SU901357A1

SU901357A1 - Устройство дл нанесени многокомпонентных покрытий в вакууме

Info

Publication number: SU901357A1
Application number: SU792854800A
Authority: SU
Inventors: Сергей Сергеевич Иващенко; Юрий Владимирович Шипилов; Николай Алексеевич Маштылев; Николай Васильевич Белан; Владимир Андреевич Ткаченко
Original assignee: Харьковский авиационный институт им.Н.Е.Жуковского
Priority date: 1979-12-17
Filing date: 1979-12-17
Publication date: 1982-01-30

Description

1

Изобретение относитс к технологии получени покрытий в вакууме и может быть использовано в навшностроении дл производства изделий электронной техники, приборостроении и других област х науки и техники .

Известно устройство дл нанесени покрытий в вакууме, содержащее анод с электромагнитной катушкой, расходуемый катод, источиик реактивного газа и источник электропитани 1 .

Недостатком известного устройства вл етс наличие большого количества микропанель в пароплазменном потоке испар емого материала из-за большой величины тока горени разр да, что снижает качество покрытий.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому вл етс устройство дл нанесени многокомпонентных покрытий в вакууме, содержащее соосно размеренные расход У катод, анод, электромагнитную катушку , источник ионизованного газа, а также источшис электропитани и подложкодержатель 2J .

Недостатки известного устройстваневозможность одновременного испарени двух твердых электропроводных материалов, составл ющих компоненты покрытий (например, титана и rpailMта ), что снижает технологические возможности устройства дл получени многокомпонентных покрытий, и низкое качество покрытий вследствие большого количества микрокапель Bt потоке испар емого материала катода из-за большой величины тока горени разр да.

Claims

Целью изобретени вл етс улучшени качества покрыти за счет снижени микрокапельной фазы в пароплазменног{ «потоке испар емого материала катода и расширени технологических возможностей. Указанна цель достигаетс тем, что в устройстве дл нанесени многокомпонентных покрытий в вакууме, содержащем соосно размещенные расходуемый кгРгод, анод, электромагнитную катушку, источник ионизованного газа, подложкодержатель и источник электропитани , источник ион зованного газа выполнен в виде полого цилиндрического катода, а расходуемый катод выполнен с центральным отверстием, причем полый катод размещен в области прилегающей к центральному отверстию расходуемого катода. Полый цилиндрический катод выпол нен из материала одного из компонен тов покрыти .. Указанное выполнение устройства позвол ет зажечь дополнительную дугу в газе, подаваемом через полый цилиндрический катод, что позвол ет поддерживать горение вакуумной дуги в парах расходуемого катода при более низких токах разр да, обеспечивакщих снижение микрокапель ной фазы в пароплазменном потоке ис пар емого материала. Кроме-того, наличие расходуемого полого цилиндрического катода, выполненного из материала одного из компонентов покрыти , обеспечивает нанесение мно компонентных покрытий, что значительно расшир ет технологические возможности. На чертеже схематически изображ но устройство дл нанесени покрытий Устройство содержит анод 1, рас ходуемый катод 2, электромагнитную катущку 3, выполненную из титана полый цилиндрический расходуемый катод 4, выполненный и;з графита и представл ющий собой источник иони зованного газа, источник 5 электро питани и подложкодержатель 6. Анод I и катод 2 выполнены вадоохлаждаемыми . Устройство дл нанесени покрытий работает следук1Цим образом. При подаче напр жени на анод I и полый цилиндрический расходуемый катод 4 и при наличии расхода реак тивного газа через него и напр жени мезвду анодом 1 и катодом 2 воз никает дуга в газе, инициирующа дуговой разр д между анодом I и ра ходуе№ 1М катодом 2 в парах материала катода. Эрози материала катода осущетвл етс в микроп тнах вакуумной уги, стабилизированных электромагитной катушкой 3. Плазменный поок материала катода ускор етс в торону подложкодержател 6 и конденируетс на подложках, образу порытие . Ток разр да вакуумной дуги регулируетс путем изменени подачи газа. Снижение тока разр да (например , со. 100 до 20 А) при токе разр да дополнительной дуги в газе 5 А позвол ет уменьшить содержание капельной фазы (1-2% от общей поверхности покрыти против 15-20% без наличи дополнительной дуги в газе). Наличие возможности одновременного испарени двух твердых материалов (например, титана и графита) в среде реактивного газа позвол ет расширить технологические возможности устройства, так как обеспечивает получение многокомпонентных покрытий, обладакни1их высокими эксплуг атационными свойствами. Формула изобретени 1.Устройство дл нанесени многокомпонентных покрытий в вакууме, содержащее соосно размещенные расходуемый катод, анод, электромагнитную катушку, источник ионизованного газа, подложкодержатель и источник электропитани , о т л и ч а ю щ е е с тем, что, с целью улучшени качества покрытий за счет снижени микрокапельной фазы в пароплазменном потоке испар емого материала катода, источник ионизованного газа выполнен в видеполого хщлиндрического катода, а расходуемый катод выполнен с центральным отверстием , причем полый катод размещен в области, прилегающей к центральному отверстию расходуемого катода. 2.Устройство по п. 1. отличающеес тем, что с целью расширени технологических возможностей , полый цилиндрический катод выполнен из материала одного из компонентов покрыти . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Технологические плазменные ускорители. - Журнал технологической физики, т. 48, вып. 9, с. 1862.
2.Авторское свидетельство СССР по за вке № 2738339/21, кл. С 23 С 13/12 1979.