JPS60249339A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS60249339A JPS60249339A JP10471584A JP10471584A JPS60249339A JP S60249339 A JPS60249339 A JP S60249339A JP 10471584 A JP10471584 A JP 10471584A JP 10471584 A JP10471584 A JP 10471584A JP S60249339 A JPS60249339 A JP S60249339A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 53
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 53
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、
更に詳細には、従来の樹脂封止型半導体装置よりも密封
性及び耐湿性が高い樹脂封止型半導体装置を得る製造方
法に関するものである。
更に詳細には、従来の樹脂封止型半導体装置よりも密封
性及び耐湿性が高い樹脂封止型半導体装置を得る製造方
法に関するものである。
［発明の技術的背景〕
第９図乃至第１１図は従来公知の樹脂封止型半導体装置
の外観及び縦断面を示したちのである。
の外観及び縦断面を示したちのである。
該半導体装置は図に示すように樹脂モールド部１と該樹
脂モールド部１から突出する外部接続用リード部２ａと
を有しており、外部接続用リード部２ａは樹脂モールド
部１内に内蔵されたリードフレーム２と一体となってい
る。 リードフレーム２は第１１図に示すように半導体
チップ３が取り付けられるチップ取付部（ディスク）を
構成しているとともに外部接続用リード部２ａと反対の
側に肉薄の腕部２ｂを有している。 この腕部２ｂは樹
脂モールド部１の成形工程で第１２図に示すように樹脂
モールド部成形用金型のキャビティＣ内にリードフレー
ム２を架橋状態に支持するための部分であり、下金型４
の型合せ面に形成された浅い溝内に支持されるようにな
っている。 リードフレームを支持した金型は、上金型
５と下金型４との型合せ面に形成された湯口６から図示
矢印「１のように溶融樹脂をキャビティＣ内に注入した
後、該樹脂を硬化させて樹脂モールド部１を形成する。
脂モールド部１から突出する外部接続用リード部２ａと
を有しており、外部接続用リード部２ａは樹脂モールド
部１内に内蔵されたリードフレーム２と一体となってい
る。 リードフレーム２は第１１図に示すように半導体
チップ３が取り付けられるチップ取付部（ディスク）を
構成しているとともに外部接続用リード部２ａと反対の
側に肉薄の腕部２ｂを有している。 この腕部２ｂは樹
脂モールド部１の成形工程で第１２図に示すように樹脂
モールド部成形用金型のキャビティＣ内にリードフレー
ム２を架橋状態に支持するための部分であり、下金型４
の型合せ面に形成された浅い溝内に支持されるようにな
っている。 リードフレームを支持した金型は、上金型
５と下金型４との型合せ面に形成された湯口６から図示
矢印「１のように溶融樹脂をキャビティＣ内に注入した
後、該樹脂を硬化させて樹脂モールド部１を形成する。
樹脂モールド部１を金型のキャビティＣ内から取り出
した後、湯口６の部分は上金型５の突部５ａの位置で切
断除去されるが、リードフレーム２に腕部２ｂはわずか
に残るため、該腕部２ｂの端面ば第９図乃至第１１図に
示すように樹脂モールド部１の表面に露出することにな
る。
した後、湯口６の部分は上金型５の突部５ａの位置で切
断除去されるが、リードフレーム２に腕部２ｂはわずか
に残るため、該腕部２ｂの端面ば第９図乃至第１１図に
示すように樹脂モールド部１の表面に露出することにな
る。
なお、第１１図及び第１２図において、７は半導体チッ
プ３を被覆しているエンキャップ樹脂、８ば半導体チッ
プ３上の電極パッドとリードフレーム２の接続用リード
部２ａとを接続するポンディングワイヤ、４ａは樹脂封
止型半導体装置の樹脂モールド部に取付用孔１ａ （第
９図及び第１１図）を形成するために下金型４のキャビ
ティ内に突設された孔抜き用ボスである。
プ３を被覆しているエンキャップ樹脂、８ば半導体チッ
プ３上の電極パッドとリードフレーム２の接続用リード
部２ａとを接続するポンディングワイヤ、４ａは樹脂封
止型半導体装置の樹脂モールド部に取付用孔１ａ （第
９図及び第１１図）を形成するために下金型４のキャビ
ティ内に突設された孔抜き用ボスである。
［背景技術の問題点］
前記のごとき従来の樹脂封止型半導体装置では樹脂モー
ルド部１の表面にリードフレーム２の腕部２ｂが露出し
ているため、使用の際に前記腕部２ｂの露出面が他の装
置の導体部分と接触したり、或いは前記腕部２ｂの露出
面にごみや水分が付着したりして電気的特性が著しく劣
化づる等の事態を生じゃずいという欠点があった。 ま
た、前記従来装置では前記腕部２ｂの端面が樹脂モール
ド部１の表面に露出しているので樹脂モールド部１内に
湿気が侵入しやすく、従って信頼性の面では大きな欠陥
となっていた。
ルド部１の表面にリードフレーム２の腕部２ｂが露出し
ているため、使用の際に前記腕部２ｂの露出面が他の装
置の導体部分と接触したり、或いは前記腕部２ｂの露出
面にごみや水分が付着したりして電気的特性が著しく劣
化づる等の事態を生じゃずいという欠点があった。 ま
た、前記従来装置では前記腕部２ｂの端面が樹脂モール
ド部１の表面に露出しているので樹脂モールド部１内に
湿気が侵入しやすく、従って信頼性の面では大きな欠陥
となっていた。
すなわち、一般にモールド樹脂とリードフレームとは熱
膨張係数がかなり相違するので、成形直後には互いに隙
間なく固着していたとしても周囲温度の昇降による熱ナ
イクルが繰り返されると、リードフレームとモールド樹
脂との相互接着面間には微小な隙間が生じるようになり
、その結果、該腕部２ｂに沿って湿気の侵入通路が形成
されるからである。
膨張係数がかなり相違するので、成形直後には互いに隙
間なく固着していたとしても周囲温度の昇降による熱ナ
イクルが繰り返されると、リードフレームとモールド樹
脂との相互接着面間には微小な隙間が生じるようになり
、その結果、該腕部２ｂに沿って湿気の侵入通路が形成
されるからである。
従って、従来は樹脂モールド部成形後に樹脂モールド部
１の表面に露出したリードフレーム２の腕部２ｂの露出
面とその周囲に■ボキシ樹脂等を塗り重ねて樹脂被覆を
行い、樹脂モールド部１の表面に湿気侵入通路が生じな
いようにしていた。
１の表面に露出したリードフレーム２の腕部２ｂの露出
面とその周囲に■ボキシ樹脂等を塗り重ねて樹脂被覆を
行い、樹脂モールド部１の表面に湿気侵入通路が生じな
いようにしていた。
しかしながら、このような対策では防湿が十分でないう
え、熱衝撃試験を行うと前記樹脂被覆が剥離してしまう
という事態が生じることがあった。
え、熱衝撃試験を行うと前記樹脂被覆が剥離してしまう
という事態が生じることがあった。
［発明の目的］
この発明の目的は、リードフレームが外部接続用リード
部を除いて樹脂モールド部の表面に露出しない、防湿性
の高い樹脂封止型半導体装置を得る製造方法を提供する
ことである。
部を除いて樹脂モールド部の表面に露出しない、防湿性
の高い樹脂封止型半導体装置を得る製造方法を提供する
ことである。
［発明の概要］
この発明によって得られる樹脂封止型半導体装置は、外
部接続用リード部以外は樹脂モールド部の外表面に露出
しないリードフレームを用いて構成されているものであ
る。 そして、この発明の方法は、樹脂封止工程に先立
って該リードフレームの外部接続用リード部以外の部分
に該リードフレームを支持するための絶縁物を固着して
おき、樹脂封止工程では詮リードフレームを樹脂−し−
ルビ成形用金型のキャビディ内に該リードフレームの外
部接続用リード部以外の部分が該キャビティから突出し
ないように設置して樹脂モールド部の成形を行うことを
特徴とするものである。
部接続用リード部以外は樹脂モールド部の外表面に露出
しないリードフレームを用いて構成されているものであ
る。 そして、この発明の方法は、樹脂封止工程に先立
って該リードフレームの外部接続用リード部以外の部分
に該リードフレームを支持するための絶縁物を固着して
おき、樹脂封止工程では詮リードフレームを樹脂−し−
ルビ成形用金型のキャビディ内に該リードフレームの外
部接続用リード部以外の部分が該キャビティから突出し
ないように設置して樹脂モールド部の成形を行うことを
特徴とするものである。
［発明の実施例１
以下に第１図及び第２図を参照し−Ｃ本発明の一実施例
について説明する。
について説明する。
第１図及び第２図は本発明による樹脂封止型半導体装置
の構造及びその製造方法を説明するための断面図であり
、同図において第９図乃至第１２図と同一符号で表示さ
れ！ｃ部分は従来の半導体装置と同じ部分を示１゜ 本発明の方法では、従来のリードフレーム２とは異なっ
て腕部２ｂのないリードフレーム９を以って構成されて
いることを特徴どするものにある。
の構造及びその製造方法を説明するための断面図であり
、同図において第９図乃至第１２図と同一符号で表示さ
れ！ｃ部分は従来の半導体装置と同じ部分を示１゜ 本発明の方法では、従来のリードフレーム２とは異なっ
て腕部２ｂのないリードフレーム９を以って構成されて
いることを特徴どするものにある。
また、本発明の方法では、該リードフレーム９に対応し
て腕部２ｂを支持するための浅い溝が型合せ面に形成さ
れていない下金型４Ａを使用するどともに該リードフレ
ーム９の一端側を金型のキャビーｊイＣ内に水平に支持
するための絶縁物１０がｔ−’ｌ ＋ｆ−］−稈に先立
って該リードフレーム９の一端側に取イ］りされること
を特徴とするものである。
て腕部２ｂを支持するための浅い溝が型合せ面に形成さ
れていない下金型４Ａを使用するどともに該リードフレ
ーム９の一端側を金型のキャビーｊイＣ内に水平に支持
するための絶縁物１０がｔ−’ｌ ＋ｆ−］−稈に先立
って該リードフレーム９の一端側に取イ］りされること
を特徴とするものである。
本発明は以下のごとき工程からなっている。
まず、腕部２１） （第１１図及び第１２図参照）がな
く且つ外部接続用リード部９ａ以外は樹脂モールド部成
形用金型のキャビディＣ内に完全に納まってしまう大き
ざのリードフレーム９の上に半導体デツプ３がダイボン
ディングによって取り付りられ、更にワイヤボンディン
グと半導体チップ丁ン：１−ヤツブ゛とが行われる。
ついで、リードフレーム９の外部接続用リード部９ａと
は反対側の端部に該リードフレーム９の上下両面から所
定量（例えばリードフレームの上面に対してはｉ、ｏｍ
ｍ、下面に対しては０．６ｍｍ）ずつ突出する絶縁物１
０が取り付けられる。 この絶縁物は封止樹脂と同じ拐
料であることが好ましく、たとえばエポキシ樹脂系の成
形体である。 リードフレーム９と絶縁物１０との結合
は接着剤等によって行われる。
く且つ外部接続用リード部９ａ以外は樹脂モールド部成
形用金型のキャビディＣ内に完全に納まってしまう大き
ざのリードフレーム９の上に半導体デツプ３がダイボン
ディングによって取り付りられ、更にワイヤボンディン
グと半導体チップ丁ン：１−ヤツブ゛とが行われる。
ついで、リードフレーム９の外部接続用リード部９ａと
は反対側の端部に該リードフレーム９の上下両面から所
定量（例えばリードフレームの上面に対してはｉ、ｏｍ
ｍ、下面に対しては０．６ｍｍ）ずつ突出する絶縁物１
０が取り付けられる。 この絶縁物は封止樹脂と同じ拐
料であることが好ましく、たとえばエポキシ樹脂系の成
形体である。 リードフレーム９と絶縁物１０との結合
は接着剤等によって行われる。
絶縁物の取付けが終了したリードフレーム９を次の樹脂
封止工程において下金型 ４Ａのキャビティ内に自動的
に位置決めしくリードフレーム９の孔９ｂに下金型４Ａ
の小ス１４． ａを仲人させる）、上金型５を下降して
型締めすると第１図のように絶縁物１ｏと金型のキャビ
ディの内周壁面との間には空間が形成されるので、リー
ドフレーム９が樹脂モールド部の表面に露出する恐れが
全くなくなる。 第１図のごとき状態で湯口６から溶融
樹脂をキャビティＣ内に注湯すると、絶縁物１０は樹脂
モールド部の中に紡ぐるみされ、また、リードフレーム
９は外部接続用リード部９ａ以外は樹脂モールド部の中
に完全に鋳ぐるみされる。
封止工程において下金型 ４Ａのキャビティ内に自動的
に位置決めしくリードフレーム９の孔９ｂに下金型４Ａ
の小ス１４． ａを仲人させる）、上金型５を下降して
型締めすると第１図のように絶縁物１ｏと金型のキャビ
ディの内周壁面との間には空間が形成されるので、リー
ドフレーム９が樹脂モールド部の表面に露出する恐れが
全くなくなる。 第１図のごとき状態で湯口６から溶融
樹脂をキャビティＣ内に注湯すると、絶縁物１０は樹脂
モールド部の中に紡ぐるみされ、また、リードフレーム
９は外部接続用リード部９ａ以外は樹脂モールド部の中
に完全に鋳ぐるみされる。
本発明の方法、すなわち、外部接続用リード部以外は樹
脂モールド成形用金型のキャビティ内に完全に納まる大
きさの（キャビティ内周縁に達づる部分を有しない）リ
ードフレームを用いるとともに、樹脂封止工程において
該リードフレームの下面をキャビティの下面に接触させ
ぬように支持づるために予め絶縁物支持片を該リードフ
レームの周縁部近傍に取り付けておき、該絶縁物支持片
でリードフレームの一端側を支持しつつ該キャビティ内
にリードフレームを設置することにより樹脂封止を行う
ことを内容とする方法によれば、外部接続用リード部以
外のリードフレーム部分が樹脂モールド部表面に全く露
出しない樹脂封止型半導体装置が形成される。
脂モールド成形用金型のキャビティ内に完全に納まる大
きさの（キャビティ内周縁に達づる部分を有しない）リ
ードフレームを用いるとともに、樹脂封止工程において
該リードフレームの下面をキャビティの下面に接触させ
ぬように支持づるために予め絶縁物支持片を該リードフ
レームの周縁部近傍に取り付けておき、該絶縁物支持片
でリードフレームの一端側を支持しつつ該キャビティ内
にリードフレームを設置することにより樹脂封止を行う
ことを内容とする方法によれば、外部接続用リード部以
外のリードフレーム部分が樹脂モールド部表面に全く露
出しない樹脂封止型半導体装置が形成される。
第３図は絶縁物１０とリードフレーム９との固着構造に
関する変形実施例を示したものである。
関する変形実施例を示したものである。
この実施例ではリードフレーム９の端部近傍の上１ζ両
而に突部９ｆを予め形成しておくことにより、絶縁物１
０どリードフレーム９との結合力を強化している。
而に突部９ｆを予め形成しておくことにより、絶縁物１
０どリードフレーム９との結合力を強化している。
第４図はリードフレーム９の端面９Ｃを被覆しない構造
の絶縁物１０Ａを取り付けた実施例である１、 絶縁物
１０Ａは予め成形されたものであり、該絶紘物１０Ａは
接着剤によってリードフレーム９の上下両面に接着され
る。
の絶縁物１０Ａを取り付けた実施例である１、 絶縁物
１０Ａは予め成形されたものであり、該絶紘物１０Ａは
接着剤によってリードフレーム９の上下両面に接着され
る。
第５図は第４図と同じ絶縁物１０Ａを取り付けであるリ
ードフレーム９のまわりに樹脂モールド部を形成するた
めの金型の変形実施例を示したものである。 この実施
例に示された一Ｌ金型５Ａと下金型４Ｂにはそれぞれ絶
縁物１０△に当接する突部５ｂ及び４ｂとが設けられて
いる。 従って、この金型を用いる場合には、樹脂封止
工程では上下の金型の突部５ｂ及び４ｂによって絶縁物
１０Ａがリードフレーム９に圧着されるので絶縁物１０
Ａとリードフレーム９との接着は完全になる。
ードフレーム９のまわりに樹脂モールド部を形成するた
めの金型の変形実施例を示したものである。 この実施
例に示された一Ｌ金型５Ａと下金型４Ｂにはそれぞれ絶
縁物１０△に当接する突部５ｂ及び４ｂとが設けられて
いる。 従って、この金型を用いる場合には、樹脂封止
工程では上下の金型の突部５ｂ及び４ｂによって絶縁物
１０Ａがリードフレーム９に圧着されるので絶縁物１０
Ａとリードフレーム９との接着は完全になる。
第６図はリードフレームど絶縁物との双方に関する変形
実施例を示したものである。 この実施例ではリードフ
レームとして孔９ｄを有するり一ドフレーム９Ａが使用
されるとともに絶縁物として該孔９ｄに嵌着される丸頭
ボルト形の絶縁物１０Ｂが使用されている。 この絶縁
物１’ ＯＢは丸頭ボルト形の頭部１０ａを有し、該頭
部１０ａの最大径部分の直径はリードフレーム９Ａの孔
９ｄの直径よりも大きくなっている。 該絶縁物１０Ｂ
は図に示すようにその頭部１０ａがリードフレーム９Ａ
の下面から突出するように該孔９ｄ内に嵌入されている
。 該頭部１０ａの高さ、すなわちリードフレーム９Δ
の下面から突出している高さは、リードフレーム９Ａの
下面に被覆すべきモールド樹脂層の厚さに等しくなっ−
Ｃいる。また、リードフレーム９Ａの上面から該絶縁物
１０Ｂが突出づる高さはリードフレーム９Ａの上面に被
覆すべきモールド樹脂層の厚さに等しくなっている。
実施例を示したものである。 この実施例ではリードフ
レームとして孔９ｄを有するり一ドフレーム９Ａが使用
されるとともに絶縁物として該孔９ｄに嵌着される丸頭
ボルト形の絶縁物１０Ｂが使用されている。 この絶縁
物１’ ＯＢは丸頭ボルト形の頭部１０ａを有し、該頭
部１０ａの最大径部分の直径はリードフレーム９Ａの孔
９ｄの直径よりも大きくなっている。 該絶縁物１０Ｂ
は図に示すようにその頭部１０ａがリードフレーム９Ａ
の下面から突出するように該孔９ｄ内に嵌入されている
。 該頭部１０ａの高さ、すなわちリードフレーム９Δ
の下面から突出している高さは、リードフレーム９Ａの
下面に被覆すべきモールド樹脂層の厚さに等しくなっ−
Ｃいる。また、リードフレーム９Ａの上面から該絶縁物
１０Ｂが突出づる高さはリードフレーム９Ａの上面に被
覆すべきモールド樹脂層の厚さに等しくなっている。
第７図は第６図の実施例において絶縁物１０Ｂとリード
フレーム９Ａとの結合構造に関する変形実施例を示した
ものでありこの実施例では絶縁物１０Ｂがかしめ結合に
よってリードフレーム９Ａの孔９ｄ内に把持されるよう
になっていることを特徴とするものである。 すなわち
、この実施例では絶縁物１０Ｂを孔９ｄ内に挿入した後
、円筒形の刃を有する工具等を用いてリードフレーム９
Ａの上面において孔９ｄの周囲に環状のハツチ９ｅを刻
設することによって孔９ｄの口縁部を縮め、これにより
絶縁物１０Ｂをリードフレーム９Ａに対してかしめ結合
させる。
フレーム９Ａとの結合構造に関する変形実施例を示した
ものでありこの実施例では絶縁物１０Ｂがかしめ結合に
よってリードフレーム９Ａの孔９ｄ内に把持されるよう
になっていることを特徴とするものである。 すなわち
、この実施例では絶縁物１０Ｂを孔９ｄ内に挿入した後
、円筒形の刃を有する工具等を用いてリードフレーム９
Ａの上面において孔９ｄの周囲に環状のハツチ９ｅを刻
設することによって孔９ｄの口縁部を縮め、これにより
絶縁物１０Ｂをリードフレーム９Ａに対してかしめ結合
させる。
第８図は第６図のごとき絶縁物１０Ｂとリードフレーム
９Ａとの結合体に対して使用する金型の変形実施例を示
したものであり、この実施例では上金型として第５図に
示したものと同じ絶縁物１０Ｂの上端面に当接する突部
５ ｂを佑えた上金型５Ａが使用されている。
９Ａとの結合体に対して使用する金型の変形実施例を示
したものであり、この実施例では上金型として第５図に
示したものと同じ絶縁物１０Ｂの上端面に当接する突部
５ ｂを佑えた上金型５Ａが使用されている。
以上のいずれの実施例においても、外部接続用リード部
以外は金型のキャビティの内周縁には接触する部分のな
いリードフレームが使用され、該リードフレームの下面
が金型の下面に接触しないように絶縁物と外部接続用リ
ード部とによっＣ該キャビティ内に該リードフレームを
設置しＩｃ状態で樹脂モールド部の成形が行われ、その
結果、樹脂モールド部の表面には外部接続用リード部以
外のリードフレーム部分が露出することのい本発明の半
導体装置が形成される。 。
以外は金型のキャビティの内周縁には接触する部分のな
いリードフレームが使用され、該リードフレームの下面
が金型の下面に接触しないように絶縁物と外部接続用リ
ード部とによっＣ該キャビティ内に該リードフレームを
設置しＩｃ状態で樹脂モールド部の成形が行われ、その
結果、樹脂モールド部の表面には外部接続用リード部以
外のリードフレーム部分が露出することのい本発明の半
導体装置が形成される。 。
以上のごとき本発明の方法で製造された本発明の半導体
装置に対してプレッシャークツカーテスト（２気圧、１
２１℃）を実施したところ、従来の半導体装置よりもは
るかにすぐれた成績が得られた。 また、多数の試料に
対してリードフレーム裏面の樹脂被覆層の厚さを測定し
たところ、厚みのばらつきは５％以内であり、何らの問
題はないことがわかっｌ〔。
装置に対してプレッシャークツカーテスト（２気圧、１
２１℃）を実施したところ、従来の半導体装置よりもは
るかにすぐれた成績が得られた。 また、多数の試料に
対してリードフレーム裏面の樹脂被覆層の厚さを測定し
たところ、厚みのばらつきは５％以内であり、何らの問
題はないことがわかっｌ〔。
［発明の効果］
以上のように、本発明の製造方法によれば、従来の樹脂
封止型半導体装置よりもはるかに耐湿性が高く従って信
頼性の高い樹脂１」正型半導体装置が１ｑられる。
封止型半導体装置よりもはるかに耐湿性が高く従って信
頼性の高い樹脂１」正型半導体装置が１ｑられる。
また、本発明によれば、前記のごとき本発明の半導体装
置を従来方法よりｂ高歩留りで生産することのできる半
導体装置製造方法が提供される。
置を従来方法よりｂ高歩留りで生産することのできる半
導体装置製造方法が提供される。
第１図は本発明方法における樹脂封止工程の断面図、第
２図は第１図の■−■矢視図、第３図は第２図に示した
半導体装置の一部の変形実施例を承り断面図、第４図乃
至第８図は本発明の半導体装置の製造方法においてリー
ドフレーム及び絶縁物の変形実施例と樹脂封止工程で使
用する金型の変形実施例とを示した断面図、第９図は従
来の製造方法で製造された従来の樹脂封止型半導体装置
の斜視図、第１０図は第９図の側面図、第１１図は第９
図の縦断面図、第１２図は第９図の半導体装置を製造づ
−るための従来方法におりる樹脂封止工程の断面図であ
る。 １・・・樹脂モールド部、 １ａ・・・孔、 ２，９゜
９Ａ・・・リードフレーム、 ２ａ 、’９ａ・・・外
部接続用リード部、 ２ｂ・・・腕部、 ３・・・半導
体チップ、４．４．Ａ、４Ｂ・・・下金型、 ５，５Δ
・・・上金型、６・・・湯口、 ７・・・エンキャップ
樹脂、 ８・・・ボンディングワイヤ、 １０，１０Δ
、ＩＯＢ・・・絶縁物、 Ｃ・・・キャビティ。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
２図は第１図の■−■矢視図、第３図は第２図に示した
半導体装置の一部の変形実施例を承り断面図、第４図乃
至第８図は本発明の半導体装置の製造方法においてリー
ドフレーム及び絶縁物の変形実施例と樹脂封止工程で使
用する金型の変形実施例とを示した断面図、第９図は従
来の製造方法で製造された従来の樹脂封止型半導体装置
の斜視図、第１０図は第９図の側面図、第１１図は第９
図の縦断面図、第１２図は第９図の半導体装置を製造づ
−るための従来方法におりる樹脂封止工程の断面図であ
る。 １・・・樹脂モールド部、 １ａ・・・孔、 ２，９゜
９Ａ・・・リードフレーム、 ２ａ 、’９ａ・・・外
部接続用リード部、 ２ｂ・・・腕部、 ３・・・半導
体チップ、４．４．Ａ、４Ｂ・・・下金型、 ５，５Δ
・・・上金型、６・・・湯口、 ７・・・エンキャップ
樹脂、 ８・・・ボンディングワイヤ、 １０，１０Δ
、ＩＯＢ・・・絶縁物、 Ｃ・・・キャビティ。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (1)
- １ 外部接続用リード部以外は樹脂モールド部の外表面
に露出するリードフレーム部分のない樹脂封止型半導体
装置を製造するにあｌＣす、外部接続用リード部以外は
樹脂モールド成形用金型のキャビティの周縁部に達する
部分のないリードフレームにその上下両面から所定量ず
つ突出する絶縁物を取り付けておき、樹脂封止工程では
該リードフレームを該絶縁物と該リード部とを介して樹
脂モールド成形用金型のキャどティ内に設置して該リー
ドフレームの外部接続用リード部以外の部分が該キャビ
テイ面に接しない状態を保ちつつ、該樹脂モールド部の
成形を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10471584A JPS60249339A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10471584A JPS60249339A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60249339A true JPS60249339A (ja) | 1985-12-10 |
Family
ID=14388176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10471584A Pending JPS60249339A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60249339A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03132046A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-05 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-05-25 JP JP10471584A patent/JPS60249339A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03132046A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-05 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
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