JP3056889B2 - セラミックス回路基板 - Google Patents
セラミックス回路基板Info
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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Description
板、詳しくはパワー半導体モジュール等に使用されるセ
ラミックス回路基板に関する。
の高性能化に伴い、大電力・高能率インバーターなど大
電力モジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発
生する熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よ
く放散するため、大電力モジュール基板では従来より様
々な方法がとられてきた。特に最近、良好な熱伝導率を
有するセラミックス基板の出現により、基板上に半導体
素子を搭載する構造も採用されている。
方法には様々な方法があるが、特に回路基板の構造とい
う点からは、Mo−Mn法、活性金属メタライズ法(以
下、単に活性金属法という)、硫化銅法、DBC法、銅
メタライズ法があげられる。これらの中で大電力モジュ
ール基板の製造では、現在、金属として銅を用い、セラ
ミックスとの接合方法として活性金属法又はDBC法を
用いることが主流となっており、更に、高熱伝導を有す
る窒化アルミニウムを絶縁基板として使用することが普
及しつつある。
する方法としては、銅板を窒化アルミニウム基板との間
に活性金属を含むろう材を介在させ、加熱処理し接合体
を形成する活性金属法(例えば、特開昭60ー177634 号公
報)や、銅板と表面を酸化処理してなる窒化アルミニウ
ム基板とを銅の融点以下、Cu2O-Oの共晶温度以上で加熱
接合するDBC法(例えば、特開昭56ー163093号公報)
などが知られている。
差によって生じる残留応力が小さい。 (2)接合層が延性金属であるので、ヒートショックや
ヒートサイクルに対して耐久性が良好である。 などの利点があるが、絶縁基板にセラミックスを使用す
るため、曲げ応力に弱く、クラックが生じ易いという問
題があった。
セラミックス回路基板を厚さ数mmのベース銅板へ半田付
けする際、半田の融点、例えばPb:Sn=37:63 共晶半田の
場合には、230 ℃以上に加熱する必要があるので、この
時の熱履歴によりベース銅板が反りセラミックス回路基
板に曲げ応力が加わってクラックが生じたり、また、組
み立てられたパワーモジュールを放熱フィンにボルト締
めする際、機械的な曲げ応力により、クラックが生じ絶
縁不良となる問題があった。このクラックは歩留りを低
下させるだけでなく、高い信頼性が要求されるパワーモ
ジュールの分野では致命的な欠陥となる。
ックス回路基板に曲げ応力が加わった場合、金属回路の
パターンの端部に沿ってクラックが発生していることに
着目した。セラミックスと金属板の接合面において、熱
膨張率の差によって生じる引張応力は、 Wittmerらによ
る"Mechanical Properties of Liquid-Phase-Bonded Co
pper-Ceramic Substrates" (Journal of the American
Ceramic Society March 1982,vol.65,No.3,p149-153)
には、金属板の厚みに支配されることが記載されてい
る。
補強されているため、曲げ応力が集中しにくい。一方、
金属回路のパターン端部は、熱膨張率の差から生じる金
属回路板の引張応力が加わっている上に、金属板の補強
効果もないため、曲げ応力が集中しやすく、クラックが
生じる。
鋭意検討した結果、例えば、セラミックス回路基板の中
心部のように、曲げ応力が集中し易い部分の金属回路の
パターン形状を金属板の補強効果が得られるように設計
し、しかも金属回路の厚みを薄くすれば、金属回路のパ
ターン端部にかかる引張応力が小さくなることによって
セラミックス回路基板の抗折強度が大きくなり、クラッ
クの発生を抑制できることを見いだし、本発明を完成し
たものである。
ラミックス基板の表面に金属回路、裏面に金属板がそれ
ぞれ活性金属法で接合されてなるセラミックス回路基板
であって、金属回路の厚みが0.1〜0.3mm、金属
回路の体積に対する裏面金属板の体積の比(裏面金属板
体積/金属回路体積)が0.50〜1.0であり、しか
も金属回路が形成されているセラミックス回路基板の全
ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接
合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して
20%以上であることを特徴とするセラミックス回路基
板である。
ると、本発明の最大の特徴は、従来用いられている材料
や工程をほとんど変更することなしに、セラミックス回
路基板の抗折強度を高め、クラックの抑制に大きな効果
をあげたことである。
分は、金属回路の補強効果により、曲げ応力が集中しな
いためにクラックが生じにくい。従って、本発明では、
金属回路の補強効果を示す指標として、セラミックス回
路基板の断面において、金属回路とセラミックス基板と
の接合部分の長さの合計とセラミックス基板の長さとの
割合(以下、この割合をパターン率という。)で表すこ
ととした。
ックス基板と接合していない部分すなわち非接合部は、
金属回路からの引張応力はなく曲げ応力は集中しない
が、金属回路の補強効果がないので、パターン率の算出
にあたっては、金属回路とセラミックス基板とは接合し
ていないものとして扱う。
が必要であり、30%以上特に40%以上が好ましい。パタ
ーン率が20%未満では、補強効果が小さくセラミックス
回路基板のクラック防止効果が十分でなくなる。
する位置は、金属回路が形成されているセラミックス回
路基板の全ての断面においてであるが、中でも曲げ応力
が集中し易い部分、例えばセラミックス回路基板の中心
部のパターン率をより大きくすることが望ましい。
の材質については、特に制限はなく、通常は、銅、ニッ
ケル、銅合金、ニッケル合金が用いられる。金属回路の
厚みは、0.1 〜0.3mm とする。0.1mm 未満では、パター
ン率を20%以上にしても十分な補強効果が得られず、ま
た、0.3mm をこえると、セラミックス基板と金属回路の
熱膨張率の差により、接合・冷却時に発生する金属回路
の引張応力が大きくなって耐ヒートサイクル性が低下す
る。
る金属板の材質についても上記したものが用いられる。
また、その厚みは、セラミックス基板の回路面に形成さ
せた金属回路部分の体積に応じて決定することが望まし
い。すなわち、本発明では、金属回路の体積に対する裏
面金属板の体積の比(裏面金属板体積/金属回路体積)
を0.50〜1.0とすることが望ましい。これによっ
て、セラミックス回路基板の反りがなくなるか、又は反
りが生じたとしてもその方向は回路面が凹になるので耐
ヒートサイクル性が向上し、そのように反ったものをベ
ース銅板に半田付けしても、セラミックス回路基板とベ
ース銅板との間にはボイドが発生しないので、熱伝導性
は低下しない。
回路の体積をこえると、すなわち上記体積の比が1.0
をこえると、裏面の金属板の引張応力が大きくなるの
で、耐ヒートサイクル性が劣るようになり(後記の比較
例7参照)、それをベース銅板に半田付けすると、セラ
ミックス回路基板は回路面が凸の方向に反ってしまい、
セラミックス回路基板とベース銅板との間にボイドが発
生して熱伝導性が低下する。また、上記体積の比が0.
50よりも小さくなると、セラミックス回路基板の抗折
強度が小さくなり、高信頼性が損なわれてくる(後記の
比較例6参照)。
質については、特に制限はなく、窒化アルミニウム(Al
N )、窒化ケイ素(Si3N4 )、酸化アルミニウム(Al2O
3 )、ムライト等から選ばれた少なくとも一種又は二種
以上を主成分とするものがあげられ、中でも熱伝導率が
大きい窒化アルミニウムが好ましい。
造する際の接合方法としては、DBC法や活性金属法を
用いることができるが、本発明においては、上記利点を
有する活性金属法を採用する。
説明する。
0.5mm)に、Zr−Ag−Cu系の活性金属ろう材
を図1及び図2に示すように、金属回路のa値とb値を
変えて種々の回路パターンをスクリーン印刷し、この回
路パターンと同じ形状に打ち抜いた表1に示す厚みを有
する無酸素銅板を接合し、接合体を製造した。接合条件
は、温度900℃、真空度1.0×10-6torrと
し、得られた接合体はいずれも無電解Ni−Pメッキを
5μm施した。
強度と耐ヒートサイクル性を測定した。また、セラミッ
クス回路基板の全ての断面における最小のパターン率
と、図1のA部におけるパターン率を算出した。更に
は、金属回路の体積、裏面金属板の体積及び裏面金属板
体積/金属回路体積の比を算出した。それらの結果を表
1に示す。
ードセル;50kg 測定条件:スパン;30mm、3点曲げ、クロスヘッド速
度;0.5mm/min図2に示すセラミックス回路基板のBの
位置にクロスヘッドをあて、JIS R1601 に準拠して測定
した。
ER-2252-A 測定条件:気中にて、-40 ℃×30分、25℃×10分、125
℃×30分、25℃×10分を1サイクルとし、500 サイクル
実施した。 評 価 :A;電極剥離なし B;僅かに電極剥離発生
C;電極剥離発生
を大きくし、しかも金属回路の厚みと金属回路の体積に
対する裏面金属板の体積の比とを適正化することによっ
て、セラミックス回路基板の抗折強度を増大させること
ができ、その結果、曲げ応力に対するクラックの発生を
著しく抑えることができ、耐ヒートサイクル性に優れた
セラミックス回路基板が提供される。
ある。
Claims (1)
- 【請求項1】 セラミックス基板の表面に金属回路、裏
面に金属板がそれぞれ活性金属法で接合されてなるセラ
ミックス回路基板であって、金属回路の厚みが0.1〜
0.3mm、金属回路の体積に対する裏面金属板の体積
の比(裏面金属板体積/金属回路体積)が0.50〜
1.0であり、しかも金属回路が形成されているセラミ
ックス回路基板の全ての断面において、金属回路とセラ
ミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス
基板の長さに対して20%以上であることを特徴とする
セラミックス回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4212458A JP3056889B2 (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | セラミックス回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4212458A JP3056889B2 (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | セラミックス回路基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0637410A JPH0637410A (ja) | 1994-02-10 |
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Family
ID=16622967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4212458A Expired - Lifetime JP3056889B2 (ja) | 1992-07-17 | 1992-07-17 | セラミックス回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3056889B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5042129B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2012-10-03 | 電気化学工業株式会社 | 絶縁金属ベース回路基板の製造方法及び混成集積回路モジュールの製造方法 |
WO2018021473A1 (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 株式会社 東芝 | 回路基板および半導体モジュール |
-
1992
- 1992-07-17 JP JP4212458A patent/JP3056889B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0637410A (ja) | 1994-02-10 |
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