JPS60247817A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS60247817A JPS60247817A JP10395084A JP10395084A JPS60247817A JP S60247817 A JPS60247817 A JP S60247817A JP 10395084 A JP10395084 A JP 10395084A JP 10395084 A JP10395084 A JP 10395084A JP S60247817 A JPS60247817 A JP S60247817A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- recording medium
- magnetic head
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- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、薄膜磁気ヘッドに関し９％に磁気キャップ
を有する磁路の一部に磁気抵抗効果素子全役けた薄吸破
シヘッドに関するものである。
を有する磁路の一部に磁気抵抗効果素子全役けた薄吸破
シヘッドに関するものである。
従来、この棟の装置として第１図及び第２図に示すもの
があった。か１図は薄膜磁気ヘッド、例えば磁束引込み
型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの断面全示し、（１）は
非磁性材よりなる基板、（２）は例エバパーマロイやセ
ンダストなどの強磁性材よりなるコア、（３）は磁気ギ
ャップ、（４）は例えばパーマロイなどの強磁性体薄膜
よりなる磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称ア）、（
５１はバイアス導体で。
があった。か１図は薄膜磁気ヘッド、例えば磁束引込み
型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドの断面全示し、（１）は
非磁性材よりなる基板、（２）は例エバパーマロイやセ
ンダストなどの強磁性材よりなるコア、（３）は磁気ギ
ャップ、（４）は例えばパーマロイなどの強磁性体薄膜
よりなる磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と称ア）、（
５１はバイアス導体で。
コア（２）内に例えはアルミナなどによる非磁性材（６
）全弁して設けられている。
）全弁して設けられている。
また、第２図は第１図の■−■線より基板ｆｉｌを取り
去って見た平面図であり、（７）はＭＲ素子（４）の引
出導体部である。ＭＲ素子（４）には、矢印（８）で示
了向きに電流を流している。
去って見た平面図であり、（７）はＭＲ素子（４）の引
出導体部である。ＭＲ素子（４）には、矢印（８）で示
了向きに電流を流している。
次に動作について説明する。デジタル記録において、情
報は第３図に示アように磁気記録媒体（９）の磁性層の
磁化の向き９例えは矢印（Ａｌ及び（Ｂ）の方向で記録
式れており、矢印（Ａ）の方１川に磁化てれた領域は、
磁化遷移領域ａωを構成する。磁気記録媒体（９）が磁
気ギャップ（３）上音矢印αυの方向に摺動し。
報は第３図に示アように磁気記録媒体（９）の磁性層の
磁化の向き９例えは矢印（Ａｌ及び（Ｂ）の方向で記録
式れており、矢印（Ａ）の方１川に磁化てれた領域は、
磁化遷移領域ａωを構成する。磁気記録媒体（９）が磁
気ギャップ（３）上音矢印αυの方向に摺動し。
第３図に示すように磁化遷移領域０αが磁気ギャップ（
３）上に位置する時、磁気記録媒体（９）からの磁束は
矢印α２で示すような磁路全通る。従って、ＭＲ素子（
４）は素子膜面に平行で、ＭＲ素子（４）電流ねる電流
の向きである矢印（８）Ｋ直角な方向に磁化される。Ｍ
Ｒ素子（４）が磁化されると、この素子（４）の磁気抵
抗効果により、＠化の強さに応じて１．気抵抗値が変化
する。従って、引出導体部（７）間の電圧変化を知るこ
とにより抵抗値の変化を検出し、磁気記録媒体（９）の
信号磁界全検知することができる。
３）上に位置する時、磁気記録媒体（９）からの磁束は
矢印α２で示すような磁路全通る。従って、ＭＲ素子（
４）は素子膜面に平行で、ＭＲ素子（４）電流ねる電流
の向きである矢印（８）Ｋ直角な方向に磁化される。Ｍ
Ｒ素子（４）が磁化されると、この素子（４）の磁気抵
抗効果により、＠化の強さに応じて１．気抵抗値が変化
する。従って、引出導体部（７）間の電圧変化を知るこ
とにより抵抗値の変化を検出し、磁気記録媒体（９）の
信号磁界全検知することができる。
ところが、磁気記録媒体（９）がさらに矢印Ｕの方向に
摺動し、磁化遷移領域ａαが第４図に示す位置に移動す
ると、コア（２）の透磁率が大きいため、磁化遷移領域
０１からのもれ磁束がコア（２１の方に引き込まれてし
まう。このため、もれ磁束は矢印０で示すようにＭＲ素
子（４）會通って流ね、引出導体部（７）間の電圧が変
化してしまう。
摺動し、磁化遷移領域ａαが第４図に示す位置に移動す
ると、コア（２）の透磁率が大きいため、磁化遷移領域
０１からのもれ磁束がコア（２１の方に引き込まれてし
まう。このため、もれ磁束は矢印０で示すようにＭＲ素
子（４）會通って流ね、引出導体部（７）間の電圧が変
化してしまう。
従来の薄膜磁気ヘッドは以上のように構成でれているの
で、磁化遷移領域ααが磁気キャップ（３）上に位置し
ない時でも電圧変化が発生し、情報の位置が不明確であ
るという欠点があった、〔発明の概要〕 この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためにな嘔ねたもので、磁気抵抗効果素子と、こねに対
向する磁気記録媒体との間に、磁気記録媒体のもれ磁束
が磁気抵抗効果素子に影響テることを防止する磁気趣蔽
物全設けることにより、磁気抵抗効果素子から検出でれ
る出力電圧の波形全改善し。磁化遷移領域に記録された
情報の位置を明確に検出できる薄膜磁気ヘッド全提供す
ることを目的としている。
で、磁化遷移領域ααが磁気キャップ（３）上に位置し
ない時でも電圧変化が発生し、情報の位置が不明確であ
るという欠点があった、〔発明の概要〕 この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためにな嘔ねたもので、磁気抵抗効果素子と、こねに対
向する磁気記録媒体との間に、磁気記録媒体のもれ磁束
が磁気抵抗効果素子に影響テることを防止する磁気趣蔽
物全設けることにより、磁気抵抗効果素子から検出でれ
る出力電圧の波形全改善し。磁化遷移領域に記録された
情報の位置を明確に検出できる薄膜磁気ヘッド全提供す
ることを目的としている。
以下、この発明の一実施例全図について説明する。第５
図はその断面図、第６図はその動作薄明図であり、ａ４
＆まＭＲ素子（４）と、これに対向する磁気記録媒体（
９１との間に設けた磁気遮蔽物で、ａｉ磁気記録媒体９
）のもれ磁束がＭＲ素子（４）に影響テること全防止す
るものであり１例えはフェライトなどの強磁性材により
形成されている。この磁気遮蔽物α心のために、磁化遷
移領域ｎｏが磁気ギャップ（３）上全通り過ぎて第６図
のように位置する時でも。
図はその断面図、第６図はその動作薄明図であり、ａ４
＆まＭＲ素子（４）と、これに対向する磁気記録媒体（
９１との間に設けた磁気遮蔽物で、ａｉ磁気記録媒体９
）のもれ磁束がＭＲ素子（４）に影響テること全防止す
るものであり１例えはフェライトなどの強磁性材により
形成されている。この磁気遮蔽物α心のために、磁化遷
移領域ｎｏが磁気ギャップ（３）上全通り過ぎて第６図
のように位置する時でも。
磁化遷移領域ａａ力）らのもれ磁束は磁気趣蔽物■内で
矢印０５１のように閉ループを描き、ＭＲ素子（４）に
モｔｔ、ｉ束が引き込まれない。
矢印０５１のように閉ループを描き、ＭＲ素子（４）に
モｔｔ、ｉ束が引き込まれない。
第１図は磁気ギャップ（３）の中心力）らの磁化遷移領
域ａαに記録された情報位置に対する。ＭＲ素子（４）
で検出される出力電圧を示す特性図である。曲線ａｅは
従来の薄膜磁気ヘッドにおける出力電圧の波形であり９
曲ＩＩＩＪα７ｊはこの発明の−実り例によるものであ
る。図に示すように、従来のものは情報の位置が磁気キ
ャップ（３）より＠ｈるに従ってゆるやかπ減衰がおこ
るが、この実施例によるとその減衰が早くおこり出力電
圧の波形が改善嘔わて。
域ａαに記録された情報位置に対する。ＭＲ素子（４）
で検出される出力電圧を示す特性図である。曲線ａｅは
従来の薄膜磁気ヘッドにおける出力電圧の波形であり９
曲ＩＩＩＪα７ｊはこの発明の−実り例によるものであ
る。図に示すように、従来のものは情報の位置が磁気キ
ャップ（３）より＠ｈるに従ってゆるやかπ減衰がおこ
るが、この実施例によるとその減衰が早くおこり出力電
圧の波形が改善嘔わて。
情報の位置を明確に検出することができる、捷た。第８
図はこの発明の他の実施例葡示すもので、溝付き形磁気
抵抗効果淘膜磁気ヘッドに適用した例である。図におい
て、０秒は磁性材より成る溝付き基板であり、磁気遮蔽
物１４１がＭＲ素子（４）とこれに対向する磁気記録媒
体（９）との間に設けられ、＠気記録媒体（９）のもれ
磁束がＭＲ素子（４）に影響することを防止している。
図はこの発明の他の実施例葡示すもので、溝付き形磁気
抵抗効果淘膜磁気ヘッドに適用した例である。図におい
て、０秒は磁性材より成る溝付き基板であり、磁気遮蔽
物１４１がＭＲ素子（４）とこれに対向する磁気記録媒
体（９）との間に設けられ、＠気記録媒体（９）のもれ
磁束がＭＲ素子（４）に影響することを防止している。
従来、この磁気ヘッドでは、ｉ化遷移領域αａに記録は
れた情報が磁気ギャップ（３）の手前に位置する時に、
もれ磁束の影響により、ＭＲ素子（４）からの出力電圧
が検出されてしまい、波形はゆるやかに立ち上がる。こ
のため、情報の位置が不明確であったが、磁気遮蔽物ｆ
ｉ４ｔ−設けることにより、この出力電圧の波形全改善
し、情報の位置を明確に検出することができる。
れた情報が磁気ギャップ（３）の手前に位置する時に、
もれ磁束の影響により、ＭＲ素子（４）からの出力電圧
が検出されてしまい、波形はゆるやかに立ち上がる。こ
のため、情報の位置が不明確であったが、磁気遮蔽物ｆ
ｉ４ｔ−設けることにより、この出力電圧の波形全改善
し、情報の位置を明確に検出することができる。
以上述べたようｔで、この発明により、ば、磁気ギャッ
プを有する磁路の一部に磁気抵抗効果素子を設けた薄膜
磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と、こねに対向
する磁気記録媒体との間に、磁気記録媒体のもれ磁束が
磁気抵抗効果素子に影響することを防止する磁気遮蔽物
全役けることにより、磁気抵抗効果素子力）らの出力電
圧の波形を改善し、情報の位置を明確に検出できる薄膜
磁気ヘッドが得られる効果がある。
プを有する磁路の一部に磁気抵抗効果素子を設けた薄膜
磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果素子と、こねに対向
する磁気記録媒体との間に、磁気記録媒体のもれ磁束が
磁気抵抗効果素子に影響することを防止する磁気遮蔽物
全役けることにより、磁気抵抗効果素子力）らの出力電
圧の波形を改善し、情報の位置を明確に検出できる薄膜
磁気ヘッドが得られる効果がある。
第１図は従来の淘、膜磁気ヘッド會示す断面図。
第２図は第１図のＩＦ−Ｕ線より基板？と９去って見た
平面図、第３図、第４図はそれぞれ従来の薄膜磁気ヘッ
ドの動作を示す説明図、第５図はこの発明の一実施例に
よる薄膜磁気ヘッドの１＃′ｒｌｆＩ図。 第６図は第５図の動作全ポア説明図９ｍ１図は情報の位
會に対ｙる磁気抵抗効果素子力）らの出力電圧？示す特
性図、第８図はこの発明の他の実施例′による薄膜磁気
ヘッドを示す断面図である。 （３）は磁気キャップ、（４）は磁気抵抗効果素子、（
９）は磁気記録媒体、 （＋４１は磁気遮蔽物なお１図
中、同一符号は同一、又は相当部分全示す。 代理人大岩増雄 ルｌ凶 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６！！０
平面図、第３図、第４図はそれぞれ従来の薄膜磁気ヘッ
ドの動作を示す説明図、第５図はこの発明の一実施例に
よる薄膜磁気ヘッドの１＃′ｒｌｆＩ図。 第６図は第５図の動作全ポア説明図９ｍ１図は情報の位
會に対ｙる磁気抵抗効果素子力）らの出力電圧？示す特
性図、第８図はこの発明の他の実施例′による薄膜磁気
ヘッドを示す断面図である。 （３）は磁気キャップ、（４）は磁気抵抗効果素子、（
９）は磁気記録媒体、 （＋４１は磁気遮蔽物なお１図
中、同一符号は同一、又は相当部分全示す。 代理人大岩増雄 ルｌ凶 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６！！０
Claims (1)
- 磁気キャップを有了る磁路の一部に磁気抵抗効果素子を
設けた薄膜磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子
と、こねに対向する磁気記録媒体との間に、ま記磁気記
録媒体のもれ磁束が上記磁気抵抗効果素子に影堺するこ
と全防止する磁気辿蔽物？設けｋこと全特徴とする薄膜
（ロ）磁気ヘッド６
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10395084A JPS60247817A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10395084A JPS60247817A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247817A true JPS60247817A (ja) | 1985-12-07 |
Family
ID=14367695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10395084A Pending JPS60247817A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60247817A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6336912U (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-09 | ||
| JPS6352108U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5093114A (ja) * | 1973-12-18 | 1975-07-25 | ||
| JPS5179326A (ja) * | 1974-12-31 | 1976-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Jikihetsudonoseizohoho |
-
1984
- 1984-05-23 JP JP10395084A patent/JPS60247817A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5093114A (ja) * | 1973-12-18 | 1975-07-25 | ||
| JPS5179326A (ja) * | 1974-12-31 | 1976-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Jikihetsudonoseizohoho |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6336912U (ja) * | 1986-08-26 | 1988-03-09 | ||
| JPS6352108U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 |
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