JPS60254759A - リ−ドフレ−ム用複合金属材料 - Google Patents
リ−ドフレ−ム用複合金属材料Info
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- JPS60254759A JPS60254759A JP11146784A JP11146784A JPS60254759A JP S60254759 A JPS60254759 A JP S60254759A JP 11146784 A JP11146784 A JP 11146784A JP 11146784 A JP11146784 A JP 11146784A JP S60254759 A JPS60254759 A JP S60254759A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体機器のリードフ
レーム用として好適な複合金属材料に関し、より詳しく
は半導体チップの塔載部は熱膨張係数が小さく、リード
部は高導電性となるように用いることを可能とした、２
種材料の並列接合から成るリードフレーム用複合金属材
料に関するものである。
レーム用として好適な複合金属材料に関し、より詳しく
は半導体チップの塔載部は熱膨張係数が小さく、リード
部は高導電性となるように用いることを可能とした、２
種材料の並列接合から成るリードフレーム用複合金属材
料に関するものである。
ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体機器において、Ｓｉなどの半
導体チップを支えながら情報伝達のためのリード部を構
成しているリードフレームには、工Ｃの構成要素として
種々の特性が要求される。即ち、主な特性として、熱伝
導性（導電性）に優れること、強度が比較的高いこと、
繰返し曲げ性の良好なこと、熱膨張係数の小さいこと、
メッキ性に優れることなどがめられる。
導体チップを支えながら情報伝達のためのリード部を構
成しているリードフレームには、工Ｃの構成要素として
種々の特性が要求される。即ち、主な特性として、熱伝
導性（導電性）に優れること、強度が比較的高いこと、
繰返し曲げ性の良好なこと、熱膨張係数の小さいこと、
メッキ性に優れることなどがめられる。
リードフレーム用材料としては従来から、熱膨張係数が
小さく、セラミックやガラスによる封着性に優れた４２
合金（Ｆｅ−４２％Ｎｉ）が多用されてきたが、近年は
、ＩＣ等の低コスト化と、高集積化の趨勢に伴う放熱性
（熱伝導性）の要求から、比較的安価で熱伝導性の良好
な銅系材料の使用が増えている。銅系材料としては、Ｃ
ｕ−０，１５％Ｓｎ合金、ＣＤ Ａ１９４（Ｃｕ−２，
４％Ｆｅ−０，１％Ｚｎ）、Ｃｕ−０，１％Ｆｅ合金な
どが主に用いられている。
小さく、セラミックやガラスによる封着性に優れた４２
合金（Ｆｅ−４２％Ｎｉ）が多用されてきたが、近年は
、ＩＣ等の低コスト化と、高集積化の趨勢に伴う放熱性
（熱伝導性）の要求から、比較的安価で熱伝導性の良好
な銅系材料の使用が増えている。銅系材料としては、Ｃ
ｕ−０，１５％Ｓｎ合金、ＣＤ Ａ１９４（Ｃｕ−２，
４％Ｆｅ−０，１％Ｚｎ）、Ｃｕ−０，１％Ｆｅ合金な
どが主に用いられている。
しかるに、最近はＩＣ，ＬＳＩ等の高集積化の進展はめ
ざましく、半導体チップは大形化してきてい−る。チッ
プサイズが大きい場合には、チップとリードフレーム間
に熱膨張係数の大きなギャップがあると、チップをリー
ドフレームにダイ・ボンディング（３００〜４００℃で
のろう一付）する際に、チップに割れを生ずることがあ
り、無視できない問題である。前記の銅系リードフレー
ム材の熱膨張係数は１６〜１８ Ｘｌ０−’／℃であり
、Ｓｉ等の半導体チップの熱膨張係数（４〜５Ｘ１０−
’／℃）に比べてはるかに大きく、使用上は問題となる
。この点から、＝ＩＣ等の実際の製造面では、パッケー
ジ実装技術の向上によってチップ割れの問題が解決され
ているようであるが、実装技術によるこの点の改善にも
限界があると考えられ、またコストアップにもなるため
、熱伝導性に優れ、しかも熱膨張係数が半導体チップと
同等程度に示さいリードフレーム材が待望されている。
ざましく、半導体チップは大形化してきてい−る。チッ
プサイズが大きい場合には、チップとリードフレーム間
に熱膨張係数の大きなギャップがあると、チップをリー
ドフレームにダイ・ボンディング（３００〜４００℃で
のろう一付）する際に、チップに割れを生ずることがあ
り、無視できない問題である。前記の銅系リードフレー
ム材の熱膨張係数は１６〜１８ Ｘｌ０−’／℃であり
、Ｓｉ等の半導体チップの熱膨張係数（４〜５Ｘ１０−
’／℃）に比べてはるかに大きく、使用上は問題となる
。この点から、＝ＩＣ等の実際の製造面では、パッケー
ジ実装技術の向上によってチップ割れの問題が解決され
ているようであるが、実装技術によるこの点の改善にも
限界があると考えられ、またコストアップにもなるため
、熱伝導性に優れ、しかも熱膨張係数が半導体チップと
同等程度に示さいリードフレーム材が待望されている。
特にＭＯＳ（金属酸化物半導体）型のＬＳＩ用として上
記の要求が強い。
記の要求が強い。
上記のような要請に対しては、単体材料の改良では特性
の実現は困難であり、従って、銅系材料と鉄系材料から
成るクラツド材や、銅マトリクス中に炭素繊維を含ませ
た繊維強化複合材料等が開発あるいは研究され、一部は
リードフレーム用として提案されている。
の実現は困難であり、従って、銅系材料と鉄系材料から
成るクラツド材や、銅マトリクス中に炭素繊維を含ませ
た繊維強化複合材料等が開発あるいは研究され、一部は
リードフレーム用として提案されている。
これまでに開発が報告されたクラツド材としては、＃／
インバー／ｓ、＃／５ＵＳ４３０／＃！などのサンドイ
ンチ形３層材料がある。これらクラツド材の特性を検討
すると１例えば、銅／インバー／銅で構成比が１：３：
１の場合、熱膨張係数は約４ Ｘｌ０−’／”Ｃ（２０
〜２００℃）、導電率は約４０％ｌＡＣ３である。この
例で、熱膨張係数の値は要求に対して充分適合した値で
あるが、リードフレーム材として導電率は５０％ｌＡＣ
３以上、理想的には８０％ｌＡＣ３以上がめられており
、例示の値では不充分である。前記の例より導電率を向
上させる目的で、インバー比を減らして比率を１：１：
１とすれば、導電率は向上して約７０％ｌＡＣ３が得ら
れるが、熱膨張係数は約１１ Ｘｌ０−８／’Ｃと、か
なり大きくなって不都合となる。
インバー／ｓ、＃／５ＵＳ４３０／＃！などのサンドイ
ンチ形３層材料がある。これらクラツド材の特性を検討
すると１例えば、銅／インバー／銅で構成比が１：３：
１の場合、熱膨張係数は約４ Ｘｌ０−’／”Ｃ（２０
〜２００℃）、導電率は約４０％ｌＡＣ３である。この
例で、熱膨張係数の値は要求に対して充分適合した値で
あるが、リードフレーム材として導電率は５０％ｌＡＣ
３以上、理想的には８０％ｌＡＣ３以上がめられており
、例示の値では不充分である。前記の例より導電率を向
上させる目的で、インバー比を減らして比率を１：１：
１とすれば、導電率は向上して約７０％ｌＡＣ３が得ら
れるが、熱膨張係数は約１１ Ｘｌ０−８／’Ｃと、か
なり大きくなって不都合となる。
上記の例のように、従来公知のサンドイッチ形複合金属
材料においては、低熱膨張性と高導電性を要求レベルに
対して高度に兼ね備えるものにすることは困難であり、
何らかの技術的手段によす特性を改善することが必要と
される。
材料においては、低熱膨張性と高導電性を要求レベルに
対して高度に兼ね備えるものにすることは困難であり、
何らかの技術的手段によす特性を改善することが必要と
される。
ＣＭ明の概要〕
この発明は、上述の問題点を解決する目的でなされたも
ので、低熱膨張性金属材料からなる板材の両側に高導電
性金属材料からなる同幅の板材を配置し、各板材が同じ
板厚にて同一平面上で並列するようにそれぞれの端部を
長手方向に連続接合して一体の帯材とすることにより、
半導体チップ搭載部での熱膨張係数を小さくし、しかも
熱伝導性（導電性）を従来より優れるようにリードフレ
ームとして使用可能にした、新規な複合金属材料を提供
するものである。
ので、低熱膨張性金属材料からなる板材の両側に高導電
性金属材料からなる同幅の板材を配置し、各板材が同じ
板厚にて同一平面上で並列するようにそれぞれの端部を
長手方向に連続接合して一体の帯材とすることにより、
半導体チップ搭載部での熱膨張係数を小さくし、しかも
熱伝導性（導電性）を従来より優れるようにリードフレ
ームとして使用可能にした、新規な複合金属材料を提供
するものである。
以下、本発明を図について説明する。第１図はこの発明
の一実施例によるリードフレーム用複合金属材料の平面
図、第２図はそのＡ−Ａ断面図である。図において、（
１）は複合金属材料で、４２合金などの低熱膨張性金属
材料の板材（２）を中央にして、その両側に０ＤＡ１９
４などの高導電性金属材料の板材（３）を配置し、３つ
の板材（３）、（２）。
の一実施例によるリードフレーム用複合金属材料の平面
図、第２図はそのＡ−Ａ断面図である。図において、（
１）は複合金属材料で、４２合金などの低熱膨張性金属
材料の板材（２）を中央にして、その両側に０ＤＡ１９
４などの高導電性金属材料の板材（３）を配置し、３つ
の板材（３）、（２）。
（３）をそれぞれの端部（４）で板材の長手方向に連続
して接合することにより、一体の帯材を形成したもので
ある。上記板材（２）、（３）は板厚が同じで、板材（
３）は板材（２）の両側で同幅となっている。
して接合することにより、一体の帯材を形成したもので
ある。上記板材（２）、（３）は板厚が同じで、板材（
３）は板材（２）の両側で同幅となっている。
第３図は上記構成の複合金属材料からリードフレームを
打抜いた状態を示す平面図であり、低熱膨張性金属材料
の板材（２）が半導体チップ塔載部（５）に、また高導
電性金属材料の板材（３）がリード部（６）となるよう
に打抜いてリードフレーム（７）とされる。このように
使用することにより、リードフレーム（７）のチップ搭
載部（５）は熱膨張が低く抑えられ、チップのろう付け
の際にチップ割れを起す心配はない。さらに、リード部
（６）のほとんどが高導電性材料から成るため、リード
フレーム（７）全体としての熱伝導性が大幅に向上し、
従って放熱性が著しく優れたものとなる。また半導体チ
ップ搭載部（５）とリード部（６）は材料としては離間
されているので、高導電性材料から成るリード部（６）
の大きな熱膨張性が、チップ搭載部（５）の低熱膨張性
に影響を及ぼすことはない。リード部（６）の一部（８
）はチップ搭載部（５）付近の低熱膨張性材料の領域に
位置することになり、それらの一部リード部は、低熱膨
張材部と高導電材部の接合された状態となるが、チップ
のろう付は時の熱的影響は加わらず、熱歪の問題はない
。
打抜いた状態を示す平面図であり、低熱膨張性金属材料
の板材（２）が半導体チップ塔載部（５）に、また高導
電性金属材料の板材（３）がリード部（６）となるよう
に打抜いてリードフレーム（７）とされる。このように
使用することにより、リードフレーム（７）のチップ搭
載部（５）は熱膨張が低く抑えられ、チップのろう付け
の際にチップ割れを起す心配はない。さらに、リード部
（６）のほとんどが高導電性材料から成るため、リード
フレーム（７）全体としての熱伝導性が大幅に向上し、
従って放熱性が著しく優れたものとなる。また半導体チ
ップ搭載部（５）とリード部（６）は材料としては離間
されているので、高導電性材料から成るリード部（６）
の大きな熱膨張性が、チップ搭載部（５）の低熱膨張性
に影響を及ぼすことはない。リード部（６）の一部（８
）はチップ搭載部（５）付近の低熱膨張性材料の領域に
位置することになり、それらの一部リード部は、低熱膨
張材部と高導電材部の接合された状態となるが、チップ
のろう付は時の熱的影響は加わらず、熱歪の問題はない
。
次に本発明の一実施例を示す。第１図および第２図の低
熱膨張性材料の板材（２）として４２合金（Ｆｅ−４２
％Ｎｉ合金、膨張係数約７Ｘ１０−’／’Ｃ１導電率３
％ＩＡＣ８）を、また高導電性材料の板材（３）として
ＣＤ Ａ １９４ （Ｃｕ −２，４％Ｆｅ−０，１％
Ｚｎ合金、導電率６５％ＩＡＣ８）を用い、板厚０．４
２ｍｍ、幅５ＩＩＩＩ１１、長さ１００ｍｍの板材（２
）の両側に、板厚０．４２ＩＩ１１１幅１０ｍｍ、長す
１００ｍｍ１７１ＣＤＡ １９４（ｉ’）板材（３）２
枚を配置してそれぞれの端部（４）をレーザビーム溶接
により並列に接合し、これを厚さ０．２５Ｉ、長さ１６
８＋ａｍに冷間圧延加工し帯状の複合金属材料（１）を
得た。この複合金属材料（１）から、板の長手方向に直
角に１幅５ｍｍ、長さ２５ｍｍ、の短冊形試験片を切り
出し、第１図のＸ方向の導電率を測定した結果、１３％
Ｉ ＳＣ８の値が得られた。
熱膨張性材料の板材（２）として４２合金（Ｆｅ−４２
％Ｎｉ合金、膨張係数約７Ｘ１０−’／’Ｃ１導電率３
％ＩＡＣ８）を、また高導電性材料の板材（３）として
ＣＤ Ａ １９４ （Ｃｕ −２，４％Ｆｅ−０，１％
Ｚｎ合金、導電率６５％ＩＡＣ８）を用い、板厚０．４
２ｍｍ、幅５ＩＩＩＩ１１、長さ１００ｍｍの板材（２
）の両側に、板厚０．４２ＩＩ１１１幅１０ｍｍ、長す
１００ｍｍ１７１ＣＤＡ １９４（ｉ’）板材（３）２
枚を配置してそれぞれの端部（４）をレーザビーム溶接
により並列に接合し、これを厚さ０．２５Ｉ、長さ１６
８＋ａｍに冷間圧延加工し帯状の複合金属材料（１）を
得た。この複合金属材料（１）から、板の長手方向に直
角に１幅５ｍｍ、長さ２５ｍｍ、の短冊形試験片を切り
出し、第１図のＸ方向の導電率を測定した結果、１３％
Ｉ ＳＣ８の値が得られた。
上記の複合金属材料（１）から、第３図のリードフレー
ム（７）の形番；打抜き加工したものでは、半導体チッ
プ搭載部（５）は４２合金であるので熱膨張係数は約７
Ｘ１０−６／”ＣとＳｉチップに近い値となり、またリ
ード部（６）はチップ搭載部（５）とは離間しているが
、０ＤＡ１９４から成っていて約６５％ｌＡＣ３の高導
電率を有し、前記のＸ方向の導電性が４２合金の単一材
に比べてかなり優れることから、リードフレーム（７）
全体の熱伝導性は、従来の４２合金単体によるリードフ
レームに比べて、著しく向上する。
ム（７）の形番；打抜き加工したものでは、半導体チッ
プ搭載部（５）は４２合金であるので熱膨張係数は約７
Ｘ１０−６／”ＣとＳｉチップに近い値となり、またリ
ード部（６）はチップ搭載部（５）とは離間しているが
、０ＤＡ１９４から成っていて約６５％ｌＡＣ３の高導
電率を有し、前記のＸ方向の導電性が４２合金の単一材
に比べてかなり優れることから、リードフレーム（７）
全体の熱伝導性は、従来の４２合金単体によるリードフ
レームに比べて、著しく向上する。
このほか、低熱膨張性金属材料としてはコバール（Ｆｅ
−２９％Ｎｉ−１７％Ｃｏ合金、膨張係数：約５×１０
−６／’Ｃ）またはフェライト系もしくはマルテンサイ
ト系のステンレス鋼（ＳＵＳ４３０．５ＵＳ４１０等、
膨張係数＝１０〜１１ ｘｔＯ−６／’Ｃ）を用い、高
導電性金属材料としては純銅、純アルミニウム、または
Ｃｕ −Ｓｎ系合金（Ｃｕ−０，１５％Ｓｎ合金、Ｃｕ
−１〜４％Ｓｎ合全Ｓｎｕ−２％５ｎ−０，２％Ｎｉ
合金）、Ｃｕ−Ｆｅ系合金（Ｃｕ−０，１％Ｆｅ合金、
ＣＡＤ １９４（Ｃｕ −２，４％Ｆｅ−０，１％Ｚｎ
）、ＣＤＡ １９５（Ｃｕ−１，５％Ｆｅ−０，６％５
ｎ−０，８％Ｃｏ−０，１％Ｐ））、Ｃｕ −Ｃｒ系合
金（Ｃｒ０ 、５〜１．０％）等、従来のリードフレー
ム石高導電性銅合金から選ばれた１種を用いることがで
きる。上記の高導電性材料はいずれも３０〜１００％Ｉ
ＡＳＣの導電率を有するので、これらを低熱膨張性材料
と複合金属材料（１）をリードフレーム（７）に用いれ
ば、全体の熱伝導性（導電性）を著しく向上させること
ができる。例えば、４２合金の代りにＳＵＳ ４３０（
導電率２．９％ＩＡＣ８）を、またＣＤＡ１９４の代り
にＣｕ−０，８％Ｃｒ合金（導電率約８０％ＩＡＣ８）
を用い、前記と同一寸法の複合金属材料を作製した場合
には、Ｘ方向の導電率は１３％ｌＡＣ３であった。
−２９％Ｎｉ−１７％Ｃｏ合金、膨張係数：約５×１０
−６／’Ｃ）またはフェライト系もしくはマルテンサイ
ト系のステンレス鋼（ＳＵＳ４３０．５ＵＳ４１０等、
膨張係数＝１０〜１１ ｘｔＯ−６／’Ｃ）を用い、高
導電性金属材料としては純銅、純アルミニウム、または
Ｃｕ −Ｓｎ系合金（Ｃｕ−０，１５％Ｓｎ合金、Ｃｕ
−１〜４％Ｓｎ合全Ｓｎｕ−２％５ｎ−０，２％Ｎｉ
合金）、Ｃｕ−Ｆｅ系合金（Ｃｕ−０，１％Ｆｅ合金、
ＣＡＤ １９４（Ｃｕ −２，４％Ｆｅ−０，１％Ｚｎ
）、ＣＤＡ １９５（Ｃｕ−１，５％Ｆｅ−０，６％５
ｎ−０，８％Ｃｏ−０，１％Ｐ））、Ｃｕ −Ｃｒ系合
金（Ｃｒ０ 、５〜１．０％）等、従来のリードフレー
ム石高導電性銅合金から選ばれた１種を用いることがで
きる。上記の高導電性材料はいずれも３０〜１００％Ｉ
ＡＳＣの導電率を有するので、これらを低熱膨張性材料
と複合金属材料（１）をリードフレーム（７）に用いれ
ば、全体の熱伝導性（導電性）を著しく向上させること
ができる。例えば、４２合金の代りにＳＵＳ ４３０（
導電率２．９％ＩＡＣ８）を、またＣＤＡ１９４の代り
にＣｕ−０，８％Ｃｒ合金（導電率約８０％ＩＡＣ８）
を用い、前記と同一寸法の複合金属材料を作製した場合
には、Ｘ方向の導電率は１３％ｌＡＣ３であった。
第４図は他の実施例による複合金属材料を示すＡ−Ａ断
面図であり、低膨張性金属材料からなる板材（２）は、
低熱膨張性材料（２ａ）と高導電性材料（２ｂ）をサン
ドインチ形に積層したクラッド材料からなる。実施例に
おいて、低熱膨張性金属材料の板材（２）としてＣｕ／
インバー／Ｃｕ系３層クラツド材（比率１：３：１、導
電率４０％ｌＡＣ３、膨張係数４ Ｘｌ０−６／’Ｃ）
を、また高導電性金属材料の板材（３）にはＣｕ−０，
１５％Ｓｎ合金（導電率９０％■ＡＣ８）を用いた。す
なわち無酸素銅板とインバ（Ｆｅ−３６％Ｎｉ合金、膨
張係数約Ｉ Ｘｌ０−’／℃）の板を冷間圧接により厚
さ０．４２ｍｍのＣｕ／インバー／Ｃｕ（比率１：３：
１）のクラツド材を作製し、その後拡散熱処理を施した
。次に、このクラツド材から幅５ｍ１１１、長さ１００
ｍｍの板材（２）を切出し、これを板厚０ 、４２ｍｍ
、幅１．０ｍｍ、長さ１００ｍｍのＣｕ−０，１５％Ｓ
ｎ合金の板材（３）２枚と第４図のような配置でレーザ
・ビーム溶接により並列に接合した。
面図であり、低膨張性金属材料からなる板材（２）は、
低熱膨張性材料（２ａ）と高導電性材料（２ｂ）をサン
ドインチ形に積層したクラッド材料からなる。実施例に
おいて、低熱膨張性金属材料の板材（２）としてＣｕ／
インバー／Ｃｕ系３層クラツド材（比率１：３：１、導
電率４０％ｌＡＣ３、膨張係数４ Ｘｌ０−６／’Ｃ）
を、また高導電性金属材料の板材（３）にはＣｕ−０，
１５％Ｓｎ合金（導電率９０％■ＡＣ８）を用いた。す
なわち無酸素銅板とインバ（Ｆｅ−３６％Ｎｉ合金、膨
張係数約Ｉ Ｘｌ０−’／℃）の板を冷間圧接により厚
さ０．４２ｍｍのＣｕ／インバー／Ｃｕ（比率１：３：
１）のクラツド材を作製し、その後拡散熱処理を施した
。次に、このクラツド材から幅５ｍ１１１、長さ１００
ｍｍの板材（２）を切出し、これを板厚０ 、４２ｍｍ
、幅１．０ｍｍ、長さ１００ｍｍのＣｕ−０，１５％Ｓ
ｎ合金の板材（３）２枚と第４図のような配置でレーザ
・ビーム溶接により並列に接合した。
その後これを板厚０．２５ｍｍに冷間圧延加工し、複合
金属材料（１）を形成した。この複合金属材料（１）か
ら、板の長手方向に直角に、幅５ｍｍ、長さ２５鮎の短
冊試験片を採取し、第１図のＸ方向の導電率を測定した
結果、７２％ｌＡＣ３の値が得られた。この複合金属材
料（１）からリードフレーム（７）を打抜くと、半導体
チップ搭載部（５）は低熱膨張性のＣｕ／インイン／
Ｃｕクラッド材であって、チップと熱膨張率が近く、ま
た高導電性のＣｕ−０，１５％Ｓｎ合金のリード部（６
）を有するため、熱伝導性が著しく優れる。
金属材料（１）を形成した。この複合金属材料（１）か
ら、板の長手方向に直角に、幅５ｍｍ、長さ２５鮎の短
冊試験片を採取し、第１図のＸ方向の導電率を測定した
結果、７２％ｌＡＣ３の値が得られた。この複合金属材
料（１）からリードフレーム（７）を打抜くと、半導体
チップ搭載部（５）は低熱膨張性のＣｕ／インイン／
Ｃｕクラッド材であって、チップと熱膨張率が近く、ま
た高導電性のＣｕ−０，１５％Ｓｎ合金のリード部（６
）を有するため、熱伝導性が著しく優れる。
低熱膨張性金属材料の板材（２）として、上記インバー
の代りに、スーパーインバー（Ｆｅ −３２％Ｎｉ−５
％Ｃｏ、膨張係数約０．ｌＸ１０−’／℃） 、 Ｃｒ
−４％Ｆｅ−１，６％Ｓｎ合金（膨張係数０．０）、
非晶質Ｆｅ −１７ａｔ％Ｂ合金（膨張係数０．３Ｘ１
０−６／’Ｃ）またはフェライト系もしくはマルテンサ
イト系のステンレス鋼から選ばれた低熱膨張性材料を用
い、また無酸素銅の代りに、脱酸製銅、タフピッチ鋼等
の他の純銅、純アルミニウム、またはＣｕ −Ｓｎ系合
金、Ｃｕ−Ｆｅ系合金、Ｃｕ−Ｃｒ系合金等の従来のリ
ードフレーム用銅合金から選ばれた高導電性材料を用い
た場合にも、上記と同様な効果が得られる。クラツド材
の両側に位置する高導電性金属材料としては、Ｃｕ−Ｆ
ｅ系合金などの他の高導電性材料を用いても同様な効果
を奏する。
の代りに、スーパーインバー（Ｆｅ −３２％Ｎｉ−５
％Ｃｏ、膨張係数約０．ｌＸ１０−’／℃） 、 Ｃｒ
−４％Ｆｅ−１，６％Ｓｎ合金（膨張係数０．０）、
非晶質Ｆｅ −１７ａｔ％Ｂ合金（膨張係数０．３Ｘ１
０−６／’Ｃ）またはフェライト系もしくはマルテンサ
イト系のステンレス鋼から選ばれた低熱膨張性材料を用
い、また無酸素銅の代りに、脱酸製銅、タフピッチ鋼等
の他の純銅、純アルミニウム、またはＣｕ −Ｓｎ系合
金、Ｃｕ−Ｆｅ系合金、Ｃｕ−Ｃｒ系合金等の従来のリ
ードフレーム用銅合金から選ばれた高導電性材料を用い
た場合にも、上記と同様な効果が得られる。クラツド材
の両側に位置する高導電性金属材料としては、Ｃｕ−Ｆ
ｅ系合金などの他の高導電性材料を用いても同様な効果
を奏する。
第５図は他の実施例の平面図であり、複合金属材料（１
）は低熱膨張性金属材料の板材（２）両側に高導電性金
属材料の板材（３）を配置した複合材を基本に、これら
を並列に多数列接合した長尺の帯材であり、多数のリー
ドフレーム（７）を並列して打抜き加工できるようにな
っている。
）は低熱膨張性金属材料の板材（２）両側に高導電性金
属材料の板材（３）を配置した複合材を基本に、これら
を並列に多数列接合した長尺の帯材であり、多数のリー
ドフレーム（７）を並列して打抜き加工できるようにな
っている。
なお、上記説明において低熱膨張性材料および高導電性
材料としては上記例示以外のものも使用できる。また各
板材を並列に接合する方法として。
材料としては上記例示以外のものも使用できる。また各
板材を並列に接合する方法として。
レーザ・ビーム溶接以外に電子ビーム溶接、プラズマ・
アーク溶接等によって接合することも可能である。
アーク溶接等によって接合することも可能である。
以上のように１本発明のリードフレーム用複合金属材料
は、低熱膨張性金属材料の板材と、その両側に位置する
高導電性金属材料の板材との並列接合により構成されて
いるので、半導体チップ搭載を低熱膨張部材に、かつ、
リード部を高導電部材の位置としてリードフレームに使
用することが可能であり、従って、チップのろう付けの
際の昇温によるチップ割れを防止するとともに、リード
フレームの導電性が向上したことにより、ＩＣ１ＬＳＩ
等の高集積化に対応して、それらの放熱性を顕著に改善
する効果がある。
は、低熱膨張性金属材料の板材と、その両側に位置する
高導電性金属材料の板材との並列接合により構成されて
いるので、半導体チップ搭載を低熱膨張部材に、かつ、
リード部を高導電部材の位置としてリードフレームに使
用することが可能であり、従って、チップのろう付けの
際の昇温によるチップ割れを防止するとともに、リード
フレームの導電性が向上したことにより、ＩＣ１ＬＳＩ
等の高集積化に対応して、それらの放熱性を顕著に改善
する効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるリードフレーム用複合
金属材料を示す平面図、第２図はそのＡ−Ａ断面図、第
３図はリードフレームの打抜状態を示す平面図、第４図
は他の実施例の複合金属材料を示すＡ−Ａ断面図、第５
図は他の実施例を示す平面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、（１）
は複合金属材料、（２）は低熱膨張性金属材料の板材、
（３）は高導電性金属材料の板材、（７）はリードフレ
ームである。 代理人大岩増雄 第１図 第３図 第２図 第４図 第５図 手続補正帯 １、事件の表示 特願昭 ５９−１１１４６７号２、発
明の名称 リードフレーム用複合金属材料３、補正をす
る者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 明細書の特許請求の範囲および発明の詳細な説明の横方
式 どＶ・＼ 審 イ’ｉ” （、、。 ７、補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）明細書第９頁第１行、ｒＩｓＪをｒＩＡＪに訂正
する。 （３）同第１０頁第７行、「これらを」を「これらとｊ
に訂正する。 （４）同第１０頁第８行、「と」を「からなる」に訂正
する。 （５）同第１１頁第７行、「を」を「がら」に訂正する
。 （６）同第１２頁第１２行、「脱酸素鋼」を「脱酸銅」
に訂正する。 ２、特許請求の範囲 （１）低熱膨張性金属材料からなる板材の両側に高導電
性金属材料からなる同幅の板材を配置し、各板材が同じ
板厚にて同一平面上で並列するようにそれぞれの端部を
長手方向に連続接合して一体の帯材としたことを特徴と
するリードフレーム用複合金属材料。 （２）低熱膨張性金属材料が４２合金、コバールまたは
フェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼で
ある特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム用複合
金属材料。 （３）低熱膨張性金属材料がインバー型合金またはフェ
ライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼から選
ばれる低熱膨張性金属材料と、純銅、純アルミニウム、
またはリードフレーム用銅合金から選ばれる高導電性金
属材料とを、サンドインチ形に構成したクラッド材料で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１１星載のリー
ドフレーム用複合金属材料。 （４）高導電性金属材料が純銅、純アルミニウム、また
はリードフレーム用高導電性銅合金であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記
載のリードフレーム用複合金属材料。
金属材料を示す平面図、第２図はそのＡ−Ａ断面図、第
３図はリードフレームの打抜状態を示す平面図、第４図
は他の実施例の複合金属材料を示すＡ−Ａ断面図、第５
図は他の実施例を示す平面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、（１）
は複合金属材料、（２）は低熱膨張性金属材料の板材、
（３）は高導電性金属材料の板材、（７）はリードフレ
ームである。 代理人大岩増雄 第１図 第３図 第２図 第４図 第５図 手続補正帯 １、事件の表示 特願昭 ５９−１１１４６７号２、発
明の名称 リードフレーム用複合金属材料３、補正をす
る者 代表者片山仁へ部 ４、代理人 明細書の特許請求の範囲および発明の詳細な説明の横方
式 どＶ・＼ 審 イ’ｉ” （、、。 ７、補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）明細書第９頁第１行、ｒＩｓＪをｒＩＡＪに訂正
する。 （３）同第１０頁第７行、「これらを」を「これらとｊ
に訂正する。 （４）同第１０頁第８行、「と」を「からなる」に訂正
する。 （５）同第１１頁第７行、「を」を「がら」に訂正する
。 （６）同第１２頁第１２行、「脱酸素鋼」を「脱酸銅」
に訂正する。 ２、特許請求の範囲 （１）低熱膨張性金属材料からなる板材の両側に高導電
性金属材料からなる同幅の板材を配置し、各板材が同じ
板厚にて同一平面上で並列するようにそれぞれの端部を
長手方向に連続接合して一体の帯材としたことを特徴と
するリードフレーム用複合金属材料。 （２）低熱膨張性金属材料が４２合金、コバールまたは
フェライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼で
ある特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム用複合
金属材料。 （３）低熱膨張性金属材料がインバー型合金またはフェ
ライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼から選
ばれる低熱膨張性金属材料と、純銅、純アルミニウム、
またはリードフレーム用銅合金から選ばれる高導電性金
属材料とを、サンドインチ形に構成したクラッド材料で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１１星載のリー
ドフレーム用複合金属材料。 （４）高導電性金属材料が純銅、純アルミニウム、また
はリードフレーム用高導電性銅合金であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記
載のリードフレーム用複合金属材料。
Claims (4)
- （１）低熱膨張性金属材料からなる板材の両側に高導電
性金属材料からなる同幅の板材を配置し、各板材が同じ
板厚にて同一平面上で並列するようにそれぞれの端部を
長手方向に連続接合して一体の帯材としたことを特徴と
するリードフレーム用複合金属材料。 - （２）低熱膨張性金属材料が４２合金、コバールまたは
フェライト系もしくはフルテンサイ１〜系ステンレス鋼
である特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム用複
合金属材料。 - （３）低熱膨張性金属材料がインバー型合金またはフェ
ライト系もしくはマルテンサイト系ステンレス鋼から選
ばれる低熱膨張性金属材料と、純銅、純アルミニウム、
またはリードフレーム用鋼合金から選ばれる高導電性金
属材料とを、サンドインチ形に構成したクラッド材料で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２
項記載のリードフレーム用複合金属材料。 - （４）高導電性金属材料が純銅、純アルミニウム、また
はリードフレーム用高導電性銅合金であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記
載のリードフレーム用複合金属材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11146784A JPS60254759A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | リ−ドフレ−ム用複合金属材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11146784A JPS60254759A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | リ−ドフレ−ム用複合金属材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254759A true JPS60254759A (ja) | 1985-12-16 |
| JPH0530071B2 JPH0530071B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=14561980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11146784A Granted JPS60254759A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | リ−ドフレ−ム用複合金属材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254759A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324844U (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-18 | ||
| JPH0228359A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム材料 |
| JPH03290957A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | プラスチックスパッケージ用リードフレーム材料 |
| JPH03290956A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | プラスチックスパッケージ用リードフレーム材料 |
| EP3185291A1 (en) * | 2015-12-21 | 2017-06-28 | Nexperia B.V. | A leadframe and a method of manufacturing a leadframe |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5037363A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-08 | ||
| JPS5662345A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Hitachi Ltd | Load frame and semiconductor device |
| JPS58223274A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | 株式会社東芝 | リ−ド部品およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP11146784A patent/JPS60254759A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5037363A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-08 | ||
| JPS5662345A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Hitachi Ltd | Load frame and semiconductor device |
| JPS58223274A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | 株式会社東芝 | リ−ド部品およびその製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324844U (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-18 | ||
| JPH0228359A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム材料 |
| JPH03290957A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | プラスチックスパッケージ用リードフレーム材料 |
| JPH03290956A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | プラスチックスパッケージ用リードフレーム材料 |
| EP3185291A1 (en) * | 2015-12-21 | 2017-06-28 | Nexperia B.V. | A leadframe and a method of manufacturing a leadframe |
| CN107026142A (zh) * | 2015-12-21 | 2017-08-08 | 安世有限公司 | 引线框架以及制造引线框架的方法 |
| CN114783976A (zh) * | 2015-12-21 | 2022-07-22 | 安世有限公司 | 引线框架以及制造引线框架的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0530071B2 (ja) | 1993-05-07 |
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