DE4307740C2 - Verfahren zur Herstellung von Gehäusen mit wenigstens einer metallischen Abschirmschicht - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Ge­ häusen mit wenigstens einer metallischen Abschirmschicht zum Abschirmen des Gehäuses gegen elektromagnetische Strahlung.

Gehäuse, aus insbesondere Kunststoff oder dergleichen, setzen sich zunehmend zur Aufnahme elektrischer und/oder elektroni­ scher Geräte durch. Nachteilig an diesen bekannten Gehäusen allerdings ist deren Durchlässigkeit elektromagnetischer Strahlen. Aufgrund gesetzlicher Vorschriften über das Limit der von einem elektrischen und/oder elektronischen Gerät emit­ tierten Störstrahlung bedürfen diese Geräte daher grundsätz­ lich einer Abschirmung gegen elektromagnetische Strahlung.

Man versucht nun in neuerer Zeit eine solche elektromagneti­ sche Abschirmung dieser Gehäuse, aus insbesondere Kunststoff oder dergleichen Material, durch Verwendung leitfähiger Kunst­ stoffmateralien zu realisieren. Solche Materialien müssen einen hohen Anteil der elektromagnetisch abschirmenden Stoffe enthalten, um die erstrebte Wirkung zu erzielen. Dadurch aber werden die Materialien in ihren verarbeitungs- und anwendungs­ technischen Eigenschaften wesentlich verändert. Infolgedessen konnten sich diese Materialien bisher nicht durchsetzen.

Weiterhin versucht man auch, die - zumeist inneren - Oberflä­ chen der Gehäuse mit leitfähigen Lacken zur elektromagneti­ schen Abschirmung zu überziehen. Verwendet werden dazu vor al­ lem Metalle, die nicht zu kostspielig sind und eine besonders gute elektrische Leitfähigkeit aufweisen, wie Aluminium, Kup­ fer, Silber oder wegen seiner magnetischen Abschirmwirkung auch Nickel. Die Metalle werden beispielsweise als Pulver in Lacke eingearbeitet und die Gehäusewände damit überzogen. Trotz des hohen Anteiles an leitfähig machenden Metallpulvern solcher sogenannter Leitlacke ist ihre Leitfähigkeit nicht hoch, so daß dicke Schichten von einigen 100 µm benötigt wer­ den, um eine ausreichende Abschirmwirkung zu erreichen. Die lackbeschichteten Materialien sind später nur unter hohem Ko­ sten- und Arbeitsaufwand wieder regenerierbar.

Eine bevorzugte Methode besteht weiterhin darin, die Gehäuse­ wände mit dünnen Schichten aus reinen Metallen zu versehen. Bei Metallen von hoher elektrischer Leitfähigkeit wie AL, Cu, Ag, Au oder auch des magnetisch besonders wirksamen Ni, genü­ gen dazu bereits Schichten von einigen wenigen, beispielsweise von 2 bis 20 µm, Dicke, um eine gut wirksame Abschirmung zu erzielen. Als Abscheidungsmethoden werden sowohl chemische als auch physikalische Verfahren benutzt.

Das chemo-galvanische Verfahren aber benötigt zahlreiche naß­ chemische Verfahrensschritte; es arbeitet zudem mit niedrigen Abscheidungsraten und ist vor allem mit erheblichen Abwasser­ problemen behaftet. Hinzu kommt, daß die Auswahl der haftfest mit diesem Verfahren zu beschichtenden Kunststoffe sehr einge­ schränkt ist.

Als physikalische Methoden werden das Spritzverfahren (Flamm- und Lichtbogen) oder die im Vakuum, arbeitenden Verfahren der thermischen Verdampfung oder des Sputterns eingesetzt oder zumindest versuchsweise angewendet. Diese physikalischen Ver­ fahren zur Abscheidung von rein metallischen Abschirmschichten auf den - vor allem inneren Gehäusewänden haben zwar den Vor­ zug, ohne die umweltbelastenden Probleme zu arbeiten. Jedoch leiden sie in unterschiedlichem Maße an mangelhafter Haftfä­ higkeit, an ungleichmäßiger Schichtdickenverteilung, an zu ge­ ringer elektrischer Leitfähigkeit der Schichten, an zu hoher thermischer Belastung der Substrate oder an zu geringer Ab­ scheidungsrate der Metallschichten während der Schichtabschei­ dung. Den meisten Verfahren haften, wie dem Fachmann bekannt ist, mehrere der genannten Nachteile an.

Weiter ist noch ein Verfahren bekannt, nach dem aus Platten, die mit einer Leitlackschicht überzogen sind, durch mechani­ sches Bearbeiten und Umformen die Gehäuse hergestellt werden. Solche Gehäuse haben zwar gut haftende und gleichmäßige Ab­ schirmschichten, die jedoch wegen ihres notwendigerweise hohen Bindemittelgehaltes schlecht leitfähig sind. Die Lackschichten benötigen daher einige 100 µm Dicke zur Erzielung einer aus­ reichenden Abschirmung. Bei der Herstellung der Gehäuse durch mechanisches Bearbeiten, Schneiden und Umformen der zunächst flachen Platten entstehen darüber hinaus bis zu 30 Prozent Ab­ fälle, bezogen auf das eingesetzte Material. Aus Kostengründen müssen diese Abfälle wieder verwendet werden, jedoch lassen sich solche Abfälle wegen der dicken, auflackierten Abschirm­ schicht nicht mehr regenerieren. Versuche solche Materialien zu regranulieren und wieder einzusetzen schlugen fehl.

Darüber hinaus ist aus der US 4,544,571 lediglich ein Verfah­ ren zur Herstellung von Abschirmwänden bekannt, die mittels Dampfabscheidung mit metallischen Abschirmschichten versehen sind. Die Oberfläche wird dabei mittels Glimmentladung vorbe­ handelt, sodann mittels Dampfabscheidung mit Chrom oder rost­ freiem Stahl beschichtet, anschließend mit einer Abschirm­ schicht aus Kupfer oder Aluminium versehen und zuletzt mit ei­ ner Schutzschicht aus Chrom oder rostfreiem Stahl überzogen.

Aus der US 4,536,415 ist weiterhin ein Verfahren bekannt, bei dem ein mit einer nicht-elektrischen Abschirmschicht zu ver­ sehender, scheibenförmiger Gegenstand aus Kunststoff mittels eines oxidierenden Reaktionsgases, wie zum Beispiel Sauer­ stoff, Edelgas oder Tetrafluormethan, vorbehandelt wird.

Des weiteren sind in der DE 32 48 147 A1 Formteile aus Kunst­ stoff beschrieben, die zumindest teilweise mit einer Metallbe­ schichtung zur Abschirmung gegenüber elektromagnetischen Stör­ feldern überzogen sind. Um dabei eine gute Haftung der Metall­ beschichtung an den Formteilen zu erzielen, sind die zu be­ schichtenden Oberflächen der Formteile durch geeignete Vorbe­ handlung, d. h. insbesondere auf chemische, physikalische, me­ chanische oder miteinander kombinierte Weise, aufgerauht. Das Aufbringen der Metallbeschichtung selbst soll durch Aufdamp­ fen, Galvanisieren, chemische Metallisierung oder Lackierung erfolgen.

Schließlich sind noch in den DE 34 13 891 C2 und DE 41 00 541 C1 Verfahren zum Beschichten eines Materials aus Kunststoff oder Metall mit geringem Schmelzpunkt mittels Vakuumlichtbo­ genentladung offenbart.

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur besonders einfachen Herstellung von individuell gestalte­ ten Gehäusen mit einer metallischen Abschirmschicht gegen elektromagnetische Strahlung zur Verfügung zu stellen.

Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des An­ spruchs 1 gelöst.

Demnach wird zunächst mindestens eine Oberfläche bzw. ein Teil der Oberfläche von einem im wesentlichen flächigen Gegenstand, wie einer Platte oder dergleichen, aus thermisch erweich- bzw. schmelzbarem Material, insbesondere aus Kunststoff, mit der Abschirmschicht versehen. Die Abschirmschicht wird zu diesem Zweck auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flä­ chigen Gegenstandes aufgetragen. Sodann wird der im wesentli­ chen flächige, mit der Abschirmschicht zumindest teilweise überzogene Gegenstand mindestens teilweise thermisch erweicht bzw. geschmolzen. Schließlich wird der mit der Abschirmschicht zumindest zum Teil versehene, teilweise erweichte bzw. ge­ schmolzene Gegenstand zu dem Gehäuse verformt, insbesondere gebogen bzw. gefaltet. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren findet somit ein Aufbringen einer metallischen Abschirmschicht auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche eines flächigen Gegenstandes, vorzugsweise aus Kunststoff oder dergleichen Ma­ terial, zeitlich vor einem mechanischem Verformen dieses flächigen Gegenstandes zur eigentlichen Her­ stellung des Gehäuses selbst statt. Eine solche Herstellung von Gehäusen entsprechend dem Verfahren nach der Erfindung ist dabei ausgesprochen einfach und damit einhergehend kostengün­ stig. Zudem sind derartig hergestellte Gehäuse aufgrund der metallischen Abschirmschicht sicher gegen elektromagnetische Strahlung abgeschirmt, nichtzuletzt aufgrund der Tatsache, daß die metallisch leitfähige Abschirmschicht so gleichmäßig und festhaftend ausgebildet werden kann. Zusätzlich ist es durch das erfindungsgemäße Verfahren möglich, die Dicke wie auch Zu­ sammensetzung der Abschirmschicht an die jeweiligen, von der Verwendung der Gehäuse abhängigen Erfordernisse individuell anzupassen.

Vorteilhafte verfahrenstechnische Maßnahmen sind in den An­ sprüchen 2 bis 18 beschrieben.

Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens eignen sich im wesentlichen flächige Gegenstände, wie Platten oder der­ gleichen, aus erweichbaren bzw. schmelzbarem Material. Bei dem erweichbaren bzw. schmelzbarem Material kann es sich um Kunst­ stoff, wie zum Beispiel um ein Polymer und einen Thermopla­ sten, insbesondere um Polystyrol oder sonstiges Copolymerisat aus Styrol und Butadien, ABS, Acryl, Makrolon und Impax etc., mit oder ohne einer Verstärkung aus Glasfaser, Kohlefaser usw. handeln, und zwar jeweils an die geforderten thermischen, elektrischen und mechanischen Eigenschaften angepaßt.

Vorzugsweise wird der flächige Gegenstand entsprechend den Merkmalen nach den Ansprüchen 2 bis 4 vorbehandelt, um eine saubere Oberfläche zu erhalten, d. h. die Oberfläche von Verun­ reinigungen wie Staubpartikel, Fett oder dergleichen zu be­ freien.

Von großer Bedeutung für das erfindungsgemäße Verfahren sind die Merkmale des Anspruchs 5. Durch die physikalische plasma­ gestützte Dampfabscheidung im Vakuum läßt bzw. lassen sich eine oder mehrere (rein) metallische Abschirmschichten auf den flächigen Gegenstand äußerst wirksam, gleichmäßig und festhaf­ tend aufbringen, und zwar nahezu unabhängig von dem jeweiligen Material des Gegenstandes. Insbesondere ist die Aufbringung der Abschirmschicht mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung auf zahlreiche verschiedene Kunststoffarten anwendbar. Die physikalische plasmagestützte Dampfabscheidung im Vakuum weist neben hohen Beschichtungsraten den weiteren Vorteil einer schonenden Auftragung von metallisch leitfähi­ gen Abschirmschichten infolge nur geringer thermischer Bela­ stung der Substrate auf. Zudem läßt sich der flächige Gegen­ stand mit einer konstanten Dicke der Abschirmschicht, die an die individuellen Erfordernisse der Gehäuse genau angepaßt ist, versehen. Mit der physikalischen plasmagestützten Dampfabscheidung im Vakuum wird darüber hinaus der Metalldampf in hohem Maße ionisiert mit der Folge einer guten Haftung bei gleichzeitig hoher Leitfähigkeit der Abschirmschicht auf dem flächigen Gegenstand. Gleichzeitig lassen sich auf besonders effektive Weise bisherige Umweltprobleme bei der Herstellung von Gehäusen mit einer metallischen Abschirmschicht vermeiden, und zwar sowohl beim Aufbringen der Schichten als auch bei der Wiederverwertung der Abfälle bzw. der verbrauchten Gehäuse. Somit sind eine hohe Wirtschaftlichkeit und Anpassungsfähig­ keit des Verfahrens an konstruktive Vorgaben hinsichtlich ei­ ner auch individuellen Ausführung der Gehäuse gegeben. Durch zusätzliches Anlegen eines Hochfrequenzfeldes bzw. einer Bias- Spannung während der physikalischen plasmagestützten Dampfab­ scheidung im Vakuum kann die Schichthaftung noch weiter erhöht werden.

In diesem Zusammenhang kann die physikalische plasmagestützte Dampfabscheidung im Vakuum wegen der flachen Ausgestaltung der mit einer Abschirmschicht zu versehenden Gegenstände bevorzugt in einer kontinuierlich arbeitenden Vorrichtung erfolgen, die mit Schleusen zum Ein- und Ausführen der flächigen Gegenstände in die bzw. aus der Bedampfungskammer ausgerüstet ist. Die Verwendung einer solchen Vorrichtung gestaltet das erfindungs­ gemäße Verfahren besonders wirtschaftlich. Ebensogut ist aber auch ein Chargenbetrieb zur Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens möglich.

Vorteilhafterweise wird die plasmagestützte Dampfabscheidung im Vakuum gemäß Anspruch 6 über einen anodisch gesteuerten Lichtbogen vorgenommen, der in DE 34 13 891 C2 und DE 41 00 541 C1 beschrieben ist. Bei diesem Verfahren brennt ein Lichtbogen im Vakuum zwischen einer kalten Kathode und einer heißen, sich selbst verzehrenden Anode. Das Anoden­ metall wird auf diese Weise zum Verdampfen gebracht und der Metalldampf gleichzeitig von den thermischen Elektronen des Lichtbogens ionisiert. Das Verfahren hat als "Arc"-Verfahren gegenüber anderen plasmagestützten physikalischen Abschei­ dungsverfahren den Vorzug, daß die zur Ionisation des Metall­ dampfes benutzten thermischen Elektronen vom Lichtbogen selbst bereitgestellt werden; es benötigt also keine besondere Vor­ richtung zur gesonderten Erzeugung thermischer Elektronen, wie sie zur Ionisierung benötigt werden. Gegenüber dem bekannten kathodischen Lichtbogen weist der anodisch gesteuerte Bogen den Vorzug der höheren Abscheidungsraten, gleichmäßiger glat­ ter Schichten mit feinkristalliner Struktur und entsprechend besserer elektrischen Leitfähigkeit auf.

Weiterhin liegt es im Rahmen der Erfindung, entsprechend An­ spruch 7 wenigstens eine Maske beim Aufbringen mindestens ei­ ner der Abschirmschichten auf die Oberfläche des flächigen Ge­ genstandes zum Erhalt von mindestens einem von der jeweiligen Abschirmschicht freien Bereich zu verwenden. Aus diese Weise können unerwünschte Metallabscheidungen vermieden werden. Da die zu maskierenden Teile flach sind, können die Masken in Form von Schablonen ohne besondere Schwierigkeit aufgebracht werden. Die Maskierung kann auch im Siebdruckverfahren oder photochemisch erfolgen. Es kann nach zwei unterschiedlichen Verfahrensweisen gearbeitet werden. In einem Fall werden die nicht abzuschirmenden Bereiche abgedeckt, dann die Metall­ schicht abgeschieden und schließlich die Maske wieder ent­ fernt. In anderem Fall wird der abzuschirmende Bereich erst nach der Metallabscheidung abgedeckt und dann das Metall aus dem nicht abgeschirmten Bereich entfernt. Gegebenenfalls kann die Maske dann als zusätzlicher Korrosionsschutz oder Isolation auf der Abschirmschicht verbleiben.

Zur Erzielung einer großen Dicke der Abschirmschicht, die im allgemeinen durch die Wärmestabilität von dem Material des flächigen Gegenstandes und die mit zunehmender Schichtdicke der aufgedampften Metallschicht größer werdende Wärmemenge be­ grenzt wird, ist es weiterhin von Vorteil, den flächigen Ge­ genstand gemäß Merkmal nach Anspruch 8 zwischenzeitlich, d. h. zwischen dem Aufbringen zweier Abschirmschichten auf die Ober­ fläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes abzukühlen.

Von Vorteil bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist des weite­ ren nach Anspruch 9 die Aufbringung wenigstens einer Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Legierung hieraus, also sämtlich Metalle mit hoher Leitfähigkeit, als Abschirmschicht mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes. Vorzugsweise wird Cu, welches sich in­ folge der Ionisation des Metalldampfes ausgesprochen festhaf­ tend aufflächigen Gegenständen insbesondere aus Kunststoff abscheidet, verwendet, wenn die Abschirmschicht nachfolgend einer galvanischen Behandlung unterzogen werden soll.

Von besonderem Vorteil für eine individuelle Anpassung an un­ terschiedlichste praxisbezogene Erfordernisse ist eine Ab­ schirmschicht entsprechend den Merkmalen des Anspruchs 10, die aus einer Kombination mehrerer Schichten aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Legierung hieraus zusammengesetzt ist.

Insbesondere wird die wenigstens eine als Abschirmschicht vor­ gesehene Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Legierung hieraus entsprechend den Maßnahmen nach Anspruch 11 mit einer Dicke von 0,01 bis 100 Mikrometer, insbesondere von 0,05 bis 20 Mikrometer, vorzugsweise von 0,1 bis 10 Mikrometer, auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Ge­ genstandes mittels physikalischer plasmagestützter Dampfab­ scheidung im Vakuum aufgebracht.

Von Interesse für eine zusätzliche Erhöhung der Dicke der auf­ gedampften Abschirmschicht bzw. Abschirmschichten sind die Merkmale nach Anspruch 12, daß nämlich als weitere Abschirm­ schicht wenigstens eine weitere Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Legierung hieraus mittels Galvanisierung auf die wenigstens eine mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes aufgebrachte Ab­ schirmschicht aufgetragen wird.

Von besonderem Vorteil für eine individuelle Anpassung an un­ terschiedlichste praxisbezogene Erfordernisse ist in diesem Zusammenhang auch die weitere Abschirmschicht gemäß Anspruch 13, die aus einer Kombination mehrerer Schichten aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Legierung hieraus zusammengesetzt ist.

Dabei ist es bevorzugt, wenigstens eine weitere als Abschirm­ schicht vorgesehene Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Le­ gierung hieraus entsprechend den Maßnahmen nach Anspruch 14 mit einer Dicke von bis 100 Mikrometer, insbesondere von bis 50 Mikrometer, vorzugsweise von bis 30 Mikrometer, auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegen­ standes mittels Galvanisierung aufzubringen.

Nach den Merkmalen der Ansprüche 15 und 16 wird der flächige Gegenstand vor und/oder nach dem Aufbringen wenigstens einer Abschirmschicht sowie gegebenenfalls auch zwischen dem Auf­ bringen wenigstens zweier Abschirmschichten auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mecha­ nisch bearbeitet. Auf diese Weise kann der flächige Gegenstand variabel auf das gewünschte Maß gebracht und mit Bohrungen, Nuten oder dergleichen versehen werden. Von Vorteil für eine Einsparung von auf den flächigen Gegenstand aufzudampfendem Metall ist eine mechanische Bearbeitung vor dem Aufbringen der Abschirmschicht. Ungeachtet dessen läßt sich der Schneide- und Stanzabfall mit dem aufgedampften Metall auch ohne weiteres regranulieren und wiederaufbereiten.

Darüber hinaus liegt es im Rahmen der Erfindung nach Anspruch 17, den flächigen Gegenstand in einem Bereich jeweils zwischen zwei zueinander benachbarten Teilflächen des Gegenstandes zu erweichen bzw. zu schmelzen und diese jeweils beiden Teilflä­ chen nach Erweichen bzw. Schmelzen zueinander zu verformen, insbesondere zu biegen bzw. zu falten, wodurch sich auf beson­ ders einfache Weise ein Gehäuse mit bereits auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche der Teilflächen von dem flächigen Gegenstand versehener Abschirmschicht erhalten läßt.

Schließlich ist zur elektrischen Verbindung im Nahtbereich zwischen jeweils zwei Teilflächen des Gehäuses erfindungsgemäß noch entsprechend Anspruch 18 vorgesehen, wenigstens die ober­ ste der auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes aufgebrachten Abschirmschicht nach dem Verformen, insbesondere nach dem Biegen bzw. Falten des Gegen­ standes zu dem Gehäuse im Bereich zwischen jeweils zwei Teil­ flächen zu verlöten, um damit eine elektrisch leitende Verbin­ dung herzustellen.

Weitere Merkmale, Vorteile und Einzelheiten der Erfindung er­ geben sich aus der nachfolgenden Beschreibung einiger bevor­ zugter Ausführungsformen der Erfindung sowie anhand der Zeich­ nung. Hierbei zeigen:

Fig. 1 ein schematisches Ablaufdiagramm eines Grundprinzips des erfindungsgemäßen Verfahrens;

Fig. 2 ein schematisches Ablaufdiagramm einer Ausführungs­ form eines erfindungsgemäßen Verfahrens;

Fig. 3 ein schematisches Ablaufdiagramm einer abgewandelten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß Fig. 2;

Fig. 4 eine Schnittansicht durch einen flächigen, mit einer metallischen Abschirmschicht nach dem Verfahren gemäß Fig. 2 und/oder 3 versehenen Gegenstandes;

Fig. 5 ein schematisches Ablaufdiagramm einer weiteren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens;

Fig. 6 ein schematisches Ablaufdiagramm einer abgewandelten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß Fig. 5;

Fig. 7 eine Schnittansicht durch einen flächigen, mit einer metallischen Abschirmschicht nach dem Verfahren gemäß Fig. 5 und/oder 6 versehenen Gegenstandes;

Fig. 8 ein schematisches Ablaufdiagramm einer anderen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens;

Fig. 9 eine Schnittansicht durch einen flächigen, mit einer metallischen Abschirmschicht nach dem Verfahren gemäß Fig. 8 versehenen Gegenstandes;

Fig. 10 ein schematisches Ablaufdiagramm einer noch anderen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens;

Fig. 11 ein schematisches Ablaufdiagramm einer abgewandelten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß Fig. 10;

Fig. 12 ein schematisches Ablaufdiagramm einer weiter abge­ wandelten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß Fig. 10; und

Fig. 13 eine Schnittansicht durch einen flächigen, mit einer metallischen Abschirmschicht nach dem Verfahren gemäß Fig. 10 bis 12 versehenen Gegenstandes.

Entsprechend Fig. 1 beginnt das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Gehäusen mit wenigstens einer metallischen Ab­ schirmschicht zum Abschirmen des Gehäuses gegen elektromagne­ tische Strahlung mit dem Anliefern bzw. der Bereitstellung von im wesentlichen flächigen Gegenständen, wie einer Platte oder dergleichen, aus thermisch erweichbarem bzw. schmelzbarem Ma­ terial. Bei dem erweichbaren bzw. schmelzbarem Material kann es sich um Kunststoff, wie zum Beispiel um ein Polymer und einen Thermoplasten, insbesondere um Polystyrol oder sonstiges Copolymerisat aus Styrol und Butadien, ABS, Acryl, Makrolon und Impax etc., mit oder ohne einer Verstärkung aus Glasfaser, Kohlefaser usw. handeln, und zwar jeweils an die geforderten thermischen, elektrischen und mechanischen Eigenschaften ange­ paßt.

Sodann wird mindestens eine Oberfläche bzw. ein Teil der Ober­ fläche des im wesentlichen flächigen Gegenstandes mit der Ab­ schirmschicht versehen. Insbesondere wird wenigstens die Ab­ schirmschicht, welche auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes unmittelbar aufzubringen ist, mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes aufgetragen. Als metallische Abschirm­ schicht eignet sich vor allem wenigstens eine Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Legierung hieraus, also sämtlich Me­ talle mit hoher Leitfähigkeit. Von besonderem Vorteil für eine individuelle Anpassung an unterschiedlichste praxisbezogene Erfordernisse ist eine Abschirmschicht, die aus einer Kombina­ tion mehrerer Schichten aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Le­ gierung hieraus zusammengesetzt ist.

Hierauf wird der im wesentlichen flächige, mit der Abschirm­ schicht versehene Gegenstand teilweise erweicht bzw. geschmol­ zen. Mit anderen Worten wird der flächige Gegenstand in einem Bereich jeweils zwischen zwei zueinander benachbarten Teilflä­ chen des Gegenstandes, d. h. im sog. Nahtbereich zwischen den beiden Teilflächen, erweicht bzw. geschmolzen. Der mit der Ab­ schirmschicht versehene Gegenstand wird unmittelbar im An­ schluß an das Erweichen bzw. Schmelzen zu einem Gehäuse mit ausgesprochen guten Abschirmeigenschaften gegen elektromagne­ tische Strahlung verformt, indem die zueinander benachbarten Teilflächen im erweichten bzw. geschmolzenen Nahtbereich ge­ geneinander umgebogen, umgefaltet oder gefalzt werden.

Schließlich endet das erfindungsgemäße Verfahren mit dem Ab­ transport des fertiggestellten Gehäuses bzw. dem Weitertrans­ port dessen zu einer Montagestation oder dergleichen, in wel­ cher das jeweilige Gehäuse mit den vorgesehenen elektrischen und/oder elektronischen Bauelementen bestückt wird.

Da die Abscheidung der metallischen Abschirmschicht auf der noch in ihrem ebenen Zustand befindlichen Platte, vor deren Verformung in den räumlichen Zustand des Gehäuses erfolgt, ist eine hervorragende Dickengleichmäßigkeit der Schicht leicht zu erreichen.

Durch die Abscheidung zumindest der ersten metallischen Schicht auf der Oberfläche aus einem hochionisierten Metall­ dampf heraus wird eine hohe Haftfestigkeit erreicht.

Da sich die Schichten aus dem Plasma heraus mikrokristallin abscheiden, ist eine hervorragende elektrische Leitfähigkeit sowie die Ausbildung eines kohärenten Metallfilms, selbst bei dickeren Schichten über 10 µm, gewährleistet.

Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt infolgedessen die Her­ stellung von Gehäusen für elektrische oder elektronische Ge­ räte mit einer individuell abgestimmten, metallischen Ab­ schirmschicht hoher Haftung und Gleichmäßigkeit auf dem jewei­ ligen Material, vorzugsweise auf den Kunststoffen, derartiger Gehäuse. Dabei besitzt keine der Teilflächen eines einzelnen Gehäuses gegenüber einer anderen Teilfläche desselben Gehäuses eine schwächere abschirmende Wirkung. Zudem ist das erfin­ dungsgemäße Verfahren besonders umweltschonend. Die beim Schneiden entstehenden Abfälle mit dünnen Metallschichten (< 10 Mikrometer) können regranuliert werden. Die Wiederaufberei­ tung der Kunststoffe mit dickeren metallischen Abschirmschich­ ten (30 Mikrometer und mehr) ist infolge deren guter Cohäsion mittels Trennung, beispielsweise durch mechanisches Abziehen der metallischen Abschirmschicht von dem jeweiligen Kunst­ stoff, in einfacher Weise möglich.

Gegebenenfalls kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die Oberfläche bzw. der Teil der Oberfläche des flächigen Gegen­ standes - wie in Fig. 1 angedeutet - vor dem Aufbringen der Abschirmschicht vorbehandelt werden, um eine saubere Oberflä­ che zu erhalten, d. h. die Oberfläche von Verunreinigungen wie Staubpartikel, Fett oder dergleichen zu befreien. Hierdurch wird das Haftvermögen zwischen der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes und der Abschirm­ schicht erhöht.

Eine solche Vorbehandlung der Oberfläche bzw. des Teiles der Oberfläche des flächigen Gegenstandes kann chemisch in an sich bekannter Weise erfolgen. Alternativ kann die Oberfläche bzw. der Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes auch nie­ derdruck-plasmagestützt vorbehandelt werden, unter Verwendung von insbesondere Sauerstoff, Luft, Edelgasen, Stickstoff oder Tetrafluormethan. Diese letztere Vorbehandlung hat neben einer wenig aggressiven Wirkung auf das entsprechende Material - umso mehr als es sich vielfach um Kunststoffe handelt - den weiteren Vorteil der zusätzlichen Steigerung der Haftung für die nachfolgend aufzutragende metallische Abschirmschicht.

Darüber hinaus kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren - wie aus Fig. 1 hervorgeht - im Bedarfsfall wenigstens die oberste der auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche des flä­ chigen Gegenstandes aufgebrachten Abschirmschicht nach dem Verformen, insbesondere nach dem Biegen, Falten, Falzen oder sonstigen Fügen des Gegenstandes zu dem Gehäuse im Bereich zwischen jeweils zwei Teilflächen, d. h. im Nahtbereich, verlö­ tet oder dergleichen werden.

Das erfindungsgemäße Verfahren nach Fig. 2 unterscheidet sich von demjenigen nach Fig. 1 lediglich durch eine zusätzliche mechanische Bearbeitung des im wesentlichen flächigen Gegen­ standes zwischen dem Aufbringen einer Abschirmschicht und dem Verformen des im wesentlichen flächigen, mit der Abschirm­ schicht versehenen Gegenstandes.

Dementsprechend wird der Gegenstand, d. h. die flache Platte, zunächst mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabschei­ dung im Vakuum mit der Abschirmschicht in Form von beispiels­ weise einer Schicht aus Cu bis zu der für die spätere Anwen­ dung benötigten Dicke der Abschirmschicht, und zwar in Abhän­ gigkeit der thermischen Belastbarkeit des Materials des flä­ chigen Gegenstandes, versehen. Die Dicke der Schicht aus Cu kann zum Beispiel 1 bis 5 Mikrometer betragen. Als Abschirm­ schicht kann auch eine Schicht aus Al vorgesehen sein, aller­ dings nur, wenn nachfolgend keine Galvanisierung stattfindet. Eine Abschirmschicht aus Al besitzt zwar eine etwas geringere Leitfähigkeit als Cu, benötigt aber keinen weiteren Schutz ge­ gen Oxidation.

Hiernach erfolgt die mechanische Bearbeitung, wie ein Schlei­ fen, Fräsen, Einbringen von Nuten, Schlitzen, Bohrungen etc., des flächigen Gegenstandes. Um allerdings eine derartige me­ chanische Bearbeitung weitgehend oder gänzlich auszuschließen, ist es vor allem bei großen Stückzahlen von Vorteil, durch Spritzgießen oder dergleichen Verfahren hergestellte flächige Gegenstände zu verwenden.

Schließlich wird der flächige Gegenstand nach erfolgter (partieller) thermischer Erweichung bzw. Schmelzung zu einem fertigen Gehäuse verformt. Gegebenenfalls wird der flächige Gegenstand wieder vorbehandelt. Des weiteren kann nach dem Verformen des flächigen Gegenstandes eine Kon­ taktierung der oberen Abschirmschicht vorgenommen werden.

Das in Fig. 3 schematisch dargestellte Verfahren nach der Er­ findung stimmt mit dem Verfahren gemäß Fig. 2 weitgehend über­ ein. Unterschiedlich ist allerdings die Reihenfolge der ein­ zelnen Verfahrensschritte. So findet bei dem Verfahren nach Fig. 3 die mechanische Bearbeitung des flächigen Gegenstandes vor der Aufbringung, insbesondere Bedampfung der Oberfläche bzw. des Teiles der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mit­ tels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Va­ kuum statt, an welche sich wiederum das Erweichen bzw. Schmel­ zen und die Verformung anschließen. Unterschiedlich ist auch der mögliche Einsatz einer Maske oder Abschattung beim Auf­ bringen wenigstens einer der Abschirmschichten auf die Ober­ fläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes

Fig. 4 zeigt einen im wesentlichen flächigen Gegenstand 10, der den erfindungsgemäßen Verfahren nach Fig. 2 und 3 unterzo­ gen wurde. Der flächige Gegenstand 10 selbst ist mit einer Bohrung 12 und einer Nut 14 durch mechanische Bearbeitung ver­ sehen. Auf dessen Oberfläche 16 bzw. demjenigen Teil der Ober­ fläche 16 des flächigen Gegenstandes 10, der von der Bohrung 12 und der Nut 14 nicht vereinnahmt ist, wird als metallische Abschirmschicht 18 eine Schicht aus zum Beispiel Cu oder Al mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum aufgebracht. Vorteilhafterweise ist die physikalische plasmagestützte Dampfabscheidung im Vakuum über einen anodisch gesteuerten Lichtbogen erzeugt. Die freien Bereiche der Boh­ rung 12 und der Nut 14 in der Oberfläche 16 des flächigen Gegenstandes 10 setzen sich in der metallischen durch Bedamp­ fung aufgetragenen Abschirmschicht 18 entsprechend Fig. 4 fort.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren nach Fig. 5 erfolgt vor der mechanischen Bearbeitung und anschließenden Verformung des flächigen Gegenstandes zu einem Gehäuse ein mehrfach - hier einmal - wiederholter Auftrag von als Abschirmschichten vorge­ sehenen Schichten auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Ober­ fläche des flächigen Gegenstandes.

Zum Beispiel kann die Oberfläche bzw. ein Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mittels physikalischer plasma­ gestützter Dampfabscheidung im Vakuum in einem ersten Bedamp­ fungsschritt mit einer Schicht aus Cu und sodann in einem zweiten, nachfolgenden Bedampfungsschritt mit einer Schicht aus Al zum Schutz der Schicht aus Cu gegen Oxidation oder auch mit einer Schicht aus Ni überzogen werden, usw. Ebensogut aber ist es denkbar, die in dem ersten Bedampfungsschritt als Abschirmschicht aufgetragene Schicht aus Cu im zweiten, nach­ folgenden Bedampfungsschritt mit einer zusätzlichen Schicht aus Cu als weiterer Abschirmschicht zu versehen.

Von besonderem Vorteil ist - wie in Fig. 5 gezeigt - eine Ab­ kühlung des flächigen Gegenstandes zwischen dem Aufbringen zweier Abschirmschichten auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes. Eine solche Vorgehens­ weise bietet sich gerade dann an, wenn die Dicke der im ersten Bedampfungsschritt als Abschirmschicht aufgebrachten Schicht aus zum Beispiel Cu, Al oder ähnlichem Material weiter erhöht werden soll, der flächige Gegenstand aufgrund seines ausge­ wählten Materials aber eine nur begrenzte Wärmestabilität auf­ weist. Würde nämlich die Auftragung der Abschirmschicht mit der vorbestimmten Dicke in nur einem einzigen Bedampfungs­ schritt vorgenommen werden, bestünde bei einem flächigen Ge­ genstand aus einem Material nur begrenzter Wärmestabilität we­ gen der durch die physikalische plasmagestützte Dampfabschei­ dung im Vakuum hervorgerufenen Wärmeeinwirkung die Gefahr ei­ ner unzulässigen Verformung.

Abgesehen von der möglichen Vorbehandlung des flächigen Gegen­ standes noch vor den beiden oder wenigstens vor einem der bei­ den Bedampfungsschritte sowie einer möglichen Kontaktierung nach der Verformung des flächigen Gegenstandes zu einem Ge­ häuse kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren außerdem eine zusätzliche mechanische Bearbeitung des flächigen Gegenstandes zwischen zwei aufeinanderfolgenden Bedampfungsschritten erfol­ gen, wie sich Fig. 5 entnehmen läßt.

Das Verfahren nach der Erfindung gemäß Fig. 6 unterscheidet sich von demjenigen der Fig. 5 ausschließlich durch die Rei­ henfolge der einzelnen Verfahrenschritte. Demnach ist bei dem erfindungsgemäßen Verfahren nach Fig. 6 ein mehrfach - hier ebenfalls einmal - wiederholtes Aufbringen von als Abschirm­ schichten vorgesehenen Schichten auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes durch physika­ lische plasmagestützte Dampfabscheidung im Vakuum zwischen der mechanischen Bearbeitung und der Verformung des flächigen Gegenstandes zu einem Gehäuse zwischengeschaltet.

In Fig. 7 ist ein im wesentlichen flächiger Gegenstand 10, der den erfindungsgemäßen Verfahren nach Fig. 5 und 6 unterzogen wurde, dargestellt. Der flächige, mit einer Bohrung 12 und ei­ ner Nut 14 versehene Gegenstand 10 trägt eine erste Abschirm­ schicht 18, die die Oberfläche 16 bzw. denjenigen Teil der Oberfläche 16 des flächigen Gegenstandes 10 mit Ausnahme der Bereiche von Bohrung 12 und Nut 14 überzieht. Als metallische Abschirmschicht 18 ist eine Schicht aus zum Beispiel Cu mit­ tels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Va­ kuum aufgebracht. Die Oberfläche 20 bzw. ein Teil der Oberflä­ che 20 der ersten Abschirmschicht 18 selbst ist wiederum mit einer zweiten Abschirmschicht 22 versehen, beispielsweise in Form einer Schicht aus Ni oder Al. Die freien Bereiche der Bohrung 12 und der Nut 14 des flächigen Gegenstandes 10 setzen sich in der metallischen durch Bedampfung aufgetragenen Abschirmschicht 18 wie in der Abschirmschicht 22 entsprechend Fig. 7 fort.

Fig. 8 zeigt ein weiteres Verfahren nach der Erfindung, bei welchem zunächst ein Aufbringen einer Abschirmschicht, bei­ spielsweise einer Schicht aus Cu, durch plasmagestützte Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes stattfindet, dem eine mechanische Bearbeitung dessen nachfolgt. Anschließend werden zwei weitere Abschirmschichten in Form zum Beispiel ei­ ner Schicht aus Cu und einer Schicht aus Ni ebenfalls mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die die Oberfläche bzw. einen Teil der Oberfläche der ersten Abschirmschicht bzw. der zweiten Abschirmschicht aufgetragen. Letztendlich wird der mit insgesamt drei metallischen Ab­ schirmschichten versehene flächige Gegenstand zu einem Gehäuse verformt bzw. gefügt.

Entsprechend Fig. 8 können gegebenenfalls vor den einzelnen Bedampfungsschritten eine Vorbehandlung des flächigen Gegen­ standes und zwischen den einzelnen Bedampfungsschritten eine Abkühlung des flächigen Gegenstandes stattfinden. Ebenso ist es denkbar, den flächige Gegenstand zwischen den einzelnen Be­ dampfungsschritten mechanisch weiter zu bearbeiten.

Nach dem letzten Bedampfungsschritt von dem flächigen Gegen­ stand bzw. auch einer diesem gegebenenfalls nachfolgenden me­ chanischen Bearbeitung des flächigen Gegenstandes und vor ei­ ner möglichen Kontaktierung der oberen Abschirmschicht wird der flächige Gegenstand zu einem Gehäuse verformt.

In Fig. 9 ist ein im wesentlichen flächiger Gegenstand 10, der den erfindungsgemäßen Verfahren nach Fig. 7 und 8 unterzogen wurde, gezeigt. Der flächige, mit einer Bohrung 12 und einer Nut 14 versehene Gegenstand 10 trägt eine erste Abschirm­ schicht 18, die die Oberfläche 16 bzw. demjenigen Teil der Oberfläche 16 des flächigen Gegenstandes 10 mit Ausnahme der Bereiche von Bohrung 12 und Nut 14 überzieht. Als metallische Abschirmschicht 18 ist eine Schicht aus zum Beispiel Cu mit­ tels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Va­ kuum aufgebracht. Die Oberfläche 20 bzw. ein Teil der Oberflä­ che 20 der ersten Abschirmschicht 18 selbst ist wiederum mit einer zweiten Abschirmschicht 22 versehen, beispielsweise in Form einer Schicht aus ebenfalls Cu, auf deren Oberfläche 24 bzw. auf einem Teil der Oberfläche 24 der Abschirmschicht 22 eine dritte Abschirmschicht 26, zum Beispiel einer Schicht aus Ni, aufgebracht ist. Die freien Bereiche der Bohrung 12 und der Nut 14 des flächigen Gegenstandes 10 setzen sich in der metallischen durch Bedampfung aufgetragenen Abschirmschicht 18, der Abschirmschicht 22 und der Abschirmschicht 26 entspre­ chend Fig. 9 fort.

Das in Fig. 10 gezeigte Verfahren nach der Erfindung unter­ scheidet sich von dem oben beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahren nach Fig. 2 lediglich dadurch, daß zur Verstärkung einer ersten Abschirmschicht, die unmittelbar auf die Oberflä­ che bzw. einen Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mittels zum Beispiel physikalischer plasmagestützter Dampfab­ scheidung im Vakuum aufgebracht ist, nach der mechanischen Be­ arbeitung wenigstens eine weitere Abschirmschicht mittels Gal­ vanisierung auf die wenigstens eine Oberfläche bzw. einen Teil der mindestens einen Oberfläche des flächigen Gegenstandes aufgetragen wird. Als weitere, durch Galvanisierung in her­ kömmlicher Weise aufzubringende Abschirmschicht kann eine Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Legierung hieraus, also sämtlich Metalle mit hoher Leitfähigkeit, vorgesehen sein. Von besonderem Vorteil für eine individuelle Anpassung an unter­ schiedlichste praxisbezogene Erfordernisse sind auf zugal­ vanisierende Abschirmschichten, die aus einer Kombination meh­ rerer Schichten aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Legierung hier­ aus zusammengesetzt sind.

An die erfolgte Galvanisierung des flächigen Gegenstandes schließt sich - wie gewohnt - die Verformung des flächigen Ge­ genstandes zu einem Gehäuse an. Vor dem Bedampfungsschritt kann gegebenenfalls wieder eine Vorbehandlung der Oberfläche bzw. des Teiles der Oberfläche des flächigen Gegenstandes vorgenommen werden. Gleiches gilt, wie in Fig. 10 angedeutet, auch für die Galvanisierung. Nach der Verformung des flächigen Gegenstandes zu einem Gehäuse schließlich ist eine Kontaktie­ rung der obersten Abschirmschicht im Nahtbereich zwischen je­ weils zwei Teilflächen des Gehäuses durch Verlöten oder der­ gleichen möglich.

Die in Fig. 11 und 12 schematisierten Verfahren nach der Er­ findung sind mit dem Verfahren gemäß Fig. 10 bis auf die Rei­ henfolge der einzelnen Verfahrensschritte identisch. Demnach findet bei dem Verfahren nach Fig. 11 die Galvanisierung zwi­ schen dem Bedampfungsschritt und der mechanischen Bearbeitung statt. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren in Fig. 12 geht die mechanische Bearbeitung sowohl der Aufbringung der ersten Ab­ schirmschicht unmittelbar auf die Oberfläche bzw. einen Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mittels zum Beispiel physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum als auch der Auftragung der wenigstens einen weiteren Abschirm­ schicht durch Galvanisierung voraus.

In Fig. 13 ist schließlich ein im wesentlichen flächiger Ge­ genstand 10, der den erfindungsgemäßen Verfahren nach Fig. 10 bis 12 behandelt wurde, abgebildet. Der flächige Gegenstand 10 selbst ist mit einer Bohrung 12 und einer Nut 14 durch mecha­ nische Bearbeitung versehen. Auf dessen Oberfläche 16 bzw. demjenigen Teil der Oberfläche 16 des flächigen Gegenstandes 10, der von der Bohrung 12 und der Nut 14 nicht vereinnahmt ist, ist als metallische Abschirmschicht 18 eine Schicht aus zum Beispiel Cu mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum aufgebracht. Die Oberfläche 20 bzw. ein Teil der Oberfläche 20 der Abschirmschicht 18 ist mit ei­ ner weiteren Abschirmschicht 22 durch Galvanisierung überzo­ gen. Die freien Bereiche der Bohrung 12 und der Nut 14 des flächigen Gegenstandes 10 setzen sich in der metallischen durch Bedampfung aufgetragenen Abschirmschicht 18 wie in der aufgalvanisierten Abschirmschicht 22 - wie in Fig. 7 gezeigt - fort.

Claims (18)

1. Verfahren zur Herstellung von Gehäusen mit wenigstens ei­ ner metallischen Abschirmschicht zum Abschirmen des Gehäuses gegen elektromagnetische Strahlung, wobei mindestens eine Oberfläche bzw. ein Teil der Oberfläche von einem im wesentlichen flächigen Gegenstand, vorzugsweise einer Platte, aus thermisch erweich- bzw. schmelzbarem Material, insbesondere aus Kunststoff, mit der Abschirmschicht versehen wird, der im wesentlichen flächige, mit der Abschirmschicht zumin­ dest teilweise überzogene Gegenstand wenigstens teilweise er­ weicht bzw. geschmolzen wird, und der mit der Abschirmschicht zumindest teilweise versehene, teilweise erweichte bzw. geschmolzene Gegenstand schließlich zu dem Gehäuse verformt, insbesondere gebogen bzw. gefaltet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche bzw. der Teil der Oberfläche des flächigen Ge­ genstandes vor dem Aufbringen der Abschirmschicht zur Erhöhung der Haftung zwischen der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberflä­ che des flächigen Gegenstandes und der Abschirmschicht vorbe­ handelt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche bzw. der Teil der Oberfläche des flächigen Ge­ genstandes chemisch vorbehandelt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche bzw. der Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mittels eines Niederdruck-Plasmas unter Verwen­ dung von insbesondere Sauerstoff, Luft, Edelgasen, Stickstoff oder Tetrafluormethan, vorbehandelt wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge­ kennzeichnet, daß wenigstens die auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes unmittelbar aufzubringende Abschirmschicht mittels physikalischer plasma­ gestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes aufgetragen wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die plasmagestützte Dampfabscheidung im Vakuum über einen anodisch gesteuerten Lichtbogen vorgenommen wird.

7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine Maske beim Aufbringen mindestens einer der Abschirmschichten auf die Oberfläche des flächigen Gegenstan­ des zum Erhalt von mindestens einem von der jeweiligen Ab­ schirmschicht freien Bereich verwendet wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der flächige Gegenstand zwischen dem Auf­ bringen zweier Abschirmschichten auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mittels physi­ kalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum abge­ kühlt wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch ge­ kennzeichnet, daß als Abschirmschicht wenigstens eine Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Legierung hieraus mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Ge­ genstandes aufgebracht wird.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß als Abschirmschicht eine Kombination mehrerer Schichten aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Legierung hieraus mittels physi­ kalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegen­ standes aufgebracht wird.

11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeich­ net, daß die wenigstens eine als Abschirmschicht vorgesehene Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Legierung hieraus mit einer Dicke von 0,01 bis 100 Mikrometer, insbesondere von 0,05 bis 20 Mikrometer, vorzugsweise von 0,1 bis 10 Mikrome­ ter, auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flä­ chigen Gegenstandes mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum aufgebracht wird.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 11, dadurch ge­ kennzeichnet, daß als weitere Abschirmschicht wenigstens eine weitere Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Legierung hier­ aus mittels Galvanisierung auf die wenigstens eine mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Ge­ genstandes aufgebrachte Abschirmschicht aufgetragen wird.

13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Abschirmschicht eine Kombination mehrerer Schichten aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Legierung hieraus mittels Galvani­ sierung auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes aufgebracht wird.

14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeich­ net, daß die wenigstens eine weitere als Abschirmschicht vor­ gesehene Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Legierung hier­ aus mit einer Dicke von bis 100 Mikrometer, insbesondere von bis 50 Mikrometer, vorzugsweise von bis 30 Mikrometer, auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mittels Galvanisierung aufgebracht wird.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der flächige Gegenstand vor und/oder nach dem Aufbringen der wenigstens einen Abschirmschicht auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegen­ standes mechanisch bearbeitet wird.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der flächige Gegenstand zwischen dem Auf­ bringen wenigstens zweier Abschirmschichten auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mecha­ nisch bearbeitet wird.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der flächige Gegenstand in einem Bereich je­ weils zwischen zwei zueinander benachbarten Teilflächen des Gegenstandes erweicht bzw. geschmolzen wird und die jeweils beiden Teilflächen nach Erweichen bzw. Schmelzen zueinander zu dem Gehäuse verformt, insbesondere gebogen bzw. gefaltet werden.

18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch ge­ kennzeichnet, daß wenigstens die oberste der auf der Oberflä­ che bzw. dem Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes aufgebrachten Abschirmschicht nach dem Verformen, insbesondere nach dem Biegen bzw. Falten des Gegenstandes zu dem Gehäuse im Bereich zwischen jeweils zwei Teilflächen verlötet wird.