JPS60237626A - Magnetic recording medium - Google Patents
Magnetic recording mediumInfo
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- JPS60237626A JPS60237626A JP9396884A JP9396884A JPS60237626A JP S60237626 A JPS60237626 A JP S60237626A JP 9396884 A JP9396884 A JP 9396884A JP 9396884 A JP9396884 A JP 9396884A JP S60237626 A JPS60237626 A JP S60237626A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野および目的〕
この発明はコバルトもしくはコバルトを含む強磁性材か
らなる強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒体に
関し、その目的とするところは、耐食性に優れた前記の
磁気記録媒体を提供することにある。[Detailed description of the invention] [Technical field and purpose] The present invention relates to a magnetic recording medium having a ferromagnetic metal thin film layer made of cobalt or a ferromagnetic material containing cobalt as a recording layer. The object of the present invention is to provide an excellent magnetic recording medium.
コバルトもしくはコバルトを含む強磁性材からなる強磁
性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記録媒体は、通常
、コバルトもしくはコバルト合金などを真空蒸着等によ
って基体フィルム上に被着してつくられ、高密度記録に
適した特性を有するが、反面空気中の酸素によって酸化
され易く、この酸化によって最大磁束密度などの磁気特
性が劣化するなどの難点がある。A magnetic recording medium whose magnetic recording layer is a ferromagnetic metal thin film layer made of cobalt or a ferromagnetic material containing cobalt is usually made by depositing cobalt or a cobalt alloy on a base film by vacuum deposition, etc. Although it has characteristics suitable for density recording, it has the disadvantage that it is easily oxidized by oxygen in the air, and this oxidation deteriorates magnetic properties such as maximum magnetic flux density.
このため、従来からこの種のコバルトもしくはコバルト
を含む強磁性材からなる強磁性金属薄膜層表面を酸化す
るなどして耐食性を改善することが行われており、コバ
ルトを含む強磁性金属薄膜層表面を酸素プラズマ中にさ
らすなどしてCo。For this reason, the surface of a ferromagnetic metal thin film layer made of this type of cobalt or a ferromagnetic material containing cobalt has been oxidized to improve its corrosion resistance. Co by exposing it to oxygen plasma.
とCo3O4とからなる保護層を設けたもの(特開昭5
8−41439号)が提案されているが、この方法で形
成された保護層は不安定なCooやCo3O4からなり
、Cooを含むためさらに酸化が進行するという難点が
あり、未だ充分に満足できる結果は得られていない。with a protective layer consisting of
No. 8-41439) has been proposed, but the protective layer formed by this method is composed of unstable Coo and Co3O4, and has the disadvantage that oxidation progresses further because it contains Coo, and the results are still sufficiently satisfactory. has not been obtained.
この発明は、かかる現状に鑑み種々検討を行った結果、
基体上に形成したコバルトもしくはコバルトを含む強磁
性材からなる強磁性金属薄膜層の表面を極めて強いプラ
ズマ電位でもってプラズマM化し、コバルトを3価のコ
バルトの酸化物にまで酸化して極めて安定なCo2O3
からなる保護層を形成すると、耐食性が充分に向上され
た磁気記録媒体が得られることを見いだしてなされたも
ので、c’o2o3からなるコバルト酸化物の保護層を
コバルトもしくはコバルトを含む強磁性材からなる強磁
性金属薄膜層の表面に設けたことを特徴とするものであ
る。This invention was developed as a result of various studies in view of the current situation.
The surface of a ferromagnetic metal thin film layer made of cobalt or a ferromagnetic material containing cobalt formed on a substrate is turned into plasma M with an extremely strong plasma potential, and the cobalt is oxidized to trivalent cobalt oxide, which is extremely stable. Co2O3
This was developed based on the discovery that a magnetic recording medium with sufficiently improved corrosion resistance could be obtained by forming a protective layer consisting of cobalt or a ferromagnetic material containing cobalt. It is characterized by being provided on the surface of a ferromagnetic metal thin film layer consisting of.
この発明において、コバルトもしくはコバルトを含む強
磁性材からなる強磁性金属薄膜層表面のCo2O3から
なる保護層の形成は、コバルトもしくはコバルトを含む
強磁性材からなる強磁性金属薄膜層を形成した基体を、
プラズマ発生用電極を備えたプラズマ処理装置にプラズ
マ発生用電極と対向させて装填するとともに、装填した
基体の近傍にさらに電極を配設し、この基体の近傍に配
設した電極に電圧を印加しながらプラズマ酸化すること
によって行われる。このようなプラズマ酸化が行われる
と、従来はアース電位であった強磁性金属薄膜層表面に
電圧を印加したのと同し効果が発揮されて、極めて強い
プラズマ電位でもってプラズマ酸化が迅速かつ良好に行
われ、強磁性金属薄膜層表面のコバルトが3価のコバル
トの酸化物になるまで酸化されて、極めて安定なCo2
O3からなる保護層が形成され、耐食性が充分に向上さ
れた磁気記録媒体が得られる。In this invention, the formation of a protective layer made of Co2O3 on the surface of a ferromagnetic metal thin film layer made of cobalt or a ferromagnetic material containing cobalt is performed on a substrate on which a ferromagnetic metal thin film layer made of cobalt or a ferromagnetic material containing cobalt is formed. ,
The substrate is loaded in a plasma processing apparatus equipped with a plasma generation electrode so as to face the plasma generation electrode, and an electrode is further placed near the loaded substrate, and a voltage is applied to the electrode placed near the substrate. This is done by plasma oxidation. When such plasma oxidation is performed, the effect is similar to that of applying a voltage to the surface of the ferromagnetic metal thin film layer, which was previously at ground potential, and the plasma oxidation is rapid and good due to the extremely strong plasma potential. The cobalt on the surface of the ferromagnetic metal thin film layer is oxidized until it becomes trivalent cobalt oxide, resulting in extremely stable Co2
A protective layer made of O3 is formed, and a magnetic recording medium with sufficiently improved corrosion resistance is obtained.
以下、図面を参照しながらこの発明について説明する。The present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図は、コバルトもしくはコバルトを含む強磁性材か
らなる強磁性金属薄膜層表面に、Co 203からなる
保護層を形成する際、使用するプラズマ処理装置の1例
を示したものであり、1は真空槽でこの真空槽重の内部
は排気系2により排気されて真空に保持される。3は真
空槽lの中央部に配設された円筒状キャンであり、コバ
ルトもしくはコバルトを含む強磁性材からなる強磁性金
属薄膜層を形成したポリエステルフィルム4は、原反ロ
ール5よりガイドロール6を介してこの円筒状キャン3
の周側面に沿って移動し、ガイドロール7を介して巻き
取りロール8に巻き取られる。Figure 1 shows an example of a plasma processing apparatus used when forming a protective layer made of Co203 on the surface of a ferromagnetic metal thin film layer made of cobalt or a ferromagnetic material containing cobalt. is a vacuum chamber, and the inside of this vacuum chamber is evacuated by an exhaust system 2 and maintained in a vacuum. 3 is a cylindrical can disposed in the center of the vacuum chamber l, and the polyester film 4 on which a ferromagnetic metal thin film layer made of cobalt or a ferromagnetic material containing cobalt is formed is transferred from a raw roll 5 to a guide roll 6. Through this cylindrical can 3
The paper moves along the circumferential side of the paper and is wound onto a winding roll 8 via a guide roll 7.
この間真空槽1に取り、つけたガス導入管9から酸素ガ
スが導入される一方、円筒状キャン3の周側面に沿って
移動するポリエステルフィルム4に対向して真空槽1の
下部に配設されたプラズマ発生用交流電極10に電圧が
印加され、同時に、円筒状キャン3の極く近傍直下に配
設された直流電極11に電圧が印加されてプラズマ酸化
が行われる。なお、図中12は交流電源であり、13は
直流電源である。During this time, oxygen gas is introduced from the gas inlet tube 9 attached to the vacuum chamber 1, while the gas is placed at the bottom of the vacuum chamber 1 facing the polyester film 4 moving along the circumferential side of the cylindrical can 3. A voltage is applied to the AC electrode 10 for plasma generation, and at the same time, a voltage is applied to the DC electrode 11 disposed in the immediate vicinity of the cylindrical can 3 to perform plasma oxidation. In addition, in the figure, 12 is an AC power supply, and 13 is a DC power supply.
しかしてこのプラズマ処理装置によれば、ガス導入管9
から酸素ガスを導入してプラズマ処理を−行う際、プラ
ズマ発生用交流電極10でプラズマが化成されると同時
に直流電極IIに電圧が印加され、強磁性金属薄膜層表
面に電圧を印加したのと同じ効果が発揮される。その結
果、極めて強いプラズマ電位でもってイオン化された高
エネルギーの酸素ガスが強磁性金属薄膜層の表面に良好
に侵入して酸化が行われ、表面から緻密な被膜が成長し
、て3価のコバルトの酸化物になるまで酸化されたCo
2O3からなる保護層が、界面を生しることなく良好に
形成され、一段と耐食性に優れた磁気記録媒体が得られ
る。このようにして形成されるCo2O3からなる保護
層の層厚は10〜100人の範囲内にするのが好ましく
、1o人より薄いと所期の効果が得られないおそれがあ
る。However, according to this plasma processing apparatus, the gas introduction pipe 9
When plasma treatment is performed by introducing oxygen gas from the plasma generating AC electrode 10, a voltage is applied to the DC electrode II at the same time as the plasma is formed at the plasma generation AC electrode 10, and a voltage is applied to the surface of the ferromagnetic metal thin film layer. The same effect is achieved. As a result, high-energy oxygen gas ionized by an extremely strong plasma potential penetrates the surface of the ferromagnetic metal thin film layer and oxidizes it. A dense film grows from the surface, and trivalent cobalt Co oxidized to an oxide of
A protective layer made of 2O3 is well formed without forming an interface, and a magnetic recording medium with even better corrosion resistance can be obtained. The thickness of the protective layer made of Co2O3 thus formed is preferably within the range of 10 to 100 layers, and if it is thinner than 10 layers, the desired effect may not be obtained.
円筒状キャン3の極く近傍直下に配設する直流電極11
は、スパッタされにくいようにステンレス製またはモリ
ブデン製のものが好ましく使用され、また直流電極11
間を酸素ガスが良好に流通できるように網目状のものが
好ましく使用される。さらに直流電極11と、円筒状キ
ャン3の周側面に沿って移動する基体4上の強磁性金属
薄膜層表面との距離は、真空槽1内に導入される酸素ガ
スのガス圧によって異なるが、1cmより大きくなると
効果が弱いかもしくは効果がないため、1cm以内であ
ることが好ましい。DC electrode 11 disposed directly under the cylindrical can 3
is preferably made of stainless steel or molybdenum to avoid sputtering, and the DC electrode 11
A mesh-like material is preferably used so that oxygen gas can circulate well between the materials. Further, the distance between the DC electrode 11 and the surface of the ferromagnetic metal thin film layer on the base 4 that moves along the circumferential side of the cylindrical can 3 varies depending on the gas pressure of the oxygen gas introduced into the vacuum chamber 1. If it is larger than 1 cm, the effect will be weak or there will be no effect, so it is preferably within 1 cm.
また、プラズマ発生用電極は交流電極1oに限らす、直
流電極もしくは高周波電極の何れを使用してもよく、何
れの電極を使用するかで真空槽l内に導入される酸素ガ
スのガス圧は若干異なるものの、プラズマ酸化を迅速か
つ良好に行うためには、真空槽1内に導入される酸素ガ
スのガス圧をlXl0’〜0゜3 トールの範囲内にす
るのが好ましく 、0.03〜0.1トールの範囲内に
するのがより好ましい。In addition, the electrode for plasma generation is limited to the AC electrode 1o, but either a DC electrode or a high frequency electrode may be used. Depending on which electrode is used, the gas pressure of the oxygen gas introduced into the vacuum chamber l will be Although slightly different, in order to perform plasma oxidation quickly and well, the gas pressure of the oxygen gas introduced into the vacuum chamber 1 is preferably within the range of lXl0' to 0°3 Torr, and 0.03 to 0.03 Torr. More preferably, it is within the range of 0.1 Torr.
また、プラズマ発生用電極に印加される電圧は、このよ
うなガス圧の条件下でプラズマが良好に発生するように
、300〜IKVの範囲内で印加するのが好ましく、こ
のときの直流電極11に印加する電圧は、50Vより低
いと所期の効果が得られず、400■より高いとスパッ
タリングが起こるため、50〜400Vの範囲内で印加
するのが好ましい。なお、直流電極11に印加する電圧
は、十でも−でもよい。In addition, the voltage applied to the plasma generation electrode is preferably within the range of 300 to IKV so that plasma can be generated satisfactorily under such gas pressure conditions. It is preferable to apply a voltage in the range of 50 to 400 V, because if the voltage is lower than 50 V, the desired effect will not be obtained, and if it is higher than 400 V, sputtering will occur. Note that the voltage applied to the DC electrode 11 may be 10 or -.
強磁性金属薄膜層の形成材料としては、Co、Co−N
i合金、Co−Cr合金、Go−PXCo−Ni−Pな
どのコバルトもしくはコバルトを含む強磁性材が使用さ
れ、これらの強磁性材からなる強磁性金属薄膜層は、真
空蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング、メッ
キ等の手段によって基体上に被着形成される。Materials for forming the ferromagnetic metal thin film layer include Co, Co-N
Cobalt or ferromagnetic materials containing cobalt, such as i-alloy, Co-Cr alloy, Go-PXCo-Ni-P, are used, and ferromagnetic metal thin film layers made of these ferromagnetic materials can be formed by vacuum evaporation, ion blating, It is deposited and formed on the substrate by means such as sputtering and plating.
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
゛る磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板お
よびガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気
ディスクや磁気ドラムなど、磁気ヘットと摺接する構造
の種々の形態を包含する。In addition, as magnetic recording media, polyester film,
Various types of structures that come into sliding contact with magnetic heads, such as magnetic tapes based on synthetic resin films such as polyimide films, magnetic disks and magnetic drums based on disks and drums made of synthetic resin films, aluminum plates, glass plates, etc. includes.
次に、この発明の実施例について説明する。Next, embodiments of the invention will be described.
実施例1
厚さ10μのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に装
填し、酸素ガス圧5Xl’0−5トールの残留ガス圧の
下でコバルトを加熱蒸発させてポリエステルフィルム上
に厚さ1000人のコバルトからなる強磁性金属薄膜層
を形成した。次いで、第1図に示す円筒状キャン3と、
直流電極11との距離が4mmのプラズマ処理装置を使
用し、強磁性金属薄膜層を形成したポリエステルフィル
ム4を、真空槽1内の原反ロール5からガイドロール6
を介して円筒状キャン3の周側面に沿って1m/min
の速度で移動させ、ガイドロール7を介して巻き取りロ
ール8に巻き取るようにセントするとともに、ガス導入
管9から@素ガスを500sec+nの流量で導入し、
酸素ガス圧o、o5トール、プラズマ発生用交流電極1
0の電圧700■で、直流電極11に印加する電圧を種
々に変えてプラズマ酸化を行った。しかる後、所定の1
Jに裁断して、第2図に示すようにポリエステルフィル
ム4上にコバルトからなる強磁性金属薄膜層14を形成
し、さらにその上に保護N15を積層して形成した多数
の磁気テープAをつくった。得られた磁気テープAの保
護層15をx’pζ(X線光電子分光分析、以後xps
と略称する)によって調へた結果、゛保護層15はCO
□03からなるコバルト酸化物であることがわかった。Example 1 A polyester film with a thickness of 10 μm was loaded into a vacuum evaporation apparatus, and cobalt was heated and evaporated under a residual gas pressure of 5Xl'0-5 torr to deposit cobalt on the polyester film with a thickness of 100 μm. A ferromagnetic metal thin film layer was formed. Next, the cylindrical can 3 shown in FIG.
Using a plasma processing device with a distance of 4 mm from the DC electrode 11, the polyester film 4 on which the ferromagnetic metal thin film layer was formed was transferred from the raw roll 5 in the vacuum chamber 1 to the guide roll 6.
1 m/min along the circumferential side of the cylindrical can 3 through
was moved at a speed of
Oxygen gas pressure o, o5 torr, AC electrode for plasma generation 1
Plasma oxidation was carried out at a voltage of 700 mm at 0, while varying the voltage applied to the DC electrode 11. After that, the prescribed 1
A large number of magnetic tapes A were made by cutting the tape into J-shaped pieces, forming a ferromagnetic metal thin film layer 14 made of cobalt on a polyester film 4, and then laminating a protective layer N15 on top of the polyester film 4, as shown in FIG. Ta. The protective layer 15 of the obtained magnetic tape A was subjected to x'pζ (X-ray photoelectron spectroscopy, hereinafter xps
As a result of the investigation, it was found that the protective layer 15 was CO
It was found that it was a cobalt oxide consisting of □03.
第3図はこのようにして得られた磁気テープを60°C
190%RHの条件下に1週間静置し、静置後の最大磁
束密度の劣化率を、静置前の磁気テープの最大磁束密度
を100%として測定し、その劣化率と直流電極11の
印加電圧との関係をグラフで表したものである。Figure 3 shows the magnetic tape obtained in this way at 60°C.
The deterioration rate of the maximum magnetic flux density after being left standing for one week under the condition of 190% RH was measured with the maximum magnetic flux density of the magnetic tape before being left standing as 100%, and the deterioration rate and the deterioration rate of the DC electrode 11 were measured. This is a graph showing the relationship with applied voltage.
実施例2
実施例1の強磁性金属til!!層の形成において、コ
バルトに代えてコバルト−ニッケル合金(重量比8:2
)を使用した以外は、実施例1と同様にしてポリエステ
ルフィルム上に厚さ1000人のコバルト−ニッケル合
金からなる強磁性金属薄膜層を形成し、プラズマ処理に
おいて、直流電極11の電圧を100■にした以外は実
施例1と同様にしてプラズマ酸化を行い、磁気テープA
をつくった。得られた磁気テープAの保護層15をXP
Sによって調べた一結果、保護層15はCO2O3から
なるコバルト酸化物であることがわかった。Example 2 The ferromagnetic metal til of Example 1! ! In forming the layer, cobalt-nickel alloy (weight ratio 8:2) was used instead of cobalt.
) was used in the same manner as in Example 1, and a ferromagnetic metal thin film layer made of a cobalt-nickel alloy with a thickness of 1000 μm was formed on a polyester film, and in the plasma treatment, the voltage of the DC electrode 11 was changed to 100 μm. Plasma oxidation was performed in the same manner as in Example 1 except that magnetic tape A was
I made it. The protective layer 15 of the obtained magnetic tape A was
As a result of an investigation using S, it was found that the protective layer 15 was made of cobalt oxide consisting of CO2O3.
比較例1
実施例1において、第1図に示すプラズマ処理装置に代
えて第4図に示すように直流電極を省いたプラズマ処理
装置を使用し、直流電極の電圧の印加を省いた以外は実
施例1と同様にして磁気テープをつくった。得られた磁
気テープの保護層をXPSによって調べた結果、保護層
は、CooとCo3O4からなる複合酸化物であること
がわかった。Comparative Example 1 The same procedure as in Example 1 was carried out except that a plasma processing apparatus without a DC electrode as shown in Fig. 4 was used in place of the plasma processing apparatus shown in Fig. 1, and the voltage application to the DC electrode was omitted. A magnetic tape was made in the same manner as in Example 1. As a result of examining the protective layer of the obtained magnetic tape by XPS, it was found that the protective layer was a composite oxide consisting of Coo and Co3O4.
比較例2
実施例2において、第1図に示すプラズマ処理装置に代
えて第4図に示すように直流電極を省いたプラズマ処理
装置を使用し、直流電極の電圧の印加を省いた以外は実
施例2と同様にして磁気テープをつくった。得られた磁
気テープの保護層をxPSによって調べた結果、保護層
は、CooとCo3O4からなる複合酸化物であること
がわかった。Comparative Example 2 The same procedure was carried out as in Example 2, except that a plasma processing apparatus without a DC electrode as shown in Fig. 4 was used instead of the plasma processing apparatus shown in Fig. 1, and the voltage application to the DC electrode was omitted. A magnetic tape was made in the same manner as in Example 2. As a result of examining the protective layer of the obtained magnetic tape by xPS, it was found that the protective layer was a composite oxide consisting of Coo and Co3O4.
実施例2および各比較例で得られた磁気テープについて
、最大磁束密度の劣化率を実施例1と同様にして測定し
た。Regarding the magnetic tapes obtained in Example 2 and each comparative example, the deterioration rate of maximum magnetic flux density was measured in the same manner as in Example 1.
下表はその結果である。The table below shows the results.
実施例1得られた磁気テープの最大磁束密度の劣化率と
直流電極の印加電圧との関係を表した第3図のグラフか
ら明らかなように、直流電極の電圧が50V以上で最大
磁束密度の劣化率が大きく低下しており、このことから
この発明で直流電極に印加する電圧を50V以上にして
得られたものは、最大磁束密度の劣化率が極めて小さく
耐食性に優れていることがわかる。また、上表から明ら
かなように、この発明で得られた磁気テープ(実施例2
)は、比較例1および2で得られた磁気テープに比し、
最大磁束密度の劣化率が小さく、このことからこの発明
によって得られる磁気記録媒体は、耐食性に優れている
ことがわかる。Example 1 As is clear from the graph in Figure 3 showing the relationship between the deterioration rate of the maximum magnetic flux density of the obtained magnetic tape and the voltage applied to the DC electrode, the maximum magnetic flux density decreases when the voltage of the DC electrode is 50V or higher. The deterioration rate is greatly reduced, and this shows that the products obtained by applying the voltage to the DC electrode of 50 V or more according to the present invention have an extremely small deterioration rate of maximum magnetic flux density and are excellent in corrosion resistance. Furthermore, as is clear from the above table, the magnetic tape obtained in this invention (Example 2
) compared to the magnetic tapes obtained in Comparative Examples 1 and 2,
The rate of deterioration of the maximum magnetic flux density is small, which indicates that the magnetic recording medium obtained by the present invention has excellent corrosion resistance.
第1図はこの発明の製造方法で使用するプラズマ処理装
置の1例を示す概略断面図、第2図はこの発明によって
得られた磁気テープの部分拡大断面図、第3図はこの発
明によって得られた磁気テープの最大磁束密度の劣化率
と直流電極の印加電圧との関係図、第4図は従来のプラ
ズマ処理装置の概略断面図、である。
4・・・ポリエステルフィルム(基体)、14・・・強
l磁性金属薄膜層、15・・・保護層、A・・・磁気
テープ(磁気記録媒体)
特許出願人 日立マクセル株式会社
Iζ° 〜
第1図
ノ
↓
第3図
0 100 200
印 加 電 庄 (V)
第4図FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a plasma processing apparatus used in the manufacturing method of the present invention, FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of a magnetic tape obtained by the present invention, and FIG. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a conventional plasma processing apparatus. 4... Polyester film (substrate), 14... Ferromagnetic metal thin film layer, 15... Protective layer, A... Magnetic tape (magnetic recording medium) Patent applicant Hitachi Maxell, Ltd. Iζ° ~ No. Figure 1 ↓ Figure 3 0 100 200 Applied voltage (V) Figure 4
Claims (1)
からなる強磁性金属薄膜層を形成し、この強磁性金属薄
膜層の表面にCo2O3からなる保護層を設けたことを
特徴とする磁気記録媒体(2) A magnetic recording medium characterized in that a ferromagnetic metal thin film layer made of cobalt or a ferromagnetic material containing cobalt is formed on a substrate, and a protective layer made of Co2O3 is provided on the surface of this ferromagnetic metal thin film layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9396884A JPS60237626A (en) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9396884A JPS60237626A (en) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | Magnetic recording medium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60237626A true JPS60237626A (en) | 1985-11-26 |
Family
ID=14097197
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9396884A Pending JPS60237626A (en) | 1984-05-10 | 1984-05-10 | Magnetic recording medium |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60237626A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110209830A1 (en) * | 2008-11-05 | 2011-09-01 | Ulvac, Inc. | Take-Up Vacuum Processing Apparatus |
-
1984
- 1984-05-10 JP JP9396884A patent/JPS60237626A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110209830A1 (en) * | 2008-11-05 | 2011-09-01 | Ulvac, Inc. | Take-Up Vacuum Processing Apparatus |
US8673078B2 (en) * | 2008-11-05 | 2014-03-18 | Ulvac, Inc. | Take-up vacuum processing apparatus |
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