JPH04241324A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH04241324A JPH04241324A JP3014823A JP1482391A JPH04241324A JP H04241324 A JPH04241324 A JP H04241324A JP 3014823 A JP3014823 A JP 3014823A JP 1482391 A JP1482391 A JP 1482391A JP H04241324 A JPH04241324 A JP H04241324A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえば強誘電性液晶
を使用した液晶表示装置に関する。
を使用した液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、コンピュータを中心とする情報機
器の発達に伴い、情報の伝達手段としての表示装置の果
たす役割が重要になってきている。従来の表示装置とし
て代表的なものは、CRT(陰極線管)であるが、構成
の小型化および消費電力の低減が可能であるという点か
ら、最近では液晶表示装置が広く利用されている。さら
に、大面積かつ大容量の液晶表示装置に対する要求は強
く、その実現が強く望まれている。
器の発達に伴い、情報の伝達手段としての表示装置の果
たす役割が重要になってきている。従来の表示装置とし
て代表的なものは、CRT(陰極線管)であるが、構成
の小型化および消費電力の低減が可能であるという点か
ら、最近では液晶表示装置が広く利用されている。さら
に、大面積かつ大容量の液晶表示装置に対する要求は強
く、その実現が強く望まれている。
【0003】上記液晶表示装置を実現するものとして、
強誘電性液晶を使用した液晶表示装置が注目されている
。強誘電性液晶には、通常カイラルスメクティック液晶
が用いられる。一般に強誘電性を示すカイラルスメクテ
ィック相では、螺旋構造を取るが、薄いセルに注入する
と界面の影響でその螺旋構造がほどけ、図11の(a)
に示すように、液晶分子18がスメクティック層法線1
7から傾き角+θ19だけ傾いたドメインと、逆方向に
−θ20だけ傾いたドメインとが混在するようになる。 これに電圧を印加すると、図11の(b)に示すように
、自発分極の向きが揃った、すなわち分子配向が一定の
状態であるドメインが得られる。またこれに逆極性の電
圧を印加すると、図11の(c)に示すように、分子配
向が図11の(b)とは逆方向の一定の状態であるドメ
インが得られる。このように電圧の印加及び逆印加に伴
い光軸が変化するので、偏光板を用いて液晶表示装置を
形成することができる。
強誘電性液晶を使用した液晶表示装置が注目されている
。強誘電性液晶には、通常カイラルスメクティック液晶
が用いられる。一般に強誘電性を示すカイラルスメクテ
ィック相では、螺旋構造を取るが、薄いセルに注入する
と界面の影響でその螺旋構造がほどけ、図11の(a)
に示すように、液晶分子18がスメクティック層法線1
7から傾き角+θ19だけ傾いたドメインと、逆方向に
−θ20だけ傾いたドメインとが混在するようになる。 これに電圧を印加すると、図11の(b)に示すように
、自発分極の向きが揃った、すなわち分子配向が一定の
状態であるドメインが得られる。またこれに逆極性の電
圧を印加すると、図11の(c)に示すように、分子配
向が図11の(b)とは逆方向の一定の状態であるドメ
インが得られる。このように電圧の印加及び逆印加に伴
い光軸が変化するので、偏光板を用いて液晶表示装置を
形成することができる。
【0004】この液晶表示装置では、図11の(d)で
示すように、電界を切っても、界面の配向規制力によっ
て電界を切る前のその分子配向が維持され、高い記憶効
果を得ることが可能である。高いデューティーのマルチ
プレックス駆動表示を行う場合、上記の記憶効果が非常
に有効である。
示すように、電界を切っても、界面の配向規制力によっ
て電界を切る前のその分子配向が維持され、高い記憶効
果を得ることが可能である。高いデューティーのマルチ
プレックス駆動表示を行う場合、上記の記憶効果が非常
に有効である。
【0005】典型的な従来技術を図9を参照して説明す
る。一対の透光性基板21,22の対向する表面に、透
光性基板21,22を対向させた際にマトリクス電極構
造をなすストライプ状の透明電極23,24が設置され
、その上に絶縁膜25,26を介して配向膜27,28
が形成される。透光性基板21,22の間には強誘電性
液晶29が充填され、透光性基板21,22の外側表面
には偏光板30,31が設置され、強誘電性液晶表示装
置32が構成される。
る。一対の透光性基板21,22の対向する表面に、透
光性基板21,22を対向させた際にマトリクス電極構
造をなすストライプ状の透明電極23,24が設置され
、その上に絶縁膜25,26を介して配向膜27,28
が形成される。透光性基板21,22の間には強誘電性
液晶29が充填され、透光性基板21,22の外側表面
には偏光板30,31が設置され、強誘電性液晶表示装
置32が構成される。
【0006】このような従来技術の液晶表示装置を駆動
する場合、電圧は透明電極の一端部から印加される。こ
のとき透明電極の電気抵抗が大きいと、透明電極の他端
部においては電圧が大幅に減衰してしまう。その結果、
液晶層に印加される電圧が不均一となり、液晶表示装置
の表示特性が不均一になるという問題点がある。この問
題点を解決するために、図10に示すように、透明電極
より電気抵抗の小さい金属等の低抵抗導電膜33,34
を透明電極に電極の長手方向に沿って密着して配設し、
透明電極の電気抵抗を小さくするなどの方法が採られて
いる。
する場合、電圧は透明電極の一端部から印加される。こ
のとき透明電極の電気抵抗が大きいと、透明電極の他端
部においては電圧が大幅に減衰してしまう。その結果、
液晶層に印加される電圧が不均一となり、液晶表示装置
の表示特性が不均一になるという問題点がある。この問
題点を解決するために、図10に示すように、透明電極
より電気抵抗の小さい金属等の低抵抗導電膜33,34
を透明電極に電極の長手方向に沿って密着して配設し、
透明電極の電気抵抗を小さくするなどの方法が採られて
いる。
【0007】又、先行技術の強誘電性液晶装置において
は、画素内のメモリ状態の反転という問題点も存在する
。これは例えば図11の(d)のような状態に電界を印
加して図11の(b)のようにスイッチオンさせたあと
電界を除去すると、同図の(b)の状態を保たず同図の
(d)の状態にもどってしまうという現像である。この
現像は強誘電性液晶の自発分極によって生じる逆電場の
ために生ずると説明されているが(吉田、他、第13回
液晶討論会予稿集、2Z15(1987))、より詳細
な検討により、電極のエッジ部分からこのようなメモリ
の反転が生じやすいことが調べられており(特開平1−
179915号)、この反転の防止対策としても図10
に示すような低抵抗の金属配線が有効であることが報告
されている(特開平1−179915,1−28072
4,2−63019号など)。
は、画素内のメモリ状態の反転という問題点も存在する
。これは例えば図11の(d)のような状態に電界を印
加して図11の(b)のようにスイッチオンさせたあと
電界を除去すると、同図の(b)の状態を保たず同図の
(d)の状態にもどってしまうという現像である。この
現像は強誘電性液晶の自発分極によって生じる逆電場の
ために生ずると説明されているが(吉田、他、第13回
液晶討論会予稿集、2Z15(1987))、より詳細
な検討により、電極のエッジ部分からこのようなメモリ
の反転が生じやすいことが調べられており(特開平1−
179915号)、この反転の防止対策としても図10
に示すような低抵抗の金属配線が有効であることが報告
されている(特開平1−179915,1−28072
4,2−63019号など)。
【0008】しかしこの場合、金属等を透明電極上に配
設すると電極の透明部分が狭くなり、表示装置の実質開
口率が落ちるという問題があり、また開口率を落とさな
いように金属等の膜厚を厚くして線幅を狭くしようとす
ると、上下透光性基板間で電気的接触が起こる可能性が
高くなり、表示品位が下がるという問題があった。比較
的セル厚の厚いTN液晶表示ではこの点はそれほど問題
とはならないが、0.5μm〜4μm、好ましくは2μ
m以下という薄いセル厚を必要とする強誘電性液晶表示
装置では深刻である。
設すると電極の透明部分が狭くなり、表示装置の実質開
口率が落ちるという問題があり、また開口率を落とさな
いように金属等の膜厚を厚くして線幅を狭くしようとす
ると、上下透光性基板間で電気的接触が起こる可能性が
高くなり、表示品位が下がるという問題があった。比較
的セル厚の厚いTN液晶表示ではこの点はそれほど問題
とはならないが、0.5μm〜4μm、好ましくは2μ
m以下という薄いセル厚を必要とする強誘電性液晶表示
装置では深刻である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の液晶
表示装置では、表示特性を均一にするため、金属等の低
抵抗導電膜により電極抵抗を低減化し、かつメモリの反
転を防止する際に開口率が低下し、上下の透明性基板間
で電気的接触が起こる可能性が高くなり、表示品位が下
がるという問題があった。
表示装置では、表示特性を均一にするため、金属等の低
抵抗導電膜により電極抵抗を低減化し、かつメモリの反
転を防止する際に開口率が低下し、上下の透明性基板間
で電気的接触が起こる可能性が高くなり、表示品位が下
がるという問題があった。
【0010】本発明の目的は、上述の問題点を解決し、
表示品位が格段に向上される液晶表示装置を提供するこ
とである。
表示品位が格段に向上される液晶表示装置を提供するこ
とである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、一対の透光性
基板の対向し合う表面にそれぞれ透明電極を形成し、そ
れぞれの透明電極を被覆する配向膜を形成し、一対の透
光性基板間に液晶を充填してなる液晶表示装置において
、少なくとも一方の透明電極がマトリックス状に配列さ
れるドット電極で形成され、ドット電極の複数を行又は
列方向において電気的に接続する低抵抗導電膜を設けた
ことを特徴とする液晶表示装置である。
基板の対向し合う表面にそれぞれ透明電極を形成し、そ
れぞれの透明電極を被覆する配向膜を形成し、一対の透
光性基板間に液晶を充填してなる液晶表示装置において
、少なくとも一方の透明電極がマトリックス状に配列さ
れるドット電極で形成され、ドット電極の複数を行又は
列方向において電気的に接続する低抵抗導電膜を設けた
ことを特徴とする液晶表示装置である。
【0012】
【作用】本発明に従えば、マトリックス状に配列される
ドット電極の複数を行又は列方向において電気的に接続
する低抵抗導電膜が設けられるので、隣接するドット電
極の間に形成される低抵抗導電膜はドット電極上の低抵
抗導電膜の高さから比べるとドット電極の厚さだけ低く
位置し、その部分と対向する透光性基板上の低抵抗導電
膜とが対向するようにセル化することにより一対の透光
性基板間の電気的接触の可能性を小さくすることができ
る。またそのことにより低抵抗導電膜の膜厚を厚くする
ことができ、かつ幅を細くすることが可能となり、開口
率の大幅な低下を防ぐことができる。
ドット電極の複数を行又は列方向において電気的に接続
する低抵抗導電膜が設けられるので、隣接するドット電
極の間に形成される低抵抗導電膜はドット電極上の低抵
抗導電膜の高さから比べるとドット電極の厚さだけ低く
位置し、その部分と対向する透光性基板上の低抵抗導電
膜とが対向するようにセル化することにより一対の透光
性基板間の電気的接触の可能性を小さくすることができ
る。またそのことにより低抵抗導電膜の膜厚を厚くする
ことができ、かつ幅を細くすることが可能となり、開口
率の大幅な低下を防ぐことができる。
【0013】
【実施例】以下この発明の実施例を図面にて詳述するが
、この発明は以下の実施例に限定されるものではない。 実施例1 図1は本発明の第1の実施例の概略構成を示す断面図で
ある。図1において強誘電性液晶表示装置1は、一対の
対向配置される透光性基板2,3と、透光性基板2の透
光性基板3と対向する表面にマトリックス状に形成され
る透明電極であるドット電極5と、透光性基板3の透光
性基板2と対向する表面に行方向に等間隔で形成される
ストライプ透明電極6と、それぞれのドット電極5の表
面の列方向の側縁にそって設けられ、かつドット電極5
それぞれを電気的に接続する低抵抗導電膜7と、ストラ
イプ透明電極6の表面の側縁にそって密着して設けられ
る低抵抗導電膜8と、絶縁膜9,10を介してドット電
極5とストライプ透明電極6とをそれぞれ被覆する配向
膜11,12と、透光性基板2,3の間に充填される強
誘電性液晶4と、それぞれの透光性基板2,3の外表面
に設けられる偏光板13,14とで構成されている。
、この発明は以下の実施例に限定されるものではない。 実施例1 図1は本発明の第1の実施例の概略構成を示す断面図で
ある。図1において強誘電性液晶表示装置1は、一対の
対向配置される透光性基板2,3と、透光性基板2の透
光性基板3と対向する表面にマトリックス状に形成され
る透明電極であるドット電極5と、透光性基板3の透光
性基板2と対向する表面に行方向に等間隔で形成される
ストライプ透明電極6と、それぞれのドット電極5の表
面の列方向の側縁にそって設けられ、かつドット電極5
それぞれを電気的に接続する低抵抗導電膜7と、ストラ
イプ透明電極6の表面の側縁にそって密着して設けられ
る低抵抗導電膜8と、絶縁膜9,10を介してドット電
極5とストライプ透明電極6とをそれぞれ被覆する配向
膜11,12と、透光性基板2,3の間に充填される強
誘電性液晶4と、それぞれの透光性基板2,3の外表面
に設けられる偏光板13,14とで構成されている。
【0014】透光性基板2と透光性基板3とは、それぞ
れのストライプ透明電極6上の低抵抗導電膜7がドット
電極5,5間のそれぞれの溝部分の上方に位置するよう
に対向配置される。透光性基板2,3としては、代表的
にはガラスが用いられる。
れのストライプ透明電極6上の低抵抗導電膜7がドット
電極5,5間のそれぞれの溝部分の上方に位置するよう
に対向配置される。透光性基板2,3としては、代表的
にはガラスが用いられる。
【0015】ドット電極5及びストライプ透明電極6は
、ITO膜により構成され、その膜厚は2000Åが好
ましい。また低抵抗導電膜7,8は、代表的にはモリブ
デンをスパッタ法により蒸着して形成し、その膜厚は2
200Å、幅は5μmが好ましい。ドット電極5は一辺
の長さを55μmとする正方形をしており、電極間の間
隔は10μmとする。
、ITO膜により構成され、その膜厚は2000Åが好
ましい。また低抵抗導電膜7,8は、代表的にはモリブ
デンをスパッタ法により蒸着して形成し、その膜厚は2
200Å、幅は5μmが好ましい。ドット電極5は一辺
の長さを55μmとする正方形をしており、電極間の間
隔は10μmとする。
【0016】実施例2
図2は、本発明の第2の実施例の概略構成を示す断面図
である。図2において、強誘電性液晶表示装置1aは、
ガラス等の透光性基板2,3を有し、その間には強誘電
性液晶4が充填されている。透光性基板2,3の対向す
る表面には、マトリックス状に配列される透明電極であ
るドット電極5a,5bが設置され、低抵抗導電膜7,
8がドット電極5a,5bをそれぞれ行ごと、列ごとに
接続するように形成されている。そして、その上にさら
に絶縁膜9,10および配向膜11,12がこの順に形
成されている。2枚の透光性基板2,3は図2中に矢印
で示すように、低抵抗導電膜7,8が透光性基板2,3
外側方向に向かって引っ込んだ部分同士が対向するよう
に貼合わせてある。透光性基板2,3の外側表面には偏
光板13,14が直交ニコルとなるように設置されてい
る。
である。図2において、強誘電性液晶表示装置1aは、
ガラス等の透光性基板2,3を有し、その間には強誘電
性液晶4が充填されている。透光性基板2,3の対向す
る表面には、マトリックス状に配列される透明電極であ
るドット電極5a,5bが設置され、低抵抗導電膜7,
8がドット電極5a,5bをそれぞれ行ごと、列ごとに
接続するように形成されている。そして、その上にさら
に絶縁膜9,10および配向膜11,12がこの順に形
成されている。2枚の透光性基板2,3は図2中に矢印
で示すように、低抵抗導電膜7,8が透光性基板2,3
外側方向に向かって引っ込んだ部分同士が対向するよう
に貼合わせてある。透光性基板2,3の外側表面には偏
光板13,14が直交ニコルとなるように設置されてい
る。
【0017】各透光性基板2,3には、ドット電極5,
6としてITOが、低抵抗導電膜7,8としてモリブデ
ンがスパッタ法を用いて蒸着された後に図に示す形状に
エッチングにより形成されている。
6としてITOが、低抵抗導電膜7,8としてモリブデ
ンがスパッタ法を用いて蒸着された後に図に示す形状に
エッチングにより形成されている。
【0018】図3及び図4は、上記第2の実施例の液晶
表示装置1aにおいて、透光性基板2,3にドット電極
5,6および低抵抗導電膜7,8を形成する工程を示し
た製造工程図である。ただし本図では透光性基板2の場
合のみを示す。
表示装置1aにおいて、透光性基板2,3にドット電極
5,6および低抵抗導電膜7,8を形成する工程を示し
た製造工程図である。ただし本図では透光性基板2の場
合のみを示す。
【0019】まず、図3の(a)に示すように、ドット
電極5としてスパッタ法によりITO膜5cを2000
Å厚で形成した透光性基板2の上にフォトレジスト16
を塗布し、90°Cで仮焼成し、同図に示す形状のフォ
トマスク35を用い高圧水銀灯で露光し、現像を行った
後、120℃で本焼成し、図3の(b)のようにフォト
レジストを形成する。
電極5としてスパッタ法によりITO膜5cを2000
Å厚で形成した透光性基板2の上にフォトレジスト16
を塗布し、90°Cで仮焼成し、同図に示す形状のフォ
トマスク35を用い高圧水銀灯で露光し、現像を行った
後、120℃で本焼成し、図3の(b)のようにフォト
レジストを形成する。
【0020】次に臭酸の47%水溶液を用いて35°C
で4分間エッチングを行い図3の(c)に示すような正
方形にパターニングした。続いて図4の(d)に示すよ
うに、モリブデン膜7aをスパッタ法を用いて2200
Åの膜厚に形成した。さらにITO膜5cの場合と同様
にフォトレジスト16を塗布、仮焼成し図4の(e)に
示すフォトマスク36を用い露光を行い、現像、本焼成
した後、H3PO4とHNO3との5:1混合液の25
%水溶液を用いて25°Cにて3分間エッチングを行い
、図4の(f)に示す形状にパターニングした。この時
のドット電極5aの一辺の長さは55μm、電極間は1
0μm、低抵抗導電膜7の線幅は5μmである。
で4分間エッチングを行い図3の(c)に示すような正
方形にパターニングした。続いて図4の(d)に示すよ
うに、モリブデン膜7aをスパッタ法を用いて2200
Åの膜厚に形成した。さらにITO膜5cの場合と同様
にフォトレジスト16を塗布、仮焼成し図4の(e)に
示すフォトマスク36を用い露光を行い、現像、本焼成
した後、H3PO4とHNO3との5:1混合液の25
%水溶液を用いて25°Cにて3分間エッチングを行い
、図4の(f)に示す形状にパターニングした。この時
のドット電極5aの一辺の長さは55μm、電極間は1
0μm、低抵抗導電膜7の線幅は5μmである。
【0021】図3及び図4には示していないが、その上
にSiO2(商品名、東京応化社製、OCD TYP
E−II)をスピンナー塗布し、焼成して絶縁膜9を形
成する。そしてさらにその上にナイロン6(東レ社製)
の1%メタクレゾール溶液をスピンナー塗布し、焼成し
て配向膜11を形成する。
にSiO2(商品名、東京応化社製、OCD TYP
E−II)をスピンナー塗布し、焼成して絶縁膜9を形
成する。そしてさらにその上にナイロン6(東レ社製)
の1%メタクレゾール溶液をスピンナー塗布し、焼成し
て配向膜11を形成する。
【0022】このようにして形成した透光性基板2の配
向膜11と図3及び図4と同様の処理を施した透光性基
板3の配向膜12とに、パラレルあるいはアンチパラレ
ルとなるようにラビングを施し、セル厚1.8μmとな
るように、図2中に矢印で示すように、ドット電極5a
,5b上にある低抵抗導電膜7,8がそれぞれのドット
電極5a,5bの行方向及び列方向の電極間の溝部分に
対向するように位置合わせてセル化し、強誘電性液晶4
を注入、封止して2枚の偏光子13,14を外側表面に
設置して図2に示す液晶表示装置1を形成する。
向膜11と図3及び図4と同様の処理を施した透光性基
板3の配向膜12とに、パラレルあるいはアンチパラレ
ルとなるようにラビングを施し、セル厚1.8μmとな
るように、図2中に矢印で示すように、ドット電極5a
,5b上にある低抵抗導電膜7,8がそれぞれのドット
電極5a,5bの行方向及び列方向の電極間の溝部分に
対向するように位置合わせてセル化し、強誘電性液晶4
を注入、封止して2枚の偏光子13,14を外側表面に
設置して図2に示す液晶表示装置1を形成する。
【0023】この液晶表示装置は、ドット電極5a,5
bを透明電極より電気抵抗の小さいモリブデンからなる
低抵抗導電膜7,8で電気的に接続することによって、
通常のストライプ電極を用いた表示装置と同様に電圧を
選択的に印加し画像表示を行うことができた。そしてド
ット電極5a,5bの各部において印加される電圧の減
衰がおこらず、低抵抗導電膜同士が対向する部分の距離
が長いため上下の基板間での電気的接触も起こらず、ま
た、電極エッジからのメモリー反転も生じず、画面全体
で良好な表示特性が得られた。
bを透明電極より電気抵抗の小さいモリブデンからなる
低抵抗導電膜7,8で電気的に接続することによって、
通常のストライプ電極を用いた表示装置と同様に電圧を
選択的に印加し画像表示を行うことができた。そしてド
ット電極5a,5bの各部において印加される電圧の減
衰がおこらず、低抵抗導電膜同士が対向する部分の距離
が長いため上下の基板間での電気的接触も起こらず、ま
た、電極エッジからのメモリー反転も生じず、画面全体
で良好な表示特性が得られた。
【0024】実施例3
図5は、本発明の第3の実施例の基板構成の概略化した
斜視図である。この実施例において、強誘電性液晶表示
装置はモリブデンからなる低抵抗導電膜7bが、図5に
示す形状に透明電極上1100Åの厚さに形成されてい
る他は図2に示す第2の実施例の強誘電性液晶表示装置
と同様である。この低抵抗導電膜7bの製造は図4の(
e)において、フォトマスクの位置をずらせばよいだけ
である。
斜視図である。この実施例において、強誘電性液晶表示
装置はモリブデンからなる低抵抗導電膜7bが、図5に
示す形状に透明電極上1100Åの厚さに形成されてい
る他は図2に示す第2の実施例の強誘電性液晶表示装置
と同様である。この低抵抗導電膜7bの製造は図4の(
e)において、フォトマスクの位置をずらせばよいだけ
である。
【0025】すなわち、低抵抗導電膜7bは、ドット電
極5間の溝部分においてドット電極5の側壁と密着する
形状となる。このように絵素部と非絵素部にまたがるよ
うに低抵抗導電膜を形成したことでドット(絵素)電極
上の低抵抗導電膜の線幅、厚みともに第2の実施例より
も小さくしても、第2の実施例と同様に良好な表示特性
が得られた。更に線幅を小さくしたことで表示装置の開
口率を増加することができ、よりコントラストの高い表
示が得られた。
極5間の溝部分においてドット電極5の側壁と密着する
形状となる。このように絵素部と非絵素部にまたがるよ
うに低抵抗導電膜を形成したことでドット(絵素)電極
上の低抵抗導電膜の線幅、厚みともに第2の実施例より
も小さくしても、第2の実施例と同様に良好な表示特性
が得られた。更に線幅を小さくしたことで表示装置の開
口率を増加することができ、よりコントラストの高い表
示が得られた。
【0026】実施例4
図6は、本発明の第4の実施例の基板構成の概略化した
斜視図である。図6において、低抵抗導電膜7はドット
電極5間の溝部分に配設され、一方の側にある列あるい
は行のドット電極5と電気的に接触し、他方の側にある
ドット電極5とは接触しないように絶縁膜15により列
間あるいは行間を完全に遮断されている。本実施例の絶
縁膜15はTa2O5をスパッタ法を用いて2000Å
の膜厚に形成した後、実施例2,3と同様にフォトリソ
グラフィーにてレジストパターンを形成し、ガスとして
CF4を用いるプラズマエッチングにより形成されてい
る。低抵抗導電膜7は実施例2,3と同じくモリブデン
を用い、絶縁膜15の上に500Å堆積させてある。そ
の他は実施例2,3と同条件でセルを作成した。この場
合、Ta2O5からなる絶縁膜15は、モリブデンから
なる低抵抗導電膜7とITOからなるドット電極5との
電気的接触を防ぐため2000Å以上が好ましいが、低
抵抗導電膜7は非電極部を覆うため、線幅が11μmと
広く取れるので500Åと薄くてもよい。
斜視図である。図6において、低抵抗導電膜7はドット
電極5間の溝部分に配設され、一方の側にある列あるい
は行のドット電極5と電気的に接触し、他方の側にある
ドット電極5とは接触しないように絶縁膜15により列
間あるいは行間を完全に遮断されている。本実施例の絶
縁膜15はTa2O5をスパッタ法を用いて2000Å
の膜厚に形成した後、実施例2,3と同様にフォトリソ
グラフィーにてレジストパターンを形成し、ガスとして
CF4を用いるプラズマエッチングにより形成されてい
る。低抵抗導電膜7は実施例2,3と同じくモリブデン
を用い、絶縁膜15の上に500Å堆積させてある。そ
の他は実施例2,3と同条件でセルを作成した。この場
合、Ta2O5からなる絶縁膜15は、モリブデンから
なる低抵抗導電膜7とITOからなるドット電極5との
電気的接触を防ぐため2000Å以上が好ましいが、低
抵抗導電膜7は非電極部を覆うため、線幅が11μmと
広く取れるので500Åと薄くてもよい。
【0027】この液晶表示装置は、実施例2,3と同じ
ように良好な表示特性が得られた。更に非絵素部を完全
に遮光するように低抵抗導電膜を形成したことで非絵素
部の表示を揃えることができ、よりコントラストの高い
表示が得られた。
ように良好な表示特性が得られた。更に非絵素部を完全
に遮光するように低抵抗導電膜を形成したことで非絵素
部の表示を揃えることができ、よりコントラストの高い
表示が得られた。
【0028】実施例5
図7は本発明の実施例の基板構成の概略化した斜視図で
ある。この実施例にあっては上記実施例4と同様、絶縁
膜15を用いて低抵抗導電膜7を配設するもので、絶縁
膜15はドット電極5の上面をほぼ被覆し、かつ電極間
の溝部分を埋めるように形成される。低抵抗導電膜7は
行又は列方向にそれぞれのドット電極5の絶縁膜15で
は被覆されていない上面と接触してドット電極5同士を
電気的に接続するものである。この基板構成以外の構成
は実施例2と同じである。この液晶表示装置、実施例2
と同じように良好なコントラストの表示特性が得られた
。
ある。この実施例にあっては上記実施例4と同様、絶縁
膜15を用いて低抵抗導電膜7を配設するもので、絶縁
膜15はドット電極5の上面をほぼ被覆し、かつ電極間
の溝部分を埋めるように形成される。低抵抗導電膜7は
行又は列方向にそれぞれのドット電極5の絶縁膜15で
は被覆されていない上面と接触してドット電極5同士を
電気的に接続するものである。この基板構成以外の構成
は実施例2と同じである。この液晶表示装置、実施例2
と同じように良好なコントラストの表示特性が得られた
。
【0029】実施例6
図8は、本発明の第6の実施例の基板構成の概略化した
斜視図である。図8において、低抵抗導電膜7が透光性
基板上に形成されており、その上に絶縁膜15を介して
片側の列あるいは行が低抵抗導電膜7と電気的に接触す
るようにドット電極5が形成されている。その他は実施
例4と同様である。この液晶表示装置は、実施例4,5
と同じように良好なコントラストの表示特性が得られた
。
斜視図である。図8において、低抵抗導電膜7が透光性
基板上に形成されており、その上に絶縁膜15を介して
片側の列あるいは行が低抵抗導電膜7と電気的に接触す
るようにドット電極5が形成されている。その他は実施
例4と同様である。この液晶表示装置は、実施例4,5
と同じように良好なコントラストの表示特性が得られた
。
【0030】本実施例1〜6では低抵抗導電膜としてモ
リブデンを用いたが、モリブデンの代わりにアルミニウ
ム、チタン、タンタル等を用いても同様な結果が得られ
る。また絶縁膜15としてTa2O5の代わりに、Al
2O3,ZnO,Y2O3,SiO2,SiNx等を用
いても同様な結果が得られた。
リブデンを用いたが、モリブデンの代わりにアルミニウ
ム、チタン、タンタル等を用いても同様な結果が得られ
る。また絶縁膜15としてTa2O5の代わりに、Al
2O3,ZnO,Y2O3,SiO2,SiNx等を用
いても同様な結果が得られた。
【0031】
【発明の効果】この発明によれば、上下リークの発生を
少なくすることができ、さらに開口率の大幅な低下を防
止して良好なコントラストの表示特性を有する液晶表示
装置が得られる。
少なくすることができ、さらに開口率の大幅な低下を防
止して良好なコントラストの表示特性を有する液晶表示
装置が得られる。
【図1】本発明の第1の実施例である液晶表示装置の断
面図。
面図。
【図2】本発明の第2の実施例の断面図。
【図3】本発明の第2の実施例の液晶表示装置において
ドット電極及び低抵抗導電膜の形成までの前半工程を示
す製造工程図。
ドット電極及び低抵抗導電膜の形成までの前半工程を示
す製造工程図。
【図4】図3に示す工程に続く工程を示す製造工程図。
【図5】第3の実施例の基板の概略構成を示す斜視図。
【図6】第4の実施例の基板の概略構成を示す斜視図。
【図7】第5の実施例の基板の概略構成を示す斜視図。
【図8】第6の実施例の基板の概略構成を示す斜視図。
【図9】従来例の液晶表示装置の断面図。
【図10】他の従来例の液晶表示装置の断面図。
【図11】強誘電性液晶の動作を示す動作説明図。
2 透光性基板
3 透光性基板
4 強誘電性液晶
5 ドット電極
6 ストライプ透明電極
7 低抵抗導電膜
Claims (1)
- 【請求項1】 一対の透光性基板の対向し合う表面に
それぞれ透明電極を形成し、それぞれの透明電極を被覆
する配向膜を形成し、一対の透光性基板間に液晶を充填
してなる液晶表示装置において、少なくとも一方の透明
電極がマトリックス状に配列されるドット電極で形成さ
れ、ドット電極の複数を行又は列方向において電気的に
接続する低抵抗導電膜を設けたことを特徴とする液晶表
示装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3014823A JP2622033B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 液晶表示装置 |
CA002058902A CA2058902C (en) | 1991-01-14 | 1992-01-07 | Liquid crystal display |
EP92300315A EP0495632B1 (en) | 1991-01-14 | 1992-01-14 | Liquid crystal display |
US07/820,273 US5274483A (en) | 1991-01-14 | 1992-01-14 | Liquid crystal display with conductive film along the edge of electrodes of one substrate and between dot electrodes of the other substrate |
DE69208898T DE69208898T2 (de) | 1991-01-14 | 1992-01-14 | Flüssigkristallanzeige |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3014823A JP2622033B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04241324A true JPH04241324A (ja) | 1992-08-28 |
JP2622033B2 JP2622033B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=11871763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3014823A Expired - Lifetime JP2622033B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 液晶表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP0495632B1 (ja) |
JP (1) | JP2622033B2 (ja) |
CA (1) | CA2058902C (ja) |
DE (1) | DE69208898T2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9006919D0 (en) * | 1990-03-28 | 1990-05-23 | Panther Giles | Paging receiver |
US5753937A (en) * | 1994-05-31 | 1998-05-19 | Casio Computer Co., Ltd. | Color liquid crystal display device having a semitransparent layer on the inner surface of one of the substrates |
US5777710A (en) * | 1995-04-28 | 1998-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrode substrate, making the same, liquid crystal device provided therewith, and making the same |
JP2000321600A (ja) * | 1999-05-13 | 2000-11-24 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液晶表示装置及びこれの製造方法 |
JP4783890B2 (ja) | 2000-02-18 | 2011-09-28 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60249120A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-09 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示素子 |
JPS6125125A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-04 | Sharp Corp | 液晶表示素子 |
JPS6159517A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-27 | Casio Comput Co Ltd | 動画入力装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57161882A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Hitachi Ltd | Display body panel |
US4824213A (en) * | 1983-12-16 | 1989-04-25 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display having opaque portions on the electrodes |
JPS61210325A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Hitachi Ltd | 液晶表示素子 |
JPH0685032B2 (ja) * | 1985-10-17 | 1994-10-26 | キヤノン株式会社 | カイラルスメクティック液晶素子 |
JPS62121424A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Canon Inc | 液晶セル |
EP0224243B1 (en) * | 1985-11-26 | 1992-06-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation device and driving method therefor |
US4712874A (en) * | 1985-12-25 | 1987-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device having color filters on row or column electrodes |
US4906072A (en) * | 1986-10-09 | 1990-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus and driving method for providing an uniform potential to the electrodes |
US4859036A (en) * | 1987-05-15 | 1989-08-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Device plate having conductive films selected to prevent pin-holes |
US5000545A (en) * | 1987-05-28 | 1991-03-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with metal electrode partially overlying transparent electrode |
JP2683032B2 (ja) * | 1988-05-06 | 1997-11-26 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
JPH01179915A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-18 | Canon Inc | 液晶素子 |
JP2537951B2 (ja) * | 1988-02-25 | 1996-09-25 | 松下電器産業株式会社 | 液晶ライトバルブ光学装置 |
JP2694229B2 (ja) * | 1988-03-07 | 1997-12-24 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置用電極の作製方法 |
US5132816A (en) * | 1989-02-02 | 1992-07-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device and method of manufacturing the same |
US5084778A (en) * | 1989-12-26 | 1992-01-28 | General Electric Company | Electrode structure for removing field-induced disclination lines in a phase control type of liquid crystal device |
-
1991
- 1991-01-14 JP JP3014823A patent/JP2622033B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-01-07 CA CA002058902A patent/CA2058902C/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-14 DE DE69208898T patent/DE69208898T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-14 US US07/820,273 patent/US5274483A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-14 EP EP92300315A patent/EP0495632B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60249120A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-09 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示素子 |
JPS6125125A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-04 | Sharp Corp | 液晶表示素子 |
JPS6159517A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-27 | Casio Comput Co Ltd | 動画入力装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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EP0495632A2 (en) | 1992-07-22 |
DE69208898D1 (de) | 1996-04-18 |
EP0495632B1 (en) | 1996-03-13 |
CA2058902A1 (en) | 1992-07-15 |
EP0495632A3 (en) | 1993-01-20 |
JP2622033B2 (ja) | 1997-06-18 |
CA2058902C (en) | 1996-04-09 |
US5274483A (en) | 1993-12-28 |
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