JPS60258461A - ウエブヘの反応的スパツタリングによる伝導性のある透明な金属酸化物膜形成のための方法とその装置 - Google Patents

ウエブヘの反応的スパツタリングによる伝導性のある透明な金属酸化物膜形成のための方法とその装置

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JPS60258461A
JPS60258461A JP60116302A JP11630285A JPS60258461A JP S60258461 A JPS60258461 A JP S60258461A JP 60116302 A JP60116302 A JP 60116302A JP 11630285 A JP11630285 A JP 11630285A JP S60258461 A JPS60258461 A JP S60258461A
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web
resistance
sputtering
oxygen
coating
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JP60116302A
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ピーター ゲテンビイ ターナー
デビツド ヘンリイ ヘミング
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Greif International Holding BV
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Koninklijke Emballage Industrie Van Leer BV
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036Reactive sputtering
    • C23C14/0042Controlling partial pressure or flow rate of reactive or inert gases with feedback of measurements

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  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、連続するウェブ(web )へ反応してスパ
ッタリングされた伝導性ある透明な金属酸化膜生成のた
めの方法に関するものであ)、該ウェブはスパッタリン
グ室で金属ターデッドより離れて動いておシ、ターゲッ
トから動いているウェブに金属原子を移しているスパッ
タリングゾ2ズマ放射がスパッタリング室内で生じるよ
うに動力供給された逆電極と結合しておシ、そして、低
圧不活性ガスを含む上記室内に酸素が導入される。さら
に本発明はこの方法を実施する装置とともにその製品に
関するものである。
例えば90チ以上の可視光線伝達と、例えば90%以上
の赤外線反射を有する透明な伝導性酸化物コーティング
は、窓ガラスに熱反射膜として使用され得る。二重窓ガ
ラスによる熱移動の3分の2はその二枚の間での放射に
よるものである。
それらの抑制は能率上よシ大きな利益を得る。
さらに、それらの膜の伝導性はタラテコ/トロールキー
ボードまたは他のタッチ(接触)に敏感な組み立て部品
、そして電子表示装置への応用を可能にしている。
さらに他の応用が包装分野に見出される。それが透明で
ある間、酸化物コーティングは水蒸気や酸素のようなガ
スに対する好ましいバリアーを付与する。
酸化物ターデッド物質が伝導性をもたなければ無線周波
数パワー(RF poWer )を使用して酸化物それ
自身をスパッタリングすることによシ、又、酸化雰囲気
中で直流電力(DCpower )を使用して金属を反
応的にスパッタリングすることにより透明な酸化物コー
ティングがなされる。これらの技術は十分に確立されて
いる。
電気伝導性可視光線や赤外線反射性のための透明&のよ
うなスパッタリングされた酸化物コーティングの様々な
特性は、コーティングの化学量論量(金属の酸素に対す
る比率)に強く依存するものである。インジウム、カド
ミウム、スズ、亜鉛、合金及びそれらの混合物のような
様々な金属の反応的なスパッタリングされた酸化物膜(
フィルム)は電気を伝導することが判明した。しかしな
がら、電気伝導性は直線的でなく、酸素に対する金属の
比率に依存している。
第1図はアルイン、酸素の混合物を含むスズぐツタリン
グ室内で生成されたインジウム−スズ酸化物層のシート
抵抗率を示しておシ、そこでは酸素流入値は、生成され
たコーティングの化学量論量を変えるため、0(ゼロ)
から徐々に増加される。
第1図によると抵抗率は最初、実際上0(ゼロ)値(単
一金属から成るコーティング)からある最大値(この例
においては75CC/分の酸素流入に達した)まで増加
し、その後急激に最小値まで降下し、それから急激に高
い数値まで上昇している。
第2図は同様の酸素流入の機能として第1図と同じイン
ジウム−スズ酸化物層の可視光線(緑光線)に対する光
伝達を示している。第2図によると、光伝達はこの例に
おいては約70CC/分で始まシ、+80CCZ分で最
大値の100%近くに達するという急激な増加を示して
いる。可視光線範囲内の他の波長光線に対応する曲線は
ごくわずかな違いでもって、実際は第2図における曲線
と一致すること社注目するに値する。
基礎をなす本発明の範囲内におけるコーティングの利点
は、可視的に透明であシミ気的に高い伝導性があること
である。このようなコーティングを生成するためにコー
ティングの化学量論量は正確に制御されなければならな
いことは第1、第2図よシ明らかであろう。
コーティングがガラスの表面や他の熱抵抗性表面になさ
れるならば、コーティングの抵抗率は高温度で酸素の十
分な雰囲気かまたは不十分な雰囲気下での処理によって
最適化され得る。
「スパッタリングされた膜の製造沖におけるプラズマと
膜の特性を示す技術」紙において、ルーポロー大学(L
oughborough University of
Technology )の物理学部のリッジ及びホー
ソン両氏(M、1.Ridge and R,P、Ho
wson )は最近、伝導性酸化物がアルゴン−酸素混
合物中でインジウム、インジウム−スズ、またはカドミ
ウム−スズの反応的なスパッタリングによってプラスチ
ックフィルム上にたい積されうると述べている。
そのようなプラスチックフィルムは次の高温度後処理に
耐え得ない。後処理が実行不可能のためにリッジ氏とホ
ーソン氏はすでに、ウェブに触れている2接点間で酸素
流入量とコーティングの抵抗測定値による化学量論量を
制御することを提案している。コーティングの電気伝導
性は厚さには必ずしも比例せず、第1図かられかるよう
に、膜の正確な化学組成、すなわちインジウム、亜鉛、
スズ等の酸素に対する正確な比率が金属酸化物薄膜の伝
導性決定に際し、厚さよシもさらに大きな影響を持つ。
このことは酸素の流入速度や反応における変動から起こ
るであろう酸素の分圧、あるいはターゲットの酸化状態
やターゲット表面の腐食の変化から起こるであろう金属
のスパッタリング率における小さな変化がよシ劣った高
い抵抗率のあるコーティングにしてしまうことを意味す
る。
コーティングに赤外線反射特性を与えるのは電気伝導性
である。良い赤外線反射性、換言すれば低い放射性のた
めに、電気伝導性は高くあるべきであシ、すなわちシー
ト抵抗率は最小限であるべきである。
リッジ氏とホーソン氏によって提案されたようなウェブ
の抵抗力の簡単な測定は、抵抗の変化が過大な酸化の結
果かまたは過少の結果かどうかを知る方法がなく、補正
は試みやエラーによってのみなされているにすぎないた
め、スパッタリング工程の最適制御を得るには十分では
ない。
本発明の目的はこのスパッタリング工程を制御するため
の方法と手段を提供することであシ、特に、連続的に酸
化物コーティングの最適(最小値)抵抗率を維持するた
めへである。
上記本発明の目的に対応し、本発明はスパッタリング室
において金属ターゲットよシ離れて動いている連続的ウ
ェブであって、該ターゲットから動いているウェブに金
属原子を移すスパッタリングプラズマ放射が該スパッタ
リング室内で生じるように動力供給された逆電極と結合
しているウェブ上に、反応してスパッタリングされた伝
導性ある透明金属酸化物膜が形成され、そして酸素が低
圧の不活性ガス雰囲気にある該室中に導入され金属酸化
物コーティングを形成するための方法において、該コー
ティングの表面抵抗が連続的に動いているウェブの幅方
向の少なくとも2領域で連続的に測定され、そこではス
パッタリング条件が少なくとも1領域が最適な最小抵抗
値を示すように制御されることを特徴とする方法を提供
する。
本発明に従う方法においては、ウェブの幅方向に化学量
論的に不可避なわずかな変化ができる(そのような変化
が存在しないという殆んどあシそうもない場合において
は、わずかな変化はガス入口を修正、補正するか、基材
に位置するターゲットの形状をわずかに調節することに
よって慎重に組立てられる。)これらの変化のために、
たとえば、6領域のうちの1つの抵抗が正確に最小値と
なるか、該最小値以前の抵抗率曲線におけるある点によ
って明らかにされる第2の領域における抵抗がよシ高く
なシ、上記最小値後の抵抗率曲線におけるある点によっ
て明らかにされる第6の領域における抵抗率もまたよシ
高くなるというような状態が作シ出される。正確な最小
値から離れた上記1つの領域の抵抗を移動させることは
、結果として第2、第6の領域の各々の抵抗値の変化を
きたし、そして、その移動方向は上記変化の性格すなわ
ち上記変化を補正するための可能性を与える減少あるい
は増加によって示される。このように、スパッタリング
条件の再調節によって、全工程は上述の第1の領域にお
ける抵抗率値が正確に最適(最小)値を維持するように
制御される。
米国特許第3.510,374号と第3.936.66
5号はともに、カレンダー(ロール機械)のよう々装置
を調節するだめのシステムを示しておplそこでは特定
の物質特性が、1つかそれ以上の計器で測定され、装置
の調節が最適な特性をもつ物質 。
を得るのに必要かどうかを決定するのに該測定値は所定
のターデッド値と比較されている。
しかしこの従来技術はその最適値が絶対的な感覚におい
てわかる線形で変化する物質特性を測るためのものであ
る。しかしながら本発明による方法は、非線形に変化す
る特性に関し、その特性が最小値の領域において維持さ
れるように、操作することが要求される。本発明方法の
唯−無二の特徴は導入が必要であらば、スパッタリング
された膜の幅を横切ってわずかな変化を持つ鉱石の使用
にある。
従来の技術と対照すると、本発明による抵抗測定感知器
の記録は互いに比較され、上記比較の結果はコーティン
グの化学量論を最適化するためのスパッタリング条件を
制御するのに使用される。
本発明に従ったこの方法の好ましい実施例では、スパッ
タリング条件はスパッタリングターゲットコンビネーシ
ョンに供給される電力の調節によって制御される。
この方法の他の好ましい実施例は、スパッタリング条件
が酸素供給量の変化によって制御されることを特徴とす
る。
ターゲットに供給される電力の制御はターゲットから連
続的に動いているウェゾヘ流れる金属に対し影響がある
。その不利益は金属流入が変化すればコーティングの厚
さが変化することに結果としてなる点にある。正確で一
定の厚さのコーティングが形成されなければならないと
ころでは、金属ターゲットをすぎて連続するウェブを移
動させる輸送メカニズムは電力供給調節と同時に制御さ
れなければならない。しかしながら実際上、これらの厚
さの変化はごくわずかであろう。
酸素給量の制御によシ、光伝達性が非常に小さな変化を
示すが実際にはほとんど測定できず、確かにごくわずか
である均一厚さのコーティングが得られる。
制御回路(1oop )における遅延時間をできるだけ
短くするために、表面抵抗はコーティング帯域の後すぐ
に測定されることが好ましい。
さらに、本発明は上述したタイプの反応的にスパッタリ
ングされた伝導性のある透明な金属酸化物膜形成のため
の方法を実施するだめの装置であってそれは、スパッタ
リング室該室内で金属ターゲットと逆電極間にプラズマ
放射を生じさせるだめの電力供給手段、不活性ガス供給
手段、酸素供給手段および金属ターゲットの上方でコー
ティングゾーンを通して連続的にウェブを動かすための
手段から成る装置において、連続的に動いているウェブ
の幅方向の少なくとも2領域の表面抵抗が、コーティン
グされたウェブに接触するかまたはやや離れて置かれ、
各々の抵抗測定回路に接続された複数の感知器によって
、それぞれの領域において測定されることを特徴とする
装置、。
そのような測定装置あるいは感知器は多くの探触子から
成シ、それは各々の領域においてコーティングの表面抵
抗を測定するために公知の方法によって使用される。
本発明の装置の好ましい実施態様では、ウェブの全幅に
わたり等間隔に付いている一連の等間隔に並べられた探
触子で抵抗測定回路に接続された複数の出力を持つ多重
送信電子システムに接続されている探触子を特徴として
おシ、そこでは多重送信電子システムは、選択されl)
一連の探触子信号が周期的に上記測定回路へ送られるよ
うに制御されている。この実施態様は使用者に大きな選
択の自由を与えておシ、異なる間隔で一連の探触子を使
用する可能性ばかシでなく、他の一連の探触子に周期的
に変える可能性を与えている。
処理装置(プロセッサー)は抵抗測定値を受信し、最適
なコーティングが維持されるように、カソードへの電力
供給あるいは該室への酸素流入のための電力供給に制御
信号を送信する。
次に実施例によシ更に詳しく説明する。
第1図は酸素流入の機能としてシート抵抗を示したもの
である。スパッタリング室内を純粋アルゴンで始まシ、
その結果酸化されていない金属コーティングは、約10
Ω/口(単位面積当シ)の・非常に低い抵抗を有する。
このコーティングは輝いた( bright )金属で
非常に柔かい。酸素流入量の増加に伴い抵抗は増加する
。しかし第2図によると光伝達は実際上0(ゼロ)′で
ある。この実施例において、酸素の分圧が0.4をやや
越えた程度まで増加すれば、” 20’Occ /Gの
アルゴン流入(アルゴン圧力5.2’m’r)が70〜
75CCZ分の酸素流入に相当すると仮定して、抵抗は
急激な増加を示し約100,000Ω/口まで上昇する
第2図によると、この領域ではコーティングはすでにあ
る程度透明である。その後さらに酸素流入量を増加させ
ると、抵抗は急激に減少し、約100Ω/口の最小値に
達し、同時にコーティングは可視光線を十分に透過する
非常−光沢のある酸化物となる。さらに酸素流入量が増
加すると、過度に酸化してしまい、この領域のコーティ
ングは透明であるが、増加した抵抗をもち、それゆえ第
1図から明らかだと思われる減少した赤外線反射をもつ
悪い伝導体となる。
スパッタリング工程における最適条件はこの実施例では
200 cc 7分のアルビン流入、3.2mTのアル
ゴン圧で、約90 cc 7分の酸素流入量に相当する
酸素の分圧が0.5に達する場合!2ことが、これらの
図面から明らかである。カソード電圧はこれらの情況の
もとて約475■に安定していた。
第1図〜第4図はインジウム−スズ酸化物コーティング
の例に関するものである。十分に酸化した薄いインジウ
ム−スズ酸化物膜はスペクトルの可視部分では十分透明
である。不完全な酸化はそれ自身、膜に茶の出現を与え
ているスペクトルの青色の端での強い吸収を示している
。他方、薄膜の色彩は伝達と反射において見られる薄膜
妨害効果か゛らの結果にすぎない。そのような影響は基
材(ポリエステル膜n=1.7)の屈折率に関する膜の
屈折率nの作用による。色は屈折率と厚さをもった生成
物の機能の−っである。
第5図は動いているウェブに伝導性の透明な金属酸化物
膜を形成する装置を模式的に示したものである。カソー
ドと、して接続されたターゲット3と冷却ドラム2は1
によって模式的に示されているスパッタリング室内にお
かれる。連続するウェブ6は、巻きほぐしローラ4と巻
き送シローラ5の間を輸送される。ウェブ6は回転ドラ
ム2に接触して誘導ロール7と8の間を間隔をもって動
いている。遮蔽物9と10の間ではウェブはタープ 。
ット3にさらされておシ、図面に示されていないが電源
のカソードとして結合している。ターデッド板3の、上
をアルゴンがノズル11を通して供給され、酸素が酸素
ノズル12によって動いているウェブ上に向けられてい
る。スパッタリング室を開ける手段アルゴン流入及び酸
素流入を制御する手段、様々な電気接続等は図面には示
されていない。
第6図はウェブの幅にそって測定した抵抗を示したもの
である。第6図では、ウェブの中心部は約100Ω/口
の最小抵抗率となるが、ウェブ両側方向に抵抗率は増加
し、約110Ω/口の値に達する。本発明に従うと、第
7図に模式的に示されているようにウェブの異った6ケ
所の領域に例えば6つの4点探触子を配置することによ
2て抵抗率が測定されている。探触子A 、、B 、C
のそれぞれは、第8図に模式的に示されるような抵抗測
定回路と接続されている。等間隔に並べられた探触子の
専門家に知られているように、抵抗率はΩ/口= 4.
s 3 X m’V / mAで計算される。
この工程は必要とされる電力で、スパッタリングするこ
とにより始められ、最初にアルゴンが供給され、段々と
酸素が加えられる。3つの感知器A、B、Cからの抵抗
値は例えばメータや記録器の使用によ多連続的に測定さ
れる。それぞれの感知器は出力をあたえ、出力の組み合
わせに基づいて、第1図の抵抗率曲線をえかくことがで
きる。ウェブ状態におけるごくわずかな相違のために、
第6図に示された例のように、コーティングが最小抵抗
の条件に近づくので、1つの感知器からの出力は他の感
知器よ)先に最小値を通過し、1つの感知器は遅れる。
動いているウェブへの最適なコーティングのスパッタリ
ングのための条件は、この実施例においては1つの感知
器が最小値を通シ越し他は最小値を越えないように中央
の感知器が最小抵抗出力を与え、他の2つはほぼ同程度
の出力を与えるときに達成される。
第9図は起こシ得るいくつかの状態を示したものである
第9a図は抵抗感知器A、B、Cがすべて高すぎる抵抗
率を測定している、最適なスパッタリング工程へのアプ
ローチの間の状態を示している。
第9b図は感知器Cが抵抗率曲線の最小値を通シ、感知
器Bがその最小値に近づいている状態を示したものであ
る。
第9C図においては、最適な状態に達している。
この仮定した例における中央の探触子である感知器Bは
正確に最小値となシ他の探触子はその両側で抵抗値を測
定している。
第9d図は、わずかに過度な酸化をともなった状態を示
している。
連続的に動いているウェブの幅方向の2領域のみの抵抗
率が測定されている実施例を使用することもまた可能で
ある。この状態は第7図において例えば感知器AとCの
みが使用された場合に得られるだろう。この場合もまた
この工程は、要求される電力で、スパッタリングするこ
とによって開始され、そこでは最初にアルゴンが供給さ
れ、段設と酸素が加えられる。酸素量が増加するにつれ
て、感知器AとCの記録は最大抵抗値まで上昇しその後
測定された抵抗値は減少する。ウェブ状態における、す
でに述べたごくわずかな相違のために、感知器の1つは
他よυ先に最小抵抗値点を通、 シ越すであろう。1つ
の抵抗感知器のみが最小抵抗値点を通)越し、増加する
抵抗値が他の感知器によって示された降下する抵抗値を
一致する時に、最適なスパッタリング状態が達せられる
。最適条件からの変動によシ、変化の方向が変動の方向
を示すように2つの測定された抵抗値が変化する。
その関係が第9C図になされている。過度な酸化による
条件の変動により点Aが下降し、点Cが上昇する。不完
全酸化による条件の変動によシ、点 ”Aが上昇し、点
Cが下降する。
2ケ所か6ケ所(又はそれ以上の)かの抵抗感知器の位
置は、第7図に示された位置には限らないということに
注意されたい。非対称か任意の西装置であっても使用さ
れ得る。
第10図は、探触子a・・・pから成る抵抗測定手段の
他の実施例を示している。上記探触子はその数に対応す
る数の入力と4つの出力を備えた多重送信電子システム
20に接続されている。連続した4つの選択された探触
子が多重送信電子システム20を通して抵抗測定回路2
1に接続されるように制御装置22によって上記多重送
信電子システム20が制御される。第7図と比較すると
、例えば探触子a 、b 、 C、d 、次にg+h+
LJ+次にm、n、o。
pが連続的に多重送信電子システム20を通して抵抗測
定回路21に接続される。抵抗測定回路21は、測定さ
れた抵抗値を制御装置23に送シ、そこでは第9 b 
% 9 C−、9d図に関して酸素流入量は正しい値を
有するか、供給された酸素量が減少されるべきか増加さ
れるべきかが決定され、その後制御装置23は最適条件
で全工程を維持するために酸素供給手段24に制御信号
を送る。
酸素供給手段24の代わシに、発電手段もまた制御され
、また両手段の組合せが制御され得ることは明らかであ
る。
この実施例において、他の感知器の組み合わせを、例え
ば各々の抵抗値を測定するための4点探触子として、探
触子a、c、e、g、次に探触子er g + l r
k2次に探触子j+1+”+T’を使用することが可能
である。
さらに異なる領域に探触子を位置することが可能であシ
、例えばこの場合抵抗曲線は第6図に示されたようには
ならず他の曲線に従って表される。
ウェブの中央部はわずかに酸化しすぎであシ、その中央
部の両側において、実際の最小抵抗を有する2領域があ
シ、両側方向に抵抗が再び増加することが考えられる。
このような曲線は5つの異なる感知器の使用で明らかに
され祠る。その状態にあっても又、第10図の配置によ
って適切な感知器が選択されるか又は、第7図のように
分離した探触子が適切な位置に配置される。
接触タイプの探触子である上述の感知器の代わシに、接
触しない感知器が使用でき、その場合、酸化物層に接触
する探触子によって引き起こされるであろう酸化物層の
損傷が避けられることも注目される。このような接触の
ない抵抗測定感知器は専門家には周知のことと思われ詳
細に述べない。
【図面の簡単な説明】
第1図は酸素流入の作用としてインジウム−スズ酸化物
のシート抵抗率を示したものである。 第2図は酸素流入の作用としてインジウム−スズ酸化物
コーティングを通しての可視光線伝達を示したものであ
る。 第6図はインジウム−スズ酸化物コーチインク工程中に
おける酸素流入の作用としてカソード電圧を示したもの
である。 第4図はインジウム−スズ酸化物コーチインク工程中に
おける酸素流入の作用として酸素の分圧を示したもので
ある。 第5図は本発明の方法を実施するために使用されたスパ
ッタリング装置を模式的に示したものである。 第6図は動いているウェブの幅方向に横切る抵抗率を示
したものである。 第7図は動いているウェブ上に位置し、ウェブの幅方向
に横切って3つの異なる領域の抵抗率を測定する6つの
4点探触子を示したものである。 第8図はそれぞれの感知器の4探触子が表面抵抗率を測
定するために使用される方法を示したものである 第9図は本発明による装置を使用して、酸素流入量制御
や電力供給調整の効果を模式的に示したものである。 第10図は抵抗率測定感知器の他の形態と組み合わせた
制御装置を示したものである。 1・・・スパッタリング室、2・・・回転冷却ドラム、
3・・・ターゲット、4・・・巻きほぐしローラ、5・
・・巻き送シローラ、6・・・ウェブ、7,8・・・誘
導ローラ、9.10・・・遮蔽物、11.12・・・ノ
ズル代理人 浅 村 皓 日 1 口 − bL B 12

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)スパッタリング室において金属ターゲットより離
    れて動いている連続的ウェブであって、該ターゲットか
    ら動いているウェブに金属原子を移すスパッタリングプ
    ラズマ放射が該スパッタリング室内で生じるように動力
    供給された逆電極と結合しているウェブ上に、反応して
    スパッタリングされた伝導性ある透明金属酸化物膜が形
    成され、そして酸素が低圧の不活性ガス雰囲気にある該
    室中に導入され金属酸化物コーティングを形成するため
    の方法において、 該コーティングの表面抵抗が連続的に動いているウェブ
    の幅方向の少なくとも2領域で連続的に測・定され、そ
    こではスパッターリング条件が少なくとも1領域が最適
    な最小抵抗値を示すように制御されることを特徴とする
    方法。 (2)1つの抵抗測定−感知器が最小抵抗値ケ示す前記
    領域かまたはその付近に位置されることを特徴とする特
    許請求の範囲第(1)項記載の方法。 (3)2つの抵抗測定感知器が最小抵抗値を示す前記領
    域の両側に位置されることを特徴とする特許請求の範囲
    第(1)項!載の方法。 (4)スパン4タリング条件がターゲットに供給される
    動力を調節することによって制御されることを特徴とす
    る特許請求の範囲第(1)〜(3)項のいずれかせるこ
    とによって制御されることを特徴とする特許請求の範囲
    第(1)〜(4)項のいずれかに記載の方法。 ・(6
    )表面抵抗がコーティング帯域の後すぐ測定されること
    を特徴とする特許請求の範囲第(1)〜(5)項のいず
    れか−に記載の方法〇 (7) マグネトロンスパッタリング工程が使用される
    ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)〜(6)項の
    いずれかに記載の方法。 (8)スパッタリング室、該室内で金属ターゲットと逆
    電極間にプラズマ放射を生じさせるための電力供給手段
    、不活性ガス供給手段、酸素供給手段および金属ターゲ
    ットの上方でコーティングゾーンを通して連続的にウェ
    ブを動かすための手段から成る装置において、 連続的に動いているウェブの幅方向の少なくとも2領域
    の表面抵抗が、コーティングされたウニの領域において
    測定されることを特徴とする装置。 (9)一連の探触子がウェブの全幅にわたり等間隔で付
    いており、抵抗測定回路に接続された4つの出力を持つ
    多重送信電子システムに接続されており、該多重送信電
    子システムは4つの選択された探触子信号が周期的に前
    記測定回路へ送られるように制御されることを特徴とす
    る特許請求の範囲第(8)項記載の装置。 αQ 抵抗測定値を受信し、ターゲット電力供給回路へ
    制御信号を送信する処理装置を特徴とする特許請求の範
    囲第(8)項又は第(9)項記載の装置。 aυ 抵抗測定値を受信し、酸素供給手段へ制御信号を
    送信する処理装置を特徴とする特許請求の範囲第(8)
    項又は第(9)項記載の装置。 α渇 ウェブがプラスチック膜であることを特徴とする
    特許請求の範囲第(1)〜(7)項のいずれかに記載の
    方法または特許請求の範囲第(8)〜(II)項のいず
    れかに記載の装置によって生成された製品。 (13膜がポリエステルフィルムであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第α幻項記載の製品。 α滲 コーティングが次の金属または合金、即ちインジ
    ウム、スズ、インジウム−スズ、カドミウム、カドミウ
    ム−スズ、亜鉛のうちの1つの酸化物であることを特徴
    とする特許請求の範囲第(1)〜(7)項のいずれかに
    記載の方法、または特許請求の範囲第(8)〜I項のい
    ずれかに記載の装置によって生成された製品。
JP60116302A 1984-05-29 1985-05-29 ウエブヘの反応的スパツタリングによる伝導性のある透明な金属酸化物膜形成のための方法とその装置 Pending JPS60258461A (ja)

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