JPH0530071B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0530071B2 JPH0530071B2 JP59111467A JP11146784A JPH0530071B2 JP H0530071 B2 JPH0530071 B2 JP H0530071B2 JP 59111467 A JP59111467 A JP 59111467A JP 11146784 A JP11146784 A JP 11146784A JP H0530071 B2 JPH0530071 B2 JP H0530071B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal expansion
- plate
- metal material
- conductivity
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 54
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 36
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910001105 martensitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017813 Cu—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000011208 reinforced composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、IC，LSIなどの半導体機器のリー
ドフレーム用として好適な複合金属材料に関し、
より詳しくは半導体チツプの搭載部は熱膨張係数
が小さく、リード部は高導電性となるように用い
ることを可能とした、２種材料の並列接合から成
るリードフレーム用複合金属材料に関するもので
ある。
ドフレーム用として好適な複合金属材料に関し、
より詳しくは半導体チツプの搭載部は熱膨張係数
が小さく、リード部は高導電性となるように用い
ることを可能とした、２種材料の並列接合から成
るリードフレーム用複合金属材料に関するもので
ある。
IC，LSIなどの半導体機器において、Siなどの
半導体チツプを支えながら情報伝達のためのリー
ド部を構成しているリードフレームには、ICの
構成要素として種々の特性が要求される。即ち、
主な特性として、熱伝導性（導電性）に優れるこ
と、強度が比較的高いこと、繰返し曲げ性の良好
なこと、熱膨張係数の小さいこと、メツキ性に優
れることなどが求められる。
半導体チツプを支えながら情報伝達のためのリー
ド部を構成しているリードフレームには、ICの
構成要素として種々の特性が要求される。即ち、
主な特性として、熱伝導性（導電性）に優れるこ
と、強度が比較的高いこと、繰返し曲げ性の良好
なこと、熱膨張係数の小さいこと、メツキ性に優
れることなどが求められる。
リードフレーム用材料としては従来から、熱膨
張係数が小さく、セラミツクやガラスによる封着
性に優れた42合金（Fe−42／Ni）が多用されて
きたが、近年は、IC等の低コスト化と、高集積
化の趨勢に伴う放熱性（熱伝導性）の要求から、
比較的安価で熱伝導性の良好な銅系材料の使用が
増えている。銅系材料としては、Cu−0.15％Sn
合金、CDA194（Cu−2.4％Fe−0.1％Zn）、Cu−
0.1％Fe合金などが主に用いられている。
張係数が小さく、セラミツクやガラスによる封着
性に優れた42合金（Fe−42／Ni）が多用されて
きたが、近年は、IC等の低コスト化と、高集積
化の趨勢に伴う放熱性（熱伝導性）の要求から、
比較的安価で熱伝導性の良好な銅系材料の使用が
増えている。銅系材料としては、Cu−0.15％Sn
合金、CDA194（Cu−2.4％Fe−0.1％Zn）、Cu−
0.1％Fe合金などが主に用いられている。
しかるに、最近はIC，LSI等の高集積化の進展
はめざましく、半導体チツプは大形化してきてい
る。チツプサイズが大きい場合には、チツプとリ
ードフレーム間に熱膨張係数の大きなギヤツプが
あると、チツプをリードフレームにダイ・ボンデ
イング（300〜400℃でのろう付）する際に、チツ
プに割れを生ずることがあり、無視できない問題
である。前記の銅系リードフレーム材の熱膨張係
数は16〜18×10-6／℃であり、Si等の半導体チツ
プの熱膨張係数（４〜５×10-6／℃）に比べては
るかに大きく、使用上は問題となる。この点か
ら、IC等の実際の製造面では、パツケージ実装
技術の向上によつてチツプ割れの問題が解決され
ているようであるが、実装技術によるこの点の改
善にも限界があると考えられ、またコストアツプ
にもなるため、熱伝導性に優れ、しかも熱膨張係
数が半導体チツプと同等程度に小さいリードフレ
ーム材が待望されている。特にMOS（金属酸化物
半導体）型のLSI用として上記の要求が強い。
はめざましく、半導体チツプは大形化してきてい
る。チツプサイズが大きい場合には、チツプとリ
ードフレーム間に熱膨張係数の大きなギヤツプが
あると、チツプをリードフレームにダイ・ボンデ
イング（300〜400℃でのろう付）する際に、チツ
プに割れを生ずることがあり、無視できない問題
である。前記の銅系リードフレーム材の熱膨張係
数は16〜18×10-6／℃であり、Si等の半導体チツ
プの熱膨張係数（４〜５×10-6／℃）に比べては
るかに大きく、使用上は問題となる。この点か
ら、IC等の実際の製造面では、パツケージ実装
技術の向上によつてチツプ割れの問題が解決され
ているようであるが、実装技術によるこの点の改
善にも限界があると考えられ、またコストアツプ
にもなるため、熱伝導性に優れ、しかも熱膨張係
数が半導体チツプと同等程度に小さいリードフレ
ーム材が待望されている。特にMOS（金属酸化物
半導体）型のLSI用として上記の要求が強い。
上記のような要請に対しては、単体材料の改良
では特性の実現は困難であり、従つて、銅系材料
と鉄系材料から成るクラツド材や、銅マトリクス
中に炭素繊維を含ませた繊維強化複合材料等が開
発あるいは研究され、一部はリードフレーム用と
して提案されている。
では特性の実現は困難であり、従つて、銅系材料
と鉄系材料から成るクラツド材や、銅マトリクス
中に炭素繊維を含ませた繊維強化複合材料等が開
発あるいは研究され、一部はリードフレーム用と
して提案されている。
これまで開発が報告されたクラツド材として
は、銅／インバー／銅、銅／SUS430／銅などの
サンドイツチ形３層材料がある。これらクラツド
材の特性を検討すると、例えば、銅／インバー／
銅で構成比が１：３：１の場合、熱膨張係数は約
４×10-6／℃（20〜200℃）、導電率は約40％
IACSである。この例で、熱膨張係数の値は要求
に対して充分適合した値であるが、リードフレー
ム材として導電率は50％IACS以上、理想的には
80％IACS以上が求められており、例示の値では
不充分である。前記の例より導電率を向上させる
目的で、インバー比を減らして比率を１：１：１
とすれば、導電率は向上して約70％IACSが得ら
れるが、熱膨張係数は約11×10-6／℃と、かなり
大きくなつて不都合となる。
は、銅／インバー／銅、銅／SUS430／銅などの
サンドイツチ形３層材料がある。これらクラツド
材の特性を検討すると、例えば、銅／インバー／
銅で構成比が１：３：１の場合、熱膨張係数は約
４×10-6／℃（20〜200℃）、導電率は約40％
IACSである。この例で、熱膨張係数の値は要求
に対して充分適合した値であるが、リードフレー
ム材として導電率は50％IACS以上、理想的には
80％IACS以上が求められており、例示の値では
不充分である。前記の例より導電率を向上させる
目的で、インバー比を減らして比率を１：１：１
とすれば、導電率は向上して約70％IACSが得ら
れるが、熱膨張係数は約11×10-6／℃と、かなり
大きくなつて不都合となる。
上記の例のように、従来公知のサンドイツチ形
複合金属材料においては、低熱膨張性と高導電性
を要求レベルに対して高度に兼ね備えるものにす
ることは困難であり、何らかの技術的手段によ
り、特性を改善することが必要とされる。
複合金属材料においては、低熱膨張性と高導電性
を要求レベルに対して高度に兼ね備えるものにす
ることは困難であり、何らかの技術的手段によ
り、特性を改善することが必要とされる。
この発明は、上述の問題点を解決する目的でな
されたもので、低熱膨張性金属材料の両面に高導
電性金属材料をサンドイツチ形に積層したクラツ
ド材からなる低熱膨張性の板材の両側に高導電性
金属材料からなる同幅の板材を配置し、各板材が
同じ板厚にて同一平面上で並列するようにそれぞ
れの端部を長手方向に連続接合して一体の帯材と
することにより、半導体チツプ搭載部での熱膨張
係数を小さくし、しかも熱伝導性（導電性）を従
来より優れるようにリードフレームとして使用可
能にした。新規な複合金属材料を提供するもので
ある。
されたもので、低熱膨張性金属材料の両面に高導
電性金属材料をサンドイツチ形に積層したクラツ
ド材からなる低熱膨張性の板材の両側に高導電性
金属材料からなる同幅の板材を配置し、各板材が
同じ板厚にて同一平面上で並列するようにそれぞ
れの端部を長手方向に連続接合して一体の帯材と
することにより、半導体チツプ搭載部での熱膨張
係数を小さくし、しかも熱伝導性（導電性）を従
来より優れるようにリードフレームとして使用可
能にした。新規な複合金属材料を提供するもので
ある。
〔発明の構成〕
以下、本発明を図について説明する。第１図は
この発明の一実施例によるリードフレーム用複合
金属材料の平面図、第２図はそのＡ−Ａ断面図で
ある。図において、１は複合金属材料で、インバ
ー型合金またはフエライト系もしくはマルテンサ
イト系ステンレス鋼などの低熱膨張性金属材料２
ａの両面に、純銅、純アルミニウムまたはリード
フレーム用銅合金などの高導電性材料２ｂをサン
ドイツチ形に積層したクラツド材からなる低熱膨
張性の板材２を中央にして、その両側にCDA194
などの高導電性金属材料の板材３を配置し、３つ
の板材３，２，３をそれぞれの端部４で板材の長
手方向に連続して接合することにより、一体の帯
材を形成したものである。上記板材２，３は板厚
が同じで、板材３は板材２の両側で同幅となつて
いる。
この発明の一実施例によるリードフレーム用複合
金属材料の平面図、第２図はそのＡ−Ａ断面図で
ある。図において、１は複合金属材料で、インバ
ー型合金またはフエライト系もしくはマルテンサ
イト系ステンレス鋼などの低熱膨張性金属材料２
ａの両面に、純銅、純アルミニウムまたはリード
フレーム用銅合金などの高導電性材料２ｂをサン
ドイツチ形に積層したクラツド材からなる低熱膨
張性の板材２を中央にして、その両側にCDA194
などの高導電性金属材料の板材３を配置し、３つ
の板材３，２，３をそれぞれの端部４で板材の長
手方向に連続して接合することにより、一体の帯
材を形成したものである。上記板材２，３は板厚
が同じで、板材３は板材２の両側で同幅となつて
いる。
第３図は上記構成の複合金属材料からリードフ
レームを打抜いた状態を示す平面図であり、低熱
膨張性の板材２が半導体チツプ搭載部５に、また
高導電性金属材料の板材３がリード部６となるよ
うに打抜いてリードフレーム７とされる。このよ
うに使用することにより、リードフレーム７のチ
ツプ搭載部５は熱膨張が低く抑えられ、チツプの
ろう付けの際にチツプ割れを起す必配はない。さ
らに、リード部６のほとんどが高導電性材料から
成るため、リードフレーム７全体としての熱伝導
性が大幅に向上し、従つて放熱性が著しく優れた
ものとなる。また半導体チツプ搭載部５とリード
部６は材料としては離間されているので、高導電
性材料から成るリード部６の大きな熱膨張性が、
チツプ搭載部５の低熱膨張性に影響を及ぼすこと
はない。リード部６の一部８はチツプ搭載部５付
近の低熱膨張性材料の領域に位置することにな
り、それらの一部リード部は、低熱膨張材部と高
導電材部の接合された状態となるが、チツプのろ
う付け時の熱的影響は加わらず、熱歪の問題はな
い。
レームを打抜いた状態を示す平面図であり、低熱
膨張性の板材２が半導体チツプ搭載部５に、また
高導電性金属材料の板材３がリード部６となるよ
うに打抜いてリードフレーム７とされる。このよ
うに使用することにより、リードフレーム７のチ
ツプ搭載部５は熱膨張が低く抑えられ、チツプの
ろう付けの際にチツプ割れを起す必配はない。さ
らに、リード部６のほとんどが高導電性材料から
成るため、リードフレーム７全体としての熱伝導
性が大幅に向上し、従つて放熱性が著しく優れた
ものとなる。また半導体チツプ搭載部５とリード
部６は材料としては離間されているので、高導電
性材料から成るリード部６の大きな熱膨張性が、
チツプ搭載部５の低熱膨張性に影響を及ぼすこと
はない。リード部６の一部８はチツプ搭載部５付
近の低熱膨張性材料の領域に位置することにな
り、それらの一部リード部は、低熱膨張材部と高
導電材部の接合された状態となるが、チツプのろ
う付け時の熱的影響は加わらず、熱歪の問題はな
い。
次に本発明の実施例および比較例を示す。
まず比較例として、第１図の複合金属材料にお
いて、低熱膨張性の板材として、第４図に示すよ
うに、単層の低熱膨張性金属材料である。42合金
（Fe−42％Ni合金、膨張係数約７×10-6／℃、導
電率３％IACS）を、また高導電性材料の板材３
としてCDA194（Cu−2.4％Fe−0.1％Zn合金、導
電率65％IACS）を用い、板厚0.42mm、幅５mm、
長さ100mmの板材２の両側に、板厚0.42mm、幅10
mm、長さ100mmのCDA194の板材３２枚を配置し
てそれぞれの端部４をレーザビーム溶接により並
列に接合し、これを厚さ0.25mm、長さ168mmに冷
間圧延加工し帯状の複合金属材料１を得た。この
複合金属材料１から、板の長手方向に直角に、幅
５mm、長さ25mm、の短冊形試験片を切り出し、第
１図のＸ方向の導電率を測定した結果、13％
IACSの値が得られた。
いて、低熱膨張性の板材として、第４図に示すよ
うに、単層の低熱膨張性金属材料である。42合金
（Fe−42％Ni合金、膨張係数約７×10-6／℃、導
電率３％IACS）を、また高導電性材料の板材３
としてCDA194（Cu−2.4％Fe−0.1％Zn合金、導
電率65％IACS）を用い、板厚0.42mm、幅５mm、
長さ100mmの板材２の両側に、板厚0.42mm、幅10
mm、長さ100mmのCDA194の板材３２枚を配置し
てそれぞれの端部４をレーザビーム溶接により並
列に接合し、これを厚さ0.25mm、長さ168mmに冷
間圧延加工し帯状の複合金属材料１を得た。この
複合金属材料１から、板の長手方向に直角に、幅
５mm、長さ25mm、の短冊形試験片を切り出し、第
１図のＸ方向の導電率を測定した結果、13％
IACSの値が得られた。
上記の複合金属材料１から、第３図のリードフ
レーム７の形に打抜き加工したものでは、半導体
チツプ搭載部５は42合金であるので熱膨張係数は
約７×10-6／℃とSiチツプに近い値となり、また
リード部６はチツプ搭載部５とは離間している
が、CDA194から成つていて約65IACSの高導電
率を有する。また、42合金の代わりにSUS430
（導電率2.9％IACS）を、CDA194の代わりにCu
−0.8％Cr合金（導電率約80％IACS）を用い、前
記と同一寸法の複合金属材料を作成した場合に
は、Ｘ方向の導電率は13％IACSであつた。
レーム７の形に打抜き加工したものでは、半導体
チツプ搭載部５は42合金であるので熱膨張係数は
約７×10-6／℃とSiチツプに近い値となり、また
リード部６はチツプ搭載部５とは離間している
が、CDA194から成つていて約65IACSの高導電
率を有する。また、42合金の代わりにSUS430
（導電率2.9％IACS）を、CDA194の代わりにCu
−0.8％Cr合金（導電率約80％IACS）を用い、前
記と同一寸法の複合金属材料を作成した場合に
は、Ｘ方向の導電率は13％IACSであつた。
本発明では低熱膨張性の板材２として、第２図
に示すように、低熱膨張性金属材料２ａの両面に
高導電性の金属材料２ｂをサンドイツチ形に積層
したクラツド材を用い、その両側に高導電性の金
属材料３を接合することにより、さらに導電性を
高めることができる。
に示すように、低熱膨張性金属材料２ａの両面に
高導電性の金属材料２ｂをサンドイツチ形に積層
したクラツド材を用い、その両側に高導電性の金
属材料３を接合することにより、さらに導電性を
高めることができる。
次に本発明の実施例として、第２図の低熱膨張
性の板材２としてCu／インバー／Cu系３層クラ
ツド材（比率１：３：１、導電率40％IACS、膨
張係数４×10-6／℃）を、また高導電性金属材料
の板材３にはCu−0.15％Sn合金（導電率90％
IACS）を用いた。すなわち無酸素銅板をインバ
ー（Fe−36％Ni合金、膨張係数約１×10-6／℃）
の板から冷間圧接により厚さ0.42mmのCu／インバ
ー／Cu（比率１：３：１）のクラツド材を作製
し、その後拡散熱処理を施した。次に、このクラ
ツド材から幅５mm、長さ100mmの板材２を切出し、
これを板厚0.42mm、幅10mm、長さ100mmのCu−
0.15％Sn合金の板材３ ２枚と第４図のような配
置でレーザ・ビーム溶接により並列に接合した。
その後これを板厚0.25mmに冷間圧延加工し、複合
金属材料１を形成した。その複合金属材料１か
ら、板の長手方向に直角に、幅５mm、長さ25mmの
短冊試験片を採取し、第１図のＸ方向の導電率を
測定した結果、72％IACSの値が得られた。この
複合金属材料１からリードフレーム７を打抜く
と、半導体チツプ搭載部５は低熱膨張性、の
Cu／インバー／Cuクラツド材であつて、チツプ
と熱膨張率が近く、また高導電性Cu−0.15％Sn
合金のリード部６を有するため、熱伝導性が著し
く優れる。
性の板材２としてCu／インバー／Cu系３層クラ
ツド材（比率１：３：１、導電率40％IACS、膨
張係数４×10-6／℃）を、また高導電性金属材料
の板材３にはCu−0.15％Sn合金（導電率90％
IACS）を用いた。すなわち無酸素銅板をインバ
ー（Fe−36％Ni合金、膨張係数約１×10-6／℃）
の板から冷間圧接により厚さ0.42mmのCu／インバ
ー／Cu（比率１：３：１）のクラツド材を作製
し、その後拡散熱処理を施した。次に、このクラ
ツド材から幅５mm、長さ100mmの板材２を切出し、
これを板厚0.42mm、幅10mm、長さ100mmのCu−
0.15％Sn合金の板材３ ２枚と第４図のような配
置でレーザ・ビーム溶接により並列に接合した。
その後これを板厚0.25mmに冷間圧延加工し、複合
金属材料１を形成した。その複合金属材料１か
ら、板の長手方向に直角に、幅５mm、長さ25mmの
短冊試験片を採取し、第１図のＸ方向の導電率を
測定した結果、72％IACSの値が得られた。この
複合金属材料１からリードフレーム７を打抜く
と、半導体チツプ搭載部５は低熱膨張性、の
Cu／インバー／Cuクラツド材であつて、チツプ
と熱膨張率が近く、また高導電性Cu−0.15％Sn
合金のリード部６を有するため、熱伝導性が著し
く優れる。
低熱膨張性の板材２として、上記インバーの代
りに、スーパーインバー（Fe−32％Ni−５％
Co、膨張係数約0.1×10-6／℃）、Cr−４％Fe−
1.6％Sn合金（膨張係数0.0）、非晶質Fe−17at％
Ｂ合金（膨張係数0.3×10-6／℃）またはフエラ
イト系もしくはマルテンサント系のステンレス鋼
から選ばれた低熱膨張性材料を用い、また無酸素
銅の代りに、脱酸銅、タフピツチ銅等の他の純
銅、純アルミニウム、またはCu−Su系合金、Cu
−Fe系合金、Cu−Cr系合金等の従来のリードフ
レーム用銅合金から選ばれた高導電性材料を用い
た場合にも、上記と同様な効果が得られる。クラ
ツド材の両側に位置する高導電性金属材料として
は、Cu−Fe系合金などの他の高導電性材料を用
いても同様な効果を奏する。
りに、スーパーインバー（Fe−32％Ni−５％
Co、膨張係数約0.1×10-6／℃）、Cr−４％Fe−
1.6％Sn合金（膨張係数0.0）、非晶質Fe−17at％
Ｂ合金（膨張係数0.3×10-6／℃）またはフエラ
イト系もしくはマルテンサント系のステンレス鋼
から選ばれた低熱膨張性材料を用い、また無酸素
銅の代りに、脱酸銅、タフピツチ銅等の他の純
銅、純アルミニウム、またはCu−Su系合金、Cu
−Fe系合金、Cu−Cr系合金等の従来のリードフ
レーム用銅合金から選ばれた高導電性材料を用い
た場合にも、上記と同様な効果が得られる。クラ
ツド材の両側に位置する高導電性金属材料として
は、Cu−Fe系合金などの他の高導電性材料を用
いても同様な効果を奏する。
第５図は他の実施例の平面図であり、複合金属
材料１は低熱膨張性の板材２両側に高導電性金属
材料の板材３を配置した複合材を基本に、これら
を並列に多数列接合した長尺の帯材であり、多数
のリードフレーム７を並列して打抜き加工できる
ようになつている。
材料１は低熱膨張性の板材２両側に高導電性金属
材料の板材３を配置した複合材を基本に、これら
を並列に多数列接合した長尺の帯材であり、多数
のリードフレーム７を並列して打抜き加工できる
ようになつている。
なお、上記説明において低熱膨張性材料および
高導電性材料としては上記例示以外のものも使用
できる。また各板材を並列に接合する方法とし
て、レーザ・ビーム溶接以外に電子ビーム溶接、
プラズマ・アーク溶接等によつて接合することも
可能である。
高導電性材料としては上記例示以外のものも使用
できる。また各板材を並列に接合する方法とし
て、レーザ・ビーム溶接以外に電子ビーム溶接、
プラズマ・アーク溶接等によつて接合することも
可能である。
以上のように、本発明のリードフレーム用複合
金属材料は、低熱膨張性金属材料および高導電性
金属材のクラツド材からなる板材と、その両側に
位置する高導電性金属材料の板材との並列接合に
より構成されているので、半導体チツプ搭載を低
熱膨張部材に、かつ、リード部を高導電部材の位
置としてリードフレームに使用することが可能で
あり、従つて、チツプのろう付けの際の昇温によ
るチツプ割れを防止するとともに、リードフレー
ムの導電性が向上したことにより、IC、LSI等の
高集積化に対応して、それらの放熱性を顕著に改
善する効果がある。
金属材料は、低熱膨張性金属材料および高導電性
金属材のクラツド材からなる板材と、その両側に
位置する高導電性金属材料の板材との並列接合に
より構成されているので、半導体チツプ搭載を低
熱膨張部材に、かつ、リード部を高導電部材の位
置としてリードフレームに使用することが可能で
あり、従つて、チツプのろう付けの際の昇温によ
るチツプ割れを防止するとともに、リードフレー
ムの導電性が向上したことにより、IC、LSI等の
高集積化に対応して、それらの放熱性を顕著に改
善する効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるリードフレー
ム用複合金属材料を示す平面図、第２図はそのＡ
−Ａ断面図、第３図はリードフレームの打抜状態
を示す平面図、第４図は他の実施例の複合金属材
料を示すＡ−Ａ断面図、第５図は他の実施例を示
す平面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示
し、１は複合金属材料、２は低熱膨張性の板材、
３は高導電性金属材料の板材、７はリードフレー
ムである。
ム用複合金属材料を示す平面図、第２図はそのＡ
−Ａ断面図、第３図はリードフレームの打抜状態
を示す平面図、第４図は他の実施例の複合金属材
料を示すＡ−Ａ断面図、第５図は他の実施例を示
す平面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示
し、１は複合金属材料、２は低熱膨張性の板材、
３は高導電性金属材料の板材、７はリードフレー
ムである。
Claims (1)
- １ 低熱膨張性金属材料の両面に高導電性金属材
料をサンドイツチ形に積層したクラツド材からな
る低熱膨張性の板材の両側に高導電性金属材料か
らなる同幅の板材を配置し、各板材が同じ板厚に
て同一平面上で並列するようにそれぞれの端部を
長手方向に連続接合して一体の帯材としたことを
特徴とするリードフレーム用複合金属材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11146784A JPS60254759A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | リ−ドフレ−ム用複合金属材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11146784A JPS60254759A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | リ−ドフレ−ム用複合金属材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254759A JPS60254759A (ja) | 1985-12-16 |
| JPH0530071B2 true JPH0530071B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=14561980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11146784A Granted JPS60254759A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | リ−ドフレ−ム用複合金属材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60254759A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324844U (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-18 | ||
| JPH0228359A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム材料 |
| JPH03290957A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | プラスチックスパッケージ用リードフレーム材料 |
| JPH03290956A (ja) * | 1990-04-06 | 1991-12-20 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | プラスチックスパッケージ用リードフレーム材料 |
| EP3185291B1 (en) * | 2015-12-21 | 2020-09-23 | Nexperia B.V. | A leadframe and a method of manufacturing a leadframe |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5037363A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-08 | ||
| JPS5662345A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Hitachi Ltd | Load frame and semiconductor device |
| JPS58223274A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | 株式会社東芝 | リ−ド部品およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP11146784A patent/JPS60254759A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5037363A (ja) * | 1973-08-06 | 1975-04-08 | ||
| JPS5662345A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Hitachi Ltd | Load frame and semiconductor device |
| JPS58223274A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | 株式会社東芝 | リ−ド部品およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60254759A (ja) | 1985-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4141029A (en) | Integrated circuit device | |
| US3684464A (en) | Composite metal laminate material and lead frame | |
| JPS6089354A (ja) | セラミツク−金属エレメント | |
| US4732733A (en) | Copper-base alloys for leadframes | |
| JPS60242653A (ja) | リ−ドフレ−ム用複合材 | |
| JPH0530071B2 (ja) | ||
| KR20180103097A (ko) | 회로 캐리어를 제조하는 방법, 회로 캐리어, 반도체 모듈을 제조하는 방법, 및 반도체 모듈 | |
| JPH09296237A (ja) | 半導体パッケージング用金属基板材料 | |
| JPS6318648A (ja) | 窒化アルミニウム回路基板 | |
| JPS6254852B2 (ja) | ||
| US4687633A (en) | Lead material for ceramic package IC | |
| JP4557398B2 (ja) | 電子素子 | |
| JP3192911B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPH0680873B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPS6250428A (ja) | 電子機器用銅合金 | |
| JP3508248B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH02152267A (ja) | Ｃｕ合金／Ｆｅ−Ｎｉ合金並接型リードフレーム | |
| JP3003114B2 (ja) | リードフレーム | |
| JPS6244817B2 (ja) | ||
| JPH07120740B2 (ja) | 半導体用リードフレームとその製造法 | |
| JP3056889B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPS58147140A (ja) | 半導体装置のリ−ド材 | |
| JPH061800B2 (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH0964234A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02348A (ja) | 半導体装置 |