JPS60251114A - 水素化ケイ素の製造方法 - Google Patents
水素化ケイ素の製造方法Info
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- JPS60251114A JPS60251114A JP10646184A JP10646184A JPS60251114A JP S60251114 A JPS60251114 A JP S60251114A JP 10646184 A JP10646184 A JP 10646184A JP 10646184 A JP10646184 A JP 10646184A JP S60251114 A JPS60251114 A JP S60251114A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、分子中に少なくとも一個の８１−Ｈ結合ある
いはＳニーＳよ結合を有する一般式５ｌｘＨｙＯ９（た
だしＸは１以上の正の整数、ｙおよびＺはそれぞれ２Ｘ
＋２．２ｘを越えない正の整数でありどちらか一方はＯ
でない）で表わされるケイ素化合物から、一般式Ｓｉ□
Ｈ３□＋２（ｔはＸ以下の正の整数）で表わされる水素
化ケイ素を製造する方法に関する。
いはＳニーＳよ結合を有する一般式５ｌｘＨｙＯ９（た
だしＸは１以上の正の整数、ｙおよびＺはそれぞれ２Ｘ
＋２．２ｘを越えない正の整数でありどちらか一方はＯ
でない）で表わされるケイ素化合物から、一般式Ｓｉ□
Ｈ３□＋２（ｔはＸ以下の正の整数）で表わされる水素
化ケイ素を製造する方法に関する。
近年エレクトロニクス工業の発展に伴い、多結晶シリコ
ンあるいはアモルファスシリコン等の半導体用シリコン
の需要が急激に増大している。水素化ケイ素はかかる半
導体用シリコンの製造原料として最近その重要性を増し
ており、特にシラン（Ｓ１Ｈ４）、ンシラン（Ｓｉ２Ｈ
６ンは太陽電池用半導体の原料として、今後大幅な需要
増加が期待されている。
ンあるいはアモルファスシリコン等の半導体用シリコン
の需要が急激に増大している。水素化ケイ素はかかる半
導体用シリコンの製造原料として最近その重要性を増し
ており、特にシラン（Ｓ１Ｈ４）、ンシラン（Ｓｉ２Ｈ
６ンは太陽電池用半導体の原料として、今後大幅な需要
増加が期待されている。
従来、水素化ケイ素の製造方法はいくつか知られている
が、それらの中でケイ化マグネシウムのとと春シリコン
合金と酸との反応によるたとえば下記式の方法は、特に
実施容易で経済的な方法として古くから知られでいる。
が、それらの中でケイ化マグネシウムのとと春シリコン
合金と酸との反応によるたとえば下記式の方法は、特に
実施容易で経済的な方法として古くから知られでいる。
一当、Ｓ工＋４ＨＣ７ユＬ殉Ｏｏｒ ｌｉＱ ”’ ２
Ｍ、ＯＺ、、 十ｊ／ｉ”１ｎＨ２ｎ＋２＋（１？、
） Ｈ２しかしながら、この方法においては、利用価値
の高いＳ工Ｈ４、Ｓｉ２Ｈ６以外にも高級７ランが相当
量生成し、また例えば、水を溶媒に用いた場合には、常
温常圧で反応が実施できるものの、Ｍｇ２Ｓｉ中のＳ□
の実に約半分もが一般式５ｉｐＨｑＯｒ（ここでｐは６
以上の正の整数、ｑおよびｒはそれぞれ２ｐ十２．２ｐ
を越えない正の整数で、どちらか一方はＯでない）で表
わされる無価値なケイ素化合物となってしまうため経済
性に乏しい。
Ｍ、ＯＺ、、 十ｊ／ｉ”１ｎＨ２ｎ＋２＋（１？、
） Ｈ２しかしながら、この方法においては、利用価値
の高いＳ工Ｈ４、Ｓｉ２Ｈ６以外にも高級７ランが相当
量生成し、また例えば、水を溶媒に用いた場合には、常
温常圧で反応が実施できるものの、Ｍｇ２Ｓｉ中のＳ□
の実に約半分もが一般式５ｉｐＨｑＯｒ（ここでｐは６
以上の正の整数、ｑおよびｒはそれぞれ２ｐ十２．２ｐ
を越えない正の整数で、どちらか一方はＯでない）で表
わされる無価値なケイ素化合物となってしまうため経済
性に乏しい。
この他ケイ素の・・ロゲン化物を還元して水素化ケイ素
を製造する方法を採用した場合においてもかなりの量の
高級シランが副生ずることが知られている。例えば、２
Ｓ、、Ｃ４−１−３ＬＩＡ荘。−一一づろＬ１Ｃ１＋
ＡｔＣｌ３＋ ２ Ｓよ２Ｈ６の反応によってＳ工２Ｈ
６を製造する場合においては、Ｓ工３Ｈ８などの高級シ
ランが相当量生成する。
を製造する方法を採用した場合においてもかなりの量の
高級シランが副生ずることが知られている。例えば、２
Ｓ、、Ｃ４−１−３ＬＩＡ荘。−一一づろＬ１Ｃ１＋
ＡｔＣｌ３＋ ２ Ｓよ２Ｈ６の反応によってＳ工２Ｈ
６を製造する場合においては、Ｓ工３Ｈ８などの高級シ
ランが相当量生成する。
一方高級シランＳ、、ＩＩＨ２ｍ＋、（ｍは２以上の正
の整数）は、加熱分解あるいは無声放電等によりその一
部をＳｉＨ，やｓ、Ｈ６に変え得ることが報告されてい
るか、そのＳｉＨ４、Ｓ工２Ｈ６への転化率はきわめて
低く未た不充分である。
の整数）は、加熱分解あるいは無声放電等によりその一
部をＳｉＨ，やｓ、Ｈ６に変え得ることが報告されてい
るか、そのＳｉＨ４、Ｓ工２Ｈ６への転化率はきわめて
低く未た不充分である。
本発明者らは、上記の点にかんがみ、鋭意検討したとこ
ろ従来法において副生ずる種々のケイ素化合物は大部分
５１ｘＨｙＯ２なる一般式で表現されるものであり、ま
たこれらのほとんどが分子中に少。
ろ従来法において副生ずる種々のケイ素化合物は大部分
５１ｘＨｙＯ２なる一般式で表現されるものであり、ま
たこれらのほとんどが分子中に少。
処理を施すことによって、高収率で所望の５１Ｈ４やＳ
□２Ｈ６等の水素化ケイ素に転化しうることを見い出し
た。
□２Ｈ６等の水素化ケイ素に転化しうることを見い出し
た。
本発明の目的は、上記のごとき従来法において副生ずる
種々のケイ素化合物（これらは分子中に少なくとも一個
のＳよ−Ｈ結合あるいはＳニー８１結合を有する一般式
ＳよｘＨｙＯ□で表わされるものである）を、ＳｉＨ４
、Ｓｉ、Ｈ６等の経済的に価値のある水素化ケイ素に高
収率で変換する方法を提供することである。
種々のケイ素化合物（これらは分子中に少なくとも一個
のＳよ−Ｈ結合あるいはＳニー８１結合を有する一般式
ＳよｘＨｙＯ□で表わされるものである）を、ＳｉＨ４
、Ｓｉ、Ｈ６等の経済的に価値のある水素化ケイ素に高
収率で変換する方法を提供することである。
本発明に従って分子中に少なくとも一個のＳよ−Ｈ結合
あるいはＳニーＳ□結合を有する一般式Ｓ工ｘＨｙＯ８
（ただしＸは１以上の正の整数、ｙおよび２はそれぞれ
２ｘ＋２．２ｘを越えない正の整数でありどちらか一方
はＯでなくまたＸ ＝ １の場合は２は０ではない）で
表わされるケイ素化合物を、一般式Ｍ（ＯＲ□）ｍ（Ｏ
Ｒ２）ｎ （ただしＭはアルカリ金属又はアルカリ土類
金属、ＲよおよびＲ３はアルキル基、アリール基、又は
これらの誘導基であって、Ｍがアルカリ土類金属の場合
には、Ｒ□＋Ｒ２のどちらか一方が水酸基でも良い。ｍ
およびｎは、Ｍがアルカリ金属の場合にはｍ−１、ｎ−
０、又Ｍがアルカリ土類金属の場合にはｍ＝ ２、ｎ
＝ Ｏあるいはｍ ＝ ｎ ＝ １である）で表わされ
るアルコラードと接触し反応させることにより、一般式
Ｓｉｌ”’２□や。
あるいはＳニーＳ□結合を有する一般式Ｓ工ｘＨｙＯ８
（ただしＸは１以上の正の整数、ｙおよび２はそれぞれ
２ｘ＋２．２ｘを越えない正の整数でありどちらか一方
はＯでなくまたＸ ＝ １の場合は２は０ではない）で
表わされるケイ素化合物を、一般式Ｍ（ＯＲ□）ｍ（Ｏ
Ｒ２）ｎ （ただしＭはアルカリ金属又はアルカリ土類
金属、ＲよおよびＲ３はアルキル基、アリール基、又は
これらの誘導基であって、Ｍがアルカリ土類金属の場合
には、Ｒ□＋Ｒ２のどちらか一方が水酸基でも良い。ｍ
およびｎは、Ｍがアルカリ金属の場合にはｍ−１、ｎ−
０、又Ｍがアルカリ土類金属の場合にはｍ＝ ２、ｎ
＝ Ｏあるいはｍ ＝ ｎ ＝ １である）で表わされ
るアルコラードと接触し反応させることにより、一般式
Ｓｉｌ”’２□や。
（ただしｔはＸ以下の１以上の正の整数）で表わされる
水素化ケイ素を製造する方法、が提供される。
水素化ケイ素を製造する方法、が提供される。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明において原料として用いられるケイ素化合物とは
、一般式Ｓ、ｘＨｙＯ２（ただしＸは１以上の正の整数
、ｙおよび２はそれぞれ２ｘ＋２１．２ｘを越えない正
の整数であシ、どちらか一方は０でない）で表わされる
ものであり、分子中に少なくとも一個のＳよ−Ｈ結合あ
るいはＳニーＳ、結合を含むものである。具体的には例
えば、ジシラン（Ｓ工、Ｈ６）（通常はジシランはそれ
自体有用であシ、転化の必要はないが、モノシランが特
に必要なときはジシラ／を原料としてモノシランとする
意義がある）、トリシラン（ｆ９１３Ｈｓ ）、ｎ−テ
トラシラン（Ｓよ４Ｈ１ｏ）、イソテトラシラン（臼□
４Ｈ□。）、シクロへキサシラン（Ｓ工。Ｈ１２）、ポ
リシレン（ＳｉＨ拘ｆｉ２元Ｓｉロプロシロキサン（Ｓ
１Ｈ２０）、ジシロキサン（Ｓ□２Ｈ６０）、トリンロ
キサン（Ｓ工３Ｈ８０２） 、テトランロキサン（５ｉ
４Ｈ］００３ ）、ンロキセン（（５ｉ２ＨｚＯ）ｎ）
などがあげられる。これらは単独でまたは２種以上混合
して用いることも可能である。またこれらは後述するよ
うにアルコール、エーテル、炭化水素あるいはハロゲン
化炭化水素などの希釈剤に溶解あるいはけん濁して使用
することも可能である。また、後記するごとく反応の相
系に応じて気相、液相、固相のいずれにおいても用い得
る。
、一般式Ｓ、ｘＨｙＯ２（ただしＸは１以上の正の整数
、ｙおよび２はそれぞれ２ｘ＋２１．２ｘを越えない正
の整数であシ、どちらか一方は０でない）で表わされる
ものであり、分子中に少なくとも一個のＳよ−Ｈ結合あ
るいはＳニーＳ、結合を含むものである。具体的には例
えば、ジシラン（Ｓ工、Ｈ６）（通常はジシランはそれ
自体有用であシ、転化の必要はないが、モノシランが特
に必要なときはジシラ／を原料としてモノシランとする
意義がある）、トリシラン（ｆ９１３Ｈｓ ）、ｎ−テ
トラシラン（Ｓよ４Ｈ１ｏ）、イソテトラシラン（臼□
４Ｈ□。）、シクロへキサシラン（Ｓ工。Ｈ１２）、ポ
リシレン（ＳｉＨ拘ｆｉ２元Ｓｉロプロシロキサン（Ｓ
１Ｈ２０）、ジシロキサン（Ｓ□２Ｈ６０）、トリンロ
キサン（Ｓ工３Ｈ８０２） 、テトランロキサン（５ｉ
４Ｈ］００３ ）、ンロキセン（（５ｉ２ＨｚＯ）ｎ）
などがあげられる。これらは単独でまたは２種以上混合
して用いることも可能である。またこれらは後述するよ
うにアルコール、エーテル、炭化水素あるいはハロゲン
化炭化水素などの希釈剤に溶解あるいはけん濁して使用
することも可能である。また、後記するごとく反応の相
系に応じて気相、液相、固相のいずれにおいても用い得
る。
本発明においてＳ工ＸＨｙＯ□と反応させる一般式Ｍ（
ＯＲ□）ｒｎ（ＯＲ２）ｎで表わされるアルコラードと
は、Ｍにて表示されるごとくアルカリ金属又はアルカリ
土類金属のアルコラードであり、アルカリ金属としては
リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウ
ム等があげられ、アルカリ土類金属としては、ベリリウ
ム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリ
ウム等があげられる。
ＯＲ□）ｒｎ（ＯＲ２）ｎで表わされるアルコラードと
は、Ｍにて表示されるごとくアルカリ金属又はアルカリ
土類金属のアルコラードであり、アルカリ金属としては
リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウ
ム等があげられ、アルカリ土類金属としては、ベリリウ
ム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリ
ウム等があげられる。
またＲよ＋ Ｒ２はアルキル基、アリール基またはこれ
らの誘導基であり、゛γアルキル基してはメチル、エチ
ル、ｌ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、Ｉ−ブ
チル、Ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ぺブチル、ネオペンチ
ル、イノペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチルノニ
ル、テンル、シクロプロピル、シクロイノチル、ノクロ
ヘキシル等がアケられ、了り一ル基としてはフェニル、
０−トルイル、ｍ −）ルイル、ｐ−トルイル、キノリ
ル、メンチル、クメニル、ベンノル、フェネチル、α−
メチルベ／ジル等があげられまたこれらの誘導基とけ上
記例示基がさらに、アルキル基；アリール基；フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素等ハロゲン基；水酸基；メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、インプロポキシ、ブトキシ等ア
ルコキシ基；フェノキシ、ヘンシロキシ等アリーロキシ
基；メチロール、エチロール等のヒドロキシアルキル基
等の置換基で置換されたものである。
らの誘導基であり、゛γアルキル基してはメチル、エチ
ル、ｌ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、Ｉ−ブ
チル、Ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ぺブチル、ネオペンチ
ル、イノペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチルノニ
ル、テンル、シクロプロピル、シクロイノチル、ノクロ
ヘキシル等がアケられ、了り一ル基としてはフェニル、
０−トルイル、ｍ −）ルイル、ｐ−トルイル、キノリ
ル、メンチル、クメニル、ベンノル、フェネチル、α−
メチルベ／ジル等があげられまたこれらの誘導基とけ上
記例示基がさらに、アルキル基；アリール基；フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素等ハロゲン基；水酸基；メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、インプロポキシ、ブトキシ等ア
ルコキシ基；フェノキシ、ヘンシロキシ等アリーロキシ
基；メチロール、エチロール等のヒドロキシアルキル基
等の置換基で置換されたものである。
なお、ｎがマグネシウムやカルシウム等のアルカリ土類
金属である場合は、Ｒよ＋Ｒ２のどちらか一方が水酸基
でもよい。また、ｍおよびｎは、Ｍがアルカリ金属の場
合はその一方が０、たとえばｍ＝１、ｍ＝Ｑであり、Ｍ
がアルカリ土類金属の場合はその一方が０たとえばｒｎ
＝ ２、ｎ ＝ Ｏであるかｍ ＝ ｎ ＝ ｉである
。
金属である場合は、Ｒよ＋Ｒ２のどちらか一方が水酸基
でもよい。また、ｍおよびｎは、Ｍがアルカリ金属の場
合はその一方が０、たとえばｍ＝１、ｍ＝Ｑであり、Ｍ
がアルカリ土類金属の場合はその一方が０たとえばｒｎ
＝ ２、ｎ ＝ Ｏであるかｍ ＝ ｎ ＝ ｉである
。
本発明で使用するアルコラードとして好ましいものを例
示すれば例えＶｉＬｌｏ（１！Ｈ３、Ｌ、ＯＣ２Ｈ５、
Ｌ□０ｉ−０５Ｔ私Ｌｉ０ｎ−Ｃ３”Ｆ ＸＬｉ０ｎ−
Ｃ４”ｌＳ Ｘ”１０ｎ−０５Ｈ１ｌ ＼”１０ｆｌ−
Ｃ８Ｈ１ｆｆ Ｎｂ１ｏＤ、 Ｈ０００回。、１１，０
乃０間３Ｌ、Ｏ乃−０Ｈ１Ｌ、Ｏ−／’）−０Ｈ３、Ｉ
＋１０＠−’ＩＣ３Ｈ７山唖旬Ｈ，Ｌ１０Ωｃｔ。
示すれば例えＶｉＬｌｏ（１！Ｈ３、Ｌ、ＯＣ２Ｈ５、
Ｌ□０ｉ−０５Ｔ私Ｌｉ０ｎ−Ｃ３”Ｆ ＸＬｉ０ｎ−
Ｃ４”ｌＳ Ｘ”１０ｎ−０５Ｈ１ｌ ＼”１０ｆｌ−
Ｃ８Ｈ１ｆｆ Ｎｂ１ｏＤ、 Ｈ０００回。、１１，０
乃０間３Ｌ、Ｏ乃−０Ｈ１Ｌ、Ｏ−／’）−０Ｈ３、Ｉ
＋１０＠−’ＩＣ３Ｈ７山唖旬Ｈ，Ｌ１０Ωｃｔ。
１、。心な３１０、。−ｏ−ｏ、−、。汐、１、。−一
°鳴Ｎａ０ＣＲ，、Ｎａ００２Ｈ５、Ｎａ０ｎ−Ｃ３Ｈ
７、Ｎ、０−ｉＣ３Ｈ，、ＮａＯ令ＯＣ’２Ｈａ ％
Ｎ、ＯＱＣＨ＠ＯＲ，Ｎ、０Ｑｃ２）（、ｏＨ％ｔ ＫＯＣＨ３、Ｋ００２Ｈ５、ＫＯｎ−０３Ｈ７、ＫＯｎ
−Ｃ５Ｈ，、Ｂｏ（ＯＣＲ，） ２、Ｂ、 （ＯＣ２Ｈ
５） ２、− Ｂ、（Ｏｎ−Ｃ３Ｈｖ） ２、Ｂｏ（０
−Ｑｌ）２、Ｂ、（ＯＨ） （ＯＣＲ，）、Ｍｇ （Ｏ
Ｈ） （ＯＣａＨ５） 、Ｍｇ （ＯＣＲ３） ２ 、
Ｍｇ （ＯＣ２Ｈ５）’２ 、Ｍｇ（Ｏｎ−Ｃ，Ａ３
ａ、０ａ（ＯＣ２Ｈ，） ２、Ｃａ（ＯＣ８Ｈ７）２、
Ｃａ（ＯＣＲ３） （００２Ｈ５）、％ （ＯＱ）ｇ
、”ｙ （ＯＣＨ３） ２ 、Ｂａ （ＯＣＨ３１２な
どがあけられる。
°鳴Ｎａ０ＣＲ，、Ｎａ００２Ｈ５、Ｎａ０ｎ−Ｃ３Ｈ
７、Ｎ、０−ｉＣ３Ｈ，、ＮａＯ令ＯＣ’２Ｈａ ％
Ｎ、ＯＱＣＨ＠ＯＲ，Ｎ、０Ｑｃ２）（、ｏＨ％ｔ ＫＯＣＨ３、Ｋ００２Ｈ５、ＫＯｎ−０３Ｈ７、ＫＯｎ
−Ｃ５Ｈ，、Ｂｏ（ＯＣＲ，） ２、Ｂ、 （ＯＣ２Ｈ
５） ２、− Ｂ、（Ｏｎ−Ｃ３Ｈｖ） ２、Ｂｏ（０
−Ｑｌ）２、Ｂ、（ＯＨ） （ＯＣＲ，）、Ｍｇ （Ｏ
Ｈ） （ＯＣａＨ５） 、Ｍｇ （ＯＣＲ３） ２ 、
Ｍｇ （ＯＣ２Ｈ５）’２ 、Ｍｇ（Ｏｎ−Ｃ，Ａ３
ａ、０ａ（ＯＣ２Ｈ，） ２、Ｃａ（ＯＣ８Ｈ７）２、
Ｃａ（ＯＣＲ３） （００２Ｈ５）、％ （ＯＱ）ｇ
、”ｙ （ＯＣＨ３） ２ 、Ｂａ （ＯＣＨ３１２な
どがあけられる。
これらは固形物としても用いられるが、通常はアルコー
ルなどの一般式ｈ３ｏｎ （ただしＲ３はアルキル基、
アリール基、又はこれらの誘導基）で表わされるアルコ
ール；ぺ／タン、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トル
エンなどの飽和炭化水素；あるいはジエチルエーテル、
ジｎ−プチルエーテルなどのエーテル化合物等の溶液あ
るいはけん濁液として用いることが望ましい。さらに好
ましい実施の態様としてはアルコラードを特定の固体（
担体）表面に担持させて使用することもできる。
ルなどの一般式ｈ３ｏｎ （ただしＲ３はアルキル基、
アリール基、又はこれらの誘導基）で表わされるアルコ
ール；ぺ／タン、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トル
エンなどの飽和炭化水素；あるいはジエチルエーテル、
ジｎ−プチルエーテルなどのエーテル化合物等の溶液あ
るいはけん濁液として用いることが望ましい。さらに好
ましい実施の態様としてはアルコラードを特定の固体（
担体）表面に担持させて使用することもできる。
すなわち、担体として、系内におけるいかなる物例えば
活性炭；グラファイト；あるいはＭ２Ｏ、ＣａＯ１５１
０２、ＴｌＯ２、ＺｎＯ１Ａｔ２０３、ｚｒＯ２，５１
ｏ２−Ａ４ｏ３、Ｔ、０２−８１０２ などの金属酸化
物；あるいはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチ
レン、ポリ塩化ビニルなどの有機高分子などを使用し、
この表面にアルコラードを分散あるいは担持させて用い
る方法も時には有効である。
活性炭；グラファイト；あるいはＭ２Ｏ、ＣａＯ１５１
０２、ＴｌＯ２、ＺｎＯ１Ａｔ２０３、ｚｒＯ２，５１
ｏ２−Ａ４ｏ３、Ｔ、０２−８１０２ などの金属酸化
物；あるいはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチ
レン、ポリ塩化ビニルなどの有機高分子などを使用し、
この表面にアルコラードを分散あるいは担持させて用い
る方法も時には有効である。
これら、アルコラードは２種類以上同時に用いることも
可能であり、又その使用量は、該高級ケイ素化合物中の
ケイ素に対して０．００００１乃至１００倍モル、好ま
しくは０．０１乃至１０倍モルの範囲である。アルコラ
ードの使用量がｏ、 ｏｏｏｏｉモル比未満であると反
応速度がきわめて遅くなり、したがつて通常の反応時間
では転化率が低すぎて実際的でなく、また１００倍モル
を越えて使用した場合は反応が過度に加速され生成目的
物自体がさらに分解する傾向が無視できなくなる。
可能であり、又その使用量は、該高級ケイ素化合物中の
ケイ素に対して０．００００１乃至１００倍モル、好ま
しくは０．０１乃至１０倍モルの範囲である。アルコラ
ードの使用量がｏ、 ｏｏｏｏｉモル比未満であると反
応速度がきわめて遅くなり、したがつて通常の反応時間
では転化率が低すぎて実際的でなく、また１００倍モル
を越えて使用した場合は反応が過度に加速され生成目的
物自体がさらに分解する傾向が無視できなくなる。
本発明は要するに、上記のごとき原料たるケイ素化合物
をアルコラードと接触させ、おそらくそのある種の触媒
的機構を通じて反応せしめて所望の水素化ケイ素へと転
化せしめるものであって、基本的には、ケイ素化合物と
アルコラードを気相、液相、固相（気−固、液−同等異
相系反応も含む）のいずれかの状態で接触させることに
よって反応は実質的に進行する。しかしながら、より反
応をスムースに進行させたシ、速度のよシ容易な制御や
取り扱いの便宜上、反応系内に水あるいは一般式Ｒ３０
Ｈ（Ｒ３は前記した意義を有する）で表わされるアルコ
ールもしくは硫化水素やアミンを存在せしめることが好
ましい。かかるアルコール等は前述のごとく原料ケイ素
化合物やアルコラードの溶媒またはケン濁媒体として溶
液等の形で系内に導入してもよいし、またこれを蒸気の
形で系内に一環式してもよい。
をアルコラードと接触させ、おそらくそのある種の触媒
的機構を通じて反応せしめて所望の水素化ケイ素へと転
化せしめるものであって、基本的には、ケイ素化合物と
アルコラードを気相、液相、固相（気−固、液−同等異
相系反応も含む）のいずれかの状態で接触させることに
よって反応は実質的に進行する。しかしながら、より反
応をスムースに進行させたシ、速度のよシ容易な制御や
取り扱いの便宜上、反応系内に水あるいは一般式Ｒ３０
Ｈ（Ｒ３は前記した意義を有する）で表わされるアルコ
ールもしくは硫化水素やアミンを存在せしめることが好
ましい。かかるアルコール等は前述のごとく原料ケイ素
化合物やアルコラードの溶媒またはケン濁媒体として溶
液等の形で系内に導入してもよいし、またこれを蒸気の
形で系内に一環式してもよい。
々お、具体的には最も実施し易い方法として、例えば以
下のような方法を採用できる。
下のような方法を採用できる。
（１）ケイ素化合物を溶解あるいはけん濁させた液中に
、溶液状態にあるアルコラードを加え、液相にて反応さ
せる方法。
、溶液状態にあるアルコラードを加え、液相にて反応さ
せる方法。
（２）固体状態、あるいは溶媒中に溶解又はけん濁させ
たアルコラードに、ガス状のケイ素化合物を流通させる
方法。
たアルコラードに、ガス状のケイ素化合物を流通させる
方法。
しかしながら本発明は、これらの方法に限定されるもの
でないことはもちろんである。
でないことはもちろんである。
この場合用いられる溶媒としては、水、アルコールのほ
かに例えばケイ素化合物に対する溶解性にすぐれている
エーテル、炭化水素、・・ロゲン化炭化水素などがあげ
られる。更に具体的には、ジエチルエーテノペ７−ｎ−
ブチルエーテル、エチル−１−クロルエチルエーテル、
エチレンクリコールジメチルエーテル、テト贅ヒドロフ
ラン、ジオキサン、ジフェニルエーテル、１，１−７エ
トキシエタノ、アニソール、ブタン、ペンタン、ヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン、１−ヘプタン、シクロヘキサ
ン、シクロヘキサン、トルエン、塩化メチル、三フッ化
三塩化エタン、二フッ化エタン、四フッ化二塩化エタン
、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピル
アルコール、クリセリン、フェノール、シリコーンオイ
ルなどがアケられる。これらは２種以上混合して用いる
こともでき、少量の水あるいはアルコールを含有してい
ることが好ましい。
かに例えばケイ素化合物に対する溶解性にすぐれている
エーテル、炭化水素、・・ロゲン化炭化水素などがあげ
られる。更に具体的には、ジエチルエーテノペ７−ｎ−
ブチルエーテル、エチル−１−クロルエチルエーテル、
エチレンクリコールジメチルエーテル、テト贅ヒドロフ
ラン、ジオキサン、ジフェニルエーテル、１，１−７エ
トキシエタノ、アニソール、ブタン、ペンタン、ヘキサ
ン、ヘプタン、オクタン、１−ヘプタン、シクロヘキサ
ン、シクロヘキサン、トルエン、塩化メチル、三フッ化
三塩化エタン、二フッ化エタン、四フッ化二塩化エタン
、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピル
アルコール、クリセリン、フェノール、シリコーンオイ
ルなどがアケられる。これらは２種以上混合して用いる
こともでき、少量の水あるいはアルコールを含有してい
ることが好ましい。
本発明を実施する場合の反応濡髪については特に制限は
ないが好ましくは０乃至１００℃である。
ないが好ましくは０乃至１００℃である。
なお、液相で行なう場合には室温にても反応は充分進行
する。ただし、反応温度、反応時間（接触時間）、反応
様式等の反応条件は、目的とする生成水素化ケイ素が該
アルコラ−トによってできるだけ分解しないよう考慮し
て選択する必要がある。
する。ただし、反応温度、反応時間（接触時間）、反応
様式等の反応条件は、目的とする生成水素化ケイ素が該
アルコラ−トによってできるだけ分解しないよう考慮し
て選択する必要がある。
例えばＳよＨ４、”１２Ｈ６の製造を目的とする場合に
は、これらのフラン類も該水酸化物によって更に分解す
るためか、接触時間があまりに長過ぎると５ＩＨ４，５
０２Ｈ６の収率が再ひ低下し好ましくない。
は、これらのフラン類も該水酸化物によって更に分解す
るためか、接触時間があまりに長過ぎると５ＩＨ４，５
０２Ｈ６の収率が再ひ低下し好ましくない。
反応中に用いる雰囲気ガスとしては、該ケイ素化合物あ
るいは水素化ケイ素と反応しないものが望捷しく、例え
ば水素、ヘリウム、アルゴン、チノ素などが好適なもの
としてあげられる。又本反応は通常、常圧下にて行なう
が、加圧下にても行ない得る。
るいは水素化ケイ素と反応しないものが望捷しく、例え
ば水素、ヘリウム、アルゴン、チノ素などが好適なもの
としてあげられる。又本反応は通常、常圧下にて行なう
が、加圧下にても行ない得る。
〔発明を実施するための好ましい形態〕以下、本発明を
実施例によってより具体的に説明する。
実施例によってより具体的に説明する。
〈実施例１〉
容量４ｔのセパラブルフラスコに、濃度２０ｗｔ％の塩
酸液２ｔ、ジエチルエーテル３００ ｆ／を装入した。
酸液２ｔ、ジエチルエーテル３００ ｆ／を装入した。
水素ガス雰囲気中、上記混合液が還流している条件下（
反応温度３５℃）で更にケイ化マグネシウム６０ｆＰを
（粒度１００乃至２００メッシュ、７８２ ｍｍｏｔ−
８よ）攪拌しながら２００分かけて、０３＠／ｍｉｎの
一定速度で加え続けた。反応終了後（ケイ化マグネシウ
ム投入終了後）、反応液を０℃に冷却し、静置後、ジエ
チルエーテル層約０．４ｔを分離した。反応器中の酸性
水溶液は８０℃にまで昇温し、溶解している少量のジエ
チルエーテルを追出し、上記二層分離したジエチルエー
テル層と混合した。反応中、二層分離および酸性水溶液
の加熱処理の操作の間に生成したガスは初め一７０℃に
冷却したジエチルエーテルの入ったトラップ（トラップ
（Ｉ））にて、次に液体チン素温度で冷却したトラップ
（トラップ（■））にて捕集した。
反応温度３５℃）で更にケイ化マグネシウム６０ｆＰを
（粒度１００乃至２００メッシュ、７８２ ｍｍｏｔ−
８よ）攪拌しながら２００分かけて、０３＠／ｍｉｎの
一定速度で加え続けた。反応終了後（ケイ化マグネシウ
ム投入終了後）、反応液を０℃に冷却し、静置後、ジエ
チルエーテル層約０．４ｔを分離した。反応器中の酸性
水溶液は８０℃にまで昇温し、溶解している少量のジエ
チルエーテルを追出し、上記二層分離したジエチルエー
テル層と混合した。反応中、二層分離および酸性水溶液
の加熱処理の操作の間に生成したガスは初め一７０℃に
冷却したジエチルエーテルの入ったトラップ（トラップ
（Ｉ））にて、次に液体チン素温度で冷却したトラップ
（トラップ（■））にて捕集した。
次に二層分離後のジエチルエーテル層および（・ランプ
（Ｉ）中のエーテルを混合したものを、実段数約３段の
蒸留塔にて蒸留し、５１Ｈ４、Ｓ□２Ｈ６を蒸留分離し
、ＳＩＨ，、（ｂｐ、−１１２℃）、Ｓ工２Ｈ６（ｂｐ
、 １４５℃）を液体チン素温度で冷却したトラップ（
Ｉｆ）中に追加、捕集した。トラップ（ＩＩ）および蒸
留後のジエチルエーテル層に残ったＳよＨ４、Ｓ、２Ｈ
６、Ｓ工３ ＨＢ、Ｓ、、Ｈ□。の量は、ガスクロマト
グラフにより分析、定量した。
（Ｉ）中のエーテルを混合したものを、実段数約３段の
蒸留塔にて蒸留し、５１Ｈ４、Ｓ□２Ｈ６を蒸留分離し
、ＳＩＨ，、（ｂｐ、−１１２℃）、Ｓ工２Ｈ６（ｂｐ
、 １４５℃）を液体チン素温度で冷却したトラップ（
Ｉｆ）中に追加、捕集した。トラップ（ＩＩ）および蒸
留後のジエチルエーテル層に残ったＳよＨ４、Ｓ、２Ｈ
６、Ｓ工３ ＨＢ、Ｓ、、Ｈ□。の量は、ガスクロマト
グラフにより分析、定量した。
トラップ（ＩＩ）およびジエチルエーテル層中のシラ／
類の量は以下に示す値であった。
類の量は以下に示す値であった。
またジエチルエーテル層中のＳｉ量を比色分析したとこ
ろ含有蓋３２７ｍｍｏｔであった。また工Ｒスペクトル
により、該ケイ素化合物中にＦｉｓ、−ｓ、結合、＋３
．−Ｈ結合の他に５ｌ−Ｏ−Ｓ、結合も相当量存在する
ことが認められた。これに更にジエチルエーテルを追加
し、ジエチルエーテル浴１（１）０．５ｔ（含水＠ １
． Ｉ ｗｔ％ ）を得た。この溶液（１）中のｓ１濃
度は口６５５ｔｒｒｎｏｔ Ｂｉａｔｍ／ｘｄｓｏ１ｎ
、また８１．Ｈ８，５ｉ４ＨＩＯの濃度はそれぞれ０．
０３９ｒｒｒｎｏｔ／ｄ ｓｏ ’Ｉｎ 、 ０．０２
４ｒｒｒｎｏｔ／ｌｘ／！５ｏｌｎ、であった。
ろ含有蓋３２７ｍｍｏｔであった。また工Ｒスペクトル
により、該ケイ素化合物中にＦｉｓ、−ｓ、結合、＋３
．−Ｈ結合の他に５ｌ−Ｏ−Ｓ、結合も相当量存在する
ことが認められた。これに更にジエチルエーテルを追加
し、ジエチルエーテル浴１（１）０．５ｔ（含水＠ １
． Ｉ ｗｔ％ ）を得た。この溶液（１）中のｓ１濃
度は口６５５ｔｒｒｎｏｔ Ｂｉａｔｍ／ｘｄｓｏ１ｎ
、また８１．Ｈ８，５ｉ４ＨＩＯの濃度はそれぞれ０．
０３９ｒｒｒｎｏｔ／ｄ ｓｏ ’Ｉｎ 、 ０．０２
４ｒｒｒｎｏｔ／ｌｘ／！５ｏｌｎ、であった。
一１５℃に設定した還流コンデンサーを取付けた内容積
約５０−の反応器に、上記のケイ本化合物を含むジエチ
ルエーテル溶液（【）を１０ｍ＃装入し、その後Ｎａ０
０２Ｈ５のエチルアルコール＃ 液（Ｎａ００ａＨａの
濃度３． Ｂ ｗｔ％） １．５ ａｔを加え、′４温
下にて反応を行なった。反応は攪拌しながら行ない、ま
た雰囲気ガスは水素とし、生成したガスは液体チン素温
度で冷却したトラップ中に捕集した。１時間後反応を停
止し、トラップ中のＳｉＨ４、Ｓ工２Ｈ６の量をガスク
ロマトグラフにより分析、定量した。
約５０−の反応器に、上記のケイ本化合物を含むジエチ
ルエーテル溶液（【）を１０ｍ＃装入し、その後Ｎａ０
０２Ｈ５のエチルアルコール＃ 液（Ｎａ００ａＨａの
濃度３． Ｂ ｗｔ％） １．５ ａｔを加え、′４温
下にて反応を行なった。反応は攪拌しながら行ない、ま
た雰囲気ガスは水素とし、生成したガスは液体チン素温
度で冷却したトラップ中に捕集した。１時間後反応を停
止し、トラップ中のＳｉＨ４、Ｓ工２Ｈ６の量をガスク
ロマトグラフにより分析、定量した。
Ｓ□Ｈ，、Ｓ工２Ｈ６の量は、それぞれ１．８１ ｍｍ
ｏ ｔ。
ｏ ｔ。
０．３８ ｒｒｍｏ ｔで、これは反応液として用いた
ジエチルエーテル中のケイ素の３４．４ ％に相当する
。またＳ、Ｈ，とＳ□２Ｈ６の生成割合は、ケイ素アト
ムベースで（５ＩＨ４／ 、、Ｈ６＝ ２．３８ ）で
あった。
ジエチルエーテル中のケイ素の３４．４ ％に相当する
。またＳ、Ｈ，とＳ□２Ｈ６の生成割合は、ケイ素アト
ムベースで（５ＩＨ４／ 、、Ｈ６＝ ２．３８ ）で
あった。
〈実施例２乃至７〉
実施例１において、ＮａＯＣ２Ｈ５のかわシに、Ｌ１０
Ｃ２Ｈ６のエタノール溶′ｇＩｊ、（Ｌ□ＯＣ２Ｈ５の
濃度０２８ｗｔ％ ） ｔ ５ｍ＃ＸＫＯｃ２Ｈ５のエ
タノール溶液（ＫＯＣ２Ｈ６の濃度４．２ ｗｔ％）
１．５ｒｒｔｌＸＮａＯＯＨ３のメタノール溶液（Ｎａ
ＯＣＨ３の濃度４．２ ｗｔ％） １．１ ｔｕｌ。
Ｃ２Ｈ６のエタノール溶′ｇＩｊ、（Ｌ□ＯＣ２Ｈ５の
濃度０２８ｗｔ％ ） ｔ ５ｍ＃ＸＫＯｃ２Ｈ５のエ
タノール溶液（ＫＯＣ２Ｈ６の濃度４．２ ｗｔ％）
１．５ｒｒｔｌＸＮａＯＯＨ３のメタノール溶液（Ｎａ
ＯＣＨ３の濃度４．２ ｗｔ％） １．１ ｔｕｌ。
Ｍｇ（ＯＣＨ３）２のメタノール溶液（Ｍｇ（ＯＣＨ２
）２の濃度６、７ ｗｔ％ ） １．１ ｒＩＬｆ ｃ
ａ（ＯＣＨ３）２のメタノール溶液（Ｃａ（ＯＣＨ３）
２の濃度６．７ ｗｔ％）１１罰、Ｎａ０−１ｃ３１（
７のイソプロパツール溶Ｑ （ＮａＯニーＣ３Ｈ，７の
濃度３６ｗｔ％）１．６ｍｌを用いた以外は、実施例１
と同様に実験を行なった。
）２の濃度６、７ ｗｔ％ ） １．１ ｒＩＬｆ ｃ
ａ（ＯＣＨ３）２のメタノール溶液（Ｃａ（ＯＣＨ３）
２の濃度６．７ ｗｔ％）１１罰、Ｎａ０−１ｃ３１（
７のイソプロパツール溶Ｑ （ＮａＯニーＣ３Ｈ，７の
濃度３６ｗｔ％）１．６ｍｌを用いた以外は、実施例１
と同様に実験を行なった。
結果を第１表に示す。
〈実施例８〉
実施例１において用いたジエチルエーテル溶液（１）を
モレキュラシープ−５ｈＫて脱水処理し、Ｓ１濃度０．
６４７ ｍｍｏｔｓｉａｔｍ／ｍｔｓｏｔｎのジエチル
エーテル溶液（ｎ）を得た。実施例１においてジエチル
エーテル溶液（１）のかわりに、ジエチルエーテル溶液
（ＩＩ）を用い、又Ｎ、０Ｏ８Ｈ，の０２Ｈ５０Ｈ溶液
（Ｎａ００２Ｈ。
モレキュラシープ−５ｈＫて脱水処理し、Ｓ１濃度０．
６４７ ｍｍｏｔｓｉａｔｍ／ｍｔｓｏｔｎのジエチル
エーテル溶液（ｎ）を得た。実施例１においてジエチル
エーテル溶液（１）のかわりに、ジエチルエーテル溶液
（ＩＩ）を用い、又Ｎ、０Ｏ８Ｈ，の０２Ｈ５０Ｈ溶液
（Ｎａ００２Ｈ。
の濃度４．５ ｗｔ％ ） １． Ｏｉｕを用いた以外
は実施例１と同様に実験を行なった。
は実施例１と同様に実験を行なった。
結果を第１表に示す。
〈実施例９乃至１２〉
実施例１において、Ｎａ０（！２Ｈ，溶液のかわりにＮ
ａ０ＣＨ３、Ｍｇ （ＯＣ２Ｈ６） ２ 、Ｍｇ（Ｑｃ
Ｈ５ン（０乃 ） １、ｇ（０−ＱｃＨ）２ｅソレソｔ
Ｌ１．０ｗｔ％、２． Ｑ ｗｔ％、１０ ｗｔ％、３
． Ｏｗｔｆｔ含むベンゼンのスラリー液をそれぞれｔ
ｏｍＪとエチルアルコール１．５ｍ＃を、ジエチルエー
テル溶液（１）に加えた一具外は実施例１と同様に実験
を行なった。
ａ０ＣＨ３、Ｍｇ （ＯＣ２Ｈ６） ２ 、Ｍｇ（Ｑｃ
Ｈ５ン（０乃 ） １、ｇ（０−ＱｃＨ）２ｅソレソｔ
Ｌ１．０ｗｔ％、２． Ｑ ｗｔ％、１０ ｗｔ％、３
． Ｏｗｔｆｔ含むベンゼンのスラリー液をそれぞれｔ
ｏｍＪとエチルアルコール１．５ｍ＃を、ジエチルエー
テル溶液（１）に加えた一具外は実施例１と同様に実験
を行なった。
結果を第１表に示す。
〈実施例１６〉
ＮａＯＣＨ３のメタノール溶液（ＮａＯＣＨ３の濃度１
５ｗｔ％ ） １００ ｗｉｌ中にシリカ（比表面積２
１０ ｍ” ／ｙ ） １０７を入れ、−昼夜放置した
。その後メタノール液を分離沢過し、更に室温にて１時
間減圧乾燥した。
５ｗｔ％ ） １００ ｗｉｌ中にシリカ（比表面積２
１０ ｍ” ／ｙ ） １０７を入れ、−昼夜放置した
。その後メタノール液を分離沢過し、更に室温にて１時
間減圧乾燥した。
得られた白色固形物中のナトリウム担持量は１２１ｗｔ
ヂであった。
ヂであった。
次に実施例７で用いたジエチルエーテル溶液＜ＩＩ）１
０ｍｇに、上記の白色固形物１２とエチルアルコール１
．５ｉＪを加え、実施例１におけると同様に実験を行な
った。
０ｍｇに、上記の白色固形物１２とエチルアルコール１
．５ｉＪを加え、実施例１におけると同様に実験を行な
った。
結果を第１表に示す。
〈実施例１４．１５〉
実施例１において、ケイ化マグネシウムと塩酸との反応
をジエチルエーテルのかわシに、ジオキサン、四フッ化
二塩化エタンを用いて行ない、それぞれ下記に示すケイ
素化合物の溶液を得た。
をジエチルエーテルのかわシに、ジオキサン、四フッ化
二塩化エタンを用いて行ない、それぞれ下記に示すケイ
素化合物の溶液を得た。
実施例１において、ジエチルエーテル溶液（１）のかわ
りにそれぞれ上記の溶液１０ｄとメチルアルコール１．
１ ｔｎｌの混合液を用いた以外は実施例１と同様に実
験を行なった。
りにそれぞれ上記の溶液１０ｄとメチルアルコール１．
１ ｔｎｌの混合液を用いた以外は実施例１と同様に実
験を行なった。
結果を第１表に示す。
〈実施例１６．１７．１８ ）
実施例１において、ジエチルエーテル溶１（Ｉ）のかわ
りに、５１３Ｈ８，５ｉ４Ｈｘｏおよび５１Ｔ（３０Ｓ
、Ｈ３０Ｂ、）１３をそれぞれ０．２３４ｔｒｍｏｔ／
ｍ１ｓｏｌｎ 、０．１６４ｒｒｒｎｏｔ／ｍ１ｓｏｌ
ｎ 、 ０．２５３ｒｎｍｏｔ／ｍＡｓｏｔｎ 、の濃
度で甘むジエチルエーテル溶液１０ｄ（含水菫ｔ Ｏｗ
ｔ％）を用いた以外は実施例１と同様に実験を行なった
。
りに、５１３Ｈ８，５ｉ４Ｈｘｏおよび５１Ｔ（３０Ｓ
、Ｈ３０Ｂ、）１３をそれぞれ０．２３４ｔｒｍｏｔ／
ｍ１ｓｏｌｎ 、０．１６４ｒｒｒｎｏｔ／ｍ１ｓｏｌ
ｎ 、 ０．２５３ｒｎｍｏｔ／ｍＡｓｏｔｎ 、の濃
度で甘むジエチルエーテル溶液１０ｄ（含水菫ｔ Ｏｗ
ｔ％）を用いた以外は実施例１と同様に実験を行なった
。
結果を給１表に示す。
〈実施例１９〉
実施例１３で用いたシリカゲルにＮａＯＣＨ３を担持さ
せた固形物５２を充填させた反応管（１０φ×５０）に
、水素ガスで希釈したＳ工３Ｈ８のガス（ｔｋ Ｗ ５
５Ｖｏｗ、％）およびエチルアルコール（濃度ｓ ｖｏ
ｌ、％ ）のガスをそれぞれ’１． Ｏｍｍｏ！、／ｈ
ｒ、 １．０ｒｒｍ０７／ｈｒの一定速度で、室温下に
て５時間流通させた。生成ガスは液体チノ素温度で冷却
したトラップ中に捕集し、反応終了後ガスクロマトグラ
フによシ５ＩＨ４、Ｓ、２Ｈ６の量を定量した。
せた固形物５２を充填させた反応管（１０φ×５０）に
、水素ガスで希釈したＳ工３Ｈ８のガス（ｔｋ Ｗ ５
５Ｖｏｗ、％）およびエチルアルコール（濃度ｓ ｖｏ
ｌ、％ ）のガスをそれぞれ’１． Ｏｍｍｏ！、／ｈ
ｒ、 １．０ｒｒｍ０７／ｈｒの一定速度で、室温下に
て５時間流通させた。生成ガスは液体チノ素温度で冷却
したトラップ中に捕集し、反応終了後ガスクロマトグラ
フによシ５ＩＨ４、Ｓ、２Ｈ６の量を定量した。
結果を第１表に示す。
〈実施例２０〉
一１５℃に設定した還流コンテツサーを取付けた内容積
２００ｍ１の反応容器に、ペン２フ１００ｍ／、メチル
アルコール１． Ｏｍｆ ＮａＯＣＨ３０，１ｆを含む
液を入れ、これに水素ガスで希釈したＳ、３Ｈ８のカス
（濃度５．５ ｖｏｌ、％）を１．０ ｒｒｍｏ ｔ／
／Ｉ］ｒの一定速度で、室温下にて５時間吹込み反応を
行なった。生成したガスは液体チノ素昌度で冷却したト
ラップ中に捕集し、反応後５ｉＨａ 、５ｊ２Ｈａの量
をカスクロマトグラフにより分析、定量した。
２００ｍ１の反応容器に、ペン２フ１００ｍ／、メチル
アルコール１． Ｏｍｆ ＮａＯＣＨ３０，１ｆを含む
液を入れ、これに水素ガスで希釈したＳ、３Ｈ８のカス
（濃度５．５ ｖｏｌ、％）を１．０ ｒｒｍｏ ｔ／
／Ｉ］ｒの一定速度で、室温下にて５時間吹込み反応を
行なった。生成したガスは液体チノ素昌度で冷却したト
ラップ中に捕集し、反応後５ｉＨａ 、５ｊ２Ｈａの量
をカスクロマトグラフにより分析、定量した。
結果を第１表に示す。
〈比較例１〉
実施例１において、ＮａＯＣＨ３のエチルアルコール溶
液のかわりに、エチルアルコール１．５ｍｌを用いた以
外は実施例１と同様に実験を行なった。
液のかわりに、エチルアルコール１．５ｍｌを用いた以
外は実施例１と同様に実験を行なった。
結果を第１表に示す。
以上のごとく、本発明は、種々の方法により、例えば５
１Ｈ４、Ｓ工２Ｈ６などの水素化ケイ素を製造する場合
において副生する一般式Ｓ、、ｘＨｙＯ７で表わされる
ケイ素化合物の一部を、アルコラードと接触させること
・により、きわめて容易にかつ収率良く有用な５ＩＨ２
，８□２Ｈ６等に変え得るもので、その産業上の利用可
能性はきわめて高いといわねばならない。なお、本発明
の方法を従来のＳ工Ｈ４、Ｓ工２Ｈ６等の水素化ケイ素
の製造プロセスにおいて適用することにより、該プロセ
ス自体の経済性が大幅に向上することはいう捷でもない
。
１Ｈ４、Ｓ工２Ｈ６などの水素化ケイ素を製造する場合
において副生する一般式Ｓ、、ｘＨｙＯ７で表わされる
ケイ素化合物の一部を、アルコラードと接触させること
・により、きわめて容易にかつ収率良く有用な５ＩＨ２
，８□２Ｈ６等に変え得るもので、その産業上の利用可
能性はきわめて高いといわねばならない。なお、本発明
の方法を従来のＳ工Ｈ４、Ｓ工２Ｈ６等の水素化ケイ素
の製造プロセスにおいて適用することにより、該プロセ
ス自体の経済性が大幅に向上することはいう捷でもない
。
特許出願人
三井東圧化学株式会社
Claims (5)
- （１）分子中に少なくとも一個のＳよ−Ｈ結合あるいは
Ｓよ−Ｓ□結合を有する一般式５１ｘＨｙＯ７（ただし
Ｘは１以上の正の整数、ｙおよびＺはそれぞれ２Ｘ＋２
．２Ｘを越えない正の整数であり、どちらか一方はＯで
なくまたｘ＝１の場合はＺは０ではない）で表わされる
ケイ素化合物を、一般式Ｍ（ＯＲよ） 、＋１（ＯＲＪ
ｎ（ただしＭはアルカリ金属又はアルカリ土類金属、
Ｒ□およびＲ２はアルキル基、アリール基、又はこれら
の誘導基であって、Ｍがアルカリ土類金属の場合にはＲ
１＋ Ｒ２のどちらか一方が水酸基でも良い。ｍおよび
ｎは、Ｍがアルカリ金属の場合にはｍ二１、ｎ二〇、又
Ｍがアルカリ土類金属の場合にはｍ−２、ｎ ＝ Ｏあ
るいはｍ ＝ ｎ ＝ １である）で表わされるアルコ
ラードと接触し反応させることにより、一般式Ｓ１□Ｈ
２□＋２（ただしｔはＸ以下０１以上の正の整数）で表
わされる水素化ケイ素を製造する方法。 - （２）反応を一般式Ｒ３０Ｈ（ただしＲ５はアルキル基
、アリール基、又はこれらの誘導基）で表わされるアル
コールの共存下において行なう特許請求の範囲第１項に
記載の方法。 - （３）ケイ素化合物（ＳヨｘＨｙＯ，、）が一般式５ｉ
ＸＨ２ｘ−＋−２（Ｘは２以上の正の整数）で表わされ
る高次７ランである特許請求の範囲第１項に記載の方法
。 - （４）水素化ケイ素（Ｓよ、Ｈ２□＋２）がＳ工Ｈ４あ
るいはＳ工２Ｈ６である特許請求の範囲第１項に記載の
方法。 - （５）一般式Ｍ（ＯＲＩ）ｍ（ＯＲ２） ｎで表わされ
るアルコラードが、活性炭、金属酸化物、有機高分子等
の不活性固体に分散あるいは担持させたものである特許
請求の範囲第１項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10646184A JPS60251114A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 水素化ケイ素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10646184A JPS60251114A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 水素化ケイ素の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60251114A true JPS60251114A (ja) | 1985-12-11 |
| JPH0480844B2 JPH0480844B2 (ja) | 1992-12-21 |
Family
ID=14434215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10646184A Granted JPS60251114A (ja) | 1984-05-28 | 1984-05-28 | 水素化ケイ素の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60251114A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6027705A (en) * | 1998-01-08 | 2000-02-22 | Showa Denko K.K. | Method for producing a higher silane |
| US6858196B2 (en) | 2001-07-19 | 2005-02-22 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for chemical synthesis |
| WO2010079842A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 高次シラン組成物および膜付基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-28 JP JP10646184A patent/JPS60251114A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6027705A (en) * | 1998-01-08 | 2000-02-22 | Showa Denko K.K. | Method for producing a higher silane |
| US6858196B2 (en) | 2001-07-19 | 2005-02-22 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for chemical synthesis |
| WO2010079842A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 高次シラン組成物および膜付基板の製造方法 |
| JP2010159191A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Japan Science & Technology Agency | 高次シラン組成物、膜付基板の製造方法、電気光学装置および電子デバイス |
| KR101299315B1 (ko) * | 2009-01-09 | 2013-08-26 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 고차 실란 조성물 및 막이 부착된 기판의 제조 방법 |
| TWI415856B (zh) * | 2009-01-09 | 2013-11-21 | Japan Science & Tech Agency | Method for producing advanced silane composition and film substrate |
| US8673682B2 (en) | 2009-01-09 | 2014-03-18 | Japan Science And Technology Agency | High order silane composition and method of manufacturing a film-coated substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0480844B2 (ja) | 1992-12-21 |
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