で置換することにより疎水性となるように
化学的に変性したものである。二酸化チタンや酸化アル
ミニウムならびに粘土のような他の無機顔料も同様にシ
ランとの反応により変性させて、有用なつや消剤とする
ことができる。つや消剤は、所望の表面組織を与えるよ
うに広範な粒度と濃度で使用することができる。本発明
の光電導性不均一絶縁層の製造は、目的とする被覆組成
物中に混入すべき結合剤およびその他の成分（例、光学
増感剤、つや消剤、など）を含有する溶液中に、所望粒
度の英結晶性光導電体を単に分散させることにより行う
ことができる。

粒子状の共結晶性光導電体を添加した後、得られた被覆
組成物を通常は損梓その他でよく混合して、分散液の適
当な均一性を保っておく。ここで用いる共結晶性光導電
体は、最大粒径が０．１〜２０ミクロンであるのが望ま
しい。０．１〜１０ミクロンの粒径が好ましい。

本発明の光電導性絶縁層において、光導電体は層の少な
くとも４の重量％の量で存在させるのが望ましく、上限
は９５重量％またはそれ以上になってもよい。

一般に、結合剤は、層内の粒子間ならびに層が支持体上
に設けられているときは層と支持体の間の接着に必要な
量だけ存在していればよい。好適態様においては、光導
電体と増感剤およびつや消剤とで光電導性絶縁層の乾燥
重量の７０〜９０％を占めている。共結晶性光導電体、
結合剤およびこの結合剤の溶媒からなる被覆組成物は、
自己支持性の部村に成形することもできるし、或いは電
気伝導性支持体上に塗布して電子写真要素を形成するこ
ともできる。

被覆組成物の固形分は２０〜４の重量％の範囲内が望ま
しい。押出ホツパーコーティングを利用する場合には、
被覆組成物の最も有用な固形分含有量は通常２０〜３の
重量％である。ドクターブレード・コーティングでは３
０〜４の重量％の固形分が好ましい。使用条件によって
はさらに広い範囲も適当であろう。被覆組成物の製造に
あたっては、最適の粘度、溶媒除去の容易さなどを与え
るように混合溶媒を使用するのが望ましいこともある。
アセトニトリルとメタノールの混合溶媒がその例である
。光電導性絶縁層は、乾いたときに１０〜２５ミクロン
の厚みとなるように支持体に塗布されるのが普通である
。

支持体１でにつき約２．０〜１５夕の光導電体の被覆が
利用されることが多い。電子写真要素では、上記の共結
晶性光導電体を含有する光電導性層のほかにさらに１ま
たは２以上の光電導性絶縁層を含有させるのが望ましい
こともある。

このような場合、数層の光電導性層は通常は隣り合わせ
に配置されて、いわゆる“複合”層を形成している。こ
のような配列では、複合体の１枚の光電導層が電荷発生
層として機能し、隣接した光電導層は電荷伝達層として
機能することが一般に認められている。たとえば、本発
明の共結晶性光導電体層に隣接した１枚の光電導層にｐ
−クアテルフェニルを使用することができる。ｐークア
テルフェニル層は最も外側の光源に一番近い層とするの
が好ましい。ｐークアテルフェニル層と共結晶性光導電
層とを含有するような複合層は、照射面に加えられる電
荷の樋性の正負にかかわらず有用である。本発明の光電
導性層を塗布することのできる好適な支持体は、多様な
電気伝導性支持体から選ぶことができ、たとえば、紙（
約２０％以上の相対湿度で）；アルミニウム一紙ラミネ
ート；アルミ箔、亜鉛箔などの金属箔；アルミニウム、
銅、亜鉛、真ちゆう、メッキ板などの金属板；銀、ニッ
ケル、アルミニウムなどの蒸着層；紙またはアセチルセ
ルロース、ポリスチレン、ポリエステルなどの写真フィ
ルム基村に保護サ−メットと混和した電気伝導性金属（
たとえば、Ｓｊ○と混合したＣｒ）を塗布したものでよ
い。

ニッケルのような導電性金属は、透明フィルムの支持体
に非常に薄い層となるように真空蒸着すると、これで製
造した電子写真要素が両面から露光できるものとなる。
特に有用な導電性支持体は、半導体を樹脂に分散させた
導電層をポリエチレンテレフタレートのような支持体材
料に塗布することによって調製できる。また、好適な導
電性塗膜は、無水マレィン酸のカルボキシェステルラク
トンのナトリウム塩と酢酸ビニルポリマーからも調製で
きる。本発明の光電導性絶縁層は、光電導性層を必要と
する周知の電子写真プロセスのどれにも有用な電子写真
要素に使用することができる。ここに記載した電子写真
要素は、上記のように液体環境中で現像することができ
るので、要素の非光電導性の面、すなわち、光電導性層
が設けられている側と反対側の支持体表面には、いわゆ
る溶剤反発（ｈｏｌｄ−ｏｕｔ）層のオーバーコートを
設けることができる。

１または２以上のこの層は、現像中に溶剤または液体キ
ャリア‐が支持体に浸透するのを減少または排除する作
用を果す。

代表的な反発層は、顔料、顔料分散剤、粘度、ラテツク
ス（例、スチレン−ブタジェンラテツクス）、ポリピニ
ルアルコールなどを所期の結果を生ずるようにさまざま
の割合で含有することができる。ここに述べたような電
子写真要素または層の光電導性応答を表示するための日
およびＤ電気スピードは次のようにして測定できる。試
験材料に、たとえばコロナ電源により、電位計の端子（
プローブ）で測定して普通には１００〜６００ボルトの
間の適当な初期電位値Ｖｏに達するまで、静電気を帯電
させる。帯電した要素をその後階段状密度グレィ・スケ
ール（ｇａｙｓｃａｌｅ）を通して３００びＫのタング
ステン光源または５７５びＫのキセノン光源に露光する
。露光の結果、グレィ・スケールの各階段下の要素の表
面電位は初期電位Ｖｏからや）低い電位Ｖへと低下が起
る。その正確な低下量は、表面が受光した露光量（メー
ター−燭光−秒）に応ずる。この測定結果を表面電位Ｖ
と各階段の露光量の対数のグラフにプロットすると、電
気的な特性曲線が形成される。光電導性層の電気的また
は電子写真的スピードは、表面電位を初期値Ｖｏから一
定の値（普通は１／２Ｖｏ）まで低下させるのに要する
露光量（単位はメーター−燭光−秒）の逆数として表わ
すことができる。光電導性層の電子写真スピードの測定
に使用できる装置は、Ｒｏｂｉｎｓｏｎ他の米国特許３
４４９６５８に記載されている。

上記の方法は以下の実施例でも採用した。以下、実施例
により本発明を具体的に説明する。実施例 １ 熱トルェン４５０の‘にとかしたシンチレーション級ｐ
−テルフェニル１０２１こ下記のいずれかを添加した。

蜘 無添加；脚 熱トルヱン４５０の‘にとかしたｐー
クアテルフヱニル〇．２夕（ｐ−テルフヱニルの重量の
２％）； に’熱トルェン１４００の‘にとかしたｐークアテルフ
エニル〇．５夕（ｐ−テルフェニルの重量の５％）： ○｝ ｐークアテルフェニル１．０夕を溶液とするのに
必要なだけの熱トルェンにとかしたもの；【Ｅ’ ｐ−
クアテルフェニル１．５夕を溶液とするのに必要なだけ
の熱トルェンにとかしたもの。

得られたＡ〜Ｅの各溶液は、完全な溶液が形成されるま
で蝿拝した。その後、各液面上に空気を送って、溶媒を
実質的に全部蒸発させた。この条件下で、全部の溶液か
ら晶析が起った。各溶液からの結晶性残債をその後真空
下で６０ｑｏに２岬時間加熱して、残留溶媒を除去した
。肘 別に、溶媒を用いずに、ｐーテルフェニル１０夕
とｐ−クアテルフェニル０．５夕とを混合しただけの混
合物も用意した。

Ａ〜Ｅの結晶性残澄については、前出のシーメンス回折
計を用いた方法により（１１２）ピークの半値幅を測定
するためにＸ線回折分析を行った。

結果を次の第１表に示す。第１表 第１表は本発明の共結晶性光導電体に特有な（１１２）
ピーク幅の増大を示している。

シーメンス回折計では、１％のｐ−クアテルフヱニルを
ｐ−テルフェニルに共結晶化させたものについては（１
１２）ピーク幅の増大が認められなかった。しかし、ギ
ニアカメラを使用すれば、このような材料についても（
１１２）ピーク幅の増大が観測された。Ａの残糟から２
．０夕、Ｂの残造から２．０２夕、Ｃの銭澄から２．０
５夕およびＦの混合物からは２．０５夕の各試料をとっ
て、これにニトロセルロース０．７１５夕（ＲＳタイプ
、１′４秒、ＨｅｒｃｕｌｅｓＰｏｗｄｅｒＣｏ．製、
ィソブロパノール中の７０％固形分の状態のもの）、２
・３・６ートリクロルキノキサリン（化学増感剤）２０
のｏ、および４一（チアフラビリジルメチル）−フラビ
リウムクロリド０．００３夕をメタノール１２０の‘に
とかした染料溶液（光学増感剤）８の‘を添加した。

得られた各組成物を、３側のステンレス鋼球２０夕が入
っているねじぶた式のびんに入れ、往復式ペイント・シ
ェーカーで２時間粉砕処理した。

得られた分散液を、真空蒸着したニッケルの導電層を設
けたポリエステル支持体に、湿潤厚さで約０．１脚の厚
みに塗布し、乾燥して電子写真要素を形成した。Ａ、Ｂ
、ＣおよびＦの各要素の試料を３００ボルト（正電荷）
に荷電した後、３００ぴＫタングステン光源に露光した
。露光は露光部分の電位が十１５０ボルトまで放電され
るまで行った。Ａから形成された要素の相対電気スピー
ドを任意に１００として、これに対するＢ、ＣおよびＦ
のスピードを測定した。結果を次の第ＩＡ表にまとめる
。第ＩＡ表 上の第ＩＡ表の結果は、本発明による共結晶性ｐ−ポリ
フェニル光導電体の有効性を示している。

実施例 ２ 酢酸とトルェンをそれぞれ別個に晶析溶媒として使用し
て、ｐ−テルフェニルを２％のｐークアテルフェニルと
共結晶化させた共結晶性光導電体を調製した。

得られた共結晶性ｐ−ポリフェニル光導電体を実施例１
と同様の方法で不均一光導電性層に形成し、光電導スピ
ードを、ｐ−クアテルフェニルを存在させないで１００
％ｐーテルフェニルから形成した点を除けばまったく同
一の対照用光導電性層のスピードを１００として相対評
価した。トルェンから英結晶化させた光導電体を含有す
る層の相対スピードは１３５で；酢酸から共結晶化させ
た光導電体を含有する層のスピードは１８２であった。
実施例 ３ 実施例１のＡ、ＢおよびＣから実施例１と同様に分散液
を調製したが、ただし２・３・６−トリクロルキノキサ
リンとステンレス鋼球粉砕媒体の代りに、ポリビニルク
ロレンデート化学増感剤（５０．６％ＣＩ）２０の９と
２．５柳の酸化ジルコニウム粉砕媒体２０夕をそれぞれ
使用した。

さらに、この同じ代替材料を用いてｐ−クアテルフェニ
ル単独の相当する分散液も調製した。得られた各分散液
を用いて、実施例１と同様に電子写真要素を形成し、試
験した。結果を次の第２表にまとめる。第２表 実施例 ４ ｐーテルフェニルに共結晶化させたｐークアテルフェニ
ルの有用な電子写真特性が予期されないものであること
を例示するために、Ｐ−テルフェニルの試料９．８夕を
下記の第３表に列挙したいずれかの材料（光導電体）０
．２夕と共結晶化させた。

得られた共結晶性材料とｐ−テルフェニル単独とを実施
例３のようにしてそれぞれ電子写真要素に調製した。

対照試料として１００％テルフェニルの要素を使用して
（そのスピードを１００として）、各要素の電気・Ｈ＆
Ｄスピードの測定を行なった。結果を次の第３表にまと
める。第３表 以上にはｐーテルフェニルをｐ−クアテルフェニルと共
結晶化させた光導電体で具体的に説明してきたが、ｐー
テルフエニルはｐーベンタフエニルやｐーセキシフエニ
ル（ｐ−へキサフエニル）などのより高度のポリフェニ
ルと共結晶化させた場合にも、同じ成分の単純混合物と
比べて高い光電導スピードを示す共結晶性光導電体を得
ることができる。

４〜８個のフェニル基がｐ−位置で結合してつながった
ｐーポリフェニル類がこの方法に使用できる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 電気伝導性支持体と；この支持体上に設けられた、
   結合剤中に分散された状態の有機光導電体の粒子を含有
   する光電導性絶縁層とを有する光電導性絶縁要素であつ
   て：該有機光導電体がｐ−テルフエニルにｐ−クアテル
   フエニルまたはより高度はｐ−ポリフエニルを共結晶化
   させた光導電体であることを特徴とする光電導性絶縁要
   素。 ２ 該有機光導電体がｐ−クアテルフエニルを共結晶化
   させたｐ−テルフエニルである特許請求の範囲第１項記
   載の光電導性絶縁要素。 ３ ｐ−クアテルフエニルの量がｐ−テルフエニルの重
   量に基いて１〜１５重量％である特許請求の範囲第２項
   記載の光電導性絶縁要素。 ４ ｐ−クアテルフエニルの量がｐ−テルフエニルの重
   量に基いて２〜５重量％である特許請求の範囲第３項記
   載の光電導性絶縁要素。 ５ 該支持体が紙支持体である特許請求の範囲第３項記
   載の光電導性絶縁要素。