JPS60245188A - トンネル注入レ−ザ−装置 - Google Patents
トンネル注入レ−ザ−装置Info
- Publication number
- JPS60245188A JPS60245188A JP10100584A JP10100584A JPS60245188A JP S60245188 A JPS60245188 A JP S60245188A JP 10100584 A JP10100584 A JP 10100584A JP 10100584 A JP10100584 A JP 10100584A JP S60245188 A JPS60245188 A JP S60245188A
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- JP
- Japan
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- region
- semiconductor
- tunnel
- regions
- tunnel injection
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06203—Transistor-type lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はトンネル効果で注入される荷電キャリアの量を
制御するゲート電極を有するトンネル注入制御半導体レ
ーザーに関するものである。
制御するゲート電極を有するトンネル注入制御半導体レ
ーザーに関するものである。
従来例の構成とその問題点
共振器を構成した半導体のｐｎ接合に電流を流す事によ
り、少数キャリアを注入（これは拡散注入である）励起
し、その再結合発光を利用してレーザー発振を得るダイ
オードレーザば、印加電流を変化させることにより直接
変調できるが、拡散注入による時定数により応答速度が
制限される。
り、少数キャリアを注入（これは拡散注入である）励起
し、その再結合発光を利用してレーザー発振を得るダイ
オードレーザば、印加電流を変化させることにより直接
変調できるが、拡散注入による時定数により応答速度が
制限される。
特に、正孔の移動度が一般に小さいので、正孔の注入時
定数を改善するため、正孔注入を“金属シ）−絶縁物（
Ｉ）−半導体（Ｓ） ”構造を用いたトンネル注入１行
なう提案（文献： Ｃｒ、 Ｗａｄｅ ａｔａｌ 、
Ｐｒｏｃ 。
定数を改善するため、正孔注入を“金属シ）−絶縁物（
Ｉ）−半導体（Ｓ） ”構造を用いたトンネル注入１行
なう提案（文献： Ｃｒ、 Ｗａｄｅ ａｔａｌ 、
Ｐｒｏｃ 。
ＩＥＥＥ ｖｏｌ ５３ 、 Ｐ、９８ 、１９６５
）がなされているが、ＭＩＳ構造におけるトンネル注入
の成立条件＝（絶縁物の厚み）１１０人が技術的に極め
て困難なため、未だに実現していない。
）がなされているが、ＭＩＳ構造におけるトンネル注入
の成立条件＝（絶縁物の厚み）１１０人が技術的に極め
て困難なため、未だに実現していない。
以上の様に、ダイオードレーザ−はキャリアの拡散注入
の時定数で応答速度が制限されたままである。
の時定数で応答速度が制限されたままである。
発明の目的
本発明の目的は、上記問題点を解消し、応答速度を大幅
に改善した注入制御半導体レーザーの提供を目的とする
。
に改善した注入制御半導体レーザーの提供を目的とする
。
大きい非縮退状態の半導体ではさみ、荷電キャリアをト
ンネル注入するための縮退半導体をさらに外側に設けて
構成されたトンネル注入制御半導体レーザーである。
ンネル注入するための縮退半導体をさらに外側に設けて
構成されたトンネル注入制御半導体レーザーである。
以下、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
実施例の説明
第１図に本発明の第１の実施例のトンネル注入制御半導
体レーザーの断面構造及びエネルギーバンド図を示す。
体レーザーの断面構造及びエネルギーバンド図を示す。
第１図（ａ）でｎ 領域１０１．ｐ 領域１０２は縮退
状態の半導体であり、夫々の領域の少数キャリアが隣接
領域にトンネル注入される。ｐ領域ＩＱ３．ｎ領域１０
４はバンド幅の大きな非縮退状態の半導体であり夫々、
電子及び正孔を阻止する領域である。ｉ領域１０５は、
非縮退状態の低不純物濃度の半導体で、レーザー発振を
生じる活性領域である。第１ゲート電極１ｏ６．第２ゲ
ート電極１０７は、絶縁膜１０Ｂを介して、夫々。
状態の半導体であり、夫々の領域の少数キャリアが隣接
領域にトンネル注入される。ｐ領域ＩＱ３．ｎ領域１０
４はバンド幅の大きな非縮退状態の半導体であり夫々、
電子及び正孔を阻止する領域である。ｉ領域１０５は、
非縮退状態の低不純物濃度の半導体で、レーザー発振を
生じる活性領域である。第１ゲート電極１ｏ６．第２ゲ
ート電極１０７は、絶縁膜１０Ｂを介して、夫々。
ｐ＠域ＩＱ３．ｎ領域１０４に対応して設けられ。
その領域の電位分布を制御する。各領域の不純物密度は
。
。
各領域の構成材料の一例を次に示す。
この様に構成された第１の実施例の熱平衡状態でのエネ
ルギーバンド図が第１図中）である。ｎ″１領域１０１
＋ ｐ 領域１０２は縮退状態なので。
ルギーバンド図が第１図中）である。ｎ″１領域１０１
＋ ｐ 領域１０２は縮退状態なので。
フェルミ準位Ｅ、は、夫々、伝導帯及び価電子帯に存在
する。ｐ領域１０３．ｎ領域１０４．ｉ領域１０６は非
縮退状態なので、フェルミ準位ＥＦは禁止帯に存在する
。
する。ｐ領域１０３．ｎ領域１０４．ｉ領域１０６は非
縮退状態なので、フェルミ準位ＥＦは禁止帯に存在する
。
この状態で、ｎ 領域１ｏ１〜ｐ″−１領域１０２間に
電圧ｖ３−６印加した時のエネルギーバンド図を第１図
（Ｃ）に示す。この時２ｎ 領域１０１とｐ領域１０３
との間、及びｐ 領域１０２とｎ領域１０４との間にト
ンネル障壁が形成される。この結果、ｎ 領域１０１の
伝導帯より上の正孔は、トンネル効果によりｐ領域１０
３に侵入し、１領域ＩＱ５の価電子帯に到達する。同様
に、ｐ 領域１０２の価電子帯より下の電子は、トンネ
ル効果によりｎ領域１０４に侵入し、ｉ領域ＩＱ５の伝
導帯に到達する。こうしてｉ領域１０５にトンネル注入
されて来た正孔と電子は再結合発光を生じ、共振器構造
をもつｉ領域１０６内でレーザー発振を生ずる。
電圧ｖ３−６印加した時のエネルギーバンド図を第１図
（Ｃ）に示す。この時２ｎ 領域１０１とｐ領域１０３
との間、及びｐ 領域１０２とｎ領域１０４との間にト
ンネル障壁が形成される。この結果、ｎ 領域１０１の
伝導帯より上の正孔は、トンネル効果によりｐ領域１０
３に侵入し、１領域ＩＱ５の価電子帯に到達する。同様
に、ｐ 領域１０２の価電子帯より下の電子は、トンネ
ル効果によりｎ領域１０４に侵入し、ｉ領域ＩＱ５の伝
導帯に到達する。こうしてｉ領域１０５にトンネル注入
されて来た正孔と電子は再結合発光を生じ、共振器構造
をもつｉ領域１０６内でレーザー発振を生ずる。
（なお、ｉ領域１０６は、バンドモデルの設計に対応し
て、ｎ−領域、ｐ−領域としても上述の動作が得られる
。） 第１図（Ｃ）で実現したレーザー発振は、第１ゲート電
極１ｏ６．第２ゲート電極１０７に印加する電圧で制御
される。第１ゲート電極１０６の印加電圧ｖ１はｎ 領
域１０１からｐ領域１０３への正孔のトンネル注入を制
御し、第２ゲート電極１０７の印加電圧ｖ２はｐ 領域
１０２からｎ領域１０４への電子のトンネル注入を制御
する。
て、ｎ−領域、ｐ−領域としても上述の動作が得られる
。） 第１図（Ｃ）で実現したレーザー発振は、第１ゲート電
極１ｏ６．第２ゲート電極１０７に印加する電圧で制御
される。第１ゲート電極１０６の印加電圧ｖ１はｎ 領
域１０１からｐ領域１０３への正孔のトンネル注入を制
御し、第２ゲート電極１０７の印加電圧ｖ２はｐ 領域
１０２からｎ領域１０４への電子のトンネル注入を制御
する。
第１図（Ｃ）のレーザー発振状態に対し、第１図（ａ）
に示す極性のｖＸ、ｖｌを印加すると、トンネル注入が
より実現し易くなりレーザー発振強度が増す。
に示す極性のｖＸ、ｖｌを印加すると、トンネル注入が
より実現し易くなりレーザー発振強度が増す。
これを第１図（ｄ）に示す。第１図（ａ）に示すｖｌ、
ｖｌを逆極性の電圧で印加すると、レーザー発振を止め
ることもできる。従って、ゲート電極によって直接変調
することが可能となる。
ｖｌを逆極性の電圧で印加すると、レーザー発振を止め
ることもできる。従って、ゲート電極によって直接変調
することが可能となる。
以上の様に、本実施例によれば、レーザー発振を生じる
だめの荷電キャリアがｐｎ接合を用いてトンネル注入さ
れることにより、従来の拡散注入の場合に比べ、電流密
度を低下することなく、かつ応答時定数Ｃ／Ｇｍ（但し
Ｃｍ−δＩ／δＶｇ 、 Ｖｇ ：ゲート部の電位、Ｃ
：ゲート部容量）を−桁以上低減した半導体レーザーが
実現できる。
だめの荷電キャリアがｐｎ接合を用いてトンネル注入さ
れることにより、従来の拡散注入の場合に比べ、電流密
度を低下することなく、かつ応答時定数Ｃ／Ｇｍ（但し
Ｃｍ−δＩ／δＶｇ 、 Ｖｇ ：ゲート部の電位、Ｃ
：ゲート部容量）を−桁以上低減した半導体レーザーが
実現できる。
なお１本実施例は、ゲート電極は絶縁ゲート構造を構成
しているが、接合ゲート構造、ショットキーゲート構造
を用いても実現できる。
しているが、接合ゲート構造、ショットキーゲート構造
を用いても実現できる。
第２図が接合ゲート構造の例である。ｐ領域１０３内に
形成されたｎ 領域２０１に第１ゲート電極２０３を設
け、ｎ領域１０４内に形成されたｐ＋領域２０２に第２
ゲート電極２０４を設けたものである。
形成されたｎ 領域２０１に第１ゲート電極２０３を設
け、ｎ領域１０４内に形成されたｐ＋領域２０２に第２
ゲート電極２０４を設けたものである。
第３図がショットキーゲート構造の例である。
ｐ領域１ｏ３に第１ゲート電極３０１を形成し。
ｎ領域１０４に第２ゲート電極３０２を形成したもので
ある。
ある。
ここで、半導体レーザーに用いる代表的な材料の移動度
を表１に掲載する。
を表１に掲載する。
〔表１〕
表１から、ＩｎＳｂ 、 ＩｎＡＳ は電子の移動度が
非常に大きいので、正孔だけのトンネル注入で十分であ
る。
非常に大きいので、正孔だけのトンネル注入で十分であ
る。
以下１本発明の第２の実施例について図面を参照して説
明する。
明する。
第４図に本発明の第２の実施例のトンネル注入制御半導
体レーザーの断面構造及びエネルギーバンド図を示す。
体レーザーの断面構造及びエネルギーバンド図を示す。
第４図（ａ）でｎ 領域４０１は、縮退状態の半導体で
あり、ｎ領域４０２は、非縮退状態の高不純物濃度の半
導体であり、ｐ領域４０３ 、ｎ領域４０４はバンド幅
の大きな非縮退状態の半導体であり、ｉ領域１０６は、
非縮退状態の低不純物濃度の半導体である。第１ゲ〜ト
電極４０６．第２ゲート電極４０７は絶縁膜４０８を介
して、夫々ｐ領域４Ｑ３ 、ｎ領域４０４に対応して設
けられ、その領域の電位分布を制御する。
あり、ｎ領域４０２は、非縮退状態の高不純物濃度の半
導体であり、ｐ領域４０３ 、ｎ領域４０４はバンド幅
の大きな非縮退状態の半導体であり、ｉ領域１０６は、
非縮退状態の低不純物濃度の半導体である。第１ゲ〜ト
電極４０６．第２ゲート電極４０７は絶縁膜４０８を介
して、夫々ｐ領域４Ｑ３ 、ｎ領域４０４に対応して設
けられ、その領域の電位分布を制御する。
各領域の不純物濃度は−
各領域の構成材料の一例を次に示す。
この様に構成された第２の実施？１」の熱平衡状態での
エネルギーバンド図が第４図−）である。
エネルギーバンド図が第４図−）である。
ｎ＋１領域４０１は縮退状態なので、フェルミ準位Ｅ、
は伝導帯に存在する。ｎ領域４０２．ｐ領域４０３．ｎ
領域４０４ 、ｉ領域４０６は非縮退状態なので、フェ
ルミ準位Ｅ、は禁止帯に存在する。
は伝導帯に存在する。ｎ領域４０２．ｐ領域４０３．ｎ
領域４０４ 、ｉ領域４０６は非縮退状態なので、フェ
ルミ準位Ｅ、は禁止帯に存在する。
この状態で＋ｎ ＠域４０１〜ｎ領域４０２間に電圧Ｖ
３ｉ印加した時のエネルギーバンド図を第４図（Ｃ）に
示す。この時、ｎ 領域４０１とｐ領域４０３との間に
トンネル障壁が形成される。この結果、ｎ 領域４０１
の伝導帯の上の正孔は、トンネル効果によりｐ領域４０
３に侵入し、１領域４０６の価電子帯に到達する。一方
、ｎ領域４０２の伝導帯の電子は拡散効果によりｎ領域
４０４に注入され、ｉ領域の伝導帯に到達する。
３ｉ印加した時のエネルギーバンド図を第４図（Ｃ）に
示す。この時、ｎ 領域４０１とｐ領域４０３との間に
トンネル障壁が形成される。この結果、ｎ 領域４０１
の伝導帯の上の正孔は、トンネル効果によりｐ領域４０
３に侵入し、１領域４０６の価電子帯に到達する。一方
、ｎ領域４０２の伝導帯の電子は拡散効果によりｎ領域
４０４に注入され、ｉ領域の伝導帯に到達する。
こうして、ｉ領域４０６にトンネル注入されて来た正孔
と、拡散注入されて来た電子とが再結合発光を生じ、共
振器構造をもつｉ領域４０５内でレーザー発振を生ずる
。
と、拡散注入されて来た電子とが再結合発光を生じ、共
振器構造をもつｉ領域４０５内でレーザー発振を生ずる
。
第４図（Ｃ）で実現したレーザー発振は第１ゲート電極
４０６．第２ゲート電極４０了に印加する電圧で制御さ
れる。第１ゲート電極４０６の印加電圧ｖ１はｎ 領域
４０１からｐ領域４０３への正孔のトンネル注入を制御
し、第２ゲート電極４０７の印加電圧ｖ２はｎ領域４０
２からｎ領域４０４への電子の拡散注入を制御する。
４０６．第２ゲート電極４０了に印加する電圧で制御さ
れる。第１ゲート電極４０６の印加電圧ｖ１はｎ 領域
４０１からｐ領域４０３への正孔のトンネル注入を制御
し、第２ゲート電極４０７の印加電圧ｖ２はｎ領域４０
２からｎ領域４０４への電子の拡散注入を制御する。
第４図（Ｑ）のレーザー発振状態に対し、第４図（ａ）
に示すｖ１＋ Ｖ ２を印加するとトンネル注入と拡散
注入が共に強められレーザー発振強度が増す。これを第
４図（（ｉ）に示す。第４図（ａ）に示すｖｌ、ｖ２を
逆極性の電圧で印加すると、レーザー発振を止めること
もできる。従ってゲート電極によって直接変調すること
が可能となる。
に示すｖ１＋ Ｖ ２を印加するとトンネル注入と拡散
注入が共に強められレーザー発振強度が増す。これを第
４図（（ｉ）に示す。第４図（ａ）に示すｖｌ、ｖ２を
逆極性の電圧で印加すると、レーザー発振を止めること
もできる。従ってゲート電極によって直接変調すること
が可能となる。
以上のように本実施例によれば、とくに正孔の移動度が
小さい半導体材料で、レーザーを構成する場合、正孔に
対してｐｎ接合を用いてトンネル注入を生じさせること
により、電流密度を低下することなく、かつ応答時定数
Ｇ／Ｇｍを一桁以上低減した半導体レーザーが実現でき
る。これは。
小さい半導体材料で、レーザーを構成する場合、正孔に
対してｐｎ接合を用いてトンネル注入を生じさせること
により、電流密度を低下することなく、かつ応答時定数
Ｇ／Ｇｍを一桁以上低減した半導体レーザーが実現でき
る。これは。
ＩｎＳｂ 、 ＩｎＡｓのように−μｎ／μｈ）＞ １
００の材料に対して極めて有効で、トンネル障壁が一つ
でよいので、製造方法をより簡単にできる。
００の材料に対して極めて有効で、トンネル障壁が一つ
でよいので、製造方法をより簡単にできる。
発明の効果
本発明によれば、荷電キャリアの波動性を示すトンネル
効果を用い、ｐｎ接合によりトンネル注入したことによ
り ■ 極めて速い応答速度が実現した。
効果を用い、ｐｎ接合によりトンネル注入したことによ
り ■ 極めて速い応答速度が実現した。
■ 本質的に低雑音である。
■ ゲート電極を用いて電圧による直接変調が可能であ
る。
る。
という効果を得ることができる優れた半導体レーザーを
実現できるものである。
実現できるものである。
第１図（ａ）は１本発明の第１の実施例の半導体レーザ
ーの断面構造図、同か）は２熱平衡状態のエネルギーバ
ンド図、同（Ｃ）はｖ５を印加した時のエネルギーバン
ド図、同町はさらにｖ１＋Ｖ２を印加した時のエネルギ
ーバンド図、第２図は、上記第１の実施例のゲート部を
ｐ−ｎ接合ゲートとした場合の断面構造図、第３図は、
上記第１の実施例のゲート部をショットキーゲートとし
た場合の断面構造図、第４図（１）は、本発明の第２の
実施例の半導体レーザの断面構造図、同０））は熱平衡
状態のエネルギーバンド図、同（０）はｖ３を印加した
時のエネルギーバンド図、同（ｄ）はさらにｖｌ ｒ
Ｖ２を印加した時のエネルギーバンド図である。 １０１・・・・・・ｎ 領域、１０２・・・・ｐ 領域
。 １０３・・・・・・ｐ領域＋１０４・・・・・・ｎ領域
、１ｏ５・・・・・・ｎ領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ＩＯＪ ｌυ４ 第４図 ３
ーの断面構造図、同か）は２熱平衡状態のエネルギーバ
ンド図、同（Ｃ）はｖ５を印加した時のエネルギーバン
ド図、同町はさらにｖ１＋Ｖ２を印加した時のエネルギ
ーバンド図、第２図は、上記第１の実施例のゲート部を
ｐ−ｎ接合ゲートとした場合の断面構造図、第３図は、
上記第１の実施例のゲート部をショットキーゲートとし
た場合の断面構造図、第４図（１）は、本発明の第２の
実施例の半導体レーザの断面構造図、同０））は熱平衡
状態のエネルギーバンド図、同（０）はｖ３を印加した
時のエネルギーバンド図、同（ｄ）はさらにｖｌ ｒ
Ｖ２を印加した時のエネルギーバンド図である。 １０１・・・・・・ｎ 領域、１０２・・・・ｐ 領域
。 １０３・・・・・・ｐ領域＋１０４・・・・・・ｎ領域
、１ｏ５・・・・・・ｎ領域。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ＩＯＪ ｌυ４ 第４図 ３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）非縮退状態の低不純物濃度の半導体から成る第１
領域の対向側に第１導電型の第２領域と、第２導電型の
第３領域とを設け、前記第１領域と接触していない前記
第２領域の面に接して縮退状態の第２導電型の半導体か
ら成る第４領域を設け、前記第１領域と接触していない
前記第３領域の面に接して縮退状態の第１導電型の半導
体から成る第５領域を設け、前記第２領域と前記第４領
域の間で前記第４領域の少数キャリアのトンネル注入が
生じ、前記第３領域と前記第６領域の間で、前記第６領
域の少数キャリアのトンネル注入が生じる事を特徴とす
るトンネル注入レーザー装置。 （２）第１領域が真性半導体から成ることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のトンネル注入レーザー装置
。 囲第１項記載のトンネル注入レーザー装置。 （４）第２領域と、第３領域の印加電圧によりトンネル
注入を制御することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のトンネル注入レーザー装置。 （６）非縮退状態の低不純物濃度の半導体から成る第１
領域の対向側に第１導電型の第２領域と。 第２導電型の第３領域とを設け、前記第１領域と接触し
ていない前記第２領域の面に接して縮退状態の第２導電
型の半導体から成る第４領域を設け、前記第１領域と接
触していない前記第３領域の面に接して、非縮退状態の
第２導電型の高不純物濃度の半導体から成る第６領域を
設け、前記第２領域と前記第４領域の間で前記第４領域
の少数キャリアのトンネル注入が生じ。 前記第３領域と前記第６領域との間で前記第５領域の多
数キャリアの拡散注入が生じることを特徴とするトンネ
ル注入レーザー装置。 （６）第１領域が真性半導体から成ることを特徴とする
特許請求の範囲第５項記載のトンネル注入間第６項記載
のトンネル注入レーザー装置。 （８）第２領域の印加電圧によりトンネル注入を制御す
ることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載のトンネ
ル注入レーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10100584A JPS60245188A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | トンネル注入レ−ザ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10100584A JPS60245188A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | トンネル注入レ−ザ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60245188A true JPS60245188A (ja) | 1985-12-04 |
Family
ID=14289135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10100584A Pending JPS60245188A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | トンネル注入レ−ザ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60245188A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10833476B2 (en) * | 2016-12-22 | 2020-11-10 | Osram Oled Gmbh | Surface-mountable semiconductor laser, arrangement with such a semiconductor laser and operating method for same |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP10100584A patent/JPS60245188A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10833476B2 (en) * | 2016-12-22 | 2020-11-10 | Osram Oled Gmbh | Surface-mountable semiconductor laser, arrangement with such a semiconductor laser and operating method for same |
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