JPS60243574A - はんだ接続検査方法 - Google Patents
はんだ接続検査方法Info
- Publication number
- JPS60243574A JPS60243574A JP59098732A JP9873284A JPS60243574A JP S60243574 A JPS60243574 A JP S60243574A JP 59098732 A JP59098732 A JP 59098732A JP 9873284 A JP9873284 A JP 9873284A JP S60243574 A JPS60243574 A JP S60243574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- connection
- terminal
- temp
- chip
- connection part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、はんだ接続検査方法に係り、更に詳しくは基
板にチップをはんだで接続した場合、その接続状態を基
板及びチップの温度変化を検出することにより検査する
ようにしたはんだ接続検査方法に関する。
板にチップをはんだで接続した場合、その接続状態を基
板及びチップの温度変化を検出することにより検査する
ようにしたはんだ接続検査方法に関する。
基板上にチップをフェースダウンではんだ接続した場合
、接続良否の検査は、従来電気的導通測定によって行な
っている。これは、フェースダウンではんだ接続した場
合、接続部分を直接目視検査することが困難なためであ
る。ところが、電気的導通幽足では、チップと基板がは
んだで完全に接続されておらず、単に接触しているだけ
の状態でも合格と判定されてしまう欠点がある。
、接続良否の検査は、従来電気的導通測定によって行な
っている。これは、フェースダウンではんだ接続した場
合、接続部分を直接目視検査することが困難なためであ
る。ところが、電気的導通幽足では、チップと基板がは
んだで完全に接続されておらず、単に接触しているだけ
の状態でも合格と判定されてしまう欠点がある。
本発明の目的は、このような欠点を無くし、基板とチッ
プが金属的に完全に接合されたことを確実に検査するこ
とが可能なはんだ接続検査方法を提供するにある。
プが金属的に完全に接合されたことを確実に検査するこ
とが可能なはんだ接続検査方法を提供するにある。
本発明においては、はんだと接続端子間に間隙あるいは
介在物が在る接続部は、完全にはんだ接合された接続部
より熱の伝導度合が大巾に異なることを利用しており、
接続部の一端に熱エネルギを負荷した時の基板及びチッ
プ側の端子部及びその近傍の温度上昇及び下降特性8也
1」定し、この特性から接続状態を検査するものである
。
介在物が在る接続部は、完全にはんだ接合された接続部
より熱の伝導度合が大巾に異なることを利用しており、
接続部の一端に熱エネルギを負荷した時の基板及びチッ
プ側の端子部及びその近傍の温度上昇及び下降特性8也
1」定し、この特性から接続状態を検査するものである
。
以下、添付の図面に示す実施例により、更に詳細に本発
明について説明する。
明について説明する。
第1図及び第2図は、本発明の一実施例を示す図であり
、第1図はチップ2と基板8のはんだ6による接続が完
全である場合を示し、第2図は不完全である場合を示し
ている。尚、第1図と第2図において同一部分には同一
符号を付している。
、第1図はチップ2と基板8のはんだ6による接続が完
全である場合を示し、第2図は不完全である場合を示し
ている。尚、第1図と第2図において同一部分には同一
符号を付している。
第1図及び第2図において、基板8は接続端子10を有
しており、チップ2は接続端子4を有している。そして
、この二つの接続端子4と10がはんだ6によって接続
されている。赤外線検出器12は検出位置である点Aに
焦点を合わせておシ、点Aからの赤外線14が検出器1
2にとり込まれる。矢印Qは熱エネルギの負荷方向と位
置を示す。又、第2図において、間隙16ははんだ6と
接続端子8の間に生じた不完全な接続を示している。
しており、チップ2は接続端子4を有している。そして
、この二つの接続端子4と10がはんだ6によって接続
されている。赤外線検出器12は検出位置である点Aに
焦点を合わせておシ、点Aからの赤外線14が検出器1
2にとり込まれる。矢印Qは熱エネルギの負荷方向と位
置を示す。又、第2図において、間隙16ははんだ6と
接続端子8の間に生じた不完全な接続を示している。
このような構成において、チップ2の一端から熱エネル
ギQを負荷すると、チップ2は熱エネルギQによって温
度が上昇する。チップ2の熱は接続端子4を通りはんだ
6に達する。ここで第1図に示す接続部では、はんだ6
の熱が直接基板側の接続端子10 K伝導され、端子部
下面の点Aは熱エネルギQの負荷より若干の時間遅れで
昇温を開始し、列理度合も大きい。これに対し、第2図
に示す接続部は、はんだ6と基板側端子10の間に間隙
16があるため、この間での熱伝導度合が大きく低下し
、基板1itll端子10の昇温度合は小さくなる。
ギQを負荷すると、チップ2は熱エネルギQによって温
度が上昇する。チップ2の熱は接続端子4を通りはんだ
6に達する。ここで第1図に示す接続部では、はんだ6
の熱が直接基板側の接続端子10 K伝導され、端子部
下面の点Aは熱エネルギQの負荷より若干の時間遅れで
昇温を開始し、列理度合も大きい。これに対し、第2図
に示す接続部は、はんだ6と基板側端子10の間に間隙
16があるため、この間での熱伝導度合が大きく低下し
、基板1itll端子10の昇温度合は小さくなる。
基板側端子10の点Aに焦点を合わせた赤外線検出器1
2で測定した点Aの温度変化を第3図に示す。
2で測定した点Aの温度変化を第3図に示す。
第2図において、曲fI!aは第1図に示す接続部の点
Aの温度特性を、″また曲線すは第2図に示す点Aの温
度特性を示したものである。この図から明らかなように
、完全な接合部では急激な温度上昇特性が得られ、不完
全が接合部では、温度上昇度合が非常に小さくなり、こ
の曲線から接続良否が確実に把握できる。
Aの温度特性を、″また曲線すは第2図に示す点Aの温
度特性を示したものである。この図から明らかなように
、完全な接合部では急激な温度上昇特性が得られ、不完
全が接合部では、温度上昇度合が非常に小さくなり、こ
の曲線から接続良否が確実に把握できる。
本実施例では、湯度検出位置を基板側端子10の直下の
点AKしているが、基板8の下面であってもよい。また
、熱エネルギを基板側から負荷し、チップ側の端子及び
チップ面の温度特性をめることによっても同様の効果を
得る。
点AKしているが、基板8の下面であってもよい。また
、熱エネルギを基板側から負荷し、チップ側の端子及び
チップ面の温度特性をめることによっても同様の効果を
得る。
さらに熱エネルギの負荷方向と温度検出方向が同一の場
合も、同様の効果を得ることができる。
合も、同様の効果を得ることができる。
なお、第1図において、はんだ6と基板側端子10が一
部接合している場合あるいは、接触のみの場合は、第3
図に示す曲線Cになり、接合不完全を検知することもで
きる。
部接合している場合あるいは、接触のみの場合は、第3
図に示す曲線Cになり、接合不完全を検知することもで
きる。
本発明によれば、チップと基板をはんだで接続した場合
、熱エネルギの伝導状態を検出し、て接続の良否を判定
する様にしたため、チップと基板の接続状態を定量的に
把握でき、単にチップと基板が接触しているだけの場合
でも、確実に接続の良否を判定できる効果がある。従っ
て、生産工程での大幅な歩留り同上が可能になり、さら
に製品の信頼性を大幅に同上させる効果がある。
、熱エネルギの伝導状態を検出し、て接続の良否を判定
する様にしたため、チップと基板の接続状態を定量的に
把握でき、単にチップと基板が接触しているだけの場合
でも、確実に接続の良否を判定できる効果がある。従っ
て、生産工程での大幅な歩留り同上が可能になり、さら
に製品の信頼性を大幅に同上させる効果がある。
第1図及び第2図は本発明の一実施例を示す図、第3図
はチップと基板の接続部分の温度変化の一例を示す図で
ある。 2・・・チップ 4,10・・・接続端子6・・はんだ
8・・基板 12・・・赤外線検出器 14・・・赤外線16・間隙 代理人弁理士 高 橋 明 夫
はチップと基板の接続部分の温度変化の一例を示す図で
ある。 2・・・チップ 4,10・・・接続端子6・・はんだ
8・・基板 12・・・赤外線検出器 14・・・赤外線16・間隙 代理人弁理士 高 橋 明 夫
Claims (1)
- 基板とチップをはんだで接続し、その接続の良否を判定
するはんだ接続検査方法において、基板又はチップの一
方から熱エネルギを与え、チップ又は基板への熱伝導状
態を検出することによって接続の良否を判定することを
特徴とするはんだ接続検査方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59098732A JPS60243574A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | はんだ接続検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59098732A JPS60243574A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | はんだ接続検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60243574A true JPS60243574A (ja) | 1985-12-03 |
Family
ID=14227685
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59098732A Pending JPS60243574A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | はんだ接続検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60243574A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62162980A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ハンダ付け検査装置 |
US5407275A (en) * | 1992-03-31 | 1995-04-18 | Vlsi Technology, Inc. | Non-destructive test for inner lead bond of a tab device |
US6343259B1 (en) * | 1995-10-31 | 2002-01-29 | General Electric Company | Methods and apparatus for electrical connection inspection |
US6428202B1 (en) * | 1999-03-12 | 2002-08-06 | Nec Corporation | Method for inspecting connection state of electronic part and a substrate, and apparatus for the same |
US6568846B1 (en) * | 2000-11-15 | 2003-05-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Pulsed laser heating simulation of thermal damage on coated surface |
US7607824B2 (en) * | 2006-10-25 | 2009-10-27 | Delphi Technologies, Inc. | Method of analyzing electrical connection and test system |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5961761A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-09 | ヴアンゼツテイ・システムズ・インコ−ポレ−シヨン | レ−ザ−/熱検査のための光フアイバ−走査システム |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP59098732A patent/JPS60243574A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5961761A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-09 | ヴアンゼツテイ・システムズ・インコ−ポレ−シヨン | レ−ザ−/熱検査のための光フアイバ−走査システム |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62162980A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ハンダ付け検査装置 |
US5407275A (en) * | 1992-03-31 | 1995-04-18 | Vlsi Technology, Inc. | Non-destructive test for inner lead bond of a tab device |
US6343259B1 (en) * | 1995-10-31 | 2002-01-29 | General Electric Company | Methods and apparatus for electrical connection inspection |
US6428202B1 (en) * | 1999-03-12 | 2002-08-06 | Nec Corporation | Method for inspecting connection state of electronic part and a substrate, and apparatus for the same |
US6568846B1 (en) * | 2000-11-15 | 2003-05-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Pulsed laser heating simulation of thermal damage on coated surface |
US7607824B2 (en) * | 2006-10-25 | 2009-10-27 | Delphi Technologies, Inc. | Method of analyzing electrical connection and test system |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2000261137A (ja) | 電子部品接続状態検査装置及び電子部品接続状態検査方法 | |
US5201841A (en) | Thermal delay non-destructive bond integrity inspection | |
JPS60243574A (ja) | はんだ接続検査方法 | |
JP5428077B2 (ja) | 金属接合部の検査方法及び装置 | |
JP6824448B2 (ja) | ウェッジツール、ボンディング装置、および、ボンディング検査方法 | |
JP2016506059A (ja) | 回路支持体に同軸導体を電気的に接続する方法 | |
US6084267A (en) | Design propagation delay measurement device | |
US5758970A (en) | Device and process for the simultaneous measurement of the extent and the temperature of a crack at the surface of an electrically conductive solid body | |
JPS6193950A (ja) | はんだ付け接合部の検査方法および検査装置 | |
JP3827427B2 (ja) | 半導体集積回路の検査方法 | |
JPH0444945B2 (ja) | ||
JPH10335900A (ja) | 電子部品の実装検査装置 | |
TWI824274B (zh) | 導線接合狀態判斷方法及導線接合狀態判斷裝置 | |
EP0105003A1 (en) | Method of screening resin-sealed semiconductor devices | |
JP2007299995A (ja) | 回路モジュールの製造方法、及びそれに使用される回路モジュール用の集合基板、並びにその製造方法によって製造され回路モジュール | |
JP2960301B2 (ja) | 回路素子接合部の検査方法 | |
JP4894582B2 (ja) | ウェハテスト方法及びプローブカード | |
JP2004363146A (ja) | 回路基板に対する電子部品の接合品質評価用の検査チップとそれを用いた評価ツール及び評価方法 | |
SU1493428A1 (ru) | Способ контрол качества микросварных соединений в процессе контактной сварки | |
JPS59188569A (ja) | はんだ溶融接続確認方法 | |
JPH0220034A (ja) | 半導体装置 | |
Teoh et al. | Laser/infrared evaluation of TAB innerlead bond integrity | |
JPH0837367A (ja) | 半田バンプを備えた電子部品の検査方法及び基板 | |
JPH0745673A (ja) | 半導体ペレットのマウント性能検査方法 | |
JPS5942707Y2 (ja) | ハンドリング装置の電極子 |