JPS60249120A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS60249120A JPS60249120A JP59105587A JP10558784A JPS60249120A JP S60249120 A JPS60249120 A JP S60249120A JP 59105587 A JP59105587 A JP 59105587A JP 10558784 A JP10558784 A JP 10558784A JP S60249120 A JPS60249120 A JP S60249120A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- light
- crystal display
- electrode
- panel
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマトリクス型液晶表示素子、特にコントラスト
の高い表示性能を備えた構造に関するものである。従来
、マトリクス型液晶表示素子において、各画素を独立に
駆動する上でクロストーク電圧により任電画素の最低印
加電圧が上昇し、これによるコン−トラストの低下が大
きな欠点になっていた。ｎ桁マ） ＩＪクス駆動におけ
る任意画素の変調される実効値電圧の最大値■□工と最
小値ＶＭｓ ｗの比（＝■ＭＡｘ／■Ｍ１Ｎ）の値をα
としたとき、最適条件でαＭＡｘ＝（（０％＋１）／（
ｎ％−１））％となる事が知られている。液晶表示素子
の電気光学効果の閾値電圧をＶＴＬｃ、飽和電圧をＶｌ
ｌ Ａ Ｔ Ｌ Ｃとし、その比の値γ” （Ｖ［ｌ
Ａ Ｔ Ｌ。／■Ｔ、、ｃ）とすると、（γ／α）≧１
であれば、マトリクス駆動により任意の画素液晶表示を
独立に閾値電圧から飽和電圧までの間の電圧と印加する
事ができるので、液晶表示素子のコントラストを最大限
にまで生かしたマトリクス表示ができる。しかし、ここ
でｎが犬になりαが１に近付くと（γ／α）く１となり
、液晶表示素子の持つコントラストの内の（γ／α）の
割合しか利用できなくなる。上記はマトリクス駆動され
る任意の画素のコントラストに関するものである。液晶
表示素子にはツィステッドネマチック型やゲストホスト
型があるが、電圧の非印加時に光を透過させるタイプと
非透過のタイプに分類でき、多数の画素の集合体として
の表示パネル全体のコントラストにおいて同じ液晶表示
モードでも差が生ずる。その大きな原因は、画素と画素
のすき間の部分の効果による。
の高い表示性能を備えた構造に関するものである。従来
、マトリクス型液晶表示素子において、各画素を独立に
駆動する上でクロストーク電圧により任電画素の最低印
加電圧が上昇し、これによるコン−トラストの低下が大
きな欠点になっていた。ｎ桁マ） ＩＪクス駆動におけ
る任意画素の変調される実効値電圧の最大値■□工と最
小値ＶＭｓ ｗの比（＝■ＭＡｘ／■Ｍ１Ｎ）の値をα
としたとき、最適条件でαＭＡｘ＝（（０％＋１）／（
ｎ％−１））％となる事が知られている。液晶表示素子
の電気光学効果の閾値電圧をＶＴＬｃ、飽和電圧をＶｌ
ｌ Ａ Ｔ Ｌ Ｃとし、その比の値γ” （Ｖ［ｌ
Ａ Ｔ Ｌ。／■Ｔ、、ｃ）とすると、（γ／α）≧１
であれば、マトリクス駆動により任意の画素液晶表示を
独立に閾値電圧から飽和電圧までの間の電圧と印加する
事ができるので、液晶表示素子のコントラストを最大限
にまで生かしたマトリクス表示ができる。しかし、ここ
でｎが犬になりαが１に近付くと（γ／α）く１となり
、液晶表示素子の持つコントラストの内の（γ／α）の
割合しか利用できなくなる。上記はマトリクス駆動され
る任意の画素のコントラストに関するものである。液晶
表示素子にはツィステッドネマチック型やゲストホスト
型があるが、電圧の非印加時に光を透過させるタイプと
非透過のタイプに分類でき、多数の画素の集合体として
の表示パネル全体のコントラストにおいて同じ液晶表示
モードでも差が生ずる。その大きな原因は、画素と画素
のすき間の部分の効果による。
第１図Ａ、Ｂ、Ｃはソイステンドネマチック液晶表示パ
ネルの電気光学特性を示すもので、縦軸は空間平均の透
過光強度、横軸は液晶・＼の印加電圧の実効値を示す。
ネルの電気光学特性を示すもので、縦軸は空間平均の透
過光強度、横軸は液晶・＼の印加電圧の実効値を示す。
第１図Ａは電圧非印加時に光透過率の高（・ノーモリ白
の液晶表示パネルの電気光学特性を示すもので、閾値電
圧ＶＴ Ｌ Ｃを越すと光透過率がＬ８から減少し、Ｖ
ＳＡＴＬ（！を越すと最小値り。になる。このり。は画
素と画素のすき間の部分からもれて来るもので、透明電
極のパタン設計に依存し、すき間の広い程り。が犬にな
る。
の液晶表示パネルの電気光学特性を示すもので、閾値電
圧ＶＴ Ｌ Ｃを越すと光透過率がＬ８から減少し、Ｖ
ＳＡＴＬ（！を越すと最小値り。になる。このり。は画
素と画素のすき間の部分からもれて来るもので、透明電
極のパタン設計に依存し、すき間の広い程り。が犬にな
る。
このパネルのコントラストは（Ｌｓ／Ｌ。 ）を越える
事はできないので、個々の画素のコントラストがいくら
高くできても、パネルとしてのコントラストは低い。
事はできないので、個々の画素のコントラストがいくら
高くできても、パネルとしてのコントラストは低い。
第１図Ｂは電圧非印加時に光と透過しないノーマリ黒の
液晶表示パネルの電気光学特性を示すもので、印加電圧
の低（・領域では光をほとんど透過させず、Ｖ、ｒｌ、
。を越えると透過光が増え、■８ＡＴ、、ｃを越すと（
Ｌ、−Ｌ。）の光量を透過させる。
液晶表示パネルの電気光学特性を示すもので、印加電圧
の低（・領域では光をほとんど透過させず、Ｖ、ｒｌ、
。を越えると透過光が増え、■８ＡＴ、、ｃを越すと（
Ｌ、−Ｌ。）の光量を透過させる。
Ｌ８でなくて（ＬＥ−Ｌ。）となるのは、画素部が光透
過性になっても画素すきまが光を透過させないためパネ
ル全体の透過光量がノーモリ白のパネルに比較して（Ｌ
ｓ−Ｌｏ）／、、ｓ小になっている。しかしコントラス
トの点から見ると、黒レベルの光量が小のため高コント
ラストが達成される。このように、マトリクス駆動の液
晶表示素子においては画素コントラストの他にパネル全
体としてのコントラストの検討が大きな意味を持つ。
過性になっても画素すきまが光を透過させないためパネ
ル全体の透過光量がノーモリ白のパネルに比較して（Ｌ
ｓ−Ｌｏ）／、、ｓ小になっている。しかしコントラス
トの点から見ると、黒レベルの光量が小のため高コント
ラストが達成される。このように、マトリクス駆動の液
晶表示素子においては画素コントラストの他にパネル全
体としてのコントラストの検討が大きな意味を持つ。
ノーマリ黒のツィステッドネマチック型パネルの１つの
欠点には、茶色っぽい着色が生ずる点がある。更に、マ
トリクスの桁数ｎが太き（、（γ／α）＜１で使用しな
ければならない場合には、コントラストを高くするため
に液晶駆動電圧をＶ７． ｃの近傍として変調して用い
る事になる。
欠点には、茶色っぽい着色が生ずる点がある。更に、マ
トリクスの桁数ｎが太き（、（γ／α）＜１で使用しな
ければならない場合には、コントラストを高くするため
に液晶駆動電圧をＶ７． ｃの近傍として変調して用い
る事になる。
その結果、液晶駆動電圧の低めの領域を用いるために応
答性が悪くなる。第１図ＡのパネルではＶＲＡＴＬＣの
近傍で用いるのが最もコントラストの良い使い方になる
が、■１Ｌｃよりも高電圧で用いる事になるので、応答
性は良好である。第１図Ｃは、ノーモリ白のパネルの画
素部のすぎ間を光を通し難い物質で遮光した場合のパネ
ルの特性を示すもので、すきま部分から来る光量り。が
ＬＯＯと非常に小さな値になる。このためパネル全体の
光透過率はＬ 、（Ｌｓ−Ｌｏ＋Ｌ、 、 ）へ少し減
少するが、黒レベルでのバイアス光がり。がらＬｏｏに
減少するためコントラスト比（ＬＢ−Ｌ、＋Ｌ、、）／
Ｌ、。はノーマリ黒のパネルに近く大きくなる。しかも
ｎが犬の場合でｒ／αく１においてのパネルの駆動電圧
はＶＳＡＴＬＣ近傍になるから、ノーマリ黒のパネルの
場合より速い応答性が得られる。上記のように、ツイス
ト型液晶パネルにおいては非画素部を黒くする方法とし
て平行配置直線偏光板の間にツイスト型液晶を配置する
ノーマリ黒星パネルよりもツイスト型液晶の偏光方向と
合わせて、直線偏光板を配置したノーモリ白の液晶パネ
ルの非画素部を黒色化したパネルが有利である。
答性が悪くなる。第１図ＡのパネルではＶＲＡＴＬＣの
近傍で用いるのが最もコントラストの良い使い方になる
が、■１Ｌｃよりも高電圧で用いる事になるので、応答
性は良好である。第１図Ｃは、ノーモリ白のパネルの画
素部のすぎ間を光を通し難い物質で遮光した場合のパネ
ルの特性を示すもので、すきま部分から来る光量り。が
ＬＯＯと非常に小さな値になる。このためパネル全体の
光透過率はＬ 、（Ｌｓ−Ｌｏ＋Ｌ、 、 ）へ少し減
少するが、黒レベルでのバイアス光がり。がらＬｏｏに
減少するためコントラスト比（ＬＢ−Ｌ、＋Ｌ、、）／
Ｌ、。はノーマリ黒のパネルに近く大きくなる。しかも
ｎが犬の場合でｒ／αく１においてのパネルの駆動電圧
はＶＳＡＴＬＣ近傍になるから、ノーマリ黒のパネルの
場合より速い応答性が得られる。上記のように、ツイス
ト型液晶パネルにおいては非画素部を黒くする方法とし
て平行配置直線偏光板の間にツイスト型液晶を配置する
ノーマリ黒星パネルよりもツイスト型液晶の偏光方向と
合わせて、直線偏光板を配置したノーモリ白の液晶パネ
ルの非画素部を黒色化したパネルが有利である。
非画素部の黒色化は、黒色染料により液晶パネルの裏面
或は上面をぬりわける事により達成できるが、ガラスの
厚みなどで液晶と黒色部との距離があると視差を生ずる
。画素すきまの黒色化の実際的な方法の１つとして電極
部の染め分けがある。
或は上面をぬりわける事により達成できるが、ガラスの
厚みなどで液晶と黒色部との距離があると視差を生ずる
。画素すきまの黒色化の実際的な方法の１つとして電極
部の染め分けがある。
′薄層で遮光効果を出すには金属膜が有効である。
ガラス上に形成される配化錫或は酸化インジウム或はこ
れらの混合物或は酸化チタンの薄膜は光透過性と光導電
性を兼ね備え、透明電極として用いられる。この上処ク
ロム金属を蒸着或はスパフタリングで強固に形成する事
ができる。ニッケルーリン薄膜の電気メツキ法による透
明電極上の形成も可能である。
れらの混合物或は酸化チタンの薄膜は光透過性と光導電
性を兼ね備え、透明電極として用いられる。この上処ク
ロム金属を蒸着或はスパフタリングで強固に形成する事
ができる。ニッケルーリン薄膜の電気メツキ法による透
明電極上の形成も可能である。
第２図Ａ、Ｂ、Ｃの実施例を用いて本発明の説明を行う
。第２図Ａ１Ｂにおいて２００．２１０は透明で絶縁性
の、例えばガラス基板である。
。第２図Ａ１Ｂにおいて２００．２１０は透明で絶縁性
の、例えばガラス基板である。
２０２．２１２．２１８は細長いしま状の透明電極膜で
、例えば酸化錫や酸化インジウムで形成されている。２
０４．２１４．２２０は透明電極上に形成された遮光膜
であって、例えばクロムやパラジウムやニッケルの薄膜
が使用できる。膜付は蒸着やスパッタ或は電気メッキで
行なわれ、遮光膜のパタニングはホトリングラフィやマ
スク蒸着でも行なう事ができる。
、例えば酸化錫や酸化インジウムで形成されている。２
０４．２１４．２２０は透明電極上に形成された遮光膜
であって、例えばクロムやパラジウムやニッケルの薄膜
が使用できる。膜付は蒸着やスパッタ或は電気メッキで
行なわれ、遮光膜のパタニングはホトリングラフィやマ
スク蒸着でも行なう事ができる。
第２図Ｃは、第２図Ａ１第２図Ｂの電極板を対向して配
置した液晶表示パネルの場合の画素の形状及び画素すき
まの形状を示す図である。
置した液晶表示パネルの場合の画素の形状及び画素すき
まの形状を示す図である。
第２図Ｃにおいて２２２は対向する電極板の表面の透明
電極が向き合っている部分で、画素部に相当する。２２
４は第２図Ａの電極すき間に相当し、かつ第２図Ｂの電
極板２１０の電極の存在する所に相当するもので画素す
きま２２４．２２５は電極板Ｂ２１０の透明電極２１８
上の遮光バタン２２０．２１４で遮光され、上下の画素
すきま２２６．２２５は電極板Ａの上を透明電極２０２
の上に形成された遮光パタ／２０４により遮光される。
電極が向き合っている部分で、画素部に相当する。２２
４は第２図Ａの電極すき間に相当し、かつ第２図Ｂの電
極板２１０の電極の存在する所に相当するもので画素す
きま２２４．２２５は電極板Ｂ２１０の透明電極２１８
上の遮光バタン２２０．２１４で遮光され、上下の画素
すきま２２６．２２５は電極板Ａの上を透明電極２０２
の上に形成された遮光パタ／２０４により遮光される。
画素の４隅２２８のような所はいずれの電極にもガバー
されないため、遮光されン工い。従来のマトリクスパネ
ルの画素では、上下左右の画素すき間の遮光はなく、液
晶マトリクスパネルをライトバルブと見た場合の光もれ
は、ノーモリ白の場合かなり大きな割合を占めていた。
されないため、遮光されン工い。従来のマトリクスパネ
ルの画素では、上下左右の画素すき間の遮光はなく、液
晶マトリクスパネルをライトバルブと見た場合の光もれ
は、ノーモリ白の場合かなり大きな割合を占めていた。
ノーマリ黒のパネルにした場合は、上下左右の画素すき
間の他４隅の部分も黒になるので光もれは少ない。
間の他４隅の部分も黒になるので光もれは少ない。
第２図りは遮光バタン形成時の別の工夫を示すものであ
る。第２図りにおいて２４２は透明電極、２４０．２４
４は遮光バタン、２４５．２４７は遮光バタンを連結す
る枝バタンである。連結枝バタンの効果は視角の広い範
囲で遮光効果を発揮すると同じに透明電極の電気伝導度
の不足を金属遮光バタンで補強してやる効果もある。例
えばクロム皮膜を１ｏｏｏＸ程度遮光膜として形成利用
する際に透明電極の両わきに枝パタンを形成してやる事
により、透明電極の電気伝導度が１００Ω口〜１０００
Ω口のものを採用する事が可能となる。
る。第２図りにおいて２４２は透明電極、２４０．２４
４は遮光バタン、２４５．２４７は遮光バタンを連結す
る枝バタンである。連結枝バタンの効果は視角の広い範
囲で遮光効果を発揮すると同じに透明電極の電気伝導度
の不足を金属遮光バタンで補強してやる効果もある。例
えばクロム皮膜を１ｏｏｏＸ程度遮光膜として形成利用
する際に透明電極の両わきに枝パタンを形成してやる事
により、透明電極の電気伝導度が１００Ω口〜１０００
Ω口のものを採用する事が可能となる。
又この金属枝バタンか２本並列γ透明電極の両端を走る
構成にすると、万−枝パタンの一方が製造工程で例えば
ゴミなどのためホトリソグラフィプロセスにおいて切断
されても片方がつながってさえいれば透明電極線全体と
しての抵抗値は低い値に押えられる。遮光層は透明電極
を形成する前に絶縁基板上に形成する事もできる。ガラ
スの上にクロムやニッケルパクンを形成し、その上に透
明電極層を形成する事ができる。遮光バタンは、非導電
性の膜を用いても形成できるものであって、例えば透明
電極上に黒色顔料を印刷したり、或は出来上った液晶表
示素子の上に表示電極と正確に穴位置を合せた穴明黒色
枚を置いても遮光効果を達成できる。
構成にすると、万−枝パタンの一方が製造工程で例えば
ゴミなどのためホトリソグラフィプロセスにおいて切断
されても片方がつながってさえいれば透明電極線全体と
しての抵抗値は低い値に押えられる。遮光層は透明電極
を形成する前に絶縁基板上に形成する事もできる。ガラ
スの上にクロムやニッケルパクンを形成し、その上に透
明電極層を形成する事ができる。遮光バタンは、非導電
性の膜を用いても形成できるものであって、例えば透明
電極上に黒色顔料を印刷したり、或は出来上った液晶表
示素子の上に表示電極と正確に穴位置を合せた穴明黒色
枚を置いても遮光効果を達成できる。
以上述べたように、本発明の如く液晶マ） ＩＪクス表
示パタルの画素のすきまにバタン化された遮光膜を形成
する構造とする事により、液晶表示パネルの光変調特性
が向上し、明るくコントラストの良好な画面が実現でき
実用効果は太きい。
示パタルの画素のすきまにバタン化された遮光膜を形成
する構造とする事により、液晶表示パネルの光変調特性
が向上し、明るくコントラストの良好な画面が実現でき
実用効果は太きい。
第２図Ａ、Ｂ、Ｃに本発明による液晶表示素子の構造を
示し、２２２は表示画素部、２２６．２２４．２２７は
遮光部、２２０，２１０は電極層、２０２．２１２は透
晩電極２０４．２１４は遮光膜のバタン形状を示す。 第１図Ａ、Ｂ、Ｃは液晶表示パネルの光透過率の説明図
、第２図Ａ、ＥＳＣ，Ｄはプラックマトリクスの遮光バ
タン図例である。 特許出願人 シチズン時計株式会社 印脚ｉ斤 タ■コ辛ジトネ市ｉ丁二吉 １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願 第１０５５８７号２、発明の
名称 液晶表示素子 ３、袖口Ｓをする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新箔２丁目１番１月自発 ５、補正の対象
示し、２２２は表示画素部、２２６．２２４．２２７は
遮光部、２２０，２１０は電極層、２０２．２１２は透
晩電極２０４．２１４は遮光膜のバタン形状を示す。 第１図Ａ、Ｂ、Ｃは液晶表示パネルの光透過率の説明図
、第２図Ａ、ＥＳＣ，Ｄはプラックマトリクスの遮光バ
タン図例である。 特許出願人 シチズン時計株式会社 印脚ｉ斤 タ■コ辛ジトネ市ｉ丁二吉 １、事件の表示 昭和５９年 特 許 願 第１０５５８７号２、発明の
名称 液晶表示素子 ３、袖口Ｓをする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都新宿区西新箔２丁目１番１月自発 ５、補正の対象
Claims (3)
- （１）絶縁基板上に複数の透明電極を形成した第１及び
第２の電極板を対向させ、該電極板間に液晶物質を挾持
した構造のマトリクス型液晶表示素子において、該第１
もしくは第２の電極板の透明電極において、対向する電
極板の電極のすきまに対応する該透明電極の表もしくは
裏に、光の透過を妨げるマスキングパタンを形成した構
造の液晶表示素子。 - （２） マスキングパタンは、金属薄膜で形成された事
を特徴とする液晶表示装置。 - （３） マスキングパタンはクロム金属膜である事を特
徴とする液晶表示装置。 （４］ マスキングパタンはニッケルーリン皮ＪＩＩＥ
テする事を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59105587A JPS60249120A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 液晶表示素子 |
| US06/681,589 US4824213A (en) | 1983-12-16 | 1984-12-14 | Liquid crystal display having opaque portions on the electrodes |
| GB08431606A GB2153575B (en) | 1983-12-16 | 1984-12-14 | Liquid crystal display device |
| SG54/89A SG5489G (en) | 1983-12-16 | 1989-01-31 | Liquid crystal display device |
| HK497/89A HK49789A (en) | 1983-12-16 | 1989-06-22 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59105587A JPS60249120A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60249120A true JPS60249120A (ja) | 1985-12-09 |
Family
ID=14411628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59105587A Pending JPS60249120A (ja) | 1983-12-16 | 1984-05-24 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60249120A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62227120A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Nissha Printing Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS62265626A (ja) * | 1986-05-13 | 1987-11-18 | Optrex Corp | 液晶表示素子 |
| JPS6370828A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPS63200121A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
| FR2618587A1 (fr) * | 1987-07-20 | 1989-01-27 | Commissariat Energie Atomique | Ecran a cristal liquide, a electrodes opacifiees dans la zone non commutable de l'ecran et procedes d'obtention d'espaceurs et de traitement de cet ecran |
| JPH01227126A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH0253024U (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-17 | ||
| JPH0255219U (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-20 | ||
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