JPS60264382A - メタルシリサイド被膜形成炭化珪素質焼結体とその製造方法 - Google Patents
メタルシリサイド被膜形成炭化珪素質焼結体とその製造方法Info
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- JPS60264382A JPS60264382A JP11903784A JP11903784A JPS60264382A JP S60264382 A JPS60264382 A JP S60264382A JP 11903784 A JP11903784 A JP 11903784A JP 11903784 A JP11903784 A JP 11903784A JP S60264382 A JPS60264382 A JP S60264382A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/52—Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation
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- Ceramic Products (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、炭化珪素質焼結体θ）表１ｎＩにシリコン膜
Ｙ 介在させてスパッタリング法にエリメタルシリサイ
ド被膜Ｙ形成したメタシン１）サイド被膜形成炭化珪素
質焼結体とその製造方法に関するものであり、いわゆる
ファインセラミック材料として集積回路基板、精密ベア
リング等の釉密１戸王品の産業分野に利用されるもので
ある。
Ｙ 介在させてスパッタリング法にエリメタルシリサイ
ド被膜Ｙ形成したメタシン１）サイド被膜形成炭化珪素
質焼結体とその製造方法に関するものであり、いわゆる
ファインセラミック材料として集積回路基板、精密ベア
リング等の釉密１戸王品の産業分野に利用されるもので
ある。
最近−機械工業、電子工業ケ始めとするあらゆる産業分
野で、工業材料に対し、で要求される課題が拡大し、従
来は金属やプラスチックで十分であった部材も耐熱性や
耐酸化性などの点から使用限界が生ずるに至り、ファイ
ンセラミックス材料カ使用されることが多くなった。
野で、工業材料に対し、で要求される課題が拡大し、従
来は金属やプラスチックで十分であった部材も耐熱性や
耐酸化性などの点から使用限界が生ずるに至り、ファイ
ンセラミックス材料カ使用されることが多くなった。
しかじなｈ−ら、ファインセラミックス材料は、俊才ま
た諸性絆ケ有するものの、靭性ｈ″−金属エリも乏しく
、高い硬度ケ有するため機械加工や接着。
た諸性絆ケ有するものの、靭性ｈ″−金属エリも乏しく
、高い硬度ケ有するため機械加工や接着。
接合などｈ″−困難であった。
こＱＪエヘな状況下にありながら、ファインセラミック
材料は集積回路基板、精密ベアリング、ガスタービンな
どの精密加工品・＼の応用が拡大するに伴い、他の精密
加工した材料と同様な精密仕上げが行われるようになり
、切削、研摩のような単に素材の一部？除去するだけで
なく、メタライズや接合のよ５に他の物質を付着させる
ことの必要性が高まって来ている。
材料は集積回路基板、精密ベアリング、ガスタービンな
どの精密加工品・＼の応用が拡大するに伴い、他の精密
加工した材料と同様な精密仕上げが行われるようになり
、切削、研摩のような単に素材の一部？除去するだけで
なく、メタライズや接合のよ５に他の物質を付着させる
ことの必要性が高まって来ている。
そこで、上記０」要請に対し特に炭化珪素質焼結（１・
゛ ヶよ４．ニー、□。ｓｔｃよい５、ヶ、８うイオ、
。
゛ ヶよ４．ニー、□。ｓｔｃよい５、ヶ、８うイオ、
。
属化）する方法として特開昭５５−１１３６８３号公報
及び特開昭５７−１６０９０６号公報記載り）方法が提
案されている。
及び特開昭５７−１６０９０６号公報記載り）方法が提
案されている。
しかるに、前者の提案１０ち特開昭５５−ｔ １３６８
３号公報記載の方法は、周期律第４族〜Ｍ７族に属する
タングステンやニッケルなどの金属の粉末状のものな少
くとも一種以上混合したメタライズペースト（金属化用
組成物）をＳｉＣ表面表面糸布し、非酸化性雰囲気中で
焼成するこ吉に裏って金ｍ化するものである。従って、
この方法では、前記の金属でＳｉＣ表面がメタライズさ
れる際に、ＳｉＣの分解乞起し、このためＳ ｉＣ焼結
体の表面からメタライズ被膜が剥離するなどの欠点があ
る。
３号公報記載の方法は、周期律第４族〜Ｍ７族に属する
タングステンやニッケルなどの金属の粉末状のものな少
くとも一種以上混合したメタライズペースト（金属化用
組成物）をＳｉＣ表面表面糸布し、非酸化性雰囲気中で
焼成するこ吉に裏って金ｍ化するものである。従って、
この方法では、前記の金属でＳｉＣ表面がメタライズさ
れる際に、ＳｉＣの分解乞起し、このためＳ ｉＣ焼結
体の表面からメタライズ被膜が剥離するなどの欠点があ
る。
又、後者の提案即ち特開昭５７−１６０９０６号公報記
載の方法（ゴ、ＳｉＣ表面０）メタライズ層ＣＪＣｕｂ
主成分とし、こねにＭｎ又はＭｎ化合物などの珪化物？
形成する金属元素ケ含有すること？特徴としている。
載の方法（ゴ、ＳｉＣ表面０）メタライズ層ＣＪＣｕｂ
主成分とし、こねにＭｎ又はＭｎ化合物などの珪化物？
形成する金属元素ケ含有すること？特徴としている。
従って、このメタライズ層は銅を主ｗ分とするので前者
の提案のもＯＪ工り密着強度は強いけれどζその利用範
囲には限界があるも０）と考えらイ１．る。
の提案のもＯＪ工り密着強度は強いけれどζその利用範
囲には限界があるも０）と考えらイ１．る。
つまり、銅の熱膨張率１！ １６Ｘ１０ ／’Ｃ位であ
るのに対し、 ＳｉＣの熱膨張率は４ｘ１０ ７’Ｃ位
で、かなりの差があるため品温下で使用すればメタライ
ズ層が熱膨張率の差により剥離する恐わがある。
るのに対し、 ＳｉＣの熱膨張率は４ｘ１０ ７’Ｃ位
で、かなりの差があるため品温下で使用すればメタライ
ズ層が熱膨張率の差により剥離する恐わがある。
本発明は、ＳｉＣ表面ｔメタライズするにあたって、十
ｔ１つ従来技術の欠点とされていたところのＳｉＣ表面
とメタライズ被膜の間に酸化層等の不純分の層が生成さ
ｔすることや、両者の熱膨張率の差が大ぎいことに起因
するメタライズ被膜の剥離馨なくＥｌ、Ｓ Ｉ Ｃ表面
とメタライズ被膜のなじみやぬれケ改善するためになさ
Ｊまたものである。
ｔ１つ従来技術の欠点とされていたところのＳｉＣ表面
とメタライズ被膜の間に酸化層等の不純分の層が生成さ
ｔすることや、両者の熱膨張率の差が大ぎいことに起因
するメタライズ被膜の剥離馨なくＥｌ、Ｓ Ｉ Ｃ表面
とメタライズ被膜のなじみやぬれケ改善するためになさ
Ｊまたものである。
上記従来技術Ｑ〕問題点を解決するために、本発明にお
いてはＳｉＣ表面に強固な結合力を有するメタライズ層
を形成することが必要である。そのためには次の条件？
満足するものでなければならなし）。
いてはＳｉＣ表面に強固な結合力を有するメタライズ層
を形成することが必要である。そのためには次の条件？
満足するものでなければならなし）。
ｆｉｔ ＳｉＣ焼結体表面に不純分が存在していないこ
と、 （Ｉｌｌ ８ＩＣとメタライズすべぎ金属の熱膨張率す
一近似であること、 （ｔｉｌｌ ＳｉＣトメタライズすべき金属のなじみが
良く。
と、 （Ｉｌｌ ８ＩＣとメタライズすべぎ金属の熱膨張率す
一近似であること、 （ｔｉｌｌ ＳｉＣトメタライズすべき金属のなじみが
良く。
相互にぬわ性があること、
つまり、接着が強固に行われるためには、一般に固体上
の液体がぬれることが必要であることはよく知られてい
る。このほかに、なじみがよく、しかも熱膨張係数が略
同程度であることが必要である。
の液体がぬれることが必要であることはよく知られてい
る。このほかに、なじみがよく、しかも熱膨張係数が略
同程度であることが必要である。
本発明は、このような知見に基づいて次の工）な手段を
組合せることにより、従来のＳｉＣ表面のメタライズ方
法のいずれよりも優ねたメタライズ層が得られる工５に
したものである。
組合せることにより、従来のＳｉＣ表面のメタライズ方
法のいずれよりも優ねたメタライズ層が得られる工５に
したものである。
即ち、本発明の要旨とするところは、炭化珪素を主成分
とする炭化珪素質焼結体の表面にシリコン（珪素）の中
間被膜層を有し、前記シリコン中間Ｍ膜の表面にシリコ
ン（珪素）とタンタル、タンクステン、バナジウム、チ
タン、ニッケル、コバルト、白金から選ばれた金属との
合金であるメタルシリサイド被膜が形成さねでいるメタ
ルシリサイド被膜形成炭化珪素質焼結体である。
とする炭化珪素質焼結体の表面にシリコン（珪素）の中
間被膜層を有し、前記シリコン中間Ｍ膜の表面にシリコ
ン（珪素）とタンタル、タンクステン、バナジウム、チ
タン、ニッケル、コバルト、白金から選ばれた金属との
合金であるメタルシリサイド被膜が形成さねでいるメタ
ルシリサイド被膜形成炭化珪素質焼結体である。
又、上記メタルシリサイド被膜形成炭化珪素質焼結体の
製造方法として、炭化珪素を主成分とする炭化珪素質焼
結体の表面にスパッタリング法ニより珪素被膜を形成し
、このようにして形成されり珪素被膜の表面にタンタル
、タングステン、バナジウム、チタン、ニッケル、コバ
ルト、白金力ら選ば才９た金属？スパッタリングするこ
とによりシリコン（珪素）と該金属との合金であるメタ
ルシリサイドの被膜な形成するものである。
製造方法として、炭化珪素を主成分とする炭化珪素質焼
結体の表面にスパッタリング法ニより珪素被膜を形成し
、このようにして形成されり珪素被膜の表面にタンタル
、タングステン、バナジウム、チタン、ニッケル、コバ
ルト、白金力ら選ば才９た金属？スパッタリングするこ
とによりシリコン（珪素）と該金属との合金であるメタ
ルシリサイドの被膜な形成するものである。
さらに、この製造方法において、上記炭化珪素質焼結体
の表面に存在するＳｔＯ！の酸化被膜ケ弗酸による洗滌
処理又は逆スパツタ法にエリ除去した後、スパッタリン
グ法により珪素被膜を形成することをも要旨としている
。
の表面に存在するＳｔＯ！の酸化被膜ケ弗酸による洗滌
処理又は逆スパツタ法にエリ除去した後、スパッタリン
グ法により珪素被膜を形成することをも要旨としている
。
本発明において珪素被膜上へ例えばスパッタリング法に
より形成処理してメタルシリサイド被膜を形成するため
の金属としてタンタル、タングステン、バナジウム、チ
タン、ニッケル、コバルｈＪ ｒ＋＊ｚ、Ｉｌｚ ！！
＆ｆ ｔ”＋ Ｔｈ ！ ｇ ｉｃ ［？ Ｌ ７’
： ｍ ｔｈ ）；ｆｌ、わ、。
より形成処理してメタルシリサイド被膜を形成するため
の金属としてタンタル、タングステン、バナジウム、チ
タン、ニッケル、コバルｈＪ ｒ＋＊ｚ、Ｉｌｚ ！！
＆ｆ ｔ”＋ Ｔｈ ！ ｇ ｉｃ ［？ Ｌ ７’
： ｍ ｔｈ ）；ｆｌ、わ、。
の金属が既述した好ましい条件、すなわちＳＩＣとの熱
膨張率が近似であること、お工びＳｉＣとのなじみ、ぬ
れが良好であるからである。
膨張率が近似であること、お工びＳｉＣとのなじみ、ぬ
れが良好であるからである。
本発明の製造方法を第１〜２図によって説明する。先ず
、第２図に示すように、ＳｉＣ焼結体（１）の表面に例
えばスパッタ＋１ング法によりシリコイＳｉ）層（２１
ヲ形成する。次に、第１図に示す工５に前８ｅ。
、第２図に示すように、ＳｉＣ焼結体（１）の表面に例
えばスパッタ＋１ング法によりシリコイＳｉ）層（２１
ヲ形成する。次に、第１図に示す工５に前８ｅ。
シＩＪコン層（２）の表面に例えばスパッタリング法に
より薄い金属層な形成すべく処理することによって、前
記シリコン層θ〕シリコン吉金属との合金であるメタル
シリサイド層（３）が形成さね、るものである。
より薄い金属層な形成すべく処理することによって、前
記シリコン層θ〕シリコン吉金属との合金であるメタル
シリサイド層（３）が形成さね、るものである。
この高融点金属シリサイドは、比較的低温（３００〜７
００℃）で生成するが、融点はすべて１０００℃以上で
ある。
００℃）で生成するが、融点はすべて１０００℃以上で
ある。
この工程をさらに詳しく駅間すると、ＳｉＣ焼結体は例
えば次のような方法によって得ることかできる。
えば次のような方法によって得ることかできる。
主としてβ型結晶よりなる炭ｆヒ珪素１００（重量）部
に対し、は５素０．１（重ｉ：）ｔと炭素２（重量）チ
とを添加［１、均一に混合した出発原料を所定の形状に
した生成形体馨得て、非酸化性ガス雰囲気１コで１７０
０〜２６００℃で焼成し、嵩密度が３．１０．Ｆ／ｍの
Ｓｉｃ焼結体ケ得る。この、Ｊ：へにして得たＳｉＣ焼
ｉ体（１）の表面には、ごく薄い酸化膜（８１０，）が
存在するので、これをＨｌｉ’が１０−の水溶液（弗酸
）で除去するか、あるいはアルゴンガス気流中でＳＩＣ
表面ケたたく、いわゆる逆スパツタ法により除去し、不
純物が存在【−ない状態とする。
に対し、は５素０．１（重ｉ：）ｔと炭素２（重量）チ
とを添加［１、均一に混合した出発原料を所定の形状に
した生成形体馨得て、非酸化性ガス雰囲気１コで１７０
０〜２６００℃で焼成し、嵩密度が３．１０．Ｆ／ｍの
Ｓｉｃ焼結体ケ得る。この、Ｊ：へにして得たＳｉＣ焼
ｉ体（１）の表面には、ごく薄い酸化膜（８１０，）が
存在するので、これをＨｌｉ’が１０−の水溶液（弗酸
）で除去するか、あるいはアルゴンガス気流中でＳＩＣ
表面ケたたく、いわゆる逆スパツタ法により除去し、不
純物が存在【−ない状態とする。
しかる後シリコンをターゲットし、アルゴンガス気流中
でスパッタリングすることにより、膜厚が約１０μｍ程
度のシリコン被膜層（２１ケ形成する。
でスパッタリングすることにより、膜厚が約１０μｍ程
度のシリコン被膜層（２１ケ形成する。
更に、タンタルゲタ−ゲットとし、アルゴンガス気流中
でスパッタリングすること−こエリ、前記シリコン層（
２）の士に約５μｍ程度のタンタル被膜を形成する。こ
のようにして得らねた二重構造の被膜２有するＳｉＣ焼
結体なアンエイ１１ング処理する。
でスパッタリングすること−こエリ、前記シリコン層（
２）の士に約５μｍ程度のタンタル被膜を形成する。こ
のようにして得らねた二重構造の被膜２有するＳｉＣ焼
結体なアンエイ１１ング処理する。
なお、アンニイリング処理は真空度１，０〜５ｆｌｘ１
［１’ｏｒｒ 、温度５００℃±１０℃１時間約７ ｈ
ｒで行へ。
［１’ｏｒｒ 、温度５００℃±１０℃１時間約７ ｈ
ｒで行へ。
以上のＪ：５にして得られたＳＩＣ表面上のメタルシリ
サイドは、５ｉＣ（１１の表面にＳ １ｆ２１が強固に
結合し、更にその上に８１とＴａの合金層（３）が存在
する構造になっているため、機械的に強く一剥離し離い
膜となっている。また、ＳＩＣとＳｉの熱膨張率はそれ
ぞれ約４Ｘ１０ ／’Ｃと約２５ｘＩＱ／℃であって。
サイドは、５ｉＣ（１１の表面にＳ １ｆ２１が強固に
結合し、更にその上に８１とＴａの合金層（３）が存在
する構造になっているため、機械的に強く一剥離し離い
膜となっている。また、ＳＩＣとＳｉの熱膨張率はそれ
ぞれ約４Ｘ１０ ／’Ｃと約２５ｘＩＱ／℃であって。
非常に近く、それ故高温下の長時間使用などの過酷な条
件でも歪の発生が極めて少くなる。つまり、Ｓ１膜には
クラックをもたらすストレスｂ″−生じ難くなり、１０
００℃前後の高温下でも安定となる。
件でも歪の発生が極めて少くなる。つまり、Ｓ１膜には
クラックをもたらすストレスｂ″−生じ難くなり、１０
００℃前後の高温下でも安定となる。
次に、本発明ゐ代表的な実施例ケ示す。
ＳｉＣ焼結体からなる基板の表面に存在するｓｉｏ。
をＨＦｌ０チ水溶液で洗滌処理して除去したのｈＳＩＣ
基板の温度が６００〜６５０℃の温度となる工う温度側
ｆｉｌｌしつつ真空度Ｑ、Ｉ Ｔｏｒｒで、アルゴンガ
ス中で約２時間Ｓｌターゲットでスパッタリングして一
８ｉＣ基板上に厚さ約１０μｍ ｏＪＳ ｉ ′Ｉｔｉ
＠ Ｙ形成した。次にターゲットにメンタル（Ｔａ ）
Ｙ用い前記と同一条件で前記Ｓｔ被膜上にＴａ被被膜影
形成た。次に、真空度１ｘｉｏ Ｔｈｒｒ、温度５［１
０℃で約１時間アンコイリング処理して、 ８１とＴａ
の合金層が形成されているＳ ｒ Ｃ焼結体基板？得た
。このＳｉＣ焼結体基板の表面同志？ろ５付けにより接
合したところ、極めて容易に強固な接着を行へことがで
とた。接着強度ケ引張強度として測定したところ２０〜
３０ ｋｇｆｉｄ （７）値ケ得た。この強度は従来の
メタライズ層な有するＳｉＣ焼結体基板のろ）付品の約
２５倍に当る。
基板の温度が６００〜６５０℃の温度となる工う温度側
ｆｉｌｌしつつ真空度Ｑ、Ｉ Ｔｏｒｒで、アルゴンガ
ス中で約２時間Ｓｌターゲットでスパッタリングして一
８ｉＣ基板上に厚さ約１０μｍ ｏＪＳ ｉ ′Ｉｔｉ
＠ Ｙ形成した。次にターゲットにメンタル（Ｔａ ）
Ｙ用い前記と同一条件で前記Ｓｔ被膜上にＴａ被被膜影
形成た。次に、真空度１ｘｉｏ Ｔｈｒｒ、温度５［１
０℃で約１時間アンコイリング処理して、 ８１とＴａ
の合金層が形成されているＳ ｒ Ｃ焼結体基板？得た
。このＳｉＣ焼結体基板の表面同志？ろ５付けにより接
合したところ、極めて容易に強固な接着を行へことがで
とた。接着強度ケ引張強度として測定したところ２０〜
３０ ｋｇｆｉｄ （７）値ケ得た。この強度は従来の
メタライズ層な有するＳｉＣ焼結体基板のろ）付品の約
２５倍に当る。
上記実施例の効果によっても明らかなよ）に、本発明に
工ねば、ＳｉＣ焼結体の表面にＳｔ被被膜介在させてメ
タルシ１１サイド層な形成することによね強固な密着性
を持つ↓）になるので、金属化ＳｔＣ＃給体ケ得ること
ができる。このものは電子工業１機（戒Ｔ業等の多くの
産業分野で使用される精密加工品の素材として最適なフ
ァインセラミック材料である。
工ねば、ＳｉＣ焼結体の表面にＳｔ被被膜介在させてメ
タルシ１１サイド層な形成することによね強固な密着性
を持つ↓）になるので、金属化ＳｔＣ＃給体ケ得ること
ができる。このものは電子工業１機（戒Ｔ業等の多くの
産業分野で使用される精密加工品の素材として最適なフ
ァインセラミック材料である。
図は本発明の工程を示し、第１図は製品の断面図、第２
図はシ１１コンスバッタＩＪング後の断面図である。 （１）・・・ＳｉＣ焼結体、（２１・・・シリコン層、
（３）・・・メタル（１１） シリサイド層、 代理人 弁理士 木 村 三 朗 同 同 佐々木 宗 治 （１２）
図はシ１１コンスバッタＩＪング後の断面図である。 （１）・・・ＳｉＣ焼結体、（２１・・・シリコン層、
（３）・・・メタル（１１） シリサイド層、 代理人 弁理士 木 村 三 朗 同 同 佐々木 宗 治 （１２）
Claims (2)
- （１）炭化珪素？主成分とする炭化珪素質焼結体の表面
にシリコン（珪素）の中間被膜層ケ有１−５前記シリコ
ン中間被膜層の表面にシＩ）コン（珪素）とタンタル、
タングステン、バナジウム、チタン。 ニッケル、コバルト、白金から選ばわた金属との合金で
あるメタルシリサイド披膜が形成さ才１ていることを特
徴とするメタシン１）サイド被膜形成炭化珪素質焼結体
。 - （２）炭化珪素を主成分とする炭化珪素質焼結体の表面
にスパッタリング法により珪素被膜ケ形成し。 この工）にして形成さねた珪素被膜の表面にタンタル、
タングステン、バナジウム、チタン、ニッケル、コバル
ト、白金から選ばねた金属をスパッタリングすることに
よりシリコン（珪素） （！： ｆｉｔ 金属トの合金
であるメタルシリサイドの被膜ケ形成することを特徴と
するメタルシ１１サイド被膜形成炭化珪素質焼結体の製
造方法。 β）上記炭化珪素質焼結体の表面に存在する５ｔ０２の
酸化被膜な弗酸による洗滌処理又は逆スパツタ法により
除去した後にスパッタリング法にエリ珪素被膜？形成す
るこ吉ヲ特徴とする特許請求の範囲第２項記載のメタル
シＩＪサイド被膜形成炭化珪素質焼結体の製造方法、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11903784A JPS60264382A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | メタルシリサイド被膜形成炭化珪素質焼結体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11903784A JPS60264382A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | メタルシリサイド被膜形成炭化珪素質焼結体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60264382A true JPS60264382A (ja) | 1985-12-27 |
| JPH0480874B2 JPH0480874B2 (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=14751391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11903784A Granted JPS60264382A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | メタルシリサイド被膜形成炭化珪素質焼結体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60264382A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001068560A1 (fr) * | 2000-03-14 | 2001-09-20 | Commissariat A L'energie Atomique | PROCEDE DE RECOUVREMENT DE PIECES EN MATERIAUX A BASE DE SiC, COMPOSITIONS DE RECOUVREMENT, ET PIECES RECOUVERTES OBTENUES PAR CE PROCEDE |
| JP2014051402A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Ngk Insulators Ltd | ハニカム構造体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60246285A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-12-05 | 株式会社明電舎 | メタルシリサイド被膜形成炭化珪素質焼結体とその製造方法 |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP11903784A patent/JPS60264382A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60246285A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-12-05 | 株式会社明電舎 | メタルシリサイド被膜形成炭化珪素質焼結体とその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001068560A1 (fr) * | 2000-03-14 | 2001-09-20 | Commissariat A L'energie Atomique | PROCEDE DE RECOUVREMENT DE PIECES EN MATERIAUX A BASE DE SiC, COMPOSITIONS DE RECOUVREMENT, ET PIECES RECOUVERTES OBTENUES PAR CE PROCEDE |
| FR2806406A1 (fr) * | 2000-03-14 | 2001-09-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede de recouvrement de pieces en materiaux a base de sic , compositions de recouvrement, et pieces recouvertes obtenues par ce procede |
| JP2014051402A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Ngk Insulators Ltd | ハニカム構造体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0480874B2 (ja) | 1992-12-21 |
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