JPS6025224A - プラズマ利用装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はプラズマ放電を用いて加工したり、あるいは、
プラズマ放電を用いて物質を被着したりする装置に関す
る。

〔発明の背景〕

がある。この装置は一対の平板電極の一方の電１上に試
料を載置して加工や被着を行うものであるが、放電電極
が試料に比べて大きいため、放電によシミ極から飛散す
る不純物が試料を汚染し、そのため試料の特性が劣化す
ることが多い。特に、従来の装置を用いてアモルファス
シリコン太陽電池の動作層をＣＶＤで成膜する場合、こ
の放市々極からの汚染によって良好な特性の電池が得ら
れないことが多かった。電極からのかかる汚染を軽減す
るため、放電々極を装置から時々取はずして洗滌するが
、取はすしが容易でなく時間がかかる上に、洗滌も容易
でないと云う欠点があった。

かつ、電極取外の容易なプラズマ利用装置を提供するこ
とである。

〔発明の概要〕

本発明は、プラズマ放電を用いる装置において、汚染の
原因は放電プラズマと接している面からの不純物の発散
であると云う新しい知見にもとづツてなされたものであ
る。従って、放電電極は試すを支４る最小面積のものと
し、しかも、容易≠□取はすしができて洗滌ができる構
造としたものである。

〔発明の実施例〕

実施例１ 本発明の実施例を第１図〜第３図に示す。第１図はプラ
ズマＣＶＤ装置反応部の横断面図、第２図は電極および
基板ホルダー装着部の構成図、第３図は基板ホルダーの
構造を示す。

本装置を用いてアモルファスＳｉ太陽電池を以下のごと
く作製した。まず、基板ホルダー４上に基板５を装着し
、これを高周波電源Ｅに結ばれている露出電極６に引掛
けて第１図のごとく炉心管の中に入れる。基板５は電気
炉１によＪ２５０ｔ、’に加熱されている。炉心管をＩ
Ｑ−３Ｔｏｒｒに真空排気後、モノシラン（１００％Ｓ
　ｊＨ４）　５０ｃｃ／分とジボラン（１％　Ｂ２Ｈ６
／Ｈ２）　１００ＣＣ７分流して１Ｔｏｒｒとし、高周
波電圧を第２図のごとく電極リード線８に印加する。こ
れにより基板ホルダーと兼用している電極４の間にプラ
ズマを発生させてｐ形アモ〃ファスｓｉ層を２゜ｆｉｍ
形成する。続いてモノシランのみを流して同ｉ形層を５
００　ｎｍを形成し、最後にモノシランとホスフィン（
１％Ｉ）Ｈ３／Ｈ２）　１００　ｃ　ｃ　７分を流して
ｎ形層をｌＱｎｍ形成し反応炉から取シて特性を測定し
たところ、開放電圧０．８８Ｖ、短絡電流１２ｍＡ／ｃ
ｍ２、光電変換効率６．５チを得た。

実施例２ 第４図に示す基板ホルダー装着部を用い、電極露出部６
に第３図の基板５を装着した基板ホルダー４を引掛け、
第１図に示すごとくプラズマＣＶＤ装置反応部に設置す
る。実施例１と同様な方法でアモルファス３ｉ太陽電池
を試作したところ、ＡＭＩ擬似太陽光１００　ｍ　Ｗ／
ｃｍ２テ、光電変換効率６．４％を得ることができた。

実施例３ 実施例１で基板ホルダーの１部をシリコン結晶板で作シ
、実施例と同様な方法でｐｉｎ構造のアモルファスＳｉ
太陽電池を試作したところ、光電変換効率７．０％を得
た。

〔発明の効果〕

本発明によれば、不純物汚染の原因となる電極部を最小
限に小さくできるので、電極から発生する不純物による
形成アモルファス膜の特性劣化がさらに、この放電々極
は基板とともに取シはずすことができるので、電極に被
着した物質を毎回洗滌することができ、常に放電々極を
清浄に保つことが容易にできる。

プラズマ放電によってアモルファスＳｉを作る場合、放
電をしている電極からの汚染による形成膜劣化が太陽電
池の光電変換効率を低下させる主な原因であることが分
ったので、本発明を用いることにより変換効率の高いも
のが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は本発明の一実施例を説明するための
図である。 １・・・電気炉、２・・・反応管、３・・・装着部枠、
４・・・基板ホルダー、５・・・基板、６・・・放電々
極、７・・・石英管に埋込んだ電極リード線、８・・・
高周波電源ＩＪ　−ド線。 ４ＪＸ’ｌ出願人 工業技術院長用　１月　裕部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. それぞれ一方の側に処理すべき基板が装着され、゛かつ
   屈曲部を有する基板ホルダーを、上記基板が装置。