JPS60216585A - 太陽電池素子 - Google Patents
太陽電池素子Info
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- JPS60216585A JPS60216585A JP59073366A JP7336684A JPS60216585A JP S60216585 A JPS60216585 A JP S60216585A JP 59073366 A JP59073366 A JP 59073366A JP 7336684 A JP7336684 A JP 7336684A JP S60216585 A JPS60216585 A JP S60216585A
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- Japan
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- solar cell
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- substrate
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- electrode
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は非晶質半導体層からなる太陽電池素子に関する
ものである。
ものである。
従来例の構成とその問題点
太陽電池には、一部の特殊用途を除いて民生用と電力用
という大きく分けて二つの利用分野がある。
という大きく分けて二つの利用分野がある。
このうち民生用の分野では、最近の表示素子やＬＳＩ等
の低消費電力化が一層進み、螢光灯等の屋内光を光源と
しうる非晶質太陽電池で駆動できる電子機器が続々と登
場し、安価で高性能の太陽電池に対する期待が高まって
いる。
の低消費電力化が一層進み、螢光灯等の屋内光を光源と
しうる非晶質太陽電池で駆動できる電子機器が続々と登
場し、安価で高性能の太陽電池に対する期待が高まって
いる。
また、電力用の分野では、大規模な太陽光発電システム
が建設運転され、やはシ同様の期待が高まっている。
が建設運転され、やはシ同様の期待が高まっている。
一般的に非晶質太陽電池は、第１図に示すような装置を
用いて作成される。
用いて作成される。
ここで、非晶質半導体層の作成方法について、簡単に説
明する。
明する。
真空槽１内にカソード電極２を配置し、これと対向する
よう予め、透明導電膜を一体化した基板３を配置したア
ノード電極４を設け、前記真空槽１内を真空引きしなが
ら、適当な原料ガスを所定量流し、前記基板３を２００
”Ｃ程度に加熱し、前記カソード２及びアノード４間に
高周波電力を供給して、前記基板３上にＰ−Ｉ−Ｎ層か
らなる非晶質膜を堆積させる方法である。用いる基板３
としては大きく分けて、二種類のものがある。一つはガ
ラスを代表とする透光性絶縁基板であり、もう一つはス
テンレス鋼を代表とする遮光性基板である。ここでは透
光性絶縁基板について、さらに説明する。
よう予め、透明導電膜を一体化した基板３を配置したア
ノード電極４を設け、前記真空槽１内を真空引きしなが
ら、適当な原料ガスを所定量流し、前記基板３を２００
”Ｃ程度に加熱し、前記カソード２及びアノード４間に
高周波電力を供給して、前記基板３上にＰ−Ｉ−Ｎ層か
らなる非晶質膜を堆積させる方法である。用いる基板３
としては大きく分けて、二種類のものがある。一つはガ
ラスを代表とする透光性絶縁基板であり、もう一つはス
テンレス鋼を代表とする遮光性基板である。ここでは透
光性絶縁基板について、さらに説明する。
従来より、液晶用に作成される透明導電膜は、大量かつ
安価に作成できるよう、スパッタリング法や堆積速度を
大きくしだエレクトロン・ビーム蒸着法を用いている。
安価に作成できるよう、スパッタリング法や堆積速度を
大きくしだエレクトロン・ビーム蒸着法を用いている。
このような液晶用透明導電膜は非晶質太陽電池の透明電
極にも応用できる。
極にも応用できる。
そこで、第２図に示すように、ガラス基板１１上に、前
述のような方法で透明電極１２を形成し、この上に非晶
質半導体層の２層１３．Ｉ層１４゜Ｎ層１５を順に形成
し、Ｎ層１５上に裏面電極１６を形成して、太陽電池素
子を作成している。この構成において透明電極１２の表
面は比較的平坦である為、２層１３との界面１７での光
の反射が大きく、太陽電池特性のうち短絡電流が小さく
なって、効率の良い太陽電池が作成できなかった。また
、効率の向上を図る為に、エレクトロン・ビーム蒸着法
を用い、第３図に示すように、ガラス２１上に蒸着速度
を極端に遅くして局所的にコラム状の結晶２８を成長さ
せて透明電極２２を形成し、太陽電池素子を作成すると
、２層２３との界面２７での多重反射により光の反射が
減少し、短絡電流が太きくなシ、効率の良い太陽電池が
実現される。
述のような方法で透明電極１２を形成し、この上に非晶
質半導体層の２層１３．Ｉ層１４゜Ｎ層１５を順に形成
し、Ｎ層１５上に裏面電極１６を形成して、太陽電池素
子を作成している。この構成において透明電極１２の表
面は比較的平坦である為、２層１３との界面１７での光
の反射が大きく、太陽電池特性のうち短絡電流が小さく
なって、効率の良い太陽電池が作成できなかった。また
、効率の向上を図る為に、エレクトロン・ビーム蒸着法
を用い、第３図に示すように、ガラス２１上に蒸着速度
を極端に遅くして局所的にコラム状の結晶２８を成長さ
せて透明電極２２を形成し、太陽電池素子を作成すると
、２層２３との界面２７での多重反射により光の反射が
減少し、短絡電流が太きくなシ、効率の良い太陽電池が
実現される。
しかしこの方法による透明電極は、大量生産されている
液晶用透明導電膜に比べて、量産性に乏しく、再現性の
得難いものであった０ 発明の目的 本発明の目的とするところは、以上の従来例における欠
点を改善した太陽電池素子を提供することにある。
液晶用透明導電膜に比べて、量産性に乏しく、再現性の
得難いものであった０ 発明の目的 本発明の目的とするところは、以上の従来例における欠
点を改善した太陽電池素子を提供することにある。
発明の構成
適当な凹凸をつけ、ここに安価で大量生産が可能な液晶
用の透明電極を形成することによって、安価で高性能の
太陽電池が実現したことを特徴とする０ また、通常の光透過性基板に、前記液晶用の透明電極を
形成し、前記と同様に反射防止構造をもつよう透明電極
を加工することもできる。
用の透明電極を形成することによって、安価で高性能の
太陽電池が実現したことを特徴とする０ また、通常の光透過性基板に、前記液晶用の透明電極を
形成し、前記と同様に反射防止構造をもつよう透明電極
を加工することもできる。
実施例の説明
以下、本発明の実施例に関して詳細に説明する。
第４図に示すように、ガラス基板３１の少なくとも片面
、ここでは両面３３に光の反射防止のだめの凹凸３２を
形成する。この基板３１の透過光側片面に安価で大量生
産が可能な液晶用透明電極３４を設ける。この電極３４
上に非晶質半導体層を２層３６，１層３６．Ｎ層３７の
順に形成し、最後に裏面電極３８を８層３７上に形成し
て太陽電池素子を作成する。このような素子は凹凸部で
の光の再反射により透過光率が向上し、短絡電流が大き
くなって、光電変換効率の良い太陽電池が容易、かつ再
現性良く実現できた。
、ここでは両面３３に光の反射防止のだめの凹凸３２を
形成する。この基板３１の透過光側片面に安価で大量生
産が可能な液晶用透明電極３４を設ける。この電極３４
上に非晶質半導体層を２層３６，１層３６．Ｎ層３７の
順に形成し、最後に裏面電極３８を８層３７上に形成し
て太陽電池素子を作成する。このような素子は凹凸部で
の光の再反射により透過光率が向上し、短絡電流が大き
くなって、光電変換効率の良い太陽電池が容易、かつ再
現性良く実現できた。
発明の効果
このような本発明によれば、ガラス基板の凹凸あるいは
透明電極に設けた凹凸による光の再反射が得られ、透過
光率が向上するので、従来よシ液晶用の透明電極として
安価にかつ大量に製作されている透明電極をそのまま使
用して、安価で高性能の太陽電池素子を再現性良くかつ
容易に実現できる。
透明電極に設けた凹凸による光の再反射が得られ、透過
光率が向上するので、従来よシ液晶用の透明電極として
安価にかつ大量に製作されている透明電極をそのまま使
用して、安価で高性能の太陽電池素子を再現性良くかつ
容易に実現できる。
第１図は一般的な非晶質半導体層の形成装置を示す略図
、第２図は従来の液晶用透明電極を用いた太陽電池素子
の断面図、第３図は従来の高効率太陽電池素子の断面図
、第４図は本発明の実施例における太陽電池素子の断面
図である。 ３１・・・・・・ガラス基板、３２・・・・・・凹凸、
３４・・・・・・液晶用透明導電膜（透明電極）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図
、第２図は従来の液晶用透明電極を用いた太陽電池素子
の断面図、第３図は従来の高効率太陽電池素子の断面図
、第４図は本発明の実施例における太陽電池素子の断面
図である。 ３１・・・・・・ガラス基板、３２・・・・・・凹凸、
３４・・・・・・液晶用透明導電膜（透明電極）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図
Claims (3)
- （１）透光性をもち嘉つ少なくとも透過光側の片面に反
射防止用の凹凸を形成した絶縁基板と、この基板の凹凸
側片面上に形成した透明導電膜と、この透明導電膜上に
形成した非晶質半導体層と、この半導体層上に形成した
裏面電極とから構成した太陽電池素子。 - （２）絶縁基板の凹凸が鋸歯状である特許請求の範囲第
１項記載の太陽電池素子。 - （３）透明導電膜の透過光側片面に凹凸を形成した特許
請求の範囲第１項記載の太陽電池素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073366A JPS60216585A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 太陽電池素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073366A JPS60216585A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 太陽電池素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60216585A true JPS60216585A (ja) | 1985-10-30 |
Family
ID=13516104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59073366A Pending JPS60216585A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 太陽電池素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60216585A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0211358U (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-24 | ||
| JPH03218683A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-09-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
| JPH042055U (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-09 | ||
| WO1998059378A1 (en) * | 1997-06-20 | 1998-12-30 | Kaneka Corporation | Solar battery module and method for manufacturing the same |
| JP2006286820A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
-
1984
- 1984-04-12 JP JP59073366A patent/JPS60216585A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0211358U (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-24 | ||
| JPH03218683A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-09-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
| JPH042055U (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-09 | ||
| WO1998059378A1 (en) * | 1997-06-20 | 1998-12-30 | Kaneka Corporation | Solar battery module and method for manufacturing the same |
| AU735727B2 (en) * | 1997-06-20 | 2001-07-12 | Kaneka Corporation | Solar cell module and manufacturing method thereof |
| US6365823B1 (en) * | 1997-06-20 | 2002-04-02 | Kaneka Corporation | Solar cell module and manufacturing method thereof |
| JP2006286820A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JP4557772B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-10-06 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
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