JPS60239649A - デンシトメ−タにおける測光信号処理方法 - Google Patents
デンシトメ−タにおける測光信号処理方法Info
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- JPS60239649A JPS60239649A JP9769984A JP9769984A JPS60239649A JP S60239649 A JPS60239649 A JP S60239649A JP 9769984 A JP9769984 A JP 9769984A JP 9769984 A JP9769984 A JP 9769984A JP S60239649 A JPS60239649 A JP S60239649A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/59—Transmissivity
- G01N21/5907—Densitometers
- G01N21/5911—Densitometers of the scanning type
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）等に適用
されるデンシトメータに関し、さらに詳しくは測光信号
に対する暗電流の影響を高速度で除去するためのデンシ
トメータにおける測光信号処理方法に関する。
されるデンシトメータに関し、さらに詳しくは測光信号
に対する暗電流の影響を高速度で除去するためのデンシ
トメータにおける測光信号処理方法に関する。
（ロ）従来技術
従来から、タングステンランプまたは重水素ランプ等の
光源からの光を、試料スポットが形成された薄層プレー
トに照射し、該薄層プレートからの光を複数の受光素子
からなる一次元ダイオードアレー検出器で検出して測光
信号を得るデンシトメータがあるが、このような−次元
ダイオードアレー検出器を使用するデンシトメータでは
、−次元ダイオードアレー検出器に暗電流が生じ、この
ため、例えば吸光度を測定する場合には、暗電流値をめ
て第１式に示すように検出信号値から減算して対数を取
らなければ正しい吸光度Ａが得られない。
光源からの光を、試料スポットが形成された薄層プレー
トに照射し、該薄層プレートからの光を複数の受光素子
からなる一次元ダイオードアレー検出器で検出して測光
信号を得るデンシトメータがあるが、このような−次元
ダイオードアレー検出器を使用するデンシトメータでは
、−次元ダイオードアレー検出器に暗電流が生じ、この
ため、例えば吸光度を測定する場合には、暗電流値をめ
て第１式に示すように検出信号値から減算して対数を取
らなければ正しい吸光度Ａが得られない。
Ａ ＝ −ｌｏｇ［（Ｓ −Ｄ）／（Ｒ−Ｄ）］−−１
ここで、Ｓ：サンプルの信号値 Ｒ：サンプルのないときの信号値 Ｄ：暗電流値 である。
ここで、Ｓ：サンプルの信号値 Ｒ：サンプルのないときの信号値 Ｄ：暗電流値 である。
ところで、この暗電流値は、温度変化に対応して大きく
変化するために、かなりの頻度で暗電流値を測定しなけ
ればならない。この暗電流値の測定は、光源からの光を
走査する際に、薄層プレートの各検出位置毎、即ちダイ
オードアレー検出器を構成する各受光素子毎にチョッパ
等によって光を遮断して測定しなければならない。この
ため、暗電流値の測定に多くの時間を要し、デンシトメ
ータの測定の高速化を図るうえでの難点となっていた。
変化するために、かなりの頻度で暗電流値を測定しなけ
ればならない。この暗電流値の測定は、光源からの光を
走査する際に、薄層プレートの各検出位置毎、即ちダイ
オードアレー検出器を構成する各受光素子毎にチョッパ
等によって光を遮断して測定しなければならない。この
ため、暗電流値の測定に多くの時間を要し、デンシトメ
ータの測定の高速化を図るうえでの難点となっていた。
（ハ）目的
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであって、暗
電流値の測定を容易にしてデンシトメータの高速測定を
可能にすることを目的とする。
電流値の測定を容易にしてデンシトメータの高速測定を
可能にすることを目的とする。
（ニ）構成
本発明では、上述の目的を達成するために、前記複数の
受光素子のうちの一部の受光素子を遮光する構造として
暗電流値測定のためのモニタ部とし、測光の開始時点に
おいて、薄層プレートからの光を遮断して一次元ダイオ
ードアレーの複数の受光素子の暗電流値を予め測定し、
該モニタ部の暗電流値が変化したときには、該モニタ部
の前記予め測定した暗電流値とモニタ部以外の受光素子
の前記予め測定した暗電流値との比に基づいてモニタ部
以外の受光素子の暗電流値を算出し、該算出した暗電流
値によって測光信号を補正して暗電流による影響を除去
するようにしている。
受光素子のうちの一部の受光素子を遮光する構造として
暗電流値測定のためのモニタ部とし、測光の開始時点に
おいて、薄層プレートからの光を遮断して一次元ダイオ
ードアレーの複数の受光素子の暗電流値を予め測定し、
該モニタ部の暗電流値が変化したときには、該モニタ部
の前記予め測定した暗電流値とモニタ部以外の受光素子
の前記予め測定した暗電流値との比に基づいてモニタ部
以外の受光素子の暗電流値を算出し、該算出した暗電流
値によって測光信号を補正して暗電流による影響を除去
するようにしている。
（ホ）実施例
以下、図面によって本発明の実施例について詳細に説明
する。第１図は、本発明の一実施例を適用したデンシト
メータの光学系の構成図である。
する。第１図は、本発明の一実施例を適用したデンシト
メータの光学系の構成図である。
光源としてのタングステンランプ１または重水素ランプ
２がらの光は、光源切り換えミラー３によって反射され
て分光器の入口スリット４に入射した後、回折格子５に
よって分光され、ミラー６で反射されて出ロスリッ）７
から単色光が取り出される。出口スリット７がらの単色
光は、２つのミラー８，９で反射されて試料スポラＦが
形成されている薄層プレート１０に集光される。薄層プ
レート１０を透過した光は、ミラー１１で反射され、複
数の受光素子１２’ａ〜１２ｎからなる自己走査型の一
次元ダイオードアレー検出器１２によって検出される。
２がらの光は、光源切り換えミラー３によって反射され
て分光器の入口スリット４に入射した後、回折格子５に
よって分光され、ミラー６で反射されて出ロスリッ）７
から単色光が取り出される。出口スリット７がらの単色
光は、２つのミラー８，９で反射されて試料スポラＦが
形成されている薄層プレート１０に集光される。薄層プ
レート１０を透過した光は、ミラー１１で反射され、複
数の受光素子１２’ａ〜１２ｎからなる自己走査型の一
次元ダイオードアレー検出器１２によって検出される。
この−次元ダイオードアレー検出器１２からの測光信号
は、Ａ／Ｄ変換されて図示しないマイクロコンピュータ
に与えられ、このマイクロコンピュータによって後述の
ように所定の演算処理がなされる。１３は、予め暗電流
値を測定する際に光を遮断するためのチョッパである。
は、Ａ／Ｄ変換されて図示しないマイクロコンピュータ
に与えられ、このマイクロコンピュータによって後述の
ように所定の演算処理がなされる。１３は、予め暗電流
値を測定する際に光を遮断するためのチョッパである。
本発明のデンシトメータにおける測光信号処理方法では
、薄層プレー）１０がらの光をチョッパ１３で遮断して
一次元ダイオードアレー検出器１２の前記複数の受光素
子１２ａ〜１２’ｎの各暗電流値を予め測定し、測光の
際には、第２図に示されるように前記複数の受光素子１
２ａ〜１２ｎのうちの一部の受光素子１２ａ〜１２ｄを
遮光して暗電流値測定のためのモニタ部１４とし、該モ
ニタ部１４の暗電流値が変化したときには、該モニタ部
１４の前記予め測定した暗電流値と、モニタ部１４以外
の吸光度測定のための測定部１５の受光素子１２ｅ〜１
２ｎの前記予め測定した暗電流値との比に基づいて、モ
ニタ部１４以外の測定部１５の受光素子１２ｅ〜１２ｎ
の暗電流値を算出し、該算出した暗電流値によって測定
部１５で検出された測光信号を前述の第１式に従って補
正処理するようにしている。
、薄層プレー）１０がらの光をチョッパ１３で遮断して
一次元ダイオードアレー検出器１２の前記複数の受光素
子１２ａ〜１２’ｎの各暗電流値を予め測定し、測光の
際には、第２図に示されるように前記複数の受光素子１
２ａ〜１２ｎのうちの一部の受光素子１２ａ〜１２ｄを
遮光して暗電流値測定のためのモニタ部１４とし、該モ
ニタ部１４の暗電流値が変化したときには、該モニタ部
１４の前記予め測定した暗電流値と、モニタ部１４以外
の吸光度測定のための測定部１５の受光素子１２ｅ〜１
２ｎの前記予め測定した暗電流値との比に基づいて、モ
ニタ部１４以外の測定部１５の受光素子１２ｅ〜１２ｎ
の暗電流値を算出し、該算出した暗電流値によって測定
部１５で検出された測光信号を前述の第１式に従って補
正処理するようにしている。
この実施例では、試料走査開始前にチョッパ１３によっ
て光を遮断し、−次元ダイオードアレー検出器１２の総
ての受光素子１２ａ〜１２ｎの各暗電流値を予め測定し
、この予め測定された暗電流値に対応するデジタル情報
に基づいて、前述のマイクロコンピュータでは、測定部
１５の各受光素子１２ｅ〜１２ｎの暗電流値を、モニタ
部１４の受光素子１２ａ〜１２ｄの平均の暗電流値で除
し、その商をマイクロコンピュータのメモリに格納する
。
て光を遮断し、−次元ダイオードアレー検出器１２の総
ての受光素子１２ａ〜１２ｎの各暗電流値を予め測定し
、この予め測定された暗電流値に対応するデジタル情報
に基づいて、前述のマイクロコンピュータでは、測定部
１５の各受光素子１２ｅ〜１２ｎの暗電流値を、モニタ
部１４の受光素子１２ａ〜１２ｄの平均の暗電流値で除
し、その商をマイクロコンピュータのメモリに格納する
。
次に走査、即ち測光を開始したときには、その時点での
モニタ部１４の受光素子１２ａ〜１２ｄで得られる暗電
流値の平均値に、メモリに格納した前記面を乗じて得ら
れた値を、測定部１５の各受光素子１２ｅ〜１２ｎのそ
の時点での暗電流値とし、この得られた暗電流値を前述
の第１式に従って測定部１５の検出出力から減算して暗
電流による影響を除去して補正された測光信号を得るよ
うにしている。したがって、温度の変化等によって一次
元ダイオードアレー検出器１２の暗電流が変化したとき
には、モニタ部１４で測定されている暗電流値が変化す
るので、この測定された暗電流値と、予めめられている
モニタ部１４と測定部１５との暗電流値の比とによって
、前記温度変化等に対応した測定部１５の暗電流値が算
出されることになる。
モニタ部１４の受光素子１２ａ〜１２ｄで得られる暗電
流値の平均値に、メモリに格納した前記面を乗じて得ら
れた値を、測定部１５の各受光素子１２ｅ〜１２ｎのそ
の時点での暗電流値とし、この得られた暗電流値を前述
の第１式に従って測定部１５の検出出力から減算して暗
電流による影響を除去して補正された測光信号を得るよ
うにしている。したがって、温度の変化等によって一次
元ダイオードアレー検出器１２の暗電流が変化したとき
には、モニタ部１４で測定されている暗電流値が変化す
るので、この測定された暗電流値と、予めめられている
モニタ部１４と測定部１５との暗電流値の比とによって
、前記温度変化等に対応した測定部１５の暗電流値が算
出されることになる。
これによって、従来の上うに一次元ダイオードアレー検
出器を構成する各受光素子毎に光を遮断して暗電流値を
逐次測定する必要がない。
出器を構成する各受光素子毎に光を遮断して暗電流値を
逐次測定する必要がない。
なお、この実施例では、モニタ部１４で測定された暗電
流値のバラツキをできるだけ少なくするために、前述の
ように４つ受光素子１２ａ〜１２ｄで構成してその平均
値を取っているがモニタ部を構成する受光素子の数は適
宜選択すればよい。
流値のバラツキをできるだけ少なくするために、前述の
ように４つ受光素子１２ａ〜１２ｄで構成してその平均
値を取っているがモニタ部を構成する受光素子の数は適
宜選択すればよい。
前述の実施例では、透過吸光度測定について述べたけれ
ども、勿論反射吸光度測定でも応用が可能である。本発
明は吸光度測定に限るものではなく、けい光測定に適用
してもよいのは勿論である。
ども、勿論反射吸光度測定でも応用が可能である。本発
明は吸光度測定に限るものではなく、けい光測定に適用
してもよいのは勿論である。
上記方式では、−次元ダイオードアレー検出器の一部を
常にマスクし、暗電流測定用のモニタ部としていたが、
第１図のチョッパをパルスモータ等で駆動し、任意の角
度のマスキングが可能なようにすれば、次のような手順
で、−次元ダイオードアレー検出器に常に遮光したモニ
タ部を設けなくとも、同等な効果を奏することが可能で
ある。
常にマスクし、暗電流測定用のモニタ部としていたが、
第１図のチョッパをパルスモータ等で駆動し、任意の角
度のマスキングが可能なようにすれば、次のような手順
で、−次元ダイオードアレー検出器に常に遮光したモニ
タ部を設けなくとも、同等な効果を奏することが可能で
ある。
まず、チョッパでダイオードアレー検出器を完全に遮光
し、すべての受光素子の暗電流をめる。
し、すべての受光素子の暗電流をめる。
次に走査時には、チョッパの角度を変えて、上記モニタ
部ｌこ相当する受光素子部分を遮光する。測定時に、こ
の部分の暗電流値をモニタし、このモニタ部の変化量を
計算し、予めめてあった他の部分の暗電流値に、この変
化量を来して、これらの部分の暗電流値を算出する。勿
論暗電流測定用の部分は、測光には使用されない。
部ｌこ相当する受光素子部分を遮光する。測定時に、こ
の部分の暗電流値をモニタし、このモニタ部の変化量を
計算し、予めめてあった他の部分の暗電流値に、この変
化量を来して、これらの部分の暗電流値を算出する。勿
論暗電流測定用の部分は、測光には使用されない。
（へ）効果
以上のように本発明によれば、薄層プレートからの光を
遮断して一次元ダイオードアレーの前記複数の受光素子
の暗電流値を予め測定し、測光の際には、前記複数の受
光素子のうちの一部の受光素子を遮光して暗電流値測定
のためのモニタ部とし、該モニタ部の暗電流値が変化し
たときには、該モニタ部の前記予め測定した暗電流値と
モニタ部以外の受光素子の前記予め測定した暗電流値と
の比に基づいてモニタ部以外の受光素子の暗電流値を算
出し、該算出した暗電流値によって測光信号を補正する
ようにしているので、走査の際に各検出位置毎に光を遮
断して暗電流を測定してその影響を除〈従来技術に比べ
て暗電流の影響を高速で除去することができ、これによ
ってデンシトメータの測定の高速化を図ることが可能と
なる。
遮断して一次元ダイオードアレーの前記複数の受光素子
の暗電流値を予め測定し、測光の際には、前記複数の受
光素子のうちの一部の受光素子を遮光して暗電流値測定
のためのモニタ部とし、該モニタ部の暗電流値が変化し
たときには、該モニタ部の前記予め測定した暗電流値と
モニタ部以外の受光素子の前記予め測定した暗電流値と
の比に基づいてモニタ部以外の受光素子の暗電流値を算
出し、該算出した暗電流値によって測光信号を補正する
ようにしているので、走査の際に各検出位置毎に光を遮
断して暗電流を測定してその影響を除〈従来技術に比べ
て暗電流の影響を高速で除去することができ、これによ
ってデンシトメータの測定の高速化を図ることが可能と
なる。
第１図は本発明の一実施例を適用したデンシトメータの
光学系の構成図、第２図は第１図の一次元ダイオードア
レー検出器１２の正面図である。 １０・・・薄層プレート、１２・・・−次元ダイオード
アレー検出器、１２ａ〜１２０・・・受光素子、１３・
・チョッパ、１４・・・モニタ部。 出願人 株式会社 島津製作所 代理人 弁理士 岡田和秀
光学系の構成図、第２図は第１図の一次元ダイオードア
レー検出器１２の正面図である。 １０・・・薄層プレート、１２・・・−次元ダイオード
アレー検出器、１２ａ〜１２０・・・受光素子、１３・
・チョッパ、１４・・・モニタ部。 出願人 株式会社 島津製作所 代理人 弁理士 岡田和秀
Claims (1)
- （１）光源からの光を、試料スポットが形成された薄層
プレートに照射し、該薄層プレートからの光を複数の受
光素子からなる一次元ダイオード７レー検出器で検出し
て測光信号を得るデンシトメータにおける測光信号処理
方法であって、−次元ダイオードアレー検出器の一部の
受光素子を遮光する構造として暗電流値測定のためのモ
ニタ部とし、 前記薄層プレートからの光を遮断して一次元ダイオード
アレーの前記複数の受光素子の暗電流値を予め測定し、 該モニタ部の暗電流値が変化したときには、該モニタ部
の前記予め測定した暗電流値とモニタ部以外の受光素子
の前記予め測定した暗電流値との比に基づいてモニタ部
以外の受光素子の暗電流値を算出し、 該算出した暗電流値によって測光信号を補正することを
特徴とするデンシトメータにおける測光信号処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9769984A JPS60239649A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | デンシトメ−タにおける測光信号処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9769984A JPS60239649A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | デンシトメ−タにおける測光信号処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60239649A true JPS60239649A (ja) | 1985-11-28 |
| JPH0521178B2 JPH0521178B2 (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=14199175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9769984A Granted JPS60239649A (ja) | 1984-05-15 | 1984-05-15 | デンシトメ−タにおける測光信号処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60239649A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62141732U (ja) * | 1986-03-01 | 1987-09-07 | ||
| JP2005062201A (ja) * | 2004-10-29 | 2005-03-10 | Yokogawa Electric Corp | 分光装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5150939B2 (ja) * | 2008-10-15 | 2013-02-27 | 大塚電子株式会社 | 光学特性測定装置および光学特性測定方法 |
-
1984
- 1984-05-15 JP JP9769984A patent/JPS60239649A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62141732U (ja) * | 1986-03-01 | 1987-09-07 | ||
| JP2005062201A (ja) * | 2004-10-29 | 2005-03-10 | Yokogawa Electric Corp | 分光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0521178B2 (ja) | 1993-03-23 |
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