DE4307740A1

DE4307740A1 - Verfahren zur Herstellung von Gehäusen mit wenigstens einer metallischen Abschirmschicht

Info

Publication number: DE4307740A1
Application number: DE19934307740
Authority: DE
Inventors: Markus Dr Rer Nat Seibel; Georg Karls
Original assignee: EHRICH PLASMA COATING; TTK KUNSTSTOFF TECH GmbH
Current assignee: EHRICH PLASMA COATING; TTK KUNSTSTOFF TECH GmbH
Priority date: 1993-03-11
Filing date: 1993-03-11
Publication date: 1994-09-22
Anticipated expiration: 2013-03-12
Also published as: WO1994021099A1; DE4307740C2

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Ge häusen mit wenigstens einer metallischen Abschirmschicht zum Abschirmen des Gehäuses gegen elektromagnetische Strahlung.

Gehäuse, aus insbesondere Kunststoff oder dergleichen, setzen sich zunehmend zur Aufnahme elektrischer und/oder elektroni scher Geräte durch. Nachteilig an diesen bekannten Gehäusen allerdings ist deren Durchlässigkeit elektromagnetischer Strahlen. Aufgrund gesetzlicher Vorschriften über das Limit der von einem elektrischen und/oder elektronischen Gerät emit tierten Störstrahlung bedürfen diese Geräte daher grundsätz lich einer Abschirmung gegen elektromagnetische Strahlung.

Man versucht nun in neuerer Zeit eine solche elektromagneti sche Abschirmung dieser Gehäuse, aus insbesondere Kunststoff oder dergleichen Material, durch Verwendung leitfähiger Kunst stoffmateralien zu realisieren. Solche Materialien müssen einen hohen Anteil der elektromagnetisch abschirmenden Stoffe enthalten, um die erstrebte Wirkung zu erzielen. Dadurch aber werden die Materialien in ihren verarbeitungs- und anwendungs technischen Eigenschaften wesentlich verändert. Infolgedessen konnten sich diese Materialien bisher nicht durchsetzen.

Weiterhin versucht man auch, die - zumeist inneren - Oberflä chen der Gehäuse mit leitfähigen Lacken zur elektromagneti schen Abschirmung zu überziehen. Verwendet werden dazu vor al lem Metalle, die nicht zu kostspielig sind und eine besonders gute elektrische Leitfähigkeit aufweisen, wie Aluminium, Kup fer, Silber oder wegen seiner magnetischen Abschirmwirkung auch Nickel. Die Metalle werden beispielsweise als Pulver in Lacke eingearbeitet und die Gehäusewände damit überzogen. Trotz des hohen Anteiles an leitfähig machenden Metallpulvern solcher sogenannter Leitlacke ist ihre Leitfähigkeit nicht hoch, so daß dicke Schichten von einigen 100 µm benötigt wer den, um eine ausreichende Abschirmwirkung zu erreichen. Die lackbeschichteten Materialien sind später nur unter hohem Ko sten- und Arbeitsaufwand wieder regenerierbar.

Eine bevorzugte Methode besteht weiterhin darin, die Gehäuse wände mit dünnen Schichten aus reinen Metallen zu versehen. Bei Metallen von hoher elektrischer Leitfähigkeit wie Al, Cu, Ag, Au oder auch des magnetisch besonders wirksamen Ni, genü gen dazu bereits Schichten von einigen wenigen, beispielsweise von 2 bis 20 µm, Dicke, um eine gut wirksame Abschirmung zu erzielen. Als Abscheidungsmethoden werden sowohl chemische als auch physikalische Verfahren benutzt. Eine Darstellung findet sich im Band "Kunststoff Metallisierung" erschienen im Leuze- Verlag, Saulgau 1991 (zum Beispiel Seite 75 ff, Seite 153 ff).

Das chemo-galvanische Verfahren aber benötigt zahlreiche naß chemische Verfahrensschritte; es arbeitet zudem mit niedrigen Abscheidungsraten und ist vor allem mit erheblichen Abwasser problemen behaftet. Hinzu kommt, daß die Auswahl der haftfest mit diesem Verfahren zu beschichtenden Kunststoffe sehr einge schränkt ist.

Als physikalische Methoden werden das Spritzverfahren (Flamm- und Lichtbogen) oder die im Vakuum, arbeitenden Verfahren der thermischen Verdampfung oder des Sputterns eingesetzt oder zumindest versuchsweise angewendet. Diese physikalischen Ver fahren zur Abscheidung von rein metallischen Abschirmschichten auf den - vor allem inneren Gehäusewänden haben zwar den Vor zug, ohne die umweltbelastenden Probleme zu arbeiten. Jedoch leiden sie in unterschiedlichem Maße an mangelhafter Haftfä higkeit, an ungleichmäßiger Schichtdickenverteilung, an zu ge ringer elektrischer Leitfähigkeit der Schichten, an zu hoher thermischer Belastung der Substrate oder an zu geringer Ab scheidungsrate der Metallschichten während der Schichtabschei dung. Den meisten Verfahren haften, wie dem Fachmann bekannt ist, mehrere der genannten Nachteile an.

Weiter ist noch ein Verfahren bekannt, nach dem aus Platten, die mit einer Leitlackschicht überzogen sind, durch mechani sches Bearbeiten und Umformen die Gehäuse hergestellt werden. Solche Gehäuse haben zwar gut haftende und gleichmäßige Ab schirmschichten, die jedoch wegen ihres notwendigerweise hohen Bindemittelgehaltes schlecht leitfähig sind. Die Lackschichten benötigen daher einige 100 µm Dicke zur Erzielung einer aus reichenden Abschirmung. Bei der Herstellung der Gehäuse durch mechanisches Bearbeiten, Schneiden und Umformen der zunächst flachen Platten entstehen darüber hinaus bis zu 30 Prozent Ab fälle, bezogen auf das eingesetzte Material. Aus Kostengründen müssen diese Abfälle wieder verwendet werden, jedoch lassen sich solche Abfälle wegen der dicken, auflackierten Abschirm schicht nicht mehr regenerieren. Versuche solche Materialien zu regranulieren und wieder einzusetzen schlugen fehl.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Gehäusen mit wenigstens einer metallischen Ab schirmschicht gegen elektromagnetische Strahlung zur Verfügung zu stellen, das den folgenden Forderungen genügt:

1. Bereitstellung von rein metallischen Abschirmschichten mit hoher Wirksamkeit, Gleichmäßigkeit und Haftung auf den Ge häusewänden,
2. Anwendbarkeit auf zahlreichen verschiedenen Kunststoffar ten,
3. Hohe Abscheidungsrate der Abschirmschichten bei geringer thermischer Belastung der Substrate,
4. Vermeidung von Umweltproblemen, sowohl beim Aufbringen der Schichten als auch bei der Wiederverwertung der Abfälle bzw. der verbrauchten Gehäuse, und
5. Wirtschaftlichkeit und Anpassungsfähigkeit des Verfahrens an konstruktive Vorgaben hinsichtlich der Ausführung der Gehäuse.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Gehäusen mit einer metallischen Abschirm schicht gegen elektromagnetische Strahlung zur Verfügung zu stellen, welches vorgenannten Forderungen in zufriedenstellen der Weise genügt.

Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des An spruchs 1 gelöst.

Die Erfindung stellt ein Verfahren zur Verfügung, welches den oben aufgezählten Forderungen genügt und mit welchem auf be sonders einfache Weise individuell gestaltete Gehäuse her stellbar sind, die mit einer wirksamen Abschirmschicht gegen elektromagnetische Strahlung versehen sind, wobei die Ab schirmschicht gleichmäßig ausgebildet, festhaftend und metal lisch leitfähig ist und in ihrer Dicke wie auch Zusammenset zung an die jeweiligen, von der Verwendung der Gehäuse abhän gigen Erfordernisse individuell anpaßbar sind. Darüber hinaus vermeidet das Verfahren Umweltbelastungen.

Demnach wird zunächst mindestens eine Oberfläche bzw. ein Teil der Oberfläche von einem im wesentlichen flächigen Gegenstand, wie einer Platte oder dergleichen, aus thermisch erweich- bzw. schmelzbarem Material, insbesondere aus Kunststoff, mit der Abschirmschicht versehen. Die Abschirmschicht wird zu diesem Zweck auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flä chigen Gegenstandes aufgetragen. Sodann wird der im wesentli chen flächige, mit der Abschirmschicht zumindest teilweise überzogene Gegenstand mindestens teilweise thermisch erweicht bzw. geschmolzen. Schließlich wird der mit der Abschirmschicht zumindest zum Teil versehene, teilweise erweichte bzw. ge schmolzene Gegenstand zu dem Gehäuse verformt, insbesondere gebogen bzw. gefaltet oder in sonstiger Weise gefügt. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren findet somit ein Aufbringen einer metallischen Abschirmschicht auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche eines flächigen Gegenstandes, vorzugsweise aus Kunststoff oder dergleichen Material, zeitlich vor einem me chanischem (weitgehend Kalt-)Verformen dieses flächigen Gegen standes zur eigentlichen Herstellung des Gehäuses selbst statt. Eine solche Herstellung von Gehäusen entsprechend dem Verfahren nach der Erfindung ist dabei ausgesprochen einfach und damit einhergehend kostengünstig. Zudem sind derartig her gestellte Gehäuse aufgrund der metallischen Abschirmschicht sicher gegen elektromagnetische Strahlung abgeschirmt, nicht zuletzt aufgrund der Tatsache, daß die (metallisch) leitfähige Abschirmschicht so gleichmäßig und festhaftend ausgebildet werden kann. Zusätzlich ist es durch das erfindungsgemäße Ver fahren möglich, die Dicke wie auch Zusammensetzung der Ab schirmschicht an die jeweiligen, von der Verwendung der Ge häuse abhängigen Erfordernisse individuell anzupassen.

Vorteilhafte verfahrenstechnische Maßnahmen sind in den An sprüchen 2 bis 18 beschrieben.

Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens eignen sich im wesentlichen flächige Gegenstände, wie Platten oder der gleichen, aus erweichbaren bzw. schmelzbarem Material. Bei dem erweichbaren bzw. schmelzbarem Material kann es sich um Kunst stoff, wie zum Beispiel um ein Polymer und einen Thermopla sten, insbesondere um Polystyrol oder sonstiges Copolymerisat aus Styrol und Butadien, ABS, Acryl, Makrolon und Impax etc., mit oder ohne einer Verstärkung aus Glasfaser, Kohlefaser usw. handeln, und zwar jeweils an die geforderten thermischen, elektrischen und mechanischen Eigenschaften angepaßt.

Derartige im wesentlichen flächige Gegenstände können als Platten vorliegen oder durch Verfahren, wie zum Beispiel durch Spritzgießen, Tiefziehen oder Schäumen, vorzugsweise bei großen Stückzahlen der zu fertigenden Gehäuse hergestellt sein, wodurch eine mechanische Bearbeitung bzw. Nachbearbei tung ganz oder teilweise vermieden werden kann.

Vorzugsweise wird der flächige Gegenstand entsprechend den Merkmalen nach den Ansprüchen 2 bis 4 vorbehandelt, um eine saubere Oberfläche zu erhalten, d. h. die Oberfläche von Verun reinigungen wie Staubpartikel, Fett oder dergleichen zu be freien.

Von großer Bedeutung für das erfindungsgemäße Verfahren sind die Merkmale des Anspruchs 5. Durch die physikalische plasma gestützte Dampfabscheidung im Vakuum läßt bzw. lassen sich eine oder mehrere metallische Abschirmschichten auf den flä chigen Gegenstand äußerst gleichmäßig und festhaftend aufbrin gen, und zwar nahezu unabhängig von dem jeweiligen Material des Gegenstandes. Die physikalische plasmagestützte Dampfab scheidung im Vakuum weist neben hohen Beschichtungsraten den weiteren Vorteil einer schonenden Auftragung von (metallisch) leitfähigen Abschirmschichten auf. Zudem läßt sich der flä chige Gegenstand mit einer konstanten Dicke der Abschirm schicht, die an die individuellen Erfordernisse der Gehäuse genau angepaßt ist, versehen. Mit der physikalischen plasma gestützten Dampfabscheidung im Vakuum wird darüber hinaus der Metalldampf in hohem Maße ionisiert mit der Folge einer guten Haftung bei gleichzeitig hoher Leitfähigkeit der Abschirm schicht auf dem flächigen Gegenstand. Durch zusätzliches Anle gen eines Hochfrequenzfeldes bzw. einer Bias-Spannung während der physikalischen plasmagestützten Dampfabscheidung im Vakuum kann die Schichthaftung noch weiter erhöht werden.

In diesem Zusammenhang kann die physikalische plasmagestützte Dampfabscheidung im Vakuum wegen der flachen Ausgestaltung der mit einer Abschirmschicht zu versehenden Gegenstände bevorzugt in einer kontinuierlich arbeitenden Vorrichtung erfolgen, die mit Schleusen zum Ein- und Ausführen der flächigen Gegenstände in die bzw. aus der Bedampfungskammer ausgerüstet ist. Die Verwendung einer solchen Vorrichtung gestaltet das erfindungs gemäße Verfahren besonders wirtschaftlich. Ebensogut ist aber auch ein Chargenbetrieb zur Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens möglich.

Vorteilhafterweise wird die plasmagestützte Dampfabscheidung im Vakuum gemäß Anspruch 6 über einen anodisch gesteuerten Lichtbogen vorgenommen, der in DE 34 13 891 C2, DE 41 00 541 C1 und P 42 00 429.2 beschrieben ist. Bei diesem Verfahren brennt ein Lichtbogen im Vakuum zwischen einer kalten Kathode und einer heißen, sich selbst verzehrenden Anode. Das Anoden metall wird auf diese Weise zum Verdampfen gebracht und der Metalldampf gleichzeitig von den thermischen Elektronen des Lichtbogens ionisiert. Das Verfahren hat als "Arc"-Verfahren gegenüber anderen plasmagestützten physikalischen Abschei dungsverfahren den Vorzug, daß die zur Ionisation des Metall dampfes benutzten thermischen Elektronen vom Lichtbogen selbst bereitgestellt werden; es benötigt also keine besondere Vor richtung zur gesonderten Erzeugung thermischer Elektronen, wie sie zur Ionisierung benötigt werden. Gegenüber dem bekannten kathodischen Lichtbogen weist der anodisch gesteuerte Bogen den Vorzug der höheren Abscheidungsraten, gleichmäßiger glat ter Schichten mit feinkristalliner Struktur und entsprechend besserer elektrischen Leitfähigkeit auf.

Weiterhin liegt es im Rahmen der Erfindung, entsprechend An spruch 7 wenigstens eine Maske oder dergleichen beim Aufbrin gen mindestens einer der Abschirmschichten auf die Oberfläche des flächigen Gegenstandes zum Erhalt von mindestens einem von der jeweiligen Abschirmschicht freien Bereich zu verwenden. Aus diese Weise können unerwünschte Metallabscheidungen ver mieden werden. Da die zu maskierenden Teile flach sind, können die Masken in Form von Schablonen ohne besondere Schwierigkeit aufgebracht werden. Die Maskierung kann auch im Siebdruckver fahren oder photochemisch erfolgen. Es kann nach zwei unter schiedlichen Verfahrensweisen gearbeitet werden. In einem Fall werden die nicht abzuschirmenden Bereiche abgedeckt, dann die Metallschicht abgeschieden und schließlich die Maske wieder entfernt. In anderem Fall wird der abzuschirmende Bereich erst nach der Metallabscheidung abgedeckt und dann das Metall aus dem nicht abgeschirmten Bereich entfernt. Gegebenenfalls kann die Maske dann als zusätzlicher Korrosionsschutz oder Isolation auf der Abschirmschicht verbleiben.

Zur Erzielung einer großen Dicke der Abschirmschicht, die im allgemeinen durch die Wärmestabilität von dem Material des flächigen Gegenstandes und die mit zunehmender Schichtdicke der aufgedampften Metallschicht größer werdende Wärmemenge be grenzt wird, ist es weiterhin von Vorteil, den flächigen Ge genstand gemäß Merkmal nach Anspruch 8 zwischenzeitlich, d. h. zwischen dem Aufbringen zweier Abschirmschichten auf die Ober fläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes abzukühlen.

Von Vorteil bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist des weite ren nach Anspruch 9 die Aufbringung wenigstens einer Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Legierung hieraus, also sämtlich Metalle mit hoher Leitfähigkeit, als Abschirmschicht mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes. Vorzugsweise wird Cu, welches sich in folge der Ionisation des Metalldampfes ausgesprochen festhaf tend auf flächigen Gegenständen insbesondere aus Kunststoff abscheidet, verwendet, wenn die Abschirmschicht nachfolgend einer galvanischen Behandlung unterzogen werden soll.

Von besonderem Vorteil für eine individuelle Anpassung an un terschiedlichste praxisbezogene Erfordernisse ist eine Ab schirmschicht entsprechend den Merkmalen des Anspruchs 10, die aus einer Kombination mehrerer Schichten aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Legierung hieraus zusammengesetzt ist.

Insbesondere wird die wenigstens eine als Abschirmschicht vor gesehene Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Legierung hieraus entsprechend den Maßnahmen nach Anspruch 11 mit einer Dicke von etwa 0,01 bis 100 Mikrometer, insbesondere von 0,05 bis 20 Mikrometer, vorzugsweise von 0,1 bis 10 Mikrometer, auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Ge genstandes mittels physikalischer plasmagestützter Dampfab scheidung im Vakuum aufgebracht.

Von Interesse für eine zusätzliche Erhöhung der Dicke der auf gedampften Abschirmschicht bzw. Abschirmschichten sind die Merkmale nach Anspruch 12, daß nämlich als weitere Abschirm schicht wenigstens eine weitere Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Legierung hieraus mittels Galvanisierung auf die wenigstens eine mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes aufgebrachte Ab schirmschicht aufgetragen wird.

Von besonderem Vorteil für eine individuelle Anpassung an un terschiedlichste praxisbezogene Erfordernisse ist in diesem Zusammenhang auch die weitere Abschirmschicht gemäß Anspruch 13, die aus einer Kombination mehrerer Schichten aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Legierung hieraus zusammengesetzt ist.

Dabei ist es bevorzugt, wenigstens eine weitere als Abschirm schicht vorgesehene Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Le gierung hieraus entsprechend den Maßnahmen nach Anspruch 14 mit einer Dicke von etwa bis 100 Mikrometer, insbesondere von etwa bis 50 Mikrometer, vorzugsweise von etwa bis 30 Mikrome ter, auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flä chigen Gegenstandes mittels Galvanisierung aufzubringen.

Nach dem Merkmalen der Ansprüche 15 und 16 wird der flächige Gegenstand vor und/oder nach dem Aufbringen wenigstens einer Abschirmschicht sowie gegebenenfalls auch zwischen dem Auf bringen wenigstens zweier Abschirmschichten auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mecha nisch bearbeitet. Auf diese Weise kann der flächige Gegenstand variabel auf das gewünschte Maß gebracht und mit Bohrungen, Nuten oder dergleichen versehen werden. Von Vorteil für eine Einsparung von auf den flächigen Gegenstand aufzudampfendem Metall ist eine mechanische Bearbeitung vor dem Aufbringen der Abschirmschicht. Ungeachtet dessen läßt sich der Schneide- und Stanzabfall mit dem aufgedampften Metall auch ohne weiteres regranulieren und wiederaufbereiten.

Darüber hinaus liegt es im Rahmen der Erfindung nach Anspruch 17, den flächigen Gegenstand in einem Bereich jeweils zwischen zwei zueinander benachbarten Teilflächen des Gegenstandes zu erweichen bzw. zu schmelzen und diese jeweils beiden Teilflä chen nach Erweichen bzw. Schmelzen zueinander zu verformen, insbesondere zu biegen bzw. zu falten, wodurch sich auf beson ders einfache Weise ein Gehäuse mit bereits auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche der Teilflächen von dem flächigen Gegenstand versehener Abschirmschicht erhalten läßt.

Schließlich ist zur elektrischen Verbindung der im Nahtbereich zwischen jeweils zwei Teilflächen des Gehäuses erfindungsgemäß noch entsprechend Anspruch 18 vorgesehen, wenigstens die ober ste der auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes aufgebrachten Abschirmschicht nach dem Verformen, insbesondere nach dem Biegen bzw. Falten des Gegen standes zu dem Gehäuse im Bereich zwischen jeweils zwei Teil flächen zu verlöten oder dergleichen, um damit eine elektrisch leitende Verbindung herzustellen.

Weitere Merkmale, Vorteile und Einzelheiten der Erfindung er geben sich aus der nachfolgenden Beschreibung einiger bevor zugter Ausführungsformen der Erfindung sowie anhand der Zeich nung. Hierbei zeigt:

Fig. 1 ein schematisches Ablaufdiagramm eines Grundprinzips des erfindungsgemäßen Verfahrens;

Fig. 2 ein schematisches Ablaufdiagramm einer Ausführungs form eines erfindungsgemäßen Verfahrens;

Fig. 3 ein schematisches Ablaufdiagramm einer abgewandelten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß Fig. 2;

Fig. 4 eine Schnittansicht durch einen flächigen, mit einer metallischen Abschirmschicht nach dem Verfahren gemäß Fig. 2 und/oder 3 versehenen Gegenstandes;

Fig. 5 ein schematisches Ablaufdiagramm einer weiteren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens;

Fig. 6 ein schematisches Ablaufdiagramm einer abgewandelten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß Fig. 5;

Fig. 7 eine Schnittansicht durch einen flächigen, mit einer metallischen Abschirmschicht nach dem Verfahren gemäß Fig. 5 und/oder 6 versehenen Gegenstandes;

Fig. 8 ein schematisches Ablaufdiagramm einer anderen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens;

Fig. 9 eine Schnittansicht durch einen flächigen, mit einer metallischen Abschirmschicht nach dem Verfahren gemäß Fig. 8 versehenen Gegenstandes;

Fig. 10 ein schematisches Ablaufdiagramm einer noch anderen Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens;

Fig. 11 ein schematisches Ablaufdiagramm einer abgewandelten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß Fig. 10;

Fig. 12 ein schematisches Ablaufdiagramm einer weiter abge wandelten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß Fig. 10; und

Fig. 13 eine Schnittansicht durch einen flächigen, mit einer metallischen Abschirmschicht nach dem Verfahren gemäß Fig. 10 bis 12 versehenen Gegenstandes.

Entsprechend Fig. 1 beginnt das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von Gehäusen mit wenigstens einer metallischen Ab schirmschicht zum Abschirmen des Gehäuses gegen elektromagne tische Strahlung mit dem Anliefern bzw. der Bereitstellung von im wesentlichen flächigen Gegenständen, wie einer Platte oder dergleichen, aus thermisch erweichbarem bzw. schmelzbarem Ma terial. Bei dem erweichbaren bzw. schmelzbarem Material kann es sich um Kunststoff, wie zum Beispiel um ein Polymer und einen Thermoplasten, insbesondere um Polystyrol oder sonstiges Copolymerisat aus Styrol und Butadien, ABS, Acryl, Makrolon und Impax etc., mit oder ohne einer Verstärkung aus Glasfaser, Kohlefaser usw. handeln, und zwar jeweils an die geforderten thermischen, elektrischen und mechanischen Eigenschaften ange paßt.

Sodann wird mindestens eine Oberfläche bzw. ein Teil der Ober fläche des im wesentlichen flächigen Gegenstandes mit der Ab schirmschicht versehen. Insbesondere wird wenigstens die Ab schirmschicht, welche auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes unmittelbar aufzubringen ist, mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes aufgetragen. Als metallische Abschirm schicht eignet sich vor allem wenigstens eine Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Legierung hieraus, also sämtlich Me talle mit hoher Leitfähigkeit. Von besonderem Vorteil für eine individuelle Anpassung an unterschiedlichste praxisbezogene Erfordernisse ist eine Abschirmschicht, die aus einer Kombina tion mehrerer Schichten aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Le gierung hieraus zusammengesetzt ist.

Hieraufhin wird der im wesentlichen flächige, mit der Ab schirmschicht versehene Gegenstand teilweise erweicht bzw. ge schmolzen. Mit anderen Worten wird der flächige Gegenstand in einem Bereich jeweils zwischen zwei zueinander benachbarten Teilflächen des Gegenstandes, d. h. im sog. Nahtbereich zwi schen den beiden Teilflächen, erweicht bzw. geschmolzen. Der mit der Abschirmschicht versehene Gegenstand wird unmittelbar im Anschluß an das Erweichen bzw. Schmelzen zu einem Gehäuse mit ausgesprochen guten Abschirmeigenschaften gegen elektroma gnetische Strahlung verformt, indem die zueinander benachbar ten Teilflächen im erweichten bzw. geschmolzenen Nahtbereich gegeneinander umgebogen, umgefaltet, gefalzt oder in sonstiger Weise gefügt werden.

Schließlich endet das erfindungsgemäße Verfahren mit dem Ab transport des fertiggestellten Gehäuses bzw. dem Weitertrans port dessen zu einer Montagestation oder dergleichen, in wel cher das jeweilige Gehäuse mit den vorgesehenen elektrischen und/oder elektronischen Bauelementen bestückt wird.

Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt infolgedessen die Her stellung von Gehäusen für elektrische oder elektronische Ge räte mit einer individuell abgestimmten, metallischen Ab schirmschicht hoher Haftung und Gleichmäßigkeit auf dem jewei ligen Material, vorzugsweise auf den Kunststoffen, derartiger Gehäuse. Dabei besitzt keine der Teilflächen eines einzelnen Gehäuses gegenüber einer anderen Teilfläche desselben Gehäuses eine schwächere abschirmende Wirkung. Zudem ist das erfin dungsgemäße Verfahren besonders umweltschonend. Die beim Schneiden entstehenden Abfälle mit dünnen Metallschichten (< 10 Mikrometer) können regranuliert werden. Die Wiederaufberei tung der Kunststoffe mit dickeren metallischen Abschirmschich ten (30 Mikrometer und mehr) ist mittels Trennung, beispiels weise durch mechanisches Abziehen der metallischen Abschirm schicht von dem jeweiligen Kunststoff, in einfacher Weise mög lich.

Gegebenenfalls kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die Oberfläche bzw. der Teil der Oberfläche des flächigen Gegen standes - wie in Fig. 1 angedeutet - vor dem Aufbringen der Abschirmschicht vorbehandelt werden, um eine saubere Oberflä che zu erhalten, d. h. die Oberfläche von Verunreinigungen wie Staubpartikel, Fett oder dergleichen zu befreien. Hierdurch wird das Haftvermögen zwischen der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes und der Abschirm schicht erhöht.

Eine solche Vorbehandlung der Oberfläche bzw. des Teiles der Oberfläche des flächigen Gegenstandes kann chemisch in an sich bekannter Weise erfolgen. Alternativ kann die Oberfläche bzw. der Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes auch nie derdruck-plasmagestützt vorbehandelt werden, unter Verwendung von insbesondere Sauerstoff, Luft, Edelgasen, Stickstoff oder Tetrafluormethan. Diese letztere Vorbehandlung hat neben einer wenig aggressiven Wirkung auf das entsprechende Material - umso mehr als es sich vielfach um Kunststoffe handelt - den weiteren Vorteil der zusätzlichen Steigerung der Haftung für die nachfolgend aufzutragende metallische Abschirmschicht.

Darüber hinaus kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren - wie aus Fig. 1 hervorgeht - im Bedarfsfall wenigstens die oberste der auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche des flä chigen Gegenstandes aufgebrachten Abschirmschicht nach dem Verformen, insbesondere nach dem Biegen, Falten, Falzen oder sonstigen Fügen des Gegenstandes zu dem Gehäuse im Bereich zwischen jeweils zwei Teilflächen, d. h. im Nahtbereich, verlö tet oder dergleichen werden.

Das erfindungsgemäße Verfahren nach Fig. 2 unterscheidet sich von demjenigen nach Fig. 1 lediglich durch eine zusätzliche mechanische Bearbeitung des im wesentlichen flächigen Gegen standes zwischen dem Aufbringen einer Abschirmschicht und dem Verformen des im wesentlichen flächigen, mit der Abschirm schicht versehenen Gegenstandes.

Dementsprechend wird der Gegenstand zunächst mittels physika lischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum mit der Abschirmschicht in Form von beispielsweise einer Schicht aus Cu bis zu der für die spätere Anwendung benötigten Dicke der Abschirmschicht, und zwar in Abhängigkeit der thermischen Belastbarkeit des Materials des flächigen Gegenstandes, verse hen. Die Dicke der Schicht aus Cu kann zum Beispiel 1 bis 5 Mikrometer betragen. Als Abschirmschicht kann auch eine Schicht aus Al vorgesehen sein, allerdings nur, wenn nachfol gend keine Galvanisierung stattfindet. Eine Abschirmschicht aus Al besitzt zwar eine etwas geringere Leitfähigkeit als Cu, benötigt aber keinen weiteren Schutz gegen Oxidation.

Hiernach erfolgt die mechanische Bearbeitung, wie ein Schlei fen, Fräsen, Einbringen von Nuten, Schlitzen, Bohrungen etc., des flächigen Gegenstandes. Um allerdings eine derartige me chanische Bearbeitung weitgehend oder gänzlich auszuschließen, ist es vor allem bei großen Stückzahlen von Vorteil, durch Spritzgießen oder dergleichen Verfahren hergestellte flächige Gegenstände zu verwenden.

Schließlich wird der flächige Gegenstand nach erfolgter (partieller) thermischer Erweichung bzw. Schmelzung zu einem fertigen Gehäuse verformt. Gegebenenfalls wird der flächige Gegenstand wieder vorbehandelt. Des weiteren kann nach dem Verformen des flächigen Gegenstandes eine Kontaktierung der oberen Abschirmschicht vorgenommen werden.

Das in Fig. 3 schematisch dargestellte Verfahren nach der Er findung stimmt mit dem Verfahren gemäß Fig. 2 weitgehend über ein. Unterschiedlich ist allerdings die Reihenfolge der ein zelnen Verfahrensschritte. So findet bei dem Verfahren nach Fig. 3 die mechanische Bearbeitung des flächigen Gegenstandes vor der Aufbringung, insbesondere Bedampfung der Oberfläche bzw. des Teiles der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mit tels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Va kuum statt, an welche sich wiederum das Erweichen bzw. Schmel zen und die Verformung anschließen. Unterschiedlich ist auch der mögliche Einsatz einer Maske oder dergleichen beim Auf bringen wenigstens einer der Abschirmschichten auf die Ober fläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes

Fig. 4 zeigt einen im wesentlichen flächigen Gegenstand 10, der den erfindungsgemäßen Verfahren nach Fig. 2 und 3 unterzo gen wurde. Der flächige Gegenstand 10 selbst ist mit einer Bohrung 12 und einer Nut 14 durch mechanische Bearbeitung ver sehen. Auf dessen Oberfläche 16 bzw. demjenigen Teil der Ober fläche 16 des flächigen Gegenstandes 10, der von der Bohrung 12 und der Nut 14 nicht vereinnahmt ist, wird als metallische Abschirmschicht 18 eine Schicht aus zum Beispiel Cu oder Al mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum aufgebracht. Vorteilhafterweise ist die physikalische plasmagestützte Dampfabscheidung im Vakuum über einen anodisch gesteuerten Lichtbogen erzeugt. Die freien Bereiche der Boh rung 12 und der Nut 14 in der Oberfläche 16 des flächigen Gegenstandes 10 setzen sich in der metallischen durch Bedamp fung aufgetragenen Abschirmschicht 18 entsprechend Fig. 4 fort.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren nach Fig. 5 erfolgt vor der mechanischen Bearbeitung und anschließenden Verformung des flächigen Gegenstandes zu einem Gehäuse ein mehrfach - hier einmal - wiederholter Auftrag von als Abschirmschichten vorge sehenen Schichten auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Ober fläche des flächigen Gegenstandes.

Zum Beispiel kann die Oberfläche bzw. ein Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mittels physikalischer plasma gestützter Dampfabscheidung im Vakuum in einem ersten Bedamp fungsschritt mit einer Schicht aus Cu und sodann in einem zweiten, nachfolgenden Bedampfungsschritt mit einer Schicht aus Al zum Schutz der Schicht aus Cu gegen Oxidation oder auch mit einer Schicht aus Ni überzogen werden, usw. Ebensogut aber ist es denkbar, die in dem ersten Bedampfungsschritt als Abschirmschicht aufgetragene Schicht aus Cu im zweiten, nach folgenden Bedampfungsschritt mit einer zusätzlichen Schicht aus Cu als weiterer Abschirmschicht zu versehen.

Von besonderem Vorteil ist - wie in Fig. 5 gezeigt - eine Ab kühlung des flächigen Gegenstandes zwischen dem Aufbringen zweier Abschirmschichten auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes. Eine solche Vorgehens weise bietet sich gerade dann an, wenn die Dicke der im ersten Bedampfungsschritt als Abschirmschicht aufgebrachten Schicht aus zum Beispiel Cu, Al oder ähnlichem Material weiter erhöht werden soll, der flächige Gegenstand aufgrund seines ausge wählten Materials aber eine nur begrenzte Wärmestabilität auf weist. Würde nämlich die Auftragung der Abschirmschicht mit der vorbestimmten Dicke in nur einem einzigen Bedampfungs schritt vorgenommen werden, bestünde bei einem flächigen Ge genstand aus einem Material nur begrenzter Wärmestabilität we gen der durch die physikalische plasmagestützte Dampfabschei dung im Vakuum hervorgerufenen Wärmeeinwirkung die Gefahr ei ner unzulässigen Verformung.

Abgesehen von der möglichen Vorbehandlung des flächigen Gegen standes noch vor den beiden oder wenigstens vor einem der bei den Bedampfungsschritte sowie einer möglichen Kontaktierung nach der Verformung des flächigen Gegenstandes zu einem Ge häuse kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren außerdem eine zusätzliche mechanische Bearbeitung des flächigen Gegenstandes zwischen zwei aufeinanderfolgenden Bedampfungsschritten erfol gen, wie sich Fig. 5 entnehmen läßt.

Das Verfahren nach der Erfindung gemäß Fig. 6 unterscheidet sich von demjenigen der Fig. 5 ausschließlich durch die Rei henfolge der einzelnen Verfahrenschritte. Demnach ist bei dem erfindungsgemäßen Verfahren nach Fig. 6 ein mehrfach - hier ebenfalls einmal - wiederholtes Aufbringen von als Abschirm schichten vorgesehenen Schichten auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes durch physika lische plasmagestützte Dampfabscheidung im Vakuum zwischen der mechanischen Bearbeitung und der Verformung dem flächigen Gegenstandes zu einem Gehäuse zwischengeschaltet.

In Fig. 7 ist ein im wesentlichen flächiger Gegenstand 10, der den erfindungsgemäßen Verfahren nach Fig. 5 und 6 unterzogen wurde, dargestellt. Der flächige, mit einer Bohrung 12 und ei ner Nut 14 versehene Gegenstand 10 trägt eine erste Abschirm schicht 18, die die Oberfläche 16 bzw. denjenigen Teil der Oberfläche 16 des flächigen Gegenstandes 10 mit Ausnahme der Bereiche von Bohrung 12 und Nut 14 überzieht. Als metallische Abschirmschicht 18 ist eine Schicht aus zum Beispiel Cu mit tels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Va kuum aufgebracht. Die Oberfläche 20 bzw. ein Teil dem Oberflä che 20 der ersten Abschirmschicht 18 selbst ist wiederum mit einer zweiten Abschirmschicht 22 versehen, beispielsweise in Form einer Schicht aus Ni oder Al. Die freien Bereiche der Bohrung 12 und der Nut 14 des flächigen Gegenstandes 10 setzen sich in der metallischen durch Bedampfung aufgetragenen Abschirmschicht 18 wie in der Abschirmschicht 22 entsprechend Fig. 7 fort.

Fig. 8 zeigt ein weiteres Verfahren nach der Erfindung, bei welchem zunächst ein Aufbringen einer Abschirmschicht, bei spielsweise einer Schicht aus Cu, durch plasmagestützte Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes stattfindet, dem eine mechanische Bearbeitung dessen nachfolgt. Anschließend werden zwei weitere Abschirmschichten in Form zum Beispiel ei ner Schicht aus Cu und einer Schicht aus Ni ebenfalls mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die die Oberfläche bzw. einen Teil der Oberfläche der ersten Abschirmschicht bzw. der zweiten Abschirmschicht aufgetragen. Letztendlich wird der mit insgesamt drei metallischen Abschirmschichten versehene flächige Gegenstand zu einem Ge häuse verformt bzw. gefügt.

Entsprechend Fig. 8 können gegebenenfalls vor den einzelnen Bedampfungsschritten eine Vorbehandlung des flächigen Gegen standes und zwischen den einzelnen Bedampfungsschritten eine Abkühlung des flächigen Gegenstandes stattfinden. Ebenso ist es denkbar, den flächige Gegenstand zwischen den einzelnen Be dampfungsschritten mechanisch weiter zu bearbeiten.

Nach dem letzten Bedampfungsschritt von dem flächigen Gegen stand bzw. auch einer diesem gegebenenfalls nachfolgenden me chanischen Bearbeitung des flächigen Gegenstandes und vor ei ner möglichen Kontaktierung der oberen Abschirmschicht wird der flächige Gegenstand zu einem Gehäuse verformt bzw. gefügt.

In Fig. 9 ist ein im wesentlichen flächiger Gegenstand 10, der den erfindungsgemäßen Verfahren nach Fig. 7 und 8 unterzogen wurde, gezeigt. Der flächige, mit einer Bohrung 12 und einer Nut 14 versehene Gegenstand 10 trägt eine erste Abschirm schicht 18, die die Oberfläche 16 bzw. demjenigen Teil der Oberfläche 16 des flächigen Gegenstandes 10 mit Ausnahme der Bereiche von Bohrung 12 und Nut 14 überzieht. Als metallische Abschirmschicht 18 ist eine Schicht aus zum Beispiel Cu mit tels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Va kuum aufgebracht. Die Oberfläche 20 bzw. ein Teil der Oberflä che 20 der ersten Abschirmschicht 18 selbst ist wiederum mit einer zweiten Abschirmschicht 22 versehen, beispielsweise in Form einer Schicht aus ebenfalls Cu, auf deren Oberfläche 24 bzw. auf einem Teil der Oberfläche 24 der Abschirmschicht 22 eine dritte Abschirmschicht 26, zum Beispiel einer Schicht aus Ni, aufgebracht ist. Die freien Bereiche der Bohrung 12 und der Nut 14 des flächigen Gegenstandes 10 setzen sich in der metallischen durch Bedampfung aufgetragenen Abschirmschicht 18, der Abschirmschicht 22 und der Abschirmschicht 26 entspre chend Fig. 9 fort.

Das in Fig. 10 gezeigte Verfahren nach der Erfindung unter scheidet sich von dem oben beschriebenen erfindungsgemäßen Verfahren nach Fig. 2 lediglich dadurch, daß zur Verstärkung einer ersten Abschirmschicht, die unmittelbar auf die Oberflä che bzw. einen Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mittels zum Beispiel physikalischer plasmagestützter Dampfab scheidung im Vakuum aufgebracht ist, nach der mechanischen Bearbeitung wenigstens eine weitere Abschirmschicht mittels Galvanisierung auf die wenigstens eine Oberfläche bzw. einen Teil der mindestens einen Oberfläche des flächigen Gegenstan des aufgetragen wird. Als weitere, durch Galvanisierung in herkömmlicher Weise aufzubringende Abschirmschicht kann eine Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Legierung hieraus, also sämtlich Metalle mit hoher Leitfähigkeit-vorgesehen sein. Von besonderem Vorteil für eine individuelle Anpassung an unter schiedlichste praxisbezogene Erfordernisse sind aufzugal vanisierende Abschirmschichten, die aus einer Kombination meh rerer Schichten aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Legierung hier aus zusammengesetzt sind.

An die erfolgte Galvanisierung des flächigen Gegenstandes schließt sich - wie gewohnt - die Verformung des flächigen Ge genstandes zu einem Gehäuse an. Vor dem Bedampfungsschritt kann gegebenenfalls wieder eine Vorbehandlung der Oberfläche bzw. des Teiles der Oberfläche des flächigen Gegenstandes vorgenommen werden. Gleiches gilt, wie in Fig. 10 angedeutet, auch für die Galvanisierung. Nach der Verformung des flächigen Gegenstandes zu einem Gehäuse schließlich ist eine Kontaktie rung der obersten Abschirmschicht im Nahtbereich zwischen je weils zwei Teilflächen des Gehäuses durch Verlöten oder der gleichen möglich.

Die in Fig. 11 und 12 schematisierten Verfahren nach der Er findung sind mit dem Verfahren gemäß Fig. 10 bis auf die Rei henfolge der einzelnen Verfahrensschritte identisch. Demnach findet bei dem Verfahren nach Fig. 11 die Galvanisierung zwi schen dem Bedampfungsschritt und der mechanischen Bearbeitung statt. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren in Fig. 12 geht die mechanische Bearbeitung sowohl der Aufbringung der ersten Ab schirmschicht unmittelbar auf die Oberfläche bzw. einen Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mittels zum Beispiel physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum als auch dem Auftragung der wenigstens einen weiteren Abschirm schicht durch Galvanisierung voraus.

In Fig. 13 ist schließlich ein im wesentlichen flächiger Ge genstand 10, der den erfindungsgemäßen Verfahren nach Fig. 10 bis 12 behandelt wurde, abgebildet. Der flächige Gegenstand 10 selbst ist mit einer Bohrung 12 und einer Nut 14 durch mecha nische Bearbeitung versehen. Auf dessen Oberfläche 16 bzw. demjenigen Teil der Oberfläche 16 des flächigen Gegenstandes 10, der von der Bohrung 12 und der Nut 14 nicht vereinnahmt ist, ist als metallische Abschirmschicht 18 eine Schicht aus zum Beispiel Cu mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum aufgebracht. Die Oberfläche 20 bzw. ein Teil der Oberfläche 20 der Abschirmschicht 18 ist mit ei ner weiteren Abschirmschicht 22 durch Galvanisierung überzo gen. Die freien Bereiche der Bohrung 12 und der Nut 14 des flächigen Gegenstandes 10 setzen sich in der metallischen durch Bedampfung aufgetragenen Abschirmschicht 18 wie in der aufgalvanisierten Abschirmschicht 22 - wie in Fig. 7 gezeigt - fort.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist nicht auf die oben be schriebenen Ausführungsformen beschränkt. Es liegen vielmehr weitere Kombinationen der einzelnen Verfahrensschritte unter einander im Rahmen der Erfindung.

Sämtliche in den Anmeldungsunterlagen offenbarten Merkmale werden als erfindungswesentlich beansprucht, soweit sie ein zeln oder in Kombination gegenüber dem Stand der Technik neu sind.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung von Gehäusen mit wenigstens ei ner metallischen Abschirmschicht zum Abschirmen des Gehäuses gegen elektromagnetische Strahlung, wobei
mindestens eine Oberfläche bzw. ein Teil der Oberfläche von einem im wesentlichen flächigen Gegenstand, wie einer Platte oder dergleichen, aus thermisch erweich- bzw. schmelzbarem Material, insbesondere aus Kunststoff, mit der Abschirmschicht versehen wird,
der im wesentlichen flächige, mit der Abschirmschicht zumin dest teilweise überzogene Gegenstand wenigstens teilweise er weicht bzw. geschmolzen wird, und
der mit der Abschirmschicht zumindest teilweise versehene, teilweise erweichte bzw. geschmolzene Gegenstand schließlich zu dem Gehäuse verformt, insbesondere gebogen bzw. gefaltet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche bzw. der Teil der Oberfläche des flächigen Ge genstandes vor dem Aufbringen der Abschirmschicht zur Erhöhung der Haftung zwischen der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberflä che des flächigen Gegenstandes und der Abschirmschicht vorbe handelt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche bzw. der Teil der Oberfläche des flächigen Ge genstandes chemisch vorbehandelt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 2 und/oder 3, dadurch gekenn zeichnet, daß die Oberfläche bzw. der Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mittels eines Niederdruck-Plasmas unter Verwendung von insbesondere Sauerstoff, Luft, Edelgasen, Stickstoff oder Tetrafluormethan, vorbehandelt wird.

5. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens die auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes unmit telbar aufzubringende Abschirmschicht mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes aufge tragen wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die plasmagestützte Dampfabscheidung im Vakuum über einen anodisch gesteuerten Lichtbogen vorgenommen wird.

7. Verfahren nach Anspruch 5 und/oder 6, dadurch gekenn zeichnet, daß wenigstens eine Maske oder dergleichen beim Auf bringen mindestens einer der Abschirmschichten auf die Ober fläche des flächigen Gegenstandes zum Erhalt von mindestens einem von der jeweiligen Abschirmschicht freien Bereich ver wendet wird.

8. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der flächige Gegenstand zwischen dem Aufbringen zweier Abschirmschichten auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mit tels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Va kuum abgekühlt wird.

9. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Abschirmschicht wenigstens eine Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Legierung hier aus mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes aufgebracht wird.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß als Abschirmschicht eine Kombination mehrerer Schichten aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Legierung hieraus mittels physi kalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegen standes aufgebracht wird.

11. Verfahren nach Anspruch 9 und/oder 10, dadurch gekenn zeichnet, daß die wenigstens eine als Abschirmschicht vorgese hene Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni, Al oder einer Legierung hier aus mit einer Dicke von etwa 0,01 bis 100 Mikrometer, insbe sondere von 0,05 bis 20 Mikrometer, vorzugsweise von 0,1 bis 10 Mikrometer, auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mittels physikalischer plasma gestützter Dampfabscheidung im Vakuum aufgebracht wird.

12. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 5 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß als weitere Abschirmschicht wenig stens eine weitere Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Legierung hieraus mittels Galvanisierung auf die wenigstens eine mittels physikalischer plasmagestützter Dampfabscheidung im Vakuum auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes aufgebrachte Abschirmschicht aufgetragen wird.

13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Abschirmschicht eine Kombination mehrerer Schichten aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Legierung hieraus mittels Galvanisierung auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes aufgebracht wird.

14. Verfahren nach Anspruch 12 und/oder 13, dadurch gekenn zeichnet, daß die wenigstens eine weitere als Abschirmschicht vorgesehene Schicht aus Cu, Ag, Au, Ni oder einer Legierung hieraus mit einer Dicke von etwa bis 100 Mikrometer, insbesondere von etwa bis 50 Mikrometer, vorzugsweise von etwa bis 30 Mikrometer, auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mittels Galvanisierung aufgebracht wird.

15. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der flächige Gegenstand vor und/oder nach dem Aufbringen der wenigstens einen Abschirm schicht auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegenstandes mechanisch bearbeitet wird.

16. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß der flächige Gegenstand zwischen dem Aufbringen wenigstens zweier Abschirmschichten auf die Oberfläche bzw. den Teil der Oberfläche des flächigen Gegen standes mechanisch bearbeitet wird.

17. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der flächige Gegenstand in einem Bereich jeweils zwischen zwei zueinander benachbarten Teilflä chen des Gegenstandes erweicht bzw. geschmolzen wird und die jeweils beiden Teilflächen nach Erweichen bzw. Schmelzen zueinander zu dem Gehäuse verformt, insbesondere gebogen bzw. gefaltet oder in sonstiger Weise gefügt, werden.

18. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch, gekennzeichnet, daß wenigstens die oberste der auf der Oberfläche bzw. dem Teil der Oberfläche des flächigen Gegen standes aufgebrachten Abschirmschicht nach dem Verformen, ins besondere nach dem Biegen bzw. Falten des Gegenstandes zu dem Gehäuse im Bereich zwischen jeweils zwei Teilflächen verlötet oder dergleichen wird.