JPH0521178B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明は、薄層クロマトグラフイー（TLC）
等に適用されるデンシトメータに関し、さらに詳
しくは測光信号に対する暗電流の影響を高速度で
除去するためのデンシトメータにおける測光信号
処理方法に関する。

(ロ) 従来技術 従来から、タングステンランプまたは重水素ラ
ンプ等の光源からの光を、試料スポツトが形成さ
れた薄層プレートに照射し、該薄層プレートから
の光を複数の受光素子からなる一次元ダイオード
アレー検出器で検出して測光信号を得るデンシト
メータがあるが、このような一次元ダイオードア
レー検出器を使用するデンシトメータでは、一次
元ダイオードアレー検出器に暗電流が生じ、この
ため、例えば吸光度を測定する場合には、暗電流
値を求めて第１式に示すように検出信号値から減
算して対数を取らなければ正しい吸光度Ａが得ら
れない。

Ａ＝−log［(S-D)／(R-D)］ ……１ ここで、Ｓ：サンプルの信号値 Ｒ：サンプルのないときの信号値 Ｄ：暗電流値 である。

ところで、この暗電流値は、温度変化に対応し
て大きく変化するために、かなりの頻度で暗電流
値を測定しなければならない。この暗電流値の測
定は、光源からの光を走査する際に、薄層プレー
トの各検出位置毎、即ちダイオードアレー検出器
を構成する各受光素子毎にチヨツパ等によつて光
を遮断して測定しなければならない。このため、
暗電流値の測定に多くの時間を要し、デンシトメ
ータの測定の高速化を図るうえでの難点となつて
いた。

(ハ) 目的 本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであ
つて、暗電流値の測定を容易にしてデンシトメー
タの高速測定を可能にすることを目的とする。

(ニ) 構成 本発明では、上述の目的を達成するために、前
記複数の受光素子のうちの一部の受光素子を遮光
する構造として暗電流値測定のためのモニタ部と
し、測光の開始時点において、薄層プレートから
の光を遮断して一次元ダイオードアレーの複数の
受光素子の暗電流値を予め測定し、該モニタ部の
暗電流値が変化したときには、該モニタ部の前記
予め測定した暗電流値とモニタ部以外の受光素子
の前記予め測定した暗電流値との比に基づいてモ
ニタ部以外の受光素子の暗電流値を算出し、該算
出した暗電流値によつて測光信号を補正して暗電
流による影響を除去するようにしている。

(ホ) 実施例 以下、図面によつて本発明の実施例について詳
細に説明する。第１図は、本発明の一実施例を適
用したデンシトメータの光学系の構成図である。
光源としてのタングステンランプ１または重水素
ランプ２からの光は、光源切り換えミラー３によ
つて反射されて分光器の入口スリツト４に入射し
た後、回析格子５によつて分光され、ミラー６で
反射されて出口スリツト７から単色光が取り出さ
れる。出口スリツト７からの単色光は、２つのミ
ラー８，９で反射されて試料スポツトが形成され
ている薄層プレート１０に集光される。薄層プレ
ート１０を透過した光は、ミラー１１で反射さ
れ、複数の受光素子１２ａ〜１２ｎからなる自己
走査型の一次元ダイオードアレー検出器１２によ
つて検出される。この一次元ダイオードアレー検
出器１２からの測光信号は、Ａ／Ｄ変換されて図
示しないマイクロコンピユータに与えられ、この
マイクロコンピユータによつて後述のように所定
の演算処理がなされる。１３は、予め暗電流値を
測定する際に光を遮断するためのチヨツパであ
る。

本発明のデンシトメータにおける測光信号処理
方法では、薄層プレート１０からの光をチヨツパ
１３で遮断して一次元ダイオードアレー検出器１
２の前記複数の受光素子１２ａ〜１２ｎの各暗電
流値を予め測定し、測光の際には、第２図に示さ
れるように前記複数の受光素子１２ａ〜１２ｎの
うちの一部の受光素子１２ａ〜１２ｄを遮光して
暗電流値測定のためのモニタ部１４とし、該モニ
タ部１４の暗電流値が変化したときには、該モニ
タ部１４の前記予め測定した暗電流値と、モニタ
部１４以外の吸光度測定のための測定部１５の受
光素子１２ｅ〜１２ｎの前記予め測定した暗電流
値との比に基づいて、モニタ部１４以外の測定部
１５の受光素子１２ｅ〜１２ｎの暗電流値を算出
し、該算出した暗電流値によつて測定部１５で検
出された測光信号を前述の第１式に従つて補正処
理するようにしている。

この実施例では、試料走査開始前にチヨツパ１
３によつて光を遮断し、一次元ダイオードアレー
検出器１２の総ての受光素子１２ａ〜１２ｎの各
暗電流値を予め測定し、この予め測定された暗電
流値に対応するデジタル情報に基づいて、前述の
マイクロコンピユータでは、測定部１５の各受光
素子１２ｅ〜１２ｎの暗電流値を、モニタ部１４
の受光素子１２ａ〜１２ｄの平均の暗電流値で除
し、その商をマイクロコンピユータのメモリに格
納する。

次に走査、即ち測光を開始したときには、その
時点でのモニタ部１４の受光素子１２ａ〜１２ｄ
で得られる暗電流値の平均値に、メモリに格納し
た前記商を乗じて得られた値を、測定部１５の各
受光素子１２ｅ〜１２ｎのその時点での暗電流値
とし、この得られた暗電流値を前述の第１式に従
つて測定部１５の検出出力から減算して暗電流に
よる影響を除去して補正された測光信号を得るよ
うにしている。したがつて、温度の変化等によつ
て一次元ダイオードアレー検出器１２の暗電流が
変化したときには、モニタ部１４で測定されてい
る暗電流値が変化するので、この測定された暗電
流値と、予め求められているモニタ部１４と測定
部１５との暗電流値の比とによつて、前記温度変
化等に対応した測定部１５の暗電流値が算出され
ることになる。

これによつて、従来のように一次元ダイオード
アレー検出器を構成する各受光素子毎に光を遮断
して暗電流値を逐次測定する必要がない。

なお、この実施例では、モニタ部１４で測定さ
れた暗電流値のバラツキをできるだけ少なくする
ために、前述のように４つの受光素子１２ａ〜１
２ｄで構成してその平均値を取つているがモニタ
部を構成する受光素子の数は適宜選択すればよ
い。

前述の実施例では、透過吸光度測定について述
べたけれども、勿論反射吸光度測定でも応用が可
能である。本発明は吸光度測定に限るものではな
く、けい光測定に適用してもよいのは勿論であ
る。

上記方式では、一次元ダイオードアレー検出器
の一部を常にマスクし、暗電流測定用のモニタ部
としていたが、第１図のチヨツパをパルスモータ
等で駆動し、任意の角度のマスキングが可能なよ
うにすれば、次のような手順で、一次元ダイオー
ドアレー検出器に常に遮光したモニタ部を設けな
くとも、同等な効果を奏することが可能である。
まず、チヨツパでダイオードアレー検出器を完全
に遮光し、すべての受光素子の暗電流を求める。
次に走査時には、チヨツパの角度を変えて、上記
モニタ部に相当する受光素子部分を遮光する。測
定時に、この部分の暗電流値をモニタし、このモ
ニタ部の変化量を計算し、予め求めてあつた他の
部分の暗電流値に、この変化量を乗じて、これら
の部分の暗電流値を算出する。勿論暗電流測定用
の部分は、測光には使用されない。

(ヘ) 効果 以上のように本発明によれば、薄層プレートか
らの光を遮断して一次元ダイオードアレーの前記
複数の受光素子の暗電流値を予め測定し、測光の
際には、前記複数の受光素子のうちの一部の受光
素子を遮光して暗電流値測定のためのモニタ部と
し、該モニタ部の暗電流値が変化したときには、
該モニタ部の前記予め測定した暗電流値とモニタ
部以外の受光素子の前記予め測定した暗電流値と
の比に基づいてモニタ部以外の受光素子の暗電流
値を算出し、該算出した暗電流値によつて測光信
号を補正するようにしているので、走査の際に各
検出位置毎に光を遮断して暗電流を測定してその
影響を除く従来技術に比べて暗電流の影響を高速
で除去することができ、これによつてデンシトメ
ータの測定の高速化を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を適用したデンシト
メータの光学系の構成図、第２図は第１図の一次
元ダイオードアレー検出器１２の正面図である。 １０……薄層プレート、１２……一次元ダイオ
ードアレー検出器、１２ａ〜１２ｎ……受光素
子、１３……チヨツパ、１４……モニタ部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 光源からの光を、試料スポツトが形成された
   薄層プレートに照射し、該薄層プレートからの光
   を複数の受光素子からなる一次元ダイオードアレ
   ー検出器で検出して測光信号を得るデンシトメー
   タにおける測光信号処理方法であつて、 一次元ダイオードアレー検出器の一部の受光素
   子を遮光する構造として暗電流値測定のためのモ
   ニタ部とし、 前記薄層プレートからの光を遮断して一次元ダ
   イオードアレーの前記複数の受光素子の暗電流値
   を予め測定し、 該モニタ部の暗電流値が変化したときには、該
   モニタ部の前記予め測定した暗電流値とモニタ部
   以外の受光素子の前記予め測定した暗電流値との
   比に基づいてモニタ部以外の受光素子の暗電流値
   を算出し、 該算出した暗電流値によつて測光信号を補正す
   ることを特徴とするデンシトメータにおける測光
   信号処理方法。