JPS6027173A - 電界効果トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents

電界効果トランジスタおよびその製造方法

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JPS6027173A
JPS6027173A JP58135367A JP13536783A JPS6027173A JP S6027173 A JPS6027173 A JP S6027173A JP 58135367 A JP58135367 A JP 58135367A JP 13536783 A JP13536783 A JP 13536783A JP S6027173 A JPS6027173 A JP S6027173A
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王義 山崎
Yasuaki Yamane
山根　康朗
Yutaka Matsuoka
裕 松岡
Naoki Kato
加藤　直規
Masahiro Hirayama
昌宏 平山
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
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