JPS6023974Y2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は高周波高出力トランジスタなどの半導体装置に
関腰特にその外部導体の取付は構造に関するものである
。

一般に、高周波高出力トランジスタにおいては、内部に
消費される熱を速やかに外部に放熱させるとともに、高
周波でかつ大電流領域における電流増幅率および電力利
得が十分高いことが要求されている。

従来用いられているこの種の高周波高出力トランジスタ
としては、第１図及び第２図に示すように熱伝導度の高
い材料よりなる放熱基体１上に絶縁性でかつ熱伝導度の
高い材料にて形成された支持基板２を固着し、この支持
基板２上の中央部に所定の面積を有して形成されたメタ
ライズ部３の一方の端部にトランジスタチップ４を接着
し、メタライズ部３の他方の端部からストリップライン
形のコレクタ用外部導体５を引出すように配置している
。

そして、支持基板２上の前記外部導体５の引出し側と反
対側からストリップライン形のベース用外部導体６を引
出すように前記外部導体５と同一直線上に配置し、支持
基板２上の両側部にＨ字状に形成されたストリップライ
ン形のエミッタ用外部導体７を前記各外部導体５，６を
挾んでこれらと互いに並行するように配置した構造のも
のがある。

なお、図中、８，９はトランジスタチップ４のベース電
極と前記外部導体６間、そのエミッタ電極と前記外部導
体７間をそれぞれ接続する金属細線である。

しかしながら、このような構造を有する従来の高周波高
出力トランジスタにおいては、支持基板２の寸法を一定
とすれば、各々の外部導体５，６及び７が前記支持基板
２の上面に占める面積は大きくなり、トランジスタチッ
プ４の大きさが自ずから制限されてしまうという欠点が
あった。

また、トランジスタチップ４の寸法大のものを装着する
と各外部導体の接着面積が少なくなるため、それらの接
着強度が小さくなり、各外部導体の取付けが困難になる
という欠点もあった。

そのため、トランジスタチップの装着に際し前記支持基
板を大型にすればよいが、これは高周波高出力での電気
特性を著しく低下させるとともにパッケージの大型化を
招くため、支持基板の大型化は好ましくない。

本考案は、このような点に鑑みなされたもので、半導体
チップを接着する支持基板の上面と側面とにストリップ
ライン形の外部導体の一部を取付けるようにすることに
より、前記支持基板の寸法を大きくすることなく、その
接着面積を最大限に利用できるようにした半導体装置を
提供するものである。

以下、図面を用いて本考案の実施例を説明する。

第３図及び第４図は本考案にかかる高周波高出力トラン
ジスタの一実施例を示す概略斜視図及び側面図であり、
第１図及び第２図と同一部分又は相当部分は同一番号を
用いている。

この実施例では、一端部を互に直角に折曲して折曲部１
０が形成されたコレクタ用外部導体５ａの折曲部１０を
支持基板２上に形成されたメタライズ部３ａの一端部と
支持基板２の一方の側面２−□に接着し、その側面２−
□からコレクタ用外部導体５ａを引出している。

そして、支持基板２の他方の側面２−２およびその上面
一部に前記外部導体５ａと同一形状に形成されたベース
用外部導体６ａの折曲部１１を接着して、このベース用
外部導体６ａを前記コレクタ用外部導体５ａと反対側か
ら引出している。

また、支持基板２の両側面２−３，２−１にはその長さ
に対応する折曲片１２ａ、１２ｂが外側に直角に折曲し
て形成されたエミッタ用外部導体７ａの折曲片１２ａ、
１２ｂをそれぞれ接着することにより、このエミッタ用
外部導体７ａが前記各外部導体５ａ、６ａと互に並行し
て同一平面上に配置されるように取付けられている。

上記実施例の構造によると、支持基板２上にはコレクタ
及びベース用外部導体５ａ、６ａの一部だけが接着され
ることになるので、支持基板２の大きさを一定とすれば
、トランジスタチップ４の接着面積を最大限に利用でき
る。

したがって、支持基板２の寸法を大きくすることもなく
、支持基板２上のメタライズ部３ａの寸法及び各外部導
体の一部を変更するだけで大型のトランジスタチップ４
ａを装着することができる。

また、各外部導体は支持基板２の側面に十分な面積をも
って接着できるので、その接着強度も大きくとることが
できる。

なお、上記実施例では半導体装置として高周波高出力ト
ランジスタを例にとって示したが、本考案はこれに限ら
ず同様な構造をもつ半導体装置のすべてに適用できるも
のである。

以上説明したように、本考案による半導体装置によれば
、半導体チップを接着する支持基板の上面と側面とにそ
のチップの電極に対応する各ストリップライン形外部導
体を取付けるようにしたので、これら外部導体の接着強
度が向上し、しかも支持基板上の接着面積を有効に利用
することができる。

したがって、支持基板を大きくすることなく、大型の半
導体チップを装着することができるので、パッケージの
放熱効果を向上させることができるとともに、装着の小
型化をはかることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来の高周波高出力トランジスタを
示す概略斜視図及ぼ側面図、第３図及び第４図は本考案
による高周波高出力トランジスタの一実施例を示す概略
斜視図及び側面図である。 １・・・・・・放熱基体、２・・・・・・支持基板、３
，３ａ・・・・・・メタライズ部、４ｙ４ａ・・・・・
・トランジスタチップ、５，５ａ・・・・・・コレクタ
用外部導体、６，６ａ・・・・・・ベース用外部導体、
７，７ａ・・・・・・エミッタ用外部導体、８，９・・
・・・・金属細線、１０，１１・・・・・・折曲部、１
２ａ、１２ｂ・・・・・・折曲片。

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. （１）放熱基体と、該放熱基体上に固着されるとともに
   絶縁性でかつ熱伝導の良好な材料にて形成された支持基
   板と、該支持基板上に形成されたメタライズ部の一端部
   に１つの電極が接続して装着された半導体チップと、前
   記メタライズ部の他端部に接続される１つのストリップ
   ライン形外部導体および前記半導体チップのメタライズ
   部に接続された電極と異なる２つの電極に対応してそれ
   ぞれ接続されるストリップライン形外部導体とを有し、
   前記各外部導体は、それらの一部を前記支持基板の上面
   およびそのメタライズ部の他端部と該支持基板の側面と
   にそれぞれ接着して取付けるようにしたことを特徴とす
   る半導体装置。
2. （２）半導体チップはトランジスタチップであることを
   特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載の半導体
   装置。