JPS60255973A - 真空中で材料を蒸発する方法および装置 - Google Patents
真空中で材料を蒸発する方法および装置Info
- Publication number
- JPS60255973A JPS60255973A JP60076859A JP7685985A JPS60255973A JP S60255973 A JPS60255973 A JP S60255973A JP 60076859 A JP60076859 A JP 60076859A JP 7685985 A JP7685985 A JP 7685985A JP S60255973 A JPS60255973 A JP S60255973A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- anode
- vacuum evaporator
- cathode
- evaporator according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/046—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
一般に、本発明は、真空アーク放電におし・て発生した
電子衝撃により蒸発すべき材料を加熱することにより、
真空中または低い圧力で材料を蒸発するための方法およ
び装置に関する。
電子衝撃により蒸発すべき材料を加熱することにより、
真空中または低い圧力で材料を蒸発するための方法およ
び装置に関する。
従来の技術
真空中または低いガス圧で材料を蒸発するのには、若干
の方法が公知である。殊に、これらの方法は表面の被覆
に広く使用される。この目的のために、蒸発源が真空室
中に位置ぎめされ、被覆すべき基体は真空源に対し若干
の距離に位置ぎめされる。被覆は、基体の所望の表面へ
の蒸気の付着によって達成される。蒸発すべき材料な耐
熱るつぼに入れる装置は周知である。このるつぼは、種
々の方法で、たとえばジュール効果または誘導によって
加熱することができる。
の方法が公知である。殊に、これらの方法は表面の被覆
に広く使用される。この目的のために、蒸発源が真空室
中に位置ぎめされ、被覆すべき基体は真空源に対し若干
の距離に位置ぎめされる。被覆は、基体の所望の表面へ
の蒸気の付着によって達成される。蒸発すべき材料な耐
熱るつぼに入れる装置は周知である。このるつぼは、種
々の方法で、たとえばジュール効果または誘導によって
加熱することができる。
他の方法は、陰極スパッタに基づくものである。
電子衝撃による材料の蒸発のためには、熱線条陰極を有
する電子ビーム蒸発器が広く使用される。かかる装置に
おいては、十分な蒸発に必要な電力密度は、熱線条から
蒸発すべき材料の小さい面積上へ放射される電子を加速
および集束することによって得られろ。しばしば、この
電子ビームは磁場の作用により湾曲路に強制される。こ
の方法の欠点は、むしろ低い電流（たとえば１Ａ）およ
び電子の高いエネルギー（たとえばＩ Ｑ ＫｅＶ ）
である。これらの事実のために、蒸発器中で電子ど゛残
留ガスまたは材料蒸気との間ではほとんど反応は起きな
い。しかし、電子と残留ガスまたは蒸気との反応（解離
、励起およびイオン化を生じる）は、高品質の被膜を得
るために極めて望ましい。また、電子銃内の火花発生を
防ぐためおよび熱線条陰極の破壊を防ぐためＫは、ガス
圧を１０−’ ｍｂより下に維持しなければならない。
する電子ビーム蒸発器が広く使用される。かかる装置に
おいては、十分な蒸発に必要な電力密度は、熱線条から
蒸発すべき材料の小さい面積上へ放射される電子を加速
および集束することによって得られろ。しばしば、この
電子ビームは磁場の作用により湾曲路に強制される。こ
の方法の欠点は、むしろ低い電流（たとえば１Ａ）およ
び電子の高いエネルギー（たとえばＩ Ｑ ＫｅＶ ）
である。これらの事実のために、蒸発器中で電子ど゛残
留ガスまたは材料蒸気との間ではほとんど反応は起きな
い。しかし、電子と残留ガスまたは蒸気との反応（解離
、励起およびイオン化を生じる）は、高品質の被膜を得
るために極めて望ましい。また、電子銃内の火花発生を
防ぐためおよび熱線条陰極の破壊を防ぐためＫは、ガス
圧を１０−’ ｍｂより下に維持しなければならない。
これらの欠点を除去するために、熱冷陰極な用いる中空
陰極放電に基づく電子ビーム蒸発器が開発された〔パン
（Ｃ，Ｔ、Ｗａｎ ）、チャンパース（Ｄ、Ｌ、Ｃｈａ
ｍｂｅｒｓ）およびカールミバイル（ＤＣ，Ｃａｒｍｉ
ｃｈａｅｌ ） 、ジャーナル・オブ・バキューム・サ
イエンス・アントチクノロシイ（Ｊｏｕｒｎ、ｏｆ Ｖ
ａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ入第８巻黒８、第９９頁以降（１９７１年）〕。
陰極放電に基づく電子ビーム蒸発器が開発された〔パン
（Ｃ，Ｔ、Ｗａｎ ）、チャンパース（Ｄ、Ｌ、Ｃｈａ
ｍｂｅｒｓ）およびカールミバイル（ＤＣ，Ｃａｒｍｉ
ｃｈａｅｌ ） 、ジャーナル・オブ・バキューム・サ
イエンス・アントチクノロシイ（Ｊｏｕｒｎ、ｏｆ Ｖ
ａｃｕｕｍ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ入第８巻黒８、第９９頁以降（１９７１年）〕。
上記の電子ビーム蒸発器とは異なり、これらの装置は１
０−’ ｍｂより上の圧力で運転することができる。し
かし、熱中空陰極のみが所望の電流電圧特性を示すが、
なお重大な欠点が存在する： （１）放電は点弧し難い、（２）陰極材料はスパックさ
れ、被膜が汚染され、（３）放電を維持するために周囲
作業ガス雰囲気が必要である。周囲ガス＆ｊ反応性被膜
な得るのには有用であるが、多くの場合得られる被膜の
品質を減少する。中空陰極蒸発器は工業的実地圧は使用
されない。他の方法は、低圧アーク放電からの電子によ
る陰極の衝撃に基づくものである〔米国特許第４１９７
１７５号（１９８０年）〕。この放電は、蒸発室から分
離されかつアパーチャを通して蒸発室と連絡している室
中に置かれた熱線条陰極と、蒸発室中に置かれた陽極と
の間で持続する。蒸発すべき材料は、陽極に接紗される
。作動の間、熱陰極室中へガスが連紗的に導入され、該
ガスはアパーチャを通って蒸発室中へ膨張する。蒸発室
から出るガスを連紗的に吸入排出することに」：す、２
つの室の間で異なる圧力が維持される。
０−’ ｍｂより上の圧力で運転することができる。し
かし、熱中空陰極のみが所望の電流電圧特性を示すが、
なお重大な欠点が存在する： （１）放電は点弧し難い、（２）陰極材料はスパックさ
れ、被膜が汚染され、（３）放電を維持するために周囲
作業ガス雰囲気が必要である。周囲ガス＆ｊ反応性被膜
な得るのには有用であるが、多くの場合得られる被膜の
品質を減少する。中空陰極蒸発器は工業的実地圧は使用
されない。他の方法は、低圧アーク放電からの電子によ
る陰極の衝撃に基づくものである〔米国特許第４１９７
１７５号（１９８０年）〕。この放電は、蒸発室から分
離されかつアパーチャを通して蒸発室と連絡している室
中に置かれた熱線条陰極と、蒸発室中に置かれた陽極と
の間で持続する。蒸発すべき材料は、陽極に接紗される
。作動の間、熱陰極室中へガスが連紗的に導入され、該
ガスはアパーチャを通って蒸発室中へ膨張する。蒸発室
から出るガスを連紗的に吸入排出することに」：す、２
つの室の間で異なる圧力が維持される。
この機構によって、熱陰極室中のガス圧はアーク放電を
持続するのに十分に高い（２・ｉＱ−２ｍｂ）が、蒸発
室中のガス圧は１桁低い。作動の間、アーク放電は上述
したアパーチャを通して燃焼し、陽極に向けられる。さ
らに、アパーチャによって既に絞られた放電は、適切な
磁場の作用によって蒸発すべき陽極材料の小さい点に集
束される。代表的な数値は、約り、２Ｃ：Ｉｎ２の陽極
点上への５〜Ｂ ｘｗの電力入力である。中空陰極放電
の場合にすけろように１低圧アークにより蒸発した材料
の高い活性化が得られる。他面において、双方の放電は
周囲作業ガスによって持続される。残留ガスなしでは、
放電の作動は不可能である。この理由で、これらの方法
は有利ＶＣ，ＴｉＮのような反応性被膜をつくるのに使
用される。純粋な被膜を得るためＫは、多くの場合周囲
ガスの存在は不利である。
持続するのに十分に高い（２・ｉＱ−２ｍｂ）が、蒸発
室中のガス圧は１桁低い。作動の間、アーク放電は上述
したアパーチャを通して燃焼し、陽極に向けられる。さ
らに、アパーチャによって既に絞られた放電は、適切な
磁場の作用によって蒸発すべき陽極材料の小さい点に集
束される。代表的な数値は、約り、２Ｃ：Ｉｎ２の陽極
点上への５〜Ｂ ｘｗの電力入力である。中空陰極放電
の場合にすけろように１低圧アークにより蒸発した材料
の高い活性化が得られる。他面において、双方の放電は
周囲作業ガスによって持続される。残留ガスなしでは、
放電の作動は不可能である。この理由で、これらの方法
は有利ＶＣ，ＴｉＮのような反応性被膜をつくるのに使
用される。純粋な被膜を得るためＫは、多くの場合周囲
ガスの存在は不利である。
さらに、真空アーク中での陰極スポット蒸発を使用する
方法が公知である（英国特許第１３２２６７０号明細書
）。真空アークは、高度真空中に最初に置かれた２つの
電極間の放電である。通常、放電は陰極材料の蒸発およ
びイオン化によって持続される。これら放電の特性的特
徴は、いわゆる陰極点である。これらは、電流に依存し
て、陰極の比較的冷たい表面上に１つまたは若干の明る
くかつ急速に動く点である。ｒｆ！１．電のほとんど全
部の電流が、陰極点に集中されて１０５〜Ｉ Ｑ’ Ａ
／Ｃ７Ａ２の電流密度が生じる。この高い電力集中が陰
極材料の強い浸食なもたらす。浸食された材料はイオン
化された金属蒸気ならびに多数の非常に小さい溶融液滴
からなる。この機構は、上述した陰極材料のスパッタに
密接に関連している。この放電を実施するのに周囲作業
ガスは必要でないが、この方法は２つの重大な欠点を示
す：（１）この放電は非常に不安定で、非常に高い電流
を必要とするかまたは頻繁に再点弧しなければならない
〔ギルモア（Ａ、Ｓ、Ｇｘｌｍｏｕｒ Ｊｒ、）および
ロックウッド（Ｄ、 Ｌ、Ｌｏｃｋｗｏｏｄ ）、グロ
シーデイングス・オプ°ず８アイ０ニー０ニー１ニー（
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥＥ ）
、第６０巻、Ａ８、第９７７頁（１９７２年）；コゼン
（Ｊ、 ｖ、 ｃｏｂｉｎｅ ）およびファラル（Ｇ、
Ａ、Ｆａｒｒａｌｌ ） 、ゾヤーナ／ｌ／−オプ・
アプライド・フイジクス（Ｊｏｕｒｎ、 ｏｆ Ａｐｎ
ｌ。
方法が公知である（英国特許第１３２２６７０号明細書
）。真空アークは、高度真空中に最初に置かれた２つの
電極間の放電である。通常、放電は陰極材料の蒸発およ
びイオン化によって持続される。これら放電の特性的特
徴は、いわゆる陰極点である。これらは、電流に依存し
て、陰極の比較的冷たい表面上に１つまたは若干の明る
くかつ急速に動く点である。ｒｆ！１．電のほとんど全
部の電流が、陰極点に集中されて１０５〜Ｉ Ｑ’ Ａ
／Ｃ７Ａ２の電流密度が生じる。この高い電力集中が陰
極材料の強い浸食なもたらす。浸食された材料はイオン
化された金属蒸気ならびに多数の非常に小さい溶融液滴
からなる。この機構は、上述した陰極材料のスパッタに
密接に関連している。この放電を実施するのに周囲作業
ガスは必要でないが、この方法は２つの重大な欠点を示
す：（１）この放電は非常に不安定で、非常に高い電流
を必要とするかまたは頻繁に再点弧しなければならない
〔ギルモア（Ａ、Ｓ、Ｇｘｌｍｏｕｒ Ｊｒ、）および
ロックウッド（Ｄ、 Ｌ、Ｌｏｃｋｗｏｏｄ ）、グロ
シーデイングス・オプ°ず８アイ０ニー０ニー１ニー（
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ ｔｈｅ ＩＥＥＥ ）
、第６０巻、Ａ８、第９７７頁（１９７２年）；コゼン
（Ｊ、 ｖ、 ｃｏｂｉｎｅ ）およびファラル（Ｇ、
Ａ、Ｆａｒｒａｌｌ ） 、ゾヤーナ／ｌ／−オプ・
アプライド・フイジクス（Ｊｏｕｒｎ、 ｏｆ Ａｐｎ
ｌ。
Ｐｈｙｓｉｃｓ ）第３１巻、Ａ１２、第２２９６頁（
１９６０年）〕。（２）高い速度で陰極から出る溶融液
滴は被覆された表面を覆うピンホールを生じる。
１９６０年）〕。（２）高い速度で陰極から出る溶融液
滴は被覆された表面を覆うピンホールを生じる。
一般の文献中には、基礎物理学ならびに真空アークの適
用に関する多数の刊行物を見出すことができる。広範な
記載は、う７テイ（Ｊ、Ｍ。
用に関する多数の刊行物を見出すことができる。広範な
記載は、う７テイ（Ｊ、Ｍ。
Ｌａｆｆｅｔｙ） 著バキューム・アークス・セオリー
・アンド・アプリケーション（Ｖａｃｕｕｍ ａｒｃｓ
。
・アンド・アプリケーション（Ｖａｃｕｕｍ ａｒｃｓ
。
Ｔｈｅｏｒｙ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ）、
発行者ジョン・ウイリイ・アンド・サンズ社（１９８０
年）Ｋ見出すことができる。周知の真空アークは、上述
した陰極点、即ち陰極の比較的冷たい表面上を明るく、
急速に動く点を特徴とする。これらの点において、放電
を持続するための電子ならびに蒸気が発生する。通常、
この放電は非常に不安定で、数分の１秒で消える。この
性質のため、真空アークは主に高電流遮断器に適用され
た。陽極蒸発をもたらす陽極現象は、数１００ＯＡより
上の非常に高い電流に対して知られているにすぎない〔
ミラー（Ｈ，Ｃ，Ｍｉｌｌｅｒ ） 、アイ。
発行者ジョン・ウイリイ・アンド・サンズ社（１９８０
年）Ｋ見出すことができる。周知の真空アークは、上述
した陰極点、即ち陰極の比較的冷たい表面上を明るく、
急速に動く点を特徴とする。これらの点において、放電
を持続するための電子ならびに蒸気が発生する。通常、
この放電は非常に不安定で、数分の１秒で消える。この
性質のため、真空アークは主に高電流遮断器に適用され
た。陽極蒸発をもたらす陽極現象は、数１００ＯＡより
上の非常に高い電流に対して知られているにすぎない〔
ミラー（Ｈ，Ｃ，Ｍｉｌｌｅｒ ） 、アイ。
ニー・ニー・ニー・トランザクション・オン・ｆラズ−
？ −サイｘ ＞ ス（ＩＥＫＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉ
ｏｎ ｏｎＰｌａｓｍａ ５ｃｉｅｎｃｅ ） 、第ｐ
ｓ−１１巻、Ａ２、第７６頁（１９８３年）〕。すべて
の電流技術的努力の目的は陽極蒸発をさけることである
。
？ −サイｘ ＞ ス（ＩＥＫＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉ
ｏｎ ｏｎＰｌａｓｍａ ５ｃｉｅｎｃｅ ） 、第ｐ
ｓ−１１巻、Ａ２、第７６頁（１９８３年）〕。すべて
の電流技術的努力の目的は陽極蒸発をさけることである
。
それというのもこの効果は遮断器の破損な生じ。
るからである。
発明が解決しようとする問題点
本発明方法は、新規タイプの真空アーク、低電流におけ
る陽極真空７−りな使用する。このタイプのアークの存
在は、普通の意味ならびに現存する理論的研究とは著し
く相違する。
る陽極真空７−りな使用する。このタイプのアークの存
在は、普通の意味ならびに現存する理論的研究とは著し
く相違する。
周知の真空アーク放電においては、陰極だけが有効であ
り、アーク放電な持綴するのに必要な材料および電子は
、陰極点において発生する。
り、アーク放電な持綴するのに必要な材料および電子は
、陰極点において発生する。
陰極で浸食された材料は周壁上で迅速に凝縮するため、
このタイプのアークは非常に不安定であって、普通は短
時間内に消弧する。
このタイプのアークは非常に不安定であって、普通は短
時間内に消弧する。
本発明の問題は、上述した欠点をさけ、工業的に簡単に
実施することのできる電子ビーム蒸発法を提供すること
である。本発明は極めて種種の用途に使用することがで
き、同時に、蒸気を高度に活性化しかつきれいな真空条
件における蒸発が反応性雰囲気中への蒸発のように可能
であることを確保する。
実施することのできる電子ビーム蒸発法を提供すること
である。本発明は極めて種種の用途に使用することがで
き、同時に、蒸気を高度に活性化しかつきれいな真空条
件における蒸発が反応性雰囲気中への蒸発のように可能
であることを確保する。
問題点を解決するための手段
蒸発すべき材料を、真空蒸発器内に置かれた陰極と陽極
との間に持説される真空アーク放電中に発生した電子で
衝撃することＫより真空蒸発器内で材料を蒸発させる本
発明方法は、（１） 蒸発すべき材料を陽極に接続し、
（２）＠極を衝撃する電子を、その主たる特徴が冷たい
陰極表面上の明るい迅速に動く点である真空アーク放電
において発生させ、 （３）陽極で蒸発ｌ−だ材料が主として放電の自持説の
ための作業ガスを生じることを特徴とする。
との間に持説される真空アーク放電中に発生した電子で
衝撃することＫより真空蒸発器内で材料を蒸発させる本
発明方法は、（１） 蒸発すべき材料を陽極に接続し、
（２）＠極を衝撃する電子を、その主たる特徴が冷たい
陰極表面上の明るい迅速に動く点である真空アーク放電
において発生させ、 （３）陽極で蒸発ｌ−だ材料が主として放電の自持説の
ための作業ガスを生じることを特徴とする。
本発明の基礎的な物理的背景は、新規タイプのアーク放
電、低電流における陽極真空アークの発展である。電極
、殊に陽極の適当な構造によって陽極蒸発は放電を安定
にする。この陽極蒸発は陽極の表面における点状構造に
おいて行なわれる。これらの点は、高度にイオン化され
た金属蒸気からなるプラズマジェットの発生源である。
電、低電流における陽極真空アークの発展である。電極
、殊に陽極の適当な構造によって陽極蒸発は放電を安定
にする。この陽極蒸発は陽極の表面における点状構造に
おいて行なわれる。これらの点は、高度にイオン化され
た金属蒸気からなるプラズマジェットの発生源である。
この点形成がこのタイプの放電の特徴であり、それ自体
は外部操作、たとえば磁場なしに出現する。この陽極に
おける自己集束のため、陽極における小さい面積への電
力の入力は、陽極材料の迅速な蒸発および活性化を非常
に高度なものにする。陽極点形成を生じる物理的理由は
現在までは知られていない。
は外部操作、たとえば磁場なしに出現する。この陽極に
おける自己集束のため、陽極における小さい面積への電
力の入力は、陽極材料の迅速な蒸発および活性化を非常
に高度なものにする。陽極点形成を生じる物理的理由は
現在までは知られていない。
陽極における蒸発速度は、陰極におけるよりもはるかに
高い。それで、この新規タイプのアーク放電は、陽極で
蒸気発生が生じろ限り安定であり、放電は蒸発した材料
の適当な置換によって長時間維持することができる。電
極の適当な構造および寸法によって、アーク放電は、（
蒸発すべき材料に依存して）１０〜４０Ａの間で、放電
中の電圧降下３０Ｖ〜４０Ｖで操作することができる。
高い。それで、この新規タイプのアーク放電は、陽極で
蒸気発生が生じろ限り安定であり、放電は蒸発した材料
の適当な置換によって長時間維持することができる。電
極の適当な構造および寸法によって、アーク放電は、（
蒸発すべき材料に依存して）１０〜４０Ａの間で、放電
中の電圧降下３０Ｖ〜４０Ｖで操作することができる。
高度に活性化された、蒸発せろ陽極材料はアーク放電を
維持するだけでなく、金属蒸気製造のためおよび被覆の
目的に極めて種々の適用形で使用することができろ。
維持するだけでなく、金属蒸気製造のためおよび被覆の
目的に極めて種々の適用形で使用することができろ。
それで、本発明方法により、材料を陽極に接続し、該材
料を、点形成で作動する陰極と蒸発する陽極との間で持
説する陽極真空アーク放電において発生した電子で衝撃
し、これ罠よって放電の自持紗のための作業ガスを得る
ことが提案される。高度に活性化された材料蒸気は多く
の目的に使用することができる。
料を、点形成で作動する陰極と蒸発する陽極との間で持
説する陽極真空アーク放電において発生した電子で衝撃
し、これ罠よって放電の自持紗のための作業ガスを得る
ことが提案される。高度に活性化された材料蒸気は多く
の目的に使用することができる。
材料を蒸発させる本発明方法の主たる用途は、真空被覆
プラントにおける表面の被覆であるが、真空中で材料を
蒸発させる本発明方法は多くの他の目的、たとえばブラ
タラングおよび金属蒸気レーず−に適用することもでき
る。
プラントにおける表面の被覆であるが、真空中で材料を
蒸発させる本発明方法は多くの他の目的、たとえばブラ
タラングおよび金属蒸気レーず−に適用することもでき
る。
陽極真空アークは、種々の方法で点弧することができる
。点弧に先立ち、周囲ガス圧をポンプで少なくとも１０
−１ｍｂの値に排気すべきである。クリーン真空条件が
望ましい場合には、高度真空またはむしろ超高度真空に
おけるアークの点弧および作業が有坪すである。アーク
放電の点弧は、アーク電力供給を所定値に設定し、陰極
と陽極とな短時間接触させることによって達成すること
ができる。この技術のほかに、トリが真空ギャップの点
弧から公知のすべての他の技術、たとえば陽極または陰
極のいずれかに接続された第ろの電極および陽極と陰極
との間の間隙中へのプラズマの放射な有効に使用するこ
とができる。さらに、アークは十分な圧力の雰囲気中で
ガス放電として点弧することができ、真空放電への転換
は蒸発室からガスをポンプで排気することによって達成
することができる。
。点弧に先立ち、周囲ガス圧をポンプで少なくとも１０
−１ｍｂの値に排気すべきである。クリーン真空条件が
望ましい場合には、高度真空またはむしろ超高度真空に
おけるアークの点弧および作業が有坪すである。アーク
放電の点弧は、アーク電力供給を所定値に設定し、陰極
と陽極とな短時間接触させることによって達成すること
ができる。この技術のほかに、トリが真空ギャップの点
弧から公知のすべての他の技術、たとえば陽極または陰
極のいずれかに接続された第ろの電極および陽極と陰極
との間の間隙中へのプラズマの放射な有効に使用するこ
とができる。さらに、アークは十分な圧力の雰囲気中で
ガス放電として点弧することができ、真空放電への転換
は蒸発室からガスをポンプで排気することによって達成
することができる。
安全な点弧のためには、放電の開始時に短かい高電流イ
ンパルスが有利である。
ンパルスが有利である。
本発明方法を実施する間の蒸発速度は、アーク電流を変
えることによって簡単に変えることができる。同一蒸発
室中で、同じかまたは異なる蒸発性材料を備えた複数の
陽極からの蒸発も可能である。この場合には、陽極を小
さい抵抗によって互いに電気的に分離するのが有用であ
る。これらの陽極は同時にもしくは均一または異なる電
気的条件下に使用することができろ。
えることによって簡単に変えることができる。同一蒸発
室中で、同じかまたは異なる蒸発性材料を備えた複数の
陽極からの蒸発も可能である。この場合には、陽極を小
さい抵抗によって互いに電気的に分離するのが有用であ
る。これらの陽極は同時にもしくは均一または異なる電
気的条件下に使用することができろ。
陽極は、個々の遮断器を用いて容易に接圧および遮断す
ることができる。ｖ１数の陽極を、１つまたは若干の陰
極とともに使用することができる。２つ以上の蒸発源か
らの蒸気の同時蒸着は、合金を製造するための工具でも
ある。
ることができる。ｖ１数の陽極を、１つまたは若干の陰
極とともに使用することができる。２つ以上の蒸発源か
らの蒸気の同時蒸着は、合金を製造するための工具でも
ある。
被覆すべき基材には、可変電位、有利に＠極に対して負
の電位を適用することができる。この電位は、種々の被
覆法において被膜の品質を改良するのに有用である。さ
らに、真空アークの陽極または陰極は、蒸発室の璧に対
して任意の電位に設定することができる。
の電位を適用することができる。この電位は、種々の被
覆法において被膜の品質を改良するのに有用である。さ
らに、真空アークの陽極または陰極は、蒸発室の璧に対
して任意の電位に設定することができる。
さもに、陰極を、陽極において蒸発した同し材料からつ
くるのが有用である。他面において、該材料以外の陰極
は、アーク点弧の直後に蒸発した陽極材料によって被覆
されろ。こうして、得られる被覆の陰極材料による汚染
は、アークの点弧の直後しか起りえない。
くるのが有用である。他面において、該材料以外の陰極
は、アーク点弧の直後に蒸発した陽極材料によって被覆
されろ。こうして、得られる被覆の陰極材料による汚染
は、アークの点弧の直後しか起りえない。
本発明方法を実施する間、陽極ならびに陰極は被覆すべ
き基体に対して移動させることができる。これは、被覆
法の間の基体上の陰影（Ｓｈａｄｏｗ ）を防ぐのに有
用である。
き基体に対して移動させることができる。これは、被覆
法の間の基体上の陰影（Ｓｈａｄｏｗ ）を防ぐのに有
用である。
さらに、被覆された基体が陰極点からの溶融液滴により
衝撃されるのを防ぐために、陰極を適当なシールドで取
囲むのが有用である。
衝撃されるのを防ぐために、陰極を適当なシールドで取
囲むのが有用である。
陽極の構造上の詳細は種々の方法で実施することはでき
るが、原則的には陽極の活性部分は蒸発すべき材料を支
持する耐熱性金属からなる。
るが、原則的には陽極の活性部分は蒸発すべき材料を支
持する耐熱性金属からなる。
双方の電極、即ち陽極および陰極は適当に冷却するのが
有利である。長時間作動には、蒸発した材料の補充が必
要である。この問題は、たとえば陽極の一部として耐熱
性管を使用することによって解決することができる。蒸
発した材料は、管内の可動金属線によって置換される。
有利である。長時間作動には、蒸発した材料の補充が必
要である。この問題は、たとえば陽極の一部として耐熱
性管を使用することによって解決することができる。蒸
発した材料は、管内の可動金属線によって置換される。
本発明方法により、多数の材料を蒸発させることができ
、実際にすべての固体表面を被覆する目的のために使用
することができる。得られる被膜は均一で、ピンホール
がなくかつすぐれた付着を示す。蒸着速度は高い。たと
えばアルミニウムを用い２ＯＡで距離３０ＣＩｎでは、
蒸着速度は約０．１μ／Ｓである。この場合、全アーク
へｏ電力人：ｊｎｔｏ、７ｘｗ（２［］Ａ、３５Ｖ ）
Ｋすぎない。低い電力入力および高い蒸着速度のため、
被覆される基体の熱応力は低い。このため、本発明方法
は殊にプラスチックの金属被覆のために有用である。低
い熱応力は、ろうそくをアルミニウムで被覆することＫ
よって立証された。被覆法後に、ろうの表面に溶融が検
出されなかった。
、実際にすべての固体表面を被覆する目的のために使用
することができる。得られる被膜は均一で、ピンホール
がなくかつすぐれた付着を示す。蒸着速度は高い。たと
えばアルミニウムを用い２ＯＡで距離３０ＣＩｎでは、
蒸着速度は約０．１μ／Ｓである。この場合、全アーク
へｏ電力人：ｊｎｔｏ、７ｘｗ（２［］Ａ、３５Ｖ ）
Ｋすぎない。低い電力入力および高い蒸着速度のため、
被覆される基体の熱応力は低い。このため、本発明方法
は殊にプラスチックの金属被覆のために有用である。低
い熱応力は、ろうそくをアルミニウムで被覆することＫ
よって立証された。被覆法後に、ろうの表面に溶融が検
出されなかった。
有利に１０−’ｍｂの周囲ガス圧での金属の蒸発のほか
に、本発明方法は、反応性被覆のためにも適用すること
ができ″る。たとえば窒化チタン層をつくるためには、
金属チタンを本発明方法により１０−” ｍｂの円囲窒
素雰囲気中で蒸発させる。窒素は、蒸発室内で付加的放
電によって活性化される。チタン蒸気と窒素との間の化
学反応により、基体上罠黄金色のＴｉＮ Ｎを得ること
ができる。かかる層は、たとえば強い機械的応力にさら
される表面における耐摩耗性被膜として有用である。
に、本発明方法は、反応性被覆のためにも適用すること
ができ″る。たとえば窒化チタン層をつくるためには、
金属チタンを本発明方法により１０−” ｍｂの円囲窒
素雰囲気中で蒸発させる。窒素は、蒸発室内で付加的放
電によって活性化される。チタン蒸気と窒素との間の化
学反応により、基体上罠黄金色のＴｉＮ Ｎを得ること
ができる。かかる層は、たとえば強い機械的応力にさら
される表面における耐摩耗性被膜として有用である。
特殊な用途では、本発明方法は管やボアホールの内壁を
被覆するのに使用することができる。
被覆するのに使用することができる。
これは、ボアホールまたは管内で真空密に動かすことの
できる円板上に陽極ならびに陰極を取付けることによっ
て可能にすることができろ。
できる円板上に陽極ならびに陰極を取付けることによっ
て可能にすることができろ。
２つの円板および２つの円板の間のボアホールまたは管
の内壁が蒸発室な形成する。円板は電気および真空接圧
部を含有している。
の内壁が蒸発室な形成する。円板は電気および真空接圧
部を含有している。
発明の効果
要するに、本発明方法は次の特徴によりすぐれている。
−高い蒸着速度および低（・電力入力、−被覆される表
面の低い熱応力、 一部られる被膜が均質で、ピンホールがなくかつすぐれ
た付着を示す、 −簡単かつ経済的実施、 一隅極点に電子を集束するのに外部操作が不要、−蒸発
せる材料が高度に活性化される、−被覆法は非常に高い
真空中ならびに高い円囲雰囲気中で可能である、 一蒸発源の小さい寸法、従って高い移動度、たとえば、
本発明方法は管の内壁の被覆のために適用することがで
きる、 一異なる蒸発源の同時使用による合金の製造可能性、 一異なる蒸発源の順次蒸発によるパサンドインチ被膜″
°の製造可能性。
面の低い熱応力、 一部られる被膜が均質で、ピンホールがなくかつすぐれ
た付着を示す、 −簡単かつ経済的実施、 一隅極点に電子を集束するのに外部操作が不要、−蒸発
せる材料が高度に活性化される、−被覆法は非常に高い
真空中ならびに高い円囲雰囲気中で可能である、 一蒸発源の小さい寸法、従って高い移動度、たとえば、
本発明方法は管の内壁の被覆のために適用することがで
きる、 一異なる蒸発源の同時使用による合金の製造可能性、 一異なる蒸発源の順次蒸発によるパサンドインチ被膜″
°の製造可能性。
最後に、本発明方法と他の公知方法との広範な比較を記
載する。本発明方法の根底をなす基本的な物理的機構は
、電子衝撃による材料の蒸発である。しかし他面におい
て、上述したすべての方法（本発明方法をも包含する）
は、陽極に接続された材料を衝撃する電子を発生させる
物理的機構が異なる。古典的電子ビーム蒸発器は、熱線
条陰極により放出される電子を使用する。これらの電子
は、高い電圧により加速され、生じた蒸気または残留ガ
スを活性化することなく陽極を衝撃する。他の２つの方
法は、電圧ガス放電に基づくものである。１つの方法は
電子を発生させるのに熱中空陰極を使用するが、これら
の電子は２番目の方法（米国特許第４１９７１７５号）
における熱線条陰極に１６（・て発生する。
載する。本発明方法の根底をなす基本的な物理的機構は
、電子衝撃による材料の蒸発である。しかし他面におい
て、上述したすべての方法（本発明方法をも包含する）
は、陽極に接続された材料を衝撃する電子を発生させる
物理的機構が異なる。古典的電子ビーム蒸発器は、熱線
条陰極により放出される電子を使用する。これらの電子
は、高い電圧により加速され、生じた蒸気または残留ガ
スを活性化することなく陽極を衝撃する。他の２つの方
法は、電圧ガス放電に基づくものである。１つの方法は
電子を発生させるのに熱中空陰極を使用するが、これら
の電子は２番目の方法（米国特許第４１９７１７５号）
における熱線条陰極に１６（・て発生する。
どちらの場合にも、電子とガス原子との間の融通性のな
い衝突により熱陰極から放出される電子を倍加するのに
、陰極領域における高いガス圧が必要である。こうして
、熱線条単独からの電子放出により可能であるよりもは
るかに高い電流が陽極に発生する。陽極に接続された材
料の蒸発のために十分な電力密度を得るために、電子ビ
ームを磁場により陽極上の小さい面積に集束する。放電
の代表的作動値は、ＩＤｏＶ％１００Ａの程度であり、
平均電力入力は１０ＫＷの程度である。
い衝突により熱陰極から放出される電子を倍加するのに
、陰極領域における高いガス圧が必要である。こうして
、熱線条単独からの電子放出により可能であるよりもは
るかに高い電流が陽極に発生する。陽極に接続された材
料の蒸発のために十分な電力密度を得るために、電子ビ
ームを磁場により陽極上の小さい面積に集束する。放電
の代表的作動値は、ＩＤｏＶ％１００Ａの程度であり、
平均電力入力は１０ＫＷの程度である。
本発明方法を実施する間、陽極を衝撃する電子は真空ア
ーク放電において発生する。第一に、放電を持緬するた
めに作業ガスは全く必要でない。しかし、必要な場合に
は、周囲ガス雰囲気中で真空アーク放電を作動すること
もできる。
ーク放電において発生する。第一に、放電を持緬するた
めに作業ガスは全く必要でない。しかし、必要な場合に
は、周囲ガス雰囲気中で真空アーク放電を作動すること
もできる。
高度真空条件下で、＠極真空アークそれ自体は、＠極の
蒸発による作動ガスを発生する。第二に５陰極は、実際
拠破壊しえないコンパクトな金属円板からなる。第三に
、陽極点の形成は本発明方法において使用される陽極真
空アークの根本的特徴である。蒸発すべき材料への十分
に高い電力集中は、陽極における放電の自己集束機構に
よって確保される。ガス放電とは異なり、電子ビームを
蒸発すべき材料に集中するのにたとえば磁場のような外
部操作は必要でない。こうして、純粋な金属蒸気プラズ
マの発生が可能である。第１図に、本発明方法に必要な
代表的電力入力はＩＫＷより下である。この値は、他の
方法の値よりもはるかに下であり、被覆すべき基体の熱
応力は著しく減少する。最後に、使用される真空アーク
は、被覆の目的（英国特許第１３２２６７０号明細書）
には陰極点機構に基づく限り、陽極は不活性である。基
礎的陰極点機構は、久しい以前から被覆の目的に使用さ
れたスパッタの効果に密接に関連している。
蒸発による作動ガスを発生する。第二に５陰極は、実際
拠破壊しえないコンパクトな金属円板からなる。第三に
、陽極点の形成は本発明方法において使用される陽極真
空アークの根本的特徴である。蒸発すべき材料への十分
に高い電力集中は、陽極における放電の自己集束機構に
よって確保される。ガス放電とは異なり、電子ビームを
蒸発すべき材料に集中するのにたとえば磁場のような外
部操作は必要でない。こうして、純粋な金属蒸気プラズ
マの発生が可能である。第１図に、本発明方法に必要な
代表的電力入力はＩＫＷより下である。この値は、他の
方法の値よりもはるかに下であり、被覆すべき基体の熱
応力は著しく減少する。最後に、使用される真空アーク
は、被覆の目的（英国特許第１３２２６７０号明細書）
には陰極点機構に基づく限り、陽極は不活性である。基
礎的陰極点機構は、久しい以前から被覆の目的に使用さ
れたスパッタの効果に密接に関連している。
若干のすぐれた実施態様の説明
下記に、本発明方法および本発明方法を実施するのに適
当な若干の装置を、添付図面につき詳述する。
当な若干の装置を、添付図面につき詳述する。
第１図は、底が円板１２で閉じられ、頂部が継手のまわ
りを移動可能の蓋１３によって閉じられているステンレ
ス鋼管１１からなる被覆装置１０を示す。管ないしは容
器１１は、管１５を介して真空ポンプ装置１６に接続さ
れている。
りを移動可能の蓋１３によって閉じられているステンレ
ス鋼管１１からなる被覆装置１０を示す。管ないしは容
器１１は、管１５を介して真空ポンプ装置１６に接続さ
れている。
陰極１７は壁１１ａに固定され、壁１１と陰極１７との
間の電気絶縁は絶縁材１８によって達成される。陰極は
冷却液通路により冷却することができ、該通路は冷却媒
体の入口１９および出口１９ａに接続されている。陰極
の内端部は、壁１１ａに固定されたセラミックシールド
２０によって取囲まれている。陰極１７に向合って絶縁
材２２により壁１１ｂがら電気的に絶縁されている陽極
２１が存在する。また、冷却媒体用の入口２３および出
口２４も存在する。陰極１７に最も近い陽極の端部は耐
熱金属からなり、それに蒸発すべき材料２５が接続され
て（・る。
間の電気絶縁は絶縁材１８によって達成される。陰極は
冷却液通路により冷却することができ、該通路は冷却媒
体の入口１９および出口１９ａに接続されている。陰極
の内端部は、壁１１ａに固定されたセラミックシールド
２０によって取囲まれている。陰極１７に向合って絶縁
材２２により壁１１ｂがら電気的に絶縁されている陽極
２１が存在する。また、冷却媒体用の入口２３および出
口２４も存在する。陰極１７に最も近い陽極の端部は耐
熱金属からなり、それに蒸発すべき材料２５が接続され
て（・る。
真空アークを点弧するために、陰極１，７および／また
は陽極２１は、二重矢印２６および２７によりそれぞれ
示したように移動可能である。
は陽極２１は、二重矢印２６および２７によりそれぞれ
示したように移動可能である。
点弧のためＫは、陽極２５の端部および陰極３゜の表面
を短時間接触させねばならない。他の点弧装置も第１図
に包含されている。これは、二重矢印２９の方向に移動
可能な補助陽極２８からなる。通常、アーク放電を点弧
するためＫは移動可能電極１７および／または２１が、
または補助電極が必要である。もちろん、補助陽極２８
の代りに、補助陰極を使用することもできる。
を短時間接触させねばならない。他の点弧装置も第１図
に包含されている。これは、二重矢印２９の方向に移動
可能な補助陽極２８からなる。通常、アーク放電を点弧
するためＫは移動可能電極１７および／または２１が、
または補助電極が必要である。もちろん、補助陽極２８
の代りに、補助陰極を使用することもできる。
電極゛１７および２１の上方には、被覆すべき基体用の
支持物３７が存在する。この支持物は１ｍ３６によって
動かすことができ、アーク放電は、シャッタ３５により
分離することができる。
支持物３７が存在する。この支持物は１ｍ３６によって
動かすことができ、アーク放電は、シャッタ３５により
分離することができる。
被覆プロセスに先立って基体を清浄にするのは、電極３
８と３９との間のグロー放電によって可能である。管４
３を経て弁４４によって容器１１中へガスを導入するこ
とができる。シールド４１および４２は、金属での被覆
のために絶縁材１８および２２が破損するのを防止する
。４ｏは真空計である。
８と３９との間のグロー放電によって可能である。管４
３を経て弁４４によって容器１１中へガスを導入するこ
とができる。シールド４１および４２は、金属での被覆
のために絶縁材１８および２２が破損するのを防止する
。４ｏは真空計である。
第６図には、プラズマガンによりアーク放電を点弧する
方法が示されている。これは、孔３２を有するグラスチ
ック円板３１、電気絶縁３３ａな有する内部電極３３、
および第２の電極３４を有する毛管放電装置からなる。
方法が示されている。これは、孔３２を有するグラスチ
ック円板３１、電気絶縁３３ａな有する内部電極３３、
および第２の電極３４を有する毛管放電装置からなる。
２Ｏ−３０ＫＶの高電圧パルスが、孔の内部に、電極３
４を通って“陰極表面３０と陽極２５との間の間隙中へ
延びるプラズマを発生する。
４を通って“陰極表面３０と陽極２５との間の間隙中へ
延びるプラズマを発生する。
第４図は、電極のすぐれた実施態様を詳細に示す。陰極
１７はたとえば直径２０ａｍの円板がらなり、冷却され
た支持物１７′に取付けられている。陽極の冷却された
支持物２１は、直径２属鳳の２つのタングステン１１４
５および４６な有する。蒸発すべき材料２５は４１４５
および４６に接続されている。陽極の他の構造において
は、俸４５および４６は、蒸発すべき材料２５を有する
るつぼ４５ａに代えられている。第４図において１１４
５と４６が交叉する目的は、交叉点近くに蒸発すべき溶
融した材料の滴を固定するためである。
１７はたとえば直径２０ａｍの円板がらなり、冷却され
た支持物１７′に取付けられている。陽極の冷却された
支持物２１は、直径２属鳳の２つのタングステン１１４
５および４６な有する。蒸発すべき材料２５は４１４５
および４６に接続されている。陽極の他の構造において
は、俸４５および４６は、蒸発すべき材料２５を有する
るつぼ４５ａに代えられている。第４図において１１４
５と４６が交叉する目的は、交叉点近くに蒸発すべき溶
融した材料の滴を固定するためである。
電極１７および２１の支持物は、陽極真空アークを作動
するために適当な電力供給源への電気的接続体としても
役立つ。
するために適当な電力供給源への電気的接続体としても
役立つ。
第５図は、陽極の他の構造な示す。
第６図には、放電の長時間作動に適当な陽極が示されて
おり、蒸発した材料は管２７を通って矢印４７の方向Ｋ
ｌｉ換される。
おり、蒸発した材料は管２７を通って矢印４７の方向Ｋ
ｌｉ換される。
第７図は、管４９の内壁４８を被覆するのに適当な装置
を示す。２つの円板５１および５２は電極１７および２
１を有する。円板は、１つまたは若干の俸５０によって
互いに連結され、シール５３および５４によって取囲ま
れている。
を示す。２つの円板５１および５２は電極１７および２
１を有する。円板は、１つまたは若干の俸５０によって
互いに連結され、シール５３および５４によって取囲ま
れている。
電気およびポンプの接続は、線５５．５６および５０に
よって可能になっている。蒸発室は、２つの円板５１と
５２との間で管４８の内壁によって形成される。長い管
の全内壁を被覆するためには、この装置をかぎ５７に固
定されたフード５８により管の内部に沿って動かすこと
ができる。
よって可能になっている。蒸発室は、２つの円板５１と
５２との間で管４８の内壁によって形成される。長い管
の全内壁を被覆するためには、この装置をかぎ５７に固
定されたフード５８により管の内部に沿って動かすこと
ができる。
第８図は、円筒形の箱５９、底６０および蓋６１からな
る、本発明方法による装置を示す。
る、本発明方法による装置を示す。
陰極１７およびシールド２０は底に固定され、陽極２１
は蓋に固定されている。被覆すべき基体３７．３７ａ等
は、円筒形の支持物６３上に取付けられ、該支持物は容
易に蒸発室中へ入れるかまたはこれから取出すことがで
きる。
は蓋に固定されている。被覆すべき基体３７．３７ａ等
は、円筒形の支持物６３上に取付けられ、該支持物は容
易に蒸発室中へ入れるかまたはこれから取出すことがで
きる。
第１０図は、陽極２１が底に固定され、陰極１７が蓋に
固定されていることを除き、本発明方法の類似の実施例
を示す。被覆すべき基体３７゜３７ａ等はプラスチック
支持物６３の内部に存在する。この支持物６３はいつか
は交換することができ、蒸発室１０が蒸発した材料によ
って被覆されるのを防止する。
固定されていることを除き、本発明方法の類似の実施例
を示す。被覆すべき基体３７゜３７ａ等はプラスチック
支持物６３の内部に存在する。この支持物６３はいつか
は交換することができ、蒸発室１０が蒸発した材料によ
って被覆されるのを防止する。
第１１図は、箔を被覆するため本発明方法を適用するの
に適当な装置を示す。この垂直断面図に、蓋６５を有す
る箱６４を認めることができる。若干の陰極１７，１７
ａ、１７ｂおよび陽極２１，２１ａ、２１ｂは箱の相対
する壁に取付けられている。壁６６および６７は被覆す
べき箔７０，７０ａの入口および出口を有し、該箔はそ
れぞれローラ７１．７１＆およヒフ２゜７２ａによって
動かされる。壁７３．７３８は互いに放電を分離する。
に適当な装置を示す。この垂直断面図に、蓋６５を有す
る箱６４を認めることができる。若干の陰極１７，１７
ａ、１７ｂおよび陽極２１，２１ａ、２１ｂは箱の相対
する壁に取付けられている。壁６６および６７は被覆す
べき箔７０，７０ａの入口および出口を有し、該箔はそ
れぞれローラ７１．７１＆およヒフ２゜７２ａによって
動かされる。壁７３．７３８は互いに放電を分離する。
第１２図は同じ装置の上面図を示す。さらＫ。
どのようｋして複数の＠極を同時に、または必要に応じ
、順次に、ＩＩ極２１，２１ ａ、２１ ｂに接続され
たスイッチを開閉することＫよって作動しうるかが略示
されている。
、順次に、ＩＩ極２１，２１ ａ、２１ ｂに接続され
たスイッチを開閉することＫよって作動しうるかが略示
されている。
例１
アルミニウム被膜、たとえば平滑なフ０ラスナック表面
上にミラーをつくるために、電極１７および２１を第４
図がら認めうるように製造し、直流電源に接続した。被
覆すべき基体を支持物３７上に固定し、ポンプ系１６を
用いて、蒸発装置１０を１３−’ｍｌ）の圧力に排気し
た。被覆プロセスに先立ち、基体を注意深く脱脂し、最
後に電極３８と３９との間で点弧されるグロー放電によ
って清浄にした。この目的のために、弁４４を開いて、
ポンプ運転の間、蒸奢室中に約０．１ｍｂのアルゴンガ
ス圧を生成せしめた。弁４４を閉じ、アルゴンガス圧を
約１０−’ｍｂに下げた後、電極端部２５と３０とを広
範に接触させ、所定位置に引戻した。真空アーク放電の
点弧の際に、陰極３０の表面に特徴的な陰極点が現われ
、瞬時にアルミニウム２５が溶融し、殊にアークのまわ
りのアークプラズマが青菫色に変わる。この色はアルミ
ニウム蒸気プラズマに代表的なもので、蒸発した陽極材
料の適正作動を指示する。たとえばアー りを銅または
鉄で作動した場合には、アークプラズマは緑色で現われ
、クロムでは青色に着色する。作動の開瞼極表面３０で
生成した溶融金属滴が、被覆される表面に衝突するのを
防ぐため特別な配慮をした。
上にミラーをつくるために、電極１７および２１を第４
図がら認めうるように製造し、直流電源に接続した。被
覆すべき基体を支持物３７上に固定し、ポンプ系１６を
用いて、蒸発装置１０を１３−’ｍｌ）の圧力に排気し
た。被覆プロセスに先立ち、基体を注意深く脱脂し、最
後に電極３８と３９との間で点弧されるグロー放電によ
って清浄にした。この目的のために、弁４４を開いて、
ポンプ運転の間、蒸奢室中に約０．１ｍｂのアルゴンガ
ス圧を生成せしめた。弁４４を閉じ、アルゴンガス圧を
約１０−’ｍｂに下げた後、電極端部２５と３０とを広
範に接触させ、所定位置に引戻した。真空アーク放電の
点弧の際に、陰極３０の表面に特徴的な陰極点が現われ
、瞬時にアルミニウム２５が溶融し、殊にアークのまわ
りのアークプラズマが青菫色に変わる。この色はアルミ
ニウム蒸気プラズマに代表的なもので、蒸発した陽極材
料の適正作動を指示する。たとえばアー りを銅または
鉄で作動した場合には、アークプラズマは緑色で現われ
、クロムでは青色に着色する。作動の開瞼極表面３０で
生成した溶融金属滴が、被覆される表面に衝突するのを
防ぐため特別な配慮をした。
これは、シールド１７ａ内の陰極表面３０の適当な位置
によって可能であった。アーク電流は２５Ｖであり、放
電の電圧降下は３５Ｖであった。１０秒内に、陽極２５
かも２０Ｃｍ離れて置かれたプラスチック基体の表面は
、均質で、ピンホールがなくかつ鏡状のアルミニウム被
膜で覆われていた。得られる被膜は厚さ約［１，２μで
あり、すぐれた付着を示した。
によって可能であった。アーク電流は２５Ｖであり、放
電の電圧降下は３５Ｖであった。１０秒内に、陽極２５
かも２０Ｃｍ離れて置かれたプラスチック基体の表面は
、均質で、ピンホールがなくかつ鏡状のアルミニウム被
膜で覆われていた。得られる被膜は厚さ約［１，２μで
あり、すぐれた付着を示した。
例２
極めて種々の材料を、金属の蒸発に好適である本発明方
法によって蒸発させることができた。
法によって蒸発させることができた。
これらのうちには、Ａｔ、Ｓｉ 、 Ｔｉ 、 Ｖ、
Ｏｒ。
Ｏｒ。
Ｍｎ、 Ｆｅ、Ｃｏ、 Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、 Ｐｄ、
Ａｇ。
Ａｇ。
ＣｄおよびＡｕがある。一般に、高い蒸気圧を有する材
料は、低い蒸気圧を有する材料よりも高いアーク電流を
必要とする。たとえばＣｄで放電を作動するためには１
ＱＡのアーク電流で十分であったが、Ｔ１またはＰｔに
は３５Ａよりも大きいアーク電流が有利である。
料は、低い蒸気圧を有する材料よりも高いアーク電流を
必要とする。たとえばＣｄで放電を作動するためには１
ＱＡのアーク電流で十分であったが、Ｔ１またはＰｔに
は３５Ａよりも大きいアーク電流が有利である。
反応性蒸気、たとえばＴｉＮの蒸着な得るためには、ア
ーク放電を約１Ｏ−２ｒＩＬｂの周囲Ｎ２雰囲気中で作
動した。
ーク放電を約１Ｏ−２ｒＩＬｂの周囲Ｎ２雰囲気中で作
動した。
添付図面は本発明方法を実施するのに適当な装置の実施
例な示すもので、第１図は本発明による装置の垂直断面
図であり、第２図は第１図における装置の上面図、第３
図は第１図に示したものとは別の点弧装置を有する装置
の垂直断面図であり、第４図は陽極および陰極の構造を
示す断面図であり、第４Ａ図は他の陽極の断面図であり
、第５図および第６図は他の可能な陽極構造を示す垂直
断面図であり、第７図は管およびボアホールの内壁を被
覆するのに適当な本発明による装置の断面図であり、第
８図は本発明方法を実施するのに適当な他の被覆装置の
垂直断面図であり、第９図は第８図の装置の上面図であ
り、第１０図は本発明方法を実施するのに適当な他の被
覆装置の垂直断面図であり、第１１図は本発明による他
の被覆装置の垂直断面図であり、第１２図は第１１図の
装置の上面図である。 １０・被覆装置、１１・・ステンレス鋼管、１２・・円
板、１３・・・蓋、１４・・継手、１５・・管、１６・
・・真空ポンプ装置、１７，１７ａ、１７ｂ・・陰極、
１８・・絶縁材、１９・・・入口、１９ａ・・出口、２
０・・・シールド、 ２１，２１ａ、２１ｂ−陽極、２
２・・絶縁材、２３・入口、２４・出口、２５・・陽極
、２６．２７・・二重矢印、２８・・・補助陽極、２９
・・二重矢印、３０・・陰極、３トフ０ラスチック円板
、３２・・・孔、３３．３４・電極、３５ ・シャッタ
、３６・・・棒、３７．３７ａ・・被覆される基体、３
８．３９・・電極、４０ ・真空計、４１．４２・・シ
ールド、４３・・伐゛、４４・・弁、４５．４６・・−
俸、４７・・矢印、４８ ・内壁、４９・・・管、５０
・・・俸、５１．．５２・・・円板、５３゜５４・・シ
ール、５７・・・かぎ、５８・・コード、５９・・・円
筒形箱、６０・・・底、６１・蓋、６３・・支持物、６
４・・・箱、６５ ・壺、６６．６７・・・壁、７０゜
７０ ａ ・＝箔、７１．７１ａ、７２，７２ａ−・ロ
ーラ、７３，７３ａ・・壁 夕 ２３ ベロ ２４ 九０ ３６ 忰 ２３．２４４・−襄襖 ＝μ
例な示すもので、第１図は本発明による装置の垂直断面
図であり、第２図は第１図における装置の上面図、第３
図は第１図に示したものとは別の点弧装置を有する装置
の垂直断面図であり、第４図は陽極および陰極の構造を
示す断面図であり、第４Ａ図は他の陽極の断面図であり
、第５図および第６図は他の可能な陽極構造を示す垂直
断面図であり、第７図は管およびボアホールの内壁を被
覆するのに適当な本発明による装置の断面図であり、第
８図は本発明方法を実施するのに適当な他の被覆装置の
垂直断面図であり、第９図は第８図の装置の上面図であ
り、第１０図は本発明方法を実施するのに適当な他の被
覆装置の垂直断面図であり、第１１図は本発明による他
の被覆装置の垂直断面図であり、第１２図は第１１図の
装置の上面図である。 １０・被覆装置、１１・・ステンレス鋼管、１２・・円
板、１３・・・蓋、１４・・継手、１５・・管、１６・
・・真空ポンプ装置、１７，１７ａ、１７ｂ・・陰極、
１８・・絶縁材、１９・・・入口、１９ａ・・出口、２
０・・・シールド、 ２１，２１ａ、２１ｂ−陽極、２
２・・絶縁材、２３・入口、２４・出口、２５・・陽極
、２６．２７・・二重矢印、２８・・・補助陽極、２９
・・二重矢印、３０・・陰極、３トフ０ラスチック円板
、３２・・・孔、３３．３４・電極、３５ ・シャッタ
、３６・・・棒、３７．３７ａ・・被覆される基体、３
８．３９・・電極、４０ ・真空計、４１．４２・・シ
ールド、４３・・伐゛、４４・・弁、４５．４６・・−
俸、４７・・矢印、４８ ・内壁、４９・・・管、５０
・・・俸、５１．．５２・・・円板、５３゜５４・・シ
ール、５７・・・かぎ、５８・・コード、５９・・・円
筒形箱、６０・・・底、６１・蓋、６３・・支持物、６
４・・・箱、６５ ・壺、６６．６７・・・壁、７０゜
７０ ａ ・＝箔、７１．７１ａ、７２，７２ａ−・ロ
ーラ、７３，７３ａ・・壁 夕 ２３ ベロ ２４ 九０ ３６ 忰 ２３．２４４・−襄襖 ＝μ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 冷陰極と陽極との間で持続される真空アーク放電
において発生ビだ電子の衝撃によって蒸発すべき材料を
加熱することにより真空蒸発器中で材料を蒸発させる方
法において、陰極と陽極とを真空室中で位置ぎめし、蒸
発すべき材料を蒸発室中で陽極またはその一部として接
紗し、真空アーク放電の冷陰極表面上の陰極点において
放電の自持続のための電子を発生させ、陽極をその表面
に材料の蒸発に十分な電力入力を得るために放電におい
て発生した電子で衝撃し、アーク放電を実質的に陽極で
蒸発した材料の蒸気中で維持することを特徴とする真空
中で材料を蒸発する方法。 ２、 真空アーク放電の電圧を１００Ｖより下にかつ少
なくとも１Ａの電流を特徴する特許請求の範囲第１項記
、載の真空蒸発器中で材料を蒸発する方法。 ６ アーク放電の電流を変えることにより蒸発の速度を
変える、特許請求の範囲第１項記載の真空蒸発器中で材
料な蒸発する方法。 ４ 真空了−り放電の作動の間蒸発すべき材料を陽極に
供給する、特許請求の範囲第１項記載の真空蒸発器中で
材料な蒸発する方法。 ５ 複数の陽極な使用して、同じかまたは異なる電気的
条件下で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行なう、特許
請求の範囲第１項記載の真空蒸発器中で材料を蒸発する
方法。 ６、 複数の陽極を使用して、同じかまたは異なる電気
的条件下で、複数の蒸発源から順次に蒸着を行なう、特
許請求の範囲第１項記載の真空蒸発器中で材料を蒸発す
る方法。 Ｚ 陰極および陽極を蒸発室から電気的に絶縁し、電極
をアースされた蒸発室の電位とは異なる電位に維持する
、特許請求の範囲第１項記載の真空蒸発器中で材料な蒸
発する方法。 ８ 被覆すべき基体を、蒸発した材料中で持続される独
立の放電により、陽極の電位とは異なる電位に維持する
、特許請求の範囲第１項記載の真空蒸発器中で材料を蒸
発する方法。 ９ 蒸発源および複数の蒸発源を、真空アーク放電の作
動の間、被覆される基体に対して移動させる、特許請求
の範囲第１項記載の真空蒸発器中で材料な蒸発する方法
。 １０ 真空アーク放電の安全点弧を確保するため、点弧
の間、アーク電流に１００Ａよりも大きい短かい電流イ
ンパルスな重ねる、特許請求の範囲第１項記載の真空蒸
発器中で材料な蒸発する方法。 １１ 蒸発室中に反応性ガスを含有する雰囲気な維持す
る、特許請求の範囲第１項記載の真空蒸発器中で材料を
蒸発する方法。 １２ 蒸発室中にガス混合物からなる雰囲気を特徴する
特許請求の範囲第１項、または、第１１項記載の真空蒸
発器中で材料を蒸発ずろ方法。 １ろ がス雰囲気を、蒸発室内の付加的ガス放電によっ
て活性化する、特許請求の範囲第７項、第１１項または
第１２項記載の真空蒸発器中で材料を蒸発する方法。 １４、蒸発室内で真空な発生させるためのポンプ装置に
接続された蒸発室な形成する装置、蒸発室内建配置され
た陽極および陰極を有１〜、陽極は蒸発すべき材料を支
持するように適合されており、かつ陽極および陰極に接
続された電力供給源を有し、これによって陰極と陽極と
の間に陽極真空アーク放電が持続さねるよ５Ｋしたこと
な特徴とする、真空蒸発器中で材料な蒸発する装置。 １５ 蒸発室中で被覆すべき基体な支持するための支持
装置な有する、特許請求の範囲第１４珀記載の真空蒸発
器。 １６ 真空蒸発器なデンタポンブとして利用する、特許
請求の範囲第１４項記載の真空蒸発器。 １７ 真空蒸発器をレーサ゛−光線と関連して利用する
、特許請求の範囲第１４項記載の真空蒸発器。 １８ 陽極真空アークの作動の間、蒸発装置中にガス雰
囲気を維持する装置な有する、特許請求の範囲第１４項
記載の真空蒸発器。 １９ 蒸発室内で陰極および／または陽極な移動させる
装置な有する、特許請求の範囲第１４項記載の真空蒸発
器。 ２０陽極真空アーク放電を点弧するための可動補助電極
を有する、特許請求の範囲第１４項記載の真空蒸発器。 ２１、陽極と陰極との間の間隙中へプラズマを放射する
ことにより、陽極真空アーク放電を点弧するための装置
を有する、特許請求の範囲第１４項記載の真空蒸発器。 ２２ 放電作動の間、陽極および陰極の支持物を冷却す
るための装置な有する、特許請求の範囲第１４項記載の
真空蒸発器。 ２３ 被覆される基体に陰極から来る材料が衝突するの
を防ぐために陰極のまわりにシールドを有する、特許請
求の範囲第１４項記載の真２４ 陽極で蒸発した材料を
置換する装置を有する、特許請求の範囲第１４項記載の
真空蒸発器。 ２５ 蒸発源と被覆すべき基体との間にシャッタな有す
る、特許請求の範囲第１４項記載の真空蒸発器。 ２６ 被覆プロセスに先立ちグロー放電を作動する装置
な有する、特許請求の範囲第１４項記載の真空蒸発器。 ２７ 独立放電の電力供給＃に接だされている支持装置
を有する、特許請求の範囲第１４項記載の真空蒸発器。 ２８ その壁が部分的にＲまたはボアホールの内壁から
なる蒸発室を形成する装置および管およびボアホールの
内壁を被覆するため管また（エボアホールの内部に沿っ
て陽極真空アーク放電な移動させろ装置な有する、特許
請求の範囲第１４項記載の真空蒸発器。 ２９ 蒸発室内に配置された複数の陽極を有する、ルし
ラシャ自 ＋４）伽λ ■召 竺 １ ｉ（＠ 亡β
当ｅ ａ）！ りし 満（ｘｘ ラグ６０、蒸発室内
に配置された複数の陰極を有する、特許請求の範囲第１
４項記載の真空蒸発器。 ６１ 基体が適当なロックデートを通って蒸発室を出入
する蒸発室を通って移動する基体を被覆する装置を有す
る、特許請求の範囲第１４項記載の真空蒸発器。 ３２、回転する間基体を被覆するための回転支持装置を
有する、特許請求の範囲第１５項記載の真空蒸発器。 ６３、放電において荷電粒子の通路に影響を与えるため
、蒸発室内の磁場発生のための、向合って配置された磁
場フィルを有する、特許請求の範囲第１４項記載の真空
蒸発器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3413891.9 | 1984-04-12 | ||
| DE19843413891 DE3413891A1 (de) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | Verfahren und vorrichtung zum verdampfen von material in vakuum |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60255973A true JPS60255973A (ja) | 1985-12-17 |
| JPH0645870B2 JPH0645870B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=6233438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60076859A Expired - Lifetime JPH0645870B2 (ja) | 1984-04-12 | 1985-04-12 | 真空中で材料を蒸発する方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4917786A (ja) |
| EP (1) | EP0158972B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0645870B2 (ja) |
| DE (2) | DE3413891A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63103959A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | ガスセンサ |
| JPH01152259A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Nissin Electric Co Ltd | 銅またはその合金のコーティング方法 |
| JPH01234557A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-19 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 熱線反射板及びその製造方法 |
| JPH01164756U (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-17 | ||
| CN102869183A (zh) * | 2011-07-08 | 2013-01-09 | 王殿儒 | 一种获得电离金属蒸气的方法 |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0361265A1 (de) * | 1988-09-29 | 1990-04-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellung von dünnen Schichten eines Hochtemperatur-Supraleiters (HTSL) durch ein plasmaaktiviertes PVD-Verfahren |
| DE3941202A1 (de) * | 1989-12-14 | 1990-06-07 | Krupp Gmbh | Verfahren zur erzeugung von schichten aus harten kohlenstoffmodifikationen und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
| DE4042337C1 (en) * | 1990-08-22 | 1991-09-12 | Plasco Dr. Ehrich Plasma-Coating Gmbh, 6501 Heidesheim, De | Controlling degree of ionisation of vapour for surface coating - by preventing straight line current flow between hot anode target surface and cold cathode by using movable wall between them |
| DE4029099A1 (de) * | 1990-09-13 | 1992-04-09 | Technics Plasma Gmbh | Verfahren zum herstellen von spritzgussmatritzen |
| DE4100541C1 (ja) * | 1991-01-10 | 1992-01-16 | Plasco Dr. Ehrich Plasma-Coating Gmbh, 6501 Heidesheim, De | |
| DE4109213C1 (en) * | 1991-03-21 | 1992-04-09 | Forschungsgesellschaft Fuer Elektronenstrahl- Und Plasmatechnik Mbh, O-8051 Dresden, De | Arc-source for vacuum coating system - comprises cathode housing with double walled shell, and thin base, target, cooling water supply, drain, etc. |
| US5269896A (en) * | 1991-05-29 | 1993-12-14 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Cathodic arc deposition system |
| CH683776A5 (de) * | 1991-12-05 | 1994-05-13 | Alusuisse Lonza Services Ag | Beschichten einer Substratfläche mit einer Permeationssperre. |
| DE4203371C1 (ja) * | 1992-02-06 | 1993-02-25 | Multi-Arc Oberflaechentechnik Gmbh, 5060 Bergisch Gladbach, De | |
| US5441617A (en) * | 1992-08-25 | 1995-08-15 | Northeastern University | Anodic arc source containment mechanisms |
| US5441624A (en) * | 1992-08-25 | 1995-08-15 | Northeastern University | Triggered vacuum anodic arc |
| US5580429A (en) * | 1992-08-25 | 1996-12-03 | Northeastern University | Method for the deposition and modification of thin films using a combination of vacuum arcs and plasma immersion ion implantation |
| US5302271A (en) * | 1992-08-25 | 1994-04-12 | Northeastern University | Anodic vacuum arc deposition system |
| US5274686A (en) * | 1992-09-25 | 1993-12-28 | Combustion Engineering, Inc. | Anodic vacuum arc deposition |
| DE4305721C1 (de) * | 1993-02-25 | 1994-07-21 | Dresden Vakuumtech Gmbh | Niedervoltbogenverdampfer mit Nachfütterungseinrichtung und Verfahren zu dessen Verwendung |
| DE4307740C2 (de) * | 1993-03-11 | 1994-12-22 | Ttk Kunststoff Tech Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Gehäusen mit wenigstens einer metallischen Abschirmschicht |
| DE4336681C2 (de) * | 1993-10-27 | 1996-10-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zum plasmaaktivierten Elektronenstrahlverdampfen |
| DE4336680C2 (de) * | 1993-10-27 | 1998-05-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Elektronenstrahlverdampfen |
| DE4409761B4 (de) * | 1994-03-22 | 2007-12-27 | Vtd Vakuumtechnik Dresden Gmbh | Einrichtung zur plasmagestützten Verdampfung in einem Bogenentladungsplasma |
| DE4444763C2 (de) * | 1994-12-19 | 1996-11-21 | Apvv Angewandte Plasma Vakuum | Elektrode zur Materialverdampfung für die Beschichtung von Substraten |
| DE19600993A1 (de) * | 1995-01-13 | 1996-08-08 | Technics Plasma Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur anodischen Verdampfung eines Materials mittels einer Vakuumlichtbogenentladung |
| DE19628102A1 (de) * | 1996-07-12 | 1998-01-15 | Bayerische Motoren Werke Ag | Vakuumbeschichtungsanlage mit einer Beschichtungskammer und zumindest einer Quellenkammer |
| US6223683B1 (en) | 1997-03-14 | 2001-05-01 | The Coca-Cola Company | Hollow plastic containers with an external very thin coating of low permeability to gases and vapors through plasma-assisted deposition of inorganic substances and method and system for making the coating |
| DE19724996C1 (de) * | 1997-06-13 | 1998-09-03 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum plasmaaktivierten Elektronenstrahlverdampfen und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| GB9722645D0 (en) * | 1997-10-24 | 1997-12-24 | Univ Nanyang | Enhanced macroparticle filter and cathode arc source |
| US7014738B2 (en) * | 1997-10-24 | 2006-03-21 | Filplas Vacuum Technology Pte Ltd. | Enhanced macroparticle filter and cathode arc source |
| US6251233B1 (en) | 1998-08-03 | 2001-06-26 | The Coca-Cola Company | Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation |
| US6720052B1 (en) * | 2000-08-24 | 2004-04-13 | The Coca-Cola Company | Multilayer polymeric/inorganic oxide structure with top coat for enhanced gas or vapor barrier and method for making same |
| US6740378B1 (en) | 2000-08-24 | 2004-05-25 | The Coca-Cola Company | Multilayer polymeric/zero valent material structure for enhanced gas or vapor barrier and uv barrier and method for making same |
| WO2002078510A2 (de) | 2001-03-23 | 2002-10-10 | Alcove Surfaces Gmbh | Aluminiumimplantat und dessen verwendung |
| US6599584B2 (en) * | 2001-04-27 | 2003-07-29 | The Coca-Cola Company | Barrier coated plastic containers and coating methods therefor |
| MXPA04009183A (es) * | 2002-04-15 | 2004-11-26 | Coca Cola Co | Composicion de recubrimiento que contiene un aditivo epoxido y estructuras recubiertas con el mismo. |
| DE10224991A1 (de) * | 2002-06-05 | 2004-01-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Einrichtung zur Reduzierung der Zündspannung von Plasmen |
| WO2004006805A1 (de) * | 2002-07-17 | 2004-01-22 | Alcove Surfaces Gmbh | Beschichtete chirurgische einrichtung und verfahren zu deren herstellung |
| TW201110831A (en) * | 2009-09-03 | 2011-03-16 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Plasma apparatus and method of fabricating nano-crystalline silicon thin film |
| US20150114828A1 (en) * | 2013-10-31 | 2015-04-30 | General Electric Company | Systems and method of coating an interior surface of an object |
| US9970098B2 (en) * | 2013-12-16 | 2018-05-15 | United Technologies Corporation | Movable evaporation source |
| EP3556901B1 (en) * | 2018-04-20 | 2021-03-31 | Plansee Composite Materials Gmbh | Vacuum arc source |
| DE102019110642A1 (de) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | Vtd Vakuumtechnik Dresden Gmbh | Anode für PVD-Prozesse |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5489944A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-17 | Balzers Hochvakuum | Gold plating |
| JPS5935420A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-27 | Kouon Denki Kk | 半導体薄膜形成方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR822069A (fr) * | 1936-05-27 | 1937-12-20 | Procédé pour métalliser ou revêtir des objets par pulvérisation cathodique | |
| FR1496697A (fr) * | 1965-10-20 | 1967-09-29 | Gen Precision Inc | Appareil de revêtement de la surface d'un substrat |
| US3562141A (en) * | 1968-02-23 | 1971-02-09 | John R Morley | Vacuum vapor deposition utilizing low voltage electron beam |
| FR2226480A2 (en) * | 1971-04-27 | 1974-11-15 | Cit Alcatel | Forming thin e.g. metal layers on mineral substrates - in high speed vacuum chamber from plasma |
| US4039416A (en) * | 1975-04-21 | 1977-08-02 | White Gerald W | Gasless ion plating |
| CH631743A5 (de) * | 1977-06-01 | 1982-08-31 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum aufdampfen von material in einer vakuumaufdampfanlage. |
| SU901357A1 (ru) * | 1979-12-17 | 1982-01-30 | Харьковский авиационный институт им.Н.Е.Жуковского | Устройство дл нанесени многокомпонентных покрытий в вакууме |
| US4351855A (en) * | 1981-02-24 | 1982-09-28 | Eduard Pinkhasov | Noncrucible method of and apparatus for the vapor deposition of material upon a substrate using voltaic arc in vacuum |
-
1984
- 1984-04-12 DE DE19843413891 patent/DE3413891A1/de active Granted
-
1985
- 1985-04-11 DE DE8585104363T patent/DE3587097D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-04-11 EP EP85104363A patent/EP0158972B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-04-12 JP JP60076859A patent/JPH0645870B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-11-01 US US07/266,380 patent/US4917786A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5489944A (en) * | 1977-12-23 | 1979-07-17 | Balzers Hochvakuum | Gold plating |
| JPS5935420A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-27 | Kouon Denki Kk | 半導体薄膜形成方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63103959A (ja) * | 1986-10-21 | 1988-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | ガスセンサ |
| JPH01152259A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-14 | Nissin Electric Co Ltd | 銅またはその合金のコーティング方法 |
| JPH01234557A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-19 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 熱線反射板及びその製造方法 |
| JPH01164756U (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-17 | ||
| JPH0435413Y2 (ja) * | 1988-04-30 | 1992-08-21 | ||
| CN102869183A (zh) * | 2011-07-08 | 2013-01-09 | 王殿儒 | 一种获得电离金属蒸气的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3413891A1 (de) | 1985-10-17 |
| US4917786A (en) | 1990-04-17 |
| EP0158972A2 (de) | 1985-10-23 |
| DE3413891C2 (ja) | 1987-01-08 |
| EP0158972A3 (en) | 1987-03-25 |
| DE3587097D1 (de) | 1993-03-25 |
| JPH0645870B2 (ja) | 1994-06-15 |
| EP0158972B1 (de) | 1993-02-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60255973A (ja) | 真空中で材料を蒸発する方法および装置 | |
| US5096558A (en) | Method and apparatus for evaporating material in vacuum | |
| Anders | A review comparing cathodic arcs and high power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) | |
| US3836451A (en) | Arc deposition apparatus | |
| US4673477A (en) | Controlled vacuum arc material deposition, method and apparatus | |
| US3625848A (en) | Arc deposition process and apparatus | |
| US3756193A (en) | Coating apparatus | |
| JPS629188B2 (ja) | ||
| JPH02285072A (ja) | 加工物表面のコーティング方法及びその加工物 | |
| JP4364950B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| Ehrich et al. | The anodic vacuum arc and its application to coating | |
| JPH0744080B2 (ja) | 金属蒸着処理方法及びその処理炉 | |
| Ehrich | The anodic vacuum arc. I. Basic construction and phenomenology | |
| Vetter et al. | Advances in cathodic arc technology using electrons extracted from the vacuum arc | |
| Wan et al. | Investigation of Hot-Filament and Hollow-Cathode Electron-Beam Techniques for Ion Plating | |
| Hakovirta et al. | Techniques for filtering graphite macroparticles in the cathodic vacuum arc deposition of tetrahedral amorphous carbon films | |
| DE4026494C2 (ja) | ||
| US5466941A (en) | Negative ion sputtering beam source | |
| JP3345009B2 (ja) | 加熱により製造された材料蒸気のイオン化方法及び該方法を実施する装置 | |
| EP0211413A2 (en) | Arc ignition device | |
| US6391164B1 (en) | Deposition of coatings and thin films using a vacuum arc with a non-consumable hot anode | |
| Dugdale | Soft vacuum processing of materials with electron beams | |
| US20100230276A1 (en) | Device and method for thin film deposition using a vacuum arc in an enclosed cathode-anode assembly | |
| GB1574677A (en) | Method of coating electrically conductive components | |
| RU2653399C2 (ru) | Способ нанесения покрытия из аморфного оксида алюминия реактивным испарением алюминия в разряде низкого давления |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |