JPS60240149A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60240149A JPS60240149A JP9802484A JP9802484A JPS60240149A JP S60240149 A JPS60240149 A JP S60240149A JP 9802484 A JP9802484 A JP 9802484A JP 9802484 A JP9802484 A JP 9802484A JP S60240149 A JPS60240149 A JP S60240149A
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- aluminum
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- Pending
Links
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- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 31
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- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4828—Etching
Landscapes
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、新規なリードフレームを用いて製造されるＩ
Ｃ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の半導体
装置に関する。
Ｃ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の半導体
装置に関する。
〈従来技術〉
従来、半導体装置に用いられるリードフレームは、いわ
ゆる４２アロイ（Ｆｅ Ｎｉ合金）や銅系合金などを所
定の形状にプレスで打ち抜きもしくはＴ、＋４−ンゲ１
すＳンネ秦Ｊｈ岨／−、妃ｆしｍ＋ｆノ社？−柄しかし
ながら、この方法は、４２アロイや銅系合金の価格が高
い上に、メッキに金や銀を使うため、該リードフレーム
を用いる半導体装置自体の原価上昇につながる。また、
高価な金や銀のメッキは従来減少する趨勢にある。
ゆる４２アロイ（Ｆｅ Ｎｉ合金）や銅系合金などを所
定の形状にプレスで打ち抜きもしくはＴ、＋４−ンゲ１
すＳンネ秦Ｊｈ岨／−、妃ｆしｍ＋ｆノ社？−柄しかし
ながら、この方法は、４２アロイや銅系合金の価格が高
い上に、メッキに金や銀を使うため、該リードフレーム
を用いる半導体装置自体の原価上昇につながる。また、
高価な金や銀のメッキは従来減少する趨勢にある。
〈発明の目的〉
そこで、本発明の目的は、従来と同等の機能および信頼
性を有し、しかも安価なリードフレームを用いて、低価
格の半導体装置を提供することである。
性を有し、しかも安価なリードフレームを用いて、低価
格の半導体装置を提供することである。
〈発明の構成〉
上記目的を達成するため、本発明の半導体装置は、アル
ミまたはアルミ系合金にシンタリングで銅を被覆してな
る板部材の上記銅の一部が剥離されて上記アルミまたは
アルミ系合金の一部が露出した状態の板部材を、打抜き
もしくはエツチングして形成したリードフレームを備え
てなる。
ミまたはアルミ系合金にシンタリングで銅を被覆してな
る板部材の上記銅の一部が剥離されて上記アルミまたは
アルミ系合金の一部が露出した状態の板部材を、打抜き
もしくはエツチングして形成したリードフレームを備え
てなる。
〈発明の作用〉
本発明によるリードフレームにおいで、杆＃ｉ％もしく
はエツチングでインナーリードとして形成された部分や
チップマウント部として形成された部分は、銅が剥離さ
れてアルミまたはアルミ系合金が露出した部分となり、
半導体チップ上のＡｌ電極や半導体チップの裏面とワイ
ヤボンディングかされる一方、上記リードフレームにお
いて、アウターリードとして形成された部分は、銅の被
覆を有しており、上記半導体チップを組込んだ上記リー
ドフレームが取付けられる外部回路基板とはんだ付され
、リードフレームとしての従来と同等の機能と信頼性が
確保される。
はエツチングでインナーリードとして形成された部分や
チップマウント部として形成された部分は、銅が剥離さ
れてアルミまたはアルミ系合金が露出した部分となり、
半導体チップ上のＡｌ電極や半導体チップの裏面とワイ
ヤボンディングかされる一方、上記リードフレームにお
いて、アウターリードとして形成された部分は、銅の被
覆を有しており、上記半導体チップを組込んだ上記リー
ドフレームが取付けられる外部回路基板とはんだ付され
、リードフレームとしての従来と同等の機能と信頼性が
確保される。
〈実施例〉
以下、本発明を図示の実施例により詳細に説明する。
第２，３図は、リードフレームの原材料である板部材を
示し、該板部材は、アルミまたはアルミ系合金からなる
中心部材１の両表面を銅の微粒子で覆いへρ−Ｃｕ共晶
点温度（５４８℃）前後で数分間加熱保持するいわゆる
シンタリング（焼結）によって、第３図に示すように、
中心部材１の表面に銅被覆２，２゛を施してなる。まず
、この板部材表面でインナーリード部および半導体チッ
プマウント部として形成されるべき部分の片側の上記銅
被覆２を、エツチング等で、第４図および第５図に示す
ように鐘形３に剥離し、内部のアルミまたはアルミ系合
金１を露出させる。次いで、第１図に黒塗りで示す銅被
覆部およびそれに連らなる上記矩形（細線で示す）３内
部のアルミ等からなる部材１の必要部以外をプレスで打
抜き加工し、第１図に示す単位リードフレームが帯状に
連らなった一連のリードフレームを形成する。上記単位
リードフレームの四周縁辺４を除いた上記単位リードフ
レームの中央部の拡大詳細を第６図に、その断面を第７
図に示す。なお、第５図に示したように裏面の銅被覆２
゛は全く剥離されないので、第１図および第６図に示す
チップマウント部やリードの裏面２ ＋ｃ、 ２ ’
１等は全て銅で覆われている。
示し、該板部材は、アルミまたはアルミ系合金からなる
中心部材１の両表面を銅の微粒子で覆いへρ−Ｃｕ共晶
点温度（５４８℃）前後で数分間加熱保持するいわゆる
シンタリング（焼結）によって、第３図に示すように、
中心部材１の表面に銅被覆２，２゛を施してなる。まず
、この板部材表面でインナーリード部および半導体チッ
プマウント部として形成されるべき部分の片側の上記銅
被覆２を、エツチング等で、第４図および第５図に示す
ように鐘形３に剥離し、内部のアルミまたはアルミ系合
金１を露出させる。次いで、第１図に黒塗りで示す銅被
覆部およびそれに連らなる上記矩形（細線で示す）３内
部のアルミ等からなる部材１の必要部以外をプレスで打
抜き加工し、第１図に示す単位リードフレームが帯状に
連らなった一連のリードフレームを形成する。上記単位
リードフレームの四周縁辺４を除いた上記単位リードフ
レームの中央部の拡大詳細を第６図に、その断面を第７
図に示す。なお、第５図に示したように裏面の銅被覆２
゛は全く剥離されないので、第１図および第６図に示す
チップマウント部やリードの裏面２ ＋ｃ、 ２ ’
１等は全て銅で覆われている。
半導体装置は、上記構成のリードフレームを用いて次の
ように製造される。まず、ペレットボンダ（図示せず）
によって、第１図に示す一連のり一ドフレームの各チッ
プマ・クント部１ｃに、半導体チップ（図示せず）を−
個ずつ例えば導電性樹脂で順次接着する。次いで、超音
波ワイヤボンダ（図示せず）によって、上記半導体チッ
プ上のＡ、（電極と該電極に対応するインナーリード１
で（ＡβまたはＡ（系合金）とをアルミ線またはアルミ
系合金の線で単位リードフレーム毎に接合（インナーリ
ードボンディング）するとともに、各７ウターリード２
での先端２１’ とそれに対応する半導体チップ容器（
図示せず）の各電極もしくは外部回路基板（図示せず）
の各端子とをはんだ付等で接合（アウターリードボンデ
ィング）し、上記半導体チップを有する半導体装置を構
成する。
ように製造される。まず、ペレットボンダ（図示せず）
によって、第１図に示す一連のり一ドフレームの各チッ
プマ・クント部１ｃに、半導体チップ（図示せず）を−
個ずつ例えば導電性樹脂で順次接着する。次いで、超音
波ワイヤボンダ（図示せず）によって、上記半導体チッ
プ上のＡ、（電極と該電極に対応するインナーリード１
で（ＡβまたはＡ（系合金）とをアルミ線またはアルミ
系合金の線で単位リードフレーム毎に接合（インナーリ
ードボンディング）するとともに、各７ウターリード２
での先端２１’ とそれに対応する半導体チップ容器（
図示せず）の各電極もしくは外部回路基板（図示せず）
の各端子とをはんだ付等で接合（アウターリードボンデ
ィング）し、上記半導体チップを有する半導体装置を構
成する。
上記実施例は、インナーリードボンディング部が全て超
音波等によるＡｌ−Ａｆｉ接合なので、ネイルヘッドボ
ンディング方式と比べて、半導体チップやり−ト］を加
熱することなく常温で接合でとるうえ、Ａｕ −Ａｌ接
合に見られるパープルプレーグ欠陥が発生せず信頼度が
高く、さらに高価な金また、リードフレーム形成が、銅
被覆のエツチングとプレスによる打抜きの２工程だけで
行なわれるため、続くワイヤボンディングの手間を考慮
しても、Ａｕバンプ形成工程を要するＴＡＢ方式と比較
して、遜色のない作業能率を有し製造コストがより安価
になる。
音波等によるＡｌ−Ａｆｉ接合なので、ネイルヘッドボ
ンディング方式と比べて、半導体チップやり−ト］を加
熱することなく常温で接合でとるうえ、Ａｕ −Ａｌ接
合に見られるパープルプレーグ欠陥が発生せず信頼度が
高く、さらに高価な金また、リードフレーム形成が、銅
被覆のエツチングとプレスによる打抜きの２工程だけで
行なわれるため、続くワイヤボンディングの手間を考慮
しても、Ａｕバンプ形成工程を要するＴＡＢ方式と比較
して、遜色のない作業能率を有し製造コストがより安価
になる。
一方、上記実施例は、外部回路等へのアウターリードボ
ンディング部がＣｕ−Ｃｕで一般的なはんだ付けがで外
るので、容易かつ広範囲に適用できるという利点を有す
る。
ンディング部がＣｕ−Ｃｕで一般的なはんだ付けがで外
るので、容易かつ広範囲に適用できるという利点を有す
る。
〈発明の効果〉
以上の説明で明らかなように、本発明の半導体装置は、
アルミまたはアルミ系合金にシンタリングで銅を被覆し
てなる板部材の上記銅の一部が剥離されて上記アルミま
たはアルミ系合金の一部が露出した状態の板部材を、打
抜ぎもしくはエツチングして形成したリードフレームを
備えてなるので、ボンディング部等が従来と同等の機能
および信頼性を有するとともに、高価な金や銀を使用し
す？１、トちマー＄７−／７’ｌφグ＝ね石！−朱り二
各士７．−レ議ｆフ−へ７゜
アルミまたはアルミ系合金にシンタリングで銅を被覆し
てなる板部材の上記銅の一部が剥離されて上記アルミま
たはアルミ系合金の一部が露出した状態の板部材を、打
抜ぎもしくはエツチングして形成したリードフレームを
備えてなるので、ボンディング部等が従来と同等の機能
および信頼性を有するとともに、高価な金や銀を使用し
す？１、トちマー＄７−／７’ｌφグ＝ね石！−朱り二
各士７．−レ議ｆフ−へ７゜
第１図は本発明の実施例のリードフレームの平面図、第
２図はリードフレームの原材料の平面図、第３図は第２
図のｌ１ｌ−ＩＩＩ断面図、第４図は第２図の銅被覆を
エツチングした平面図、第５図は第４図のｖ−■断面図
、第６図は第１図中央部の拡大詳細図、第７図は第６図
のＶｌｌ−Ｖｌｌ断面図である。 １・・・アルミまたはアルミ系合金からなる中心部材、
２，２゛・・・銅被覆、３・・・銅被嫁剥離部矩形、
１ｃ・・・チップマウント部、１．１・・・インナーリ
ード、２ｉ、２１’、・、アウターリード、２’ｃ−チ
ップマウント部裏面銅被覆。 特許出願人 シャープ株式会社
２図はリードフレームの原材料の平面図、第３図は第２
図のｌ１ｌ−ＩＩＩ断面図、第４図は第２図の銅被覆を
エツチングした平面図、第５図は第４図のｖ−■断面図
、第６図は第１図中央部の拡大詳細図、第７図は第６図
のＶｌｌ−Ｖｌｌ断面図である。 １・・・アルミまたはアルミ系合金からなる中心部材、
２，２゛・・・銅被覆、３・・・銅被嫁剥離部矩形、
１ｃ・・・チップマウント部、１．１・・・インナーリ
ード、２ｉ、２１’、・、アウターリード、２’ｃ−チ
ップマウント部裏面銅被覆。 特許出願人 シャープ株式会社
Claims (1)
- （１） アルミまたはアルミ系合金にシンタリングで銅
を被覆してなる板部材の上記銅の一部が剥離されて上記
アルミまたはアルミ系合金の一部が露出した状態の板部
材を、打抜きもしくはエツチングして形成したり−ドフ
レームを備えてなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9802484A JPS60240149A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9802484A JPS60240149A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60240149A true JPS60240149A (ja) | 1985-11-29 |
Family
ID=14208347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9802484A Pending JPS60240149A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60240149A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57114265A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ic lead frame and transistor comb and manufacture thereof |
| JPS5958833A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-04 | Shinkawa Ltd | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-05-15 JP JP9802484A patent/JPS60240149A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57114265A (en) * | 1981-01-07 | 1982-07-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ic lead frame and transistor comb and manufacture thereof |
| JPS5958833A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-04 | Shinkawa Ltd | 半導体装置 |
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