JPH0573248B2 - - Google Patents
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- JPH0573248B2 JPH0573248B2 JP61179148A JP17914886A JPH0573248B2 JP H0573248 B2 JPH0573248 B2 JP H0573248B2 JP 61179148 A JP61179148 A JP 61179148A JP 17914886 A JP17914886 A JP 17914886A JP H0573248 B2 JPH0573248 B2 JP H0573248B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、非晶質薄膜の形成方法に関し、特に
太陽電池、薄膜半導体、電子感光体や光センサ等
の各種電子デバイスに使用される非晶質薄膜の形
成方法に係わる。 ［従来の技術］ アモルフアスシリコンに代表される非晶質薄膜
の形成には、グロー放電プラズマを用いる、いわ
ゆるプラズマCVDによる方法が数多く提案され
ている。 例えば、アモルフアス太陽電池は通常、第２図
に示す構造になつている。即ち、図中の１はガラ
ス等からなる基板であり、この基板１上には透明
な伝導膜２が被覆されている。この伝導膜２は、
酸化インジウムと酸化スズの混合物からなるITO
と呼ばれる層とSnO2とで構成され、スパツタリ
ングや熱CVD等により堆積される。前記伝導膜
２上には、ｐ層３、ｉ層４、ｎ層５の３つの層か
らなるアモルフアスシリコンが後述するプラズマ
CVD装置等により夫々堆積されている。前記ｎ
層５上には、アルミニウムや銀等からなる薄膜電
極６が真空蒸着等により堆積されている。 前記アモルフアスシリコンを堆積するためのプ
ラズマCVD装置は、第３図に示す構造になつて
いる。図中の１１は、反応容器であり、この容器
１１には一対の電極１２，１３が対向して取付け
られている。前記一方の電極１２は、高周波電源
１４に接続されている。また、図中の１５は前記
反応容器１１内を排気する真空ポンプ、１６は前
記基板１を載せる支持台、１７は基板１を加熱す
るヒータ、１８は層形成用の原料ガスの導入管で
ある。このようなCVD装置により前記ｐ層３を
形成するには、従来、まず、支持台１６上に基板
１を載置し、真空ポンプ１５を作動して反応容器
１１内を排気しながらシランガス（SiH4）と不
純物としてのジボラン（B2H6）やカーバイトと
するためのメタン（CH4）等を導入管１８を通し
て反応容器１１に導入した後、ヒータ１７により
基板１を加熱しながら高周波電源１４により電極
１２，１３間に例えば13.5MHzの高周波電圧を印
加し、グロー放電プラズマを発生させる。この
時、シランガス等は電極１２，１３間のグロー放
電空間で分解され中性ラジカルが発生して基板１
上のｐ層３が形成される。また、ｉ層４を形成す
るにはシランガスのみを導入し、ｎ層５を形成す
るシランガスとフオスフイン（PH3）を導入す
る。なお、ｐ層の形成にはガス濃度による大体１
分間程度必要とし、ｉ層の形成には１時間程度、
ｎ層の形成には３分間程度必要である。 ［発明が解決しようとする問題点］ 上述したシランガスのグロー放電分解では、放
電開始直後に初期プラズマと呼ばれる過渡状態が
存在する。初期プラズマでは、定常状態のプラズ
マに比べてSiHラジカル濃度が増大したり、反応
ガスが増大することが知られている。従つて、従
来のように成膜の開始から終了まで反応ガス圧力
を一定に固定する薄幕形成方法では、成膜初期の
膜質と定常状態での膜質とは異なることになる。
こうした膜質のゆらぎは、非晶質薄膜の特性劣化
に繋がる可能性があるため、膜質を均一にするこ
とが必要である。 本発明は、上記従来の問題点を解決するために
なされたもので、膜形成に際して成膜速度の低下
を招くことなく、初期のプラズマの過渡状態での
SiHラジカル濃度の上昇を防止し得る非晶質薄膜
の形成方法を提供しようとするものである。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は、グロー放電プラズマを用いて基板上
にイントリシツク型（ｉ型）の非晶質薄膜を形成
する方法において、グロー放電開始時から少なく
とも30秒間、反応ガス圧力を定常時の反応ガス圧
力（約1.0torr）の40〜60％とし、遅くとも５分
間以内に反応ガス圧力を定常時の反応ガス圧力に
することを特徴とする非晶質薄膜の形成方法であ
る。 ［作用］ 本発明では、非晶質薄膜の形成に際してグロー
放電開始時から少なくとも30秒間反応ガス圧力を
定常時の反応ガス圧力（約1.0torr）の40〜60％
とすることによつて、初期プラズマの過渡状態で
のSiHラジカル濃度の上昇が防止される。また、
遅くとも５分間以内にガス圧力を定常時の反応ガ
ス圧力にすることによつて、成膜速度の低下が防
止される。 ［発明の実施例］ 以下、本発明の実施例を前述した第３図のプラ
ズマCVD装置及び第１図を参照して説明する。 まず、従来と同様な方法により予めｐ層を形成
した基板１を支持台１６上に載置し、真空ポンプ
１５を作動して反応容器１１内を排気しながらシ
ランガス（SiH4）を導入管１８を通して反応容
器１１に導入した後、ヒータ１７により基板１を
加熱しながら高周波電源１４により電極１２，１
３間に例えは13.5MHzの高周波電圧を印加し、グ
ロー放電プラズマを発生させた。この時、第１図
に示すように放電開始から60秒間までは反応ガス
圧力を0.6torr以下に保持し、この後反応ガス圧
力を定常状態（1torr）まで上げて基板のｐ層上
にｉ層を形成した。次いで、ｉ層上に従来と同様
な方法によりｎ層を形成し、更にこのｎ層上に薄
膜電極を形成してアモルフアス太陽電池を製造し
た。 比較例 まず、従来と同様な方法により予めｐ層を形成
した基板１を支持台１６上に載置し、真空ポンプ
１５を作動して反応容器１１内を排気しながらシ
ランガス（SiH4）を導入管１８を通して反応容
器１１に導入した後、ヒータ１７により基板１を
加熱しながら高周波電源１４より電極１２，１３
間に例えば13.5MHzの高周波電圧を印加し、グロ
ー放電プラズマを発生させた。この時、放電開始
から成膜終了まで反応ガスを定常状態（1torr）
に制御し、前記基板のｐ層上にｉ層を形成した。
次いで、ｉ層上に従来と同様な方法によりｎ層を
形成し、さらにこのｎ層上に薄膜電極を形成して
アモルフアス太陽電池を製造した。 しかして、本実施例および比較例の太陽電池に
ついて特性を比較したところ、下記表に示す結果
を得た。
太陽電池、薄膜半導体、電子感光体や光センサ等
の各種電子デバイスに使用される非晶質薄膜の形
成方法に係わる。 ［従来の技術］ アモルフアスシリコンに代表される非晶質薄膜
の形成には、グロー放電プラズマを用いる、いわ
ゆるプラズマCVDによる方法が数多く提案され
ている。 例えば、アモルフアス太陽電池は通常、第２図
に示す構造になつている。即ち、図中の１はガラ
ス等からなる基板であり、この基板１上には透明
な伝導膜２が被覆されている。この伝導膜２は、
酸化インジウムと酸化スズの混合物からなるITO
と呼ばれる層とSnO2とで構成され、スパツタリ
ングや熱CVD等により堆積される。前記伝導膜
２上には、ｐ層３、ｉ層４、ｎ層５の３つの層か
らなるアモルフアスシリコンが後述するプラズマ
CVD装置等により夫々堆積されている。前記ｎ
層５上には、アルミニウムや銀等からなる薄膜電
極６が真空蒸着等により堆積されている。 前記アモルフアスシリコンを堆積するためのプ
ラズマCVD装置は、第３図に示す構造になつて
いる。図中の１１は、反応容器であり、この容器
１１には一対の電極１２，１３が対向して取付け
られている。前記一方の電極１２は、高周波電源
１４に接続されている。また、図中の１５は前記
反応容器１１内を排気する真空ポンプ、１６は前
記基板１を載せる支持台、１７は基板１を加熱す
るヒータ、１８は層形成用の原料ガスの導入管で
ある。このようなCVD装置により前記ｐ層３を
形成するには、従来、まず、支持台１６上に基板
１を載置し、真空ポンプ１５を作動して反応容器
１１内を排気しながらシランガス（SiH4）と不
純物としてのジボラン（B2H6）やカーバイトと
するためのメタン（CH4）等を導入管１８を通し
て反応容器１１に導入した後、ヒータ１７により
基板１を加熱しながら高周波電源１４により電極
１２，１３間に例えば13.5MHzの高周波電圧を印
加し、グロー放電プラズマを発生させる。この
時、シランガス等は電極１２，１３間のグロー放
電空間で分解され中性ラジカルが発生して基板１
上のｐ層３が形成される。また、ｉ層４を形成す
るにはシランガスのみを導入し、ｎ層５を形成す
るシランガスとフオスフイン（PH3）を導入す
る。なお、ｐ層の形成にはガス濃度による大体１
分間程度必要とし、ｉ層の形成には１時間程度、
ｎ層の形成には３分間程度必要である。 ［発明が解決しようとする問題点］ 上述したシランガスのグロー放電分解では、放
電開始直後に初期プラズマと呼ばれる過渡状態が
存在する。初期プラズマでは、定常状態のプラズ
マに比べてSiHラジカル濃度が増大したり、反応
ガスが増大することが知られている。従つて、従
来のように成膜の開始から終了まで反応ガス圧力
を一定に固定する薄幕形成方法では、成膜初期の
膜質と定常状態での膜質とは異なることになる。
こうした膜質のゆらぎは、非晶質薄膜の特性劣化
に繋がる可能性があるため、膜質を均一にするこ
とが必要である。 本発明は、上記従来の問題点を解決するために
なされたもので、膜形成に際して成膜速度の低下
を招くことなく、初期のプラズマの過渡状態での
SiHラジカル濃度の上昇を防止し得る非晶質薄膜
の形成方法を提供しようとするものである。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は、グロー放電プラズマを用いて基板上
にイントリシツク型（ｉ型）の非晶質薄膜を形成
する方法において、グロー放電開始時から少なく
とも30秒間、反応ガス圧力を定常時の反応ガス圧
力（約1.0torr）の40〜60％とし、遅くとも５分
間以内に反応ガス圧力を定常時の反応ガス圧力に
することを特徴とする非晶質薄膜の形成方法であ
る。 ［作用］ 本発明では、非晶質薄膜の形成に際してグロー
放電開始時から少なくとも30秒間反応ガス圧力を
定常時の反応ガス圧力（約1.0torr）の40〜60％
とすることによつて、初期プラズマの過渡状態で
のSiHラジカル濃度の上昇が防止される。また、
遅くとも５分間以内にガス圧力を定常時の反応ガ
ス圧力にすることによつて、成膜速度の低下が防
止される。 ［発明の実施例］ 以下、本発明の実施例を前述した第３図のプラ
ズマCVD装置及び第１図を参照して説明する。 まず、従来と同様な方法により予めｐ層を形成
した基板１を支持台１６上に載置し、真空ポンプ
１５を作動して反応容器１１内を排気しながらシ
ランガス（SiH4）を導入管１８を通して反応容
器１１に導入した後、ヒータ１７により基板１を
加熱しながら高周波電源１４により電極１２，１
３間に例えは13.5MHzの高周波電圧を印加し、グ
ロー放電プラズマを発生させた。この時、第１図
に示すように放電開始から60秒間までは反応ガス
圧力を0.6torr以下に保持し、この後反応ガス圧
力を定常状態（1torr）まで上げて基板のｐ層上
にｉ層を形成した。次いで、ｉ層上に従来と同様
な方法によりｎ層を形成し、更にこのｎ層上に薄
膜電極を形成してアモルフアス太陽電池を製造し
た。 比較例 まず、従来と同様な方法により予めｐ層を形成
した基板１を支持台１６上に載置し、真空ポンプ
１５を作動して反応容器１１内を排気しながらシ
ランガス（SiH4）を導入管１８を通して反応容
器１１に導入した後、ヒータ１７により基板１を
加熱しながら高周波電源１４より電極１２，１３
間に例えば13.5MHzの高周波電圧を印加し、グロ
ー放電プラズマを発生させた。この時、放電開始
から成膜終了まで反応ガスを定常状態（1torr）
に制御し、前記基板のｐ層上にｉ層を形成した。
次いで、ｉ層上に従来と同様な方法によりｎ層を
形成し、さらにこのｎ層上に薄膜電極を形成して
アモルフアス太陽電池を製造した。 しかして、本実施例および比較例の太陽電池に
ついて特性を比較したところ、下記表に示す結果
を得た。
【表】
上表から明らかなように本実施例の太陽電池で
は、曲線因子及び短絡電流が改善され、比較例に
比べて変換効率が約７％改善されることがわか
る。 なお、本発明において初期の反応ガス圧力を定
常時のそれの40％未満にすると、成膜速度が低下
して荷電粒子の影響を受け易くなり、かといつて
初期の反応ガス圧力が定常時のそれの60％を越え
ると、ゆらぎを抑えるに充分なSiHラジカル濃度
を低くすることができない。 一方、反応ガス圧力を前記範囲に抑える時間は
30秒間未満では初期プラズマの影響を抑制するこ
とができない。また、反応ガス圧力を前記範囲に
抑える時間が５分間を越えると、性能の向上はな
い。このため、生産性の問題又は不純物の熱拡散
による素子劣化を考慮すると、放電開始時から５
分間が経過する前に反応ガス圧力を定常状態まで
上げて膜形成スピードを早めた方がよいと思われ
る。 ［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明によれば膜形成時に
おける初期プラズマの影響を抑制してゆらぎのな
い均一な膜質にすることができ、ひいては太陽電
池、薄膜半導体、電子写真感光体や光センサ等の
各種の電子デバイスに好適な非晶質薄膜の形成方
法を提供できる。
は、曲線因子及び短絡電流が改善され、比較例に
比べて変換効率が約７％改善されることがわか
る。 なお、本発明において初期の反応ガス圧力を定
常時のそれの40％未満にすると、成膜速度が低下
して荷電粒子の影響を受け易くなり、かといつて
初期の反応ガス圧力が定常時のそれの60％を越え
ると、ゆらぎを抑えるに充分なSiHラジカル濃度
を低くすることができない。 一方、反応ガス圧力を前記範囲に抑える時間は
30秒間未満では初期プラズマの影響を抑制するこ
とができない。また、反応ガス圧力を前記範囲に
抑える時間が５分間を越えると、性能の向上はな
い。このため、生産性の問題又は不純物の熱拡散
による素子劣化を考慮すると、放電開始時から５
分間が経過する前に反応ガス圧力を定常状態まで
上げて膜形成スピードを早めた方がよいと思われ
る。 ［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明によれば膜形成時に
おける初期プラズマの影響を抑制してゆらぎのな
い均一な膜質にすることができ、ひいては太陽電
池、薄膜半導体、電子写真感光体や光センサ等の
各種の電子デバイスに好適な非晶質薄膜の形成方
法を提供できる。
第１図は本発明の実施例における反応ガス圧力
と時間との関係を示す線図、第２図は一般的なア
モルフアスシリコン太陽電池を示す概略図、第３
図は一般的なプラズマCVD装置を示す概略図で
ある。 １……基板、３……ｐ層、４……ｉ層、５……
ｎ層、１１……反応容器、１２，１３……電極、
１４……高周波電源、１６……支持台。
と時間との関係を示す線図、第２図は一般的なア
モルフアスシリコン太陽電池を示す概略図、第３
図は一般的なプラズマCVD装置を示す概略図で
ある。 １……基板、３……ｐ層、４……ｉ層、５……
ｎ層、１１……反応容器、１２，１３……電極、
１４……高周波電源、１６……支持台。
Claims (1)
- １ グロー放電プラズマを用いて基板上にイント
リシツク型（ｉ型）の非晶質薄膜を形成する方法
において、グロー放電開始時から少なくとも30秒
間、反応ガス圧力を定常時の反応ガス圧力（約
1.0torr）の40〜60％とし、遅くとも５分間以内
に反応ガス圧力を定常時の反応ガス圧力にするこ
とを特徴とする非晶質薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61179148A JPS6336521A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 非晶質薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61179148A JPS6336521A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 非晶質薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6336521A JPS6336521A (ja) | 1988-02-17 |
| JPH0573248B2 true JPH0573248B2 (ja) | 1993-10-14 |
Family
ID=16060803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61179148A Granted JPS6336521A (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 非晶質薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6336521A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998007895A1 (fr) * | 1996-08-19 | 1998-02-26 | Citizen Watch Co., Ltd. | Procede de formation d'un filme de carbone dur sur la surface circonferentielle interne d'une bague de guidage |
| JP2008540070A (ja) * | 2005-04-29 | 2008-11-20 | ユニバーシティー オブ ロチェスター | 超薄多孔質ナノスケール膜、その製造方法および使用 |
-
1986
- 1986-07-30 JP JP61179148A patent/JPS6336521A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6336521A (ja) | 1988-02-17 |
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