JPS60245637A - 感光性耐熱材料 - Google Patents
感光性耐熱材料Info
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- JPS60245637A JPS60245637A JP59103918A JP10391884A JPS60245637A JP S60245637 A JPS60245637 A JP S60245637A JP 59103918 A JP59103918 A JP 59103918A JP 10391884 A JP10391884 A JP 10391884A JP S60245637 A JPS60245637 A JP S60245637A
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- Japan
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、光又は放射線により２量化又は重合可能な
基を有する感光性耐熱材料に関する。
基を有する感光性耐熱材料に関する。
従来、ポリイミドのプレポリマーであるポリアミド酸を
極性溶媒中へ溶解させた樹脂液に貞クロム酸塩を添加し
て感光性を保持したワニスを調整し、このワニスを基板
に塗布し、通常の光学的手法を用いて露光、現像処理全
行ない、その後加熱処理を行なってポリイミド膜とする
ことが知られている。
極性溶媒中へ溶解させた樹脂液に貞クロム酸塩を添加し
て感光性を保持したワニスを調整し、このワニスを基板
に塗布し、通常の光学的手法を用いて露光、現像処理全
行ない、その後加熱処理を行なってポリイミド膜とする
ことが知られている。
しかしなから、このワニスは暗反応が起るため、重クロ
ム酸塩を混合後ただちに使用しなけれはならず、保存安
定性に乏しい欠点含有しており、また、重クロム酸塩が
硬化被膜中Ｖこ残存するため、絶縁膜として色軸性に欠
ける欠ａを有している・一方、感光基全有するテトラカ
ルボン酸誘導体とジアミンの重縮合反応により合成され
る０ ０ （式中、ｎは整数を示す。） で例示される構造のポリアミド酸が知られている。
ム酸塩を混合後ただちに使用しなけれはならず、保存安
定性に乏しい欠点含有しており、また、重クロム酸塩が
硬化被膜中Ｖこ残存するため、絶縁膜として色軸性に欠
ける欠ａを有している・一方、感光基全有するテトラカ
ルボン酸誘導体とジアミンの重縮合反応により合成され
る０ ０ （式中、ｎは整数を示す。） で例示される構造のポリアミド酸が知られている。
しかＬ５このワニスの揚台、テトラカルボン酸誘導体の
合成ノロセスは複雑であり、さらにポリアミドｅは加水
分解を受けやすぐ、溶液の粘度低下が起るなど、コスト
面や保存性において問題が残る。
合成ノロセスは複雑であり、さらにポリアミドｅは加水
分解を受けやすぐ、溶液の粘度低下が起るなど、コスト
面や保存性において問題が残る。
この発（７）け、上記従来のものの欠点を除去するため
になされたもので、一般式 ％式％ ） （式中、Ｒ１け芳香族環よりなる３価又け４価の基を示
し、ｎけ１又ｔｄ２ｆ示し、かっカルボキシル基はアミ
ン基に対してオルト位に存在する。） で示されるジアミン（Ａ）、一般式 １式％（２） （式中、Ｒ１は少なくとも２個の炭素原子を有する２価
の基を示す。） で示されるジ°ｒミン（Ｂ）、および一般式１式％ の内のいずれか一様を・示し、Ｘは一〇−１−Ｓ−１−
ＣＨａ −１５Ｏ２−および−ＣＯ−の内のいずれか−
ａを示し、Ｒ４けＨ又け１価の有機基を示す。） で示されるビスオキサジノン（Ｃ）を反応して得られる
ポリキナゾロン重合体（Ｉ）に、一般式１式％ （式中、Ｒ５け光又は放射線で２量化又は重合可能な２
重結合を有する基を示す。）で示されるインシアネート
化合物（［［）ｔ−反応させることにより得られるもの
を含有するものを用いることにより、保存安定性および
パターン加工性に優れ、製造工程が簡単で、カ）っ史に
毘度の耐熱性の絶縁膜となり得る感光性耐熱材料全提供
することを目的とする。
になされたもので、一般式 ％式％ ） （式中、Ｒ１け芳香族環よりなる３価又け４価の基を示
し、ｎけ１又ｔｄ２ｆ示し、かっカルボキシル基はアミ
ン基に対してオルト位に存在する。） で示されるジアミン（Ａ）、一般式 １式％（２） （式中、Ｒ１は少なくとも２個の炭素原子を有する２価
の基を示す。） で示されるジ°ｒミン（Ｂ）、および一般式１式％ の内のいずれか一様を・示し、Ｘは一〇−１−Ｓ−１−
ＣＨａ −１５Ｏ２−および−ＣＯ−の内のいずれか−
ａを示し、Ｒ４けＨ又け１価の有機基を示す。） で示されるビスオキサジノン（Ｃ）を反応して得られる
ポリキナゾロン重合体（Ｉ）に、一般式１式％ （式中、Ｒ５け光又は放射線で２量化又は重合可能な２
重結合を有する基を示す。）で示されるインシアネート
化合物（［［）ｔ−反応させることにより得られるもの
を含有するものを用いることにより、保存安定性および
パターン加工性に優れ、製造工程が簡単で、カ）っ史に
毘度の耐熱性の絶縁膜となり得る感光性耐熱材料全提供
することを目的とする。
この発４ＪＪＫ係るジアミン（Ａ）ｌｄ、一般式（１）
で示され、例えは、２，５ジアミド！息香酸、２，５ジ
アミノテレフタル酸、４，６ジアミノイソフタル酸、４
．４′ジアミノジフェニルメクン３，３′ジカルボン酸
、４．４′ジアミノジフエニルエーテル３，３′ジカル
ボン酸、４，４′ジアミノジフエニルスルフイド３，３
′ジカルポ酸および４，４′ジアミノジフェニルケトン
３，３′ジカルボン酸などの内の少なくとも一種が用い
られる。
で示され、例えは、２，５ジアミド！息香酸、２，５ジ
アミノテレフタル酸、４，６ジアミノイソフタル酸、４
．４′ジアミノジフェニルメクン３，３′ジカルボン酸
、４．４′ジアミノジフエニルエーテル３，３′ジカル
ボン酸、４，４′ジアミノジフエニルスルフイド３，３
′ジカルポ酸および４，４′ジアミノジフェニルケトン
３，３′ジカルボン酸などの内の少なくとも一種が用い
られる。
この発＋Ｊ４に係るジアミン（Ｂ）は、一般式（２）で
示され、例えば、４，４′ジアミノジフエニルニーデル
、４．４′ジアミノジフエニルメクノ、４，４′ジアミ
ノジフエニルスルフイド、４，４′ジアミノジフエニル
ケトン、Ｐフェニレンジアミン、ｍフェニレンジアミン
およびベンジジンなどの内の少なくとも一種を用いるこ
とができる。
示され、例えば、４，４′ジアミノジフエニルニーデル
、４．４′ジアミノジフエニルメクノ、４，４′ジアミ
ノジフエニルスルフイド、４，４′ジアミノジフエニル
ケトン、Ｐフェニレンジアミン、ｍフェニレンジアミン
およびベンジジンなどの内の少なくとも一種を用いるこ
とができる。
この発明に係るビスオキサジノン（Ｃ）としては、例え
ばベンズジ（メチルオキサシン）、６．６’メチレンビ
ス（２メチル−４Ｈ２３，１ベンゾオキサジン４オン）
、６．６′メチレンビス（２フェニル−４Ｈ，３，ユベ
ンゾオキサジ７４オン）、６，６′オキシビス（２メチ
ル４Ｈ、３、１ベンゾオキサジン４オン）、６．ａ’チ
オビス（２メチル４Ｈ，３，１ベンゾオキサジン４オン
）、ナツタレンジ（メチルオキサシン）などの内の少な
くとも一種を用いることができ、これらの合成法は下記
刊行物、即ちＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ
５ｃｉｅｎｃｅ Ｖ２Ｏｌ５ＳＵＥ１６９ ＰＳ５９〜
６３（１９６２）および工業化学雑誌７３巻６＋Ｊ′Ｐ
１２３９〜１２４３（１９７０）等に記載されている。
ばベンズジ（メチルオキサシン）、６．６’メチレンビ
ス（２メチル−４Ｈ２３，１ベンゾオキサジン４オン）
、６．６′メチレンビス（２フェニル−４Ｈ，３，ユベ
ンゾオキサジ７４オン）、６，６′オキシビス（２メチ
ル４Ｈ、３、１ベンゾオキサジン４オン）、６．ａ’チ
オビス（２メチル４Ｈ，３，１ベンゾオキサジン４オン
）、ナツタレンジ（メチルオキサシン）などの内の少な
くとも一種を用いることができ、これらの合成法は下記
刊行物、即ちＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ
５ｃｉｅｎｃｅ Ｖ２Ｏｌ５ＳＵＥ１６９ ＰＳ５９〜
６３（１９６２）および工業化学雑誌７３巻６＋Ｊ′Ｐ
１２３９〜１２４３（１９７０）等に記載されている。
また、この発明に係るキナゾロン重合体（■）は、上記
ジアミン（んとジアミン（Ｂ）のアミン基の統計に対し
て０．６〜１．２当量のビスオキサジノン（ｃｌ ｋ反
応させることにより合成され、成膜性に富んだ高分子量
のものとなる。この範囲以外では、成膜性に劣る。この
場合、ジアミン（Ａ）とジアミン（Ｂ）の配合比は下記
のように選択されるのが望ましい。
ジアミン（んとジアミン（Ｂ）のアミン基の統計に対し
て０．６〜１．２当量のビスオキサジノン（ｃｌ ｋ反
応させることにより合成され、成膜性に富んだ高分子量
のものとなる。この範囲以外では、成膜性に劣る。この
場合、ジアミン（Ａ）とジアミン（Ｂ）の配合比は下記
のように選択されるのが望ましい。
Ｏ〈ジアミン（Ｂｌのモル数／
ジアミン（インのモル数≦４
この範囲以外で合成されたキナゾロン本合体（Ｉ）にイ
ンシアネート化合物全反応させて得られるもの全含有す
るこの発明の一実施例の感光性耐熱材料は、有効な感光
性會示し難い。
ンシアネート化合物全反応させて得られるもの全含有す
るこの発明の一実施例の感光性耐熱材料は、有効な感光
性會示し難い。
なお、上記ジアミン（Ａ）、ジアミン（Ｂｌ ｂ 、１
： ヒビスオキサジノンＵ 全反応させて、ポリキナゾ
ロン重合体（Ｉ） ｋ得る場合、例えは、Ｎメチル２ピ
ロリドン（ＮＭＰ）、ＮＮジメチルアセトアミド（ＤＭ
Ａ）、ＮＮジメチルホルムアミド（ＤＭＦ） 、ＮＮジ
メチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）およびヘキナメチルホ
スホアミド（）（Ｍｐ ）等の溶媒中、１００〜２００
°Ｃの温度で反応させるのが好捷しい。１００”Ｃ以下
では反応が起こりに＜＜、２００℃思Ｅでは溶媒の蒸発
が起こる。
： ヒビスオキサジノンＵ 全反応させて、ポリキナゾ
ロン重合体（Ｉ） ｋ得る場合、例えは、Ｎメチル２ピ
ロリドン（ＮＭＰ）、ＮＮジメチルアセトアミド（ＤＭ
Ａ）、ＮＮジメチルホルムアミド（ＤＭＦ） 、ＮＮジ
メチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）およびヘキナメチルホ
スホアミド（）（Ｍｐ ）等の溶媒中、１００〜２００
°Ｃの温度で反応させるのが好捷しい。１００”Ｃ以下
では反応が起こりに＜＜、２００℃思Ｅでは溶媒の蒸発
が起こる。
これらの溶＃金用いた場合にけ、ポリキナゾロン重合体
（Ｉ）は樹脂液として得られ、以下の反応を進めるのに
好都合である。又、ポリキナゾロン重合体（Ｄの合成を
ｍ−クレゾール、Ｐ−クレゾールおよびＰ−クロルフェ
ノール等の溶液中で行なった場合は、ポリキナゾロン重
合体（Ｉ） ’ｉ＝単離して、上記ＮＭＰ 、 ＤＭＡ
、 ＤＭＦ 、 ＤＭＳＯお工びＨＭＰの溶媒に溶η
）して以下の反応を進める。
（Ｉ）は樹脂液として得られ、以下の反応を進めるのに
好都合である。又、ポリキナゾロン重合体（Ｄの合成を
ｍ−クレゾール、Ｐ−クレゾールおよびＰ−クロルフェ
ノール等の溶液中で行なった場合は、ポリキナゾロン重
合体（Ｉ） ’ｉ＝単離して、上記ＮＭＰ 、 ＤＭＡ
、 ＤＭＦ 、 ＤＭＳＯお工びＨＭＰの溶媒に溶η
）して以下の反応を進める。
この発明に係るインシアネート化合物としては、例えは
メタクリロイルインシアネート、アクリロイルインシア
ネート、シンナモイルインシアネート、シンナミリデン
イソシアネート、ビニルイソシアネート、イングロペニ
ルイソシアネート、びＣＨ； Ｃ−ＣＨ２Ｎ０Ｏなとの
内の少なくとも一種を用いることができ、これらは−ヒ
４ｅポリキナゾロン亀合体（１）と、例えば無水の条件
で反応させることにより、この発明の感光性耐熱材料′
（ｉ−得ることができる。−ｊｔ、上記インシアえ一ト
化合物はポリキナゾロン重合体（Ｉ）に含まｈるカルボ
キシル基ト０．６〜１．２当量反応させるのが好１し、
い。０．６当量より少ないと光架橋が不充分で感光特性
全損ない、１．２当量より多いと副反応がおこる。
メタクリロイルインシアネート、アクリロイルインシア
ネート、シンナモイルインシアネート、シンナミリデン
イソシアネート、ビニルイソシアネート、イングロペニ
ルイソシアネート、びＣＨ； Ｃ−ＣＨ２Ｎ０Ｏなとの
内の少なくとも一種を用いることができ、これらは−ヒ
４ｅポリキナゾロン亀合体（１）と、例えば無水の条件
で反応させることにより、この発明の感光性耐熱材料′
（ｉ−得ることができる。−ｊｔ、上記インシアえ一ト
化合物はポリキナゾロン重合体（Ｉ）に含まｈるカルボ
キシル基ト０．６〜１．２当量反応させるのが好１し、
い。０．６当量より少ないと光架橋が不充分で感光特性
全損ない、１．２当量より多いと副反応がおこる。
即ち、この発明のＩ感光性耐熱材料は、先ず、ジアミン
成分とビスオキサジノンとの反応により＋５１式で示さ
れた構造のポリキナゾロノ別合体（Ｉ） ｋを合成し、
このカルボキシル基にインシアネート化合物を反応させ
ることにより、溶解性の優れた組成物（６）として得ら
れる。そして、この発ＨＩＩＪの感光性耐熱材料（６）
は光重たは放射線の照射により、露光部が架橋されて不
溶化が起り、露光部と未露光部との溶解差によりパター
ン加工が可能となる。
成分とビスオキサジノンとの反応により＋５１式で示さ
れた構造のポリキナゾロノ別合体（Ｉ） ｋを合成し、
このカルボキシル基にインシアネート化合物を反応させ
ることにより、溶解性の優れた組成物（６）として得ら
れる。そして、この発ＨＩＩＪの感光性耐熱材料（６）
は光重たは放射線の照射により、露光部が架橋されて不
溶化が起り、露光部と未露光部との溶解差によりパター
ン加工が可能となる。
しの）る後、加熱処理することにより、（７）式で示さ
れた構造の便化を伴ない、重層に耐熱性の優れた樹脂に
変換させることができるのである。
れた構造の便化を伴ない、重層に耐熱性の優れた樹脂に
変換させることができるのである。
また、この発り１の感光性耐熱材料は、必要に応じて光
増感剤ｉ ０．１〜１０３（量チ含有することにより、
より効果的な感光性を示すことができる。
増感剤ｉ ０．１〜１０３（量チ含有することにより、
より効果的な感光性を示すことができる。
この発ヴＪの感光性耐熱材料ケ、例えばガラス等の基板
に塗布し、乾燥後、所定のパターンを有するマスク全通
して光又は放射線全照射することにより露光部全不溶化
させ、現像処理することにより、パターン加工ができ、
その後、２００−４００℃、好ましくけ３００〜４００
°Ｃの熱処理を行なうことにより、高度の耐熱性を保持
し、しかもパターンの乱れの無い硬化物を得ることがで
きるのである。
に塗布し、乾燥後、所定のパターンを有するマスク全通
して光又は放射線全照射することにより露光部全不溶化
させ、現像処理することにより、パターン加工ができ、
その後、２００−４００℃、好ましくけ３００〜４００
°Ｃの熱処理を行なうことにより、高度の耐熱性を保持
し、しかもパターンの乱れの無い硬化物を得ることがで
きるのである。
２００’Ｃ以下では、光又は放射線の照射後、（７）式
に示した硬化構造とならず、４００″Ｃ以りでは分解が
おこる。
に示した硬化構造とならず、４００″Ｃ以りでは分解が
おこる。
以下、この発明全実施例により税グ１するが、これらの
みに限定されない。
みに限定されない。
実施例１
温度計、撹拌機、 Ｎ２導入管、リフラックス管金備え
たｚｏｏｍｚの４つロフラスコＫ ２，４ジアミノ安息
香酸６．０８［７； （０，０４モル）と４．４′ジア
ミノジフ工ニルエーテル２ｇ （０，０１モル）ト乾燥
し；ｑＮＭＰ１００ｇｆ加えよく攪拌する。この中へ６
，６メチレンビス（２メチル４Ｈ，ｌ、３べ／ズオキサ
ジ７４オン） （ＭＭＢＯと略す。） １６−’ｉ’ｇ
（０，０５モル）を加え、室温で３０分、１００°Ｃ
で１時間、１６０°Ｃで５時間反応させる。室温に冷却
させることによりポリキナゾロン重合体溶液を得る。（
ｍ−クレゾール中における３０℃での個有粘度は０．４
６であった。）得られた上記ポリキナゾロン重合体浴液
に蒸留したてのシンナモイルイソシアネート６．９２ｇ
（０，０４モル）を室温で攪拌しながら加える。ガスの
発生が止む才で攪拌し続けたのち、５０’Ｃのオイルノ
くス中で３０分攪拌させる。室温に冷却後、１ノｔｍの
テフロンば紙全用いて加圧濾過し、この発明の一実施例
の感光性耐熱材料全身た。
たｚｏｏｍｚの４つロフラスコＫ ２，４ジアミノ安息
香酸６．０８［７； （０，０４モル）と４．４′ジア
ミノジフ工ニルエーテル２ｇ （０，０１モル）ト乾燥
し；ｑＮＭＰ１００ｇｆ加えよく攪拌する。この中へ６
，６メチレンビス（２メチル４Ｈ，ｌ、３べ／ズオキサ
ジ７４オン） （ＭＭＢＯと略す。） １６−’ｉ’ｇ
（０，０５モル）を加え、室温で３０分、１００°Ｃ
で１時間、１６０°Ｃで５時間反応させる。室温に冷却
させることによりポリキナゾロン重合体溶液を得る。（
ｍ−クレゾール中における３０℃での個有粘度は０．４
６であった。）得られた上記ポリキナゾロン重合体浴液
に蒸留したてのシンナモイルイソシアネート６．９２ｇ
（０，０４モル）を室温で攪拌しながら加える。ガスの
発生が止む才で攪拌し続けたのち、５０’Ｃのオイルノ
くス中で３０分攪拌させる。室温に冷却後、１ノｔｍの
テフロンば紙全用いて加圧濾過し、この発明の一実施例
の感光性耐熱材料全身た。
上記この発明の一実施例の感光性耐熱材料をガラス基板
に塗布し、ｓ ｏ’ｃで３０分間乾燥さぜ１こ後、所定
のマスクを通して紫外線４２０秒間照射した。
に塗布し、ｓ ｏ’ｃで３０分間乾燥さぜ１こ後、所定
のマスクを通して紫外線４２０秒間照射した。
（高圧水銀灯２ｋＷ 、照射距離２０ｃｍ ） この基
板ｉ ＮＭＰ Ｋ ３０秒浸漬することにより、崖光都
はほとんどエツチングされることな（良好なバク−７を
得た。
板ｉ ＮＭＰ Ｋ ３０秒浸漬することにより、崖光都
はほとんどエツチングされることな（良好なバク−７を
得た。
さらに、上記この発（７）の−実施例の感光性耐熱材料
を銅板上に塗布し、８０’Ｃで３０分間乾燥した後、−
上記のように紫外線照射全行ない、その後、Ｎ２気流中
で２００°Ｃで３０分間、３５０℃で３０分間熱処理を
行なった。硬化物の特性全表１に示す。
を銅板上に塗布し、８０’Ｃで３０分間乾燥した後、−
上記のように紫外線照射全行ない、その後、Ｎ２気流中
で２００°Ｃで３０分間、３５０℃で３０分間熱処理を
行なった。硬化物の特性全表１に示す。
実施例２
温度計、攪拌機、 Ｎ２導入管、リフラックス管を備え
た３００ｍ７の４つロフラスコに、４，４′ジアミノジ
フエニルエーテル３，３ジカルボン酸８．６４ｇ（０，
０３モｐｖ ） ト４．４’ シアミノジフェニル、エ
ーテル６ｇ （、Ｏ，ｏ３モル）とｍ−クレゾール１２
０ｇとを加え十分攪拌したのちＭＭＢ Ｏの２０．０４
ｇ （０，０６モル）を加え室温７３０分、１００℃Ｔ
３０分、ｌ’ｌＯ℃で４時間反応させる。室温に冷却
後、メタノール中に投入してポリキナゾロン重合体の白
色沈＃を得る。（収率９９％） このポリキナゾロン重
合体のｍ−クレゾール中での３０’Ｃにおける個有粘度
け１，５であり、Ｃ俊当、辻は５５０ｇ１モルであった
。
た３００ｍ７の４つロフラスコに、４，４′ジアミノジ
フエニルエーテル３，３ジカルボン酸８．６４ｇ（０，
０３モｐｖ ） ト４．４’ シアミノジフェニル、エ
ーテル６ｇ （、Ｏ，ｏ３モル）とｍ−クレゾール１２
０ｇとを加え十分攪拌したのちＭＭＢ Ｏの２０．０４
ｇ （０，０６モル）を加え室温７３０分、１００℃Ｔ
３０分、ｌ’ｌＯ℃で４時間反応させる。室温に冷却
後、メタノール中に投入してポリキナゾロン重合体の白
色沈＃を得る。（収率９９％） このポリキナゾロン重
合体のｍ−クレゾール中での３０’Ｃにおける個有粘度
け１，５であり、Ｃ俊当、辻は５５０ｇ１モルであった
。
この次に、−」二記ホリキナゾロン重合体の１１ｇ（カ
ルボキシル基として０．０２モル含む。）を脱水したＮ
ＭＰ ４０ｇに溶解させ、蒸留したでのメタクリロイル
インシアネート２．２２ｇ （０，０２モル）ｆ室温で
加え、ガスの発生が止む寸で攪拌したのち＋ ５０℃で
３０分間攪拌する。室温に冷７ｄｉ後、ベンゾキノン帆
１ｇ’（ｒ−加え十分攪拌したのち、１μｍのテフロン
濾紙を用いて加圧濾過する。これによりこの発明の他の
実施例の感光性耐熱材料フェノを得る。
ルボキシル基として０．０２モル含む。）を脱水したＮ
ＭＰ ４０ｇに溶解させ、蒸留したでのメタクリロイル
インシアネート２．２２ｇ （０，０２モル）ｆ室温で
加え、ガスの発生が止む寸で攪拌したのち＋ ５０℃で
３０分間攪拌する。室温に冷７ｄｉ後、ベンゾキノン帆
１ｇ’（ｒ−加え十分攪拌したのち、１μｍのテフロン
濾紙を用いて加圧濾過する。これによりこの発明の他の
実施例の感光性耐熱材料フェノを得る。
−１−記この発明の他の実施例の感光性耐熱材料全ガラ
ス基板に塗布し、８０°Ｃ３０分間乾燥させたのち、実
施例１と同様、所定のマスク全通して紫外線を２０秒照
射した。この基板をＮＭＰに３０秒浸漬することにより
、露光部はほとんどエツチングされることなく、良好な
パターンを得た。
ス基板に塗布し、８０°Ｃ３０分間乾燥させたのち、実
施例１と同様、所定のマスク全通して紫外線を２０秒照
射した。この基板をＮＭＰに３０秒浸漬することにより
、露光部はほとんどエツチングされることなく、良好な
パターンを得た。
さらに、−上記この発り１の１１１！の実施タリの感光
性耐熱材料？銅、仮ヒに塗布し、ｓｏ”ｃで３０分間乾
燥した後、上記のように紫外用照射ケ行ない、そのｒ麦
、Ｎ２気流中で２００″Ｃで３０分聞、３５０°Ｃで３
０分間熱処理ヶ行なった。硬化物の特性を表１に承す。
性耐熱材料？銅、仮ヒに塗布し、ｓｏ”ｃで３０分間乾
燥した後、上記のように紫外用照射ケ行ない、そのｒ麦
、Ｎ２気流中で２００″Ｃで３０分聞、３５０°Ｃで３
０分間熱処理ヶ行なった。硬化物の特性を表１に承す。
実施夕ｕ３〜５
表２に示すジアミン（Ｎ、ジアミン（Ｂｌ、ビスオキサ
ジノン（ｃｌ、イソシアネート１じ合物（ロ）７谷媒、
および必要に応じて壇感剤を用いて、実施例１および実
施１列２と同様にしてポリキナゾロン重合体（１）を得
、さらにインシアネート化合物（ロ）を反応させ、各々
この発明の実施例の感光性耐熱何科を得る。
ジノン（ｃｌ、イソシアネート１じ合物（ロ）７谷媒、
および必要に応じて壇感剤を用いて、実施例１および実
施１列２と同様にしてポリキナゾロン重合体（１）を得
、さらにインシアネート化合物（ロ）を反応させ、各々
この発明の実施例の感光性耐熱何科を得る。
その後、実施例１と同様、」二記各感光性耐熱祠料を基
板に塗布し、感光特性を検討し、その結果を表２に合わ
せて示す。
板に塗布し、感光特性を検討し、その結果を表２に合わ
せて示す。
なお、ｋ中、保存性は３０℃で２ケ月間遮光保存シタ後
、パターニングを行なうことにより調べた。
、パターニングを行なうことにより調べた。
以−ヒの実施例７１）ら、この発明の実姫例の感光性Ｉ
Ｔｌ′ｌ熱付料に、保存性およびパターン加工工程に優
れ、かつ高度の耐熱性ケ有するパターンを得ることがで
きることが解る。
Ｔｌ′ｌ熱付料に、保存性およびパターン加工工程に優
れ、かつ高度の耐熱性ケ有するパターンを得ることがで
きることが解る。
思ヒ説明したとおり、この発明−１は、一般式（式中、
Ｒ１は芳香族環よりなる３価又１”１４価の基を示し、
ｍ Ｉｄ １又１−１１：２Ｖ−示し、かつカルボキシ
ル基はアミン基に対してオルト位に存在−する。） で示さｈ５るシアミン（Ａｌ、一般式 １式％（２） （式中、Ｒ１け少なくとも２ （１＃の炭素原子を有す
る２価の基ケ示す。） で示されるジアミン（Ｂ）、およＵ 一般式１１１） （式中、Ｒ３は の内のいずれか一種を示し、ｘ９ま−０−５−Ｓ−１−
０Ｈ２−５５Ｏ２−および−ＣＯ−の内のいずれ力）−
棟を示し、Ｒ４はＨ又は１価の有機基？示−１ｏ） で示されるビスオキサジノン（Ｃ） ｆｆｉ反応して得
られるポリキナゾロン重合体（Ｉ）ｖｃ 、 −ｗｔ式
％式％（４） （式中、Ｒ５は光又は放射線で２鹸化又Ｖｉ重合可能な
２重粘合を有する基金示す。）で示されるインシアネー
ト化合物（ＩＩＩ ｅ反応させることにより得られるも
のを含有するものを用いることにより、保存安定性およ
びパターンｌｌＴｌ工廿に優れ、製造工程が量率で、力
）つ史に商度の耐熱性の絶縁膜となり得る感光性耐熱材
料を得ることができ、直接光により微細加工できる絶縁
材料として有用であり、例えば、半導体工業における同
体素子の絶縁膜や保護膜などに、さらＫはＸａ用基板の
層間絶縁膜なとＶζζ田川きる。
Ｒ１は芳香族環よりなる３価又１”１４価の基を示し、
ｍ Ｉｄ １又１−１１：２Ｖ−示し、かつカルボキシ
ル基はアミン基に対してオルト位に存在−する。） で示さｈ５るシアミン（Ａｌ、一般式 １式％（２） （式中、Ｒ１け少なくとも２ （１＃の炭素原子を有す
る２価の基ケ示す。） で示されるジアミン（Ｂ）、およＵ 一般式１１１） （式中、Ｒ３は の内のいずれか一種を示し、ｘ９ま−０−５−Ｓ−１−
０Ｈ２−５５Ｏ２−および−ＣＯ−の内のいずれ力）−
棟を示し、Ｒ４はＨ又は１価の有機基？示−１ｏ） で示されるビスオキサジノン（Ｃ） ｆｆｉ反応して得
られるポリキナゾロン重合体（Ｉ）ｖｃ 、 −ｗｔ式
％式％（４） （式中、Ｒ５は光又は放射線で２鹸化又Ｖｉ重合可能な
２重粘合を有する基金示す。）で示されるインシアネー
ト化合物（ＩＩＩ ｅ反応させることにより得られるも
のを含有するものを用いることにより、保存安定性およ
びパターンｌｌＴｌ工廿に優れ、製造工程が量率で、力
）つ史に商度の耐熱性の絶縁膜となり得る感光性耐熱材
料を得ることができ、直接光により微細加工できる絶縁
材料として有用であり、例えば、半導体工業における同
体素子の絶縁膜や保護膜などに、さらＫはＸａ用基板の
層間絶縁膜なとＶζζ田川きる。
代理人 大岩増雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌ＋ 一般式 ％式％（１） ） （式中、Ｒ］ｉ−を芳香族環よりなる３価又は４価の基
全示し、ｎｌ−ｔｌ又ｒｒｉ２ｆ示し、かつカルボキシ
ル基はアミノ基に対してオルト位に存在する。） で示されるジアミン（Ａ）、一般式 ％式％（２） （式中、Ｒ１ｆ′ｉ少なくとも２個の炭素原子を有する
２価の基を示す。） で示されるジアミン（Ｂ）、および一般式％式％（３） の内のいずれ力）一種を示し、ｘｉ−ｏ−１−ｓ−１−
ｃＨ２−１５Ｏ２−および−ｃｏ−の内のいずれか一種
を示し、Ｒ４けＨ又はコ価の有機基金示す。） で示されるビスオキサジノン（Ｃ）ｉ反応して得られる
ポリキナゾロン重合体（Ｉ）に、一般式％式％（４１ （式中、Ｒ５け光又は放射線で２量化又は重合可能な２
重結合を有する基を示す。）で示されるインシアネート
化合物（ＩＤｔ−反応させることにより得られるものを
含有する感光性耐熱材料。 （２）芳香族環よりなる４価の基が （式中、ＸけＣＨ２、Ｏ，Ｓ、ＳＯ２、ＣＯおよびＮＨ
ＣＯの内のいずれＤ）−ａｔ ｋ示す。）の内のいずれ
力）一種である特許請求の範囲第１項記載の感光性耐熱
材料。 （３） ポリキナゾロン重合体（Ｉ）Ｈビスオキサジノ
ン（ｃ）ｋジアミン（ａ）およびジアミン（ｂ）のアミ
ン基の総計に対して０．６〜１．２当量反応させて得ら
れるものである特許請求の範囲第１項記載の感光性耐熱
材料。 （４） ジアミン（Ａ）とジアミン（Ｂ）の配合比か０
〈ジアミン（Ｂ）のモル数／ ジアミン（Ａｌのモル数≦４ である特許請求の範囲第１項記載の感光性耐熱材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103918A JPS60245637A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 感光性耐熱材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103918A JPS60245637A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 感光性耐熱材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245637A true JPS60245637A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14366804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59103918A Pending JPS60245637A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 感光性耐熱材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245637A (ja) |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP59103918A patent/JPS60245637A/ja active Pending
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