JPS60235479A - 発光素子アレイ - Google Patents
発光素子アレイInfo
- Publication number
- JPS60235479A JPS60235479A JP59092124A JP9212484A JPS60235479A JP S60235479 A JPS60235479 A JP S60235479A JP 59092124 A JP59092124 A JP 59092124A JP 9212484 A JP9212484 A JP 9212484A JP S60235479 A JPS60235479 A JP S60235479A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- diffusion
- sections
- emitting
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は化合物半導体素子特に選択拡散方式による発光
素子プレイの配列設計に関する。
素子プレイの配列設計に関する。
（従来技術）
域並びに拡散阻止領域端部から一定距離を、拡散阻止層
下部の横方向へ進んで形成されることが認められている
。
下部の横方向へ進んで形成されることが認められている
。
第１図はＧａＡｓＰ ｏｎ ＧａＡｓ基板を用い、化合
物半導体基板へのＺｎの選択拡散を従来方式で行って得
た発光素子アレイの平面図である。
物半導体基板へのＺｎの選択拡散を従来方式で行って得
た発光素子アレイの平面図である。
先ず金属電極３で覆われる範囲を除く拡散阻止領域開口
部（以下開口部と称する）１の中心が隣接する他の発光
素子の開口部１の中心と互いに並ぶ様配列する。以下同
様に他の複数の発光素子においても順次差べて配列する
。
部（以下開口部と称する）１の中心が隣接する他の発光
素子の開口部１の中心と互いに並ぶ様配列する。以下同
様に他の複数の発光素子においても順次差べて配列する
。
以上の配列の各発光素子に順方向に通電すると発光範囲
は開口部１から一定距離横方向へ広がった発光領域２と
なシ各発光素子の中心４は配列方向に対し千鳥状になシ
、直線上に各発光素子を配列する発光素子アレイにとっ
て不具合を生ずる。
は開口部１から一定距離横方向へ広がった発光領域２と
なシ各発光素子の中心４は配列方向に対し千鳥状になシ
、直線上に各発光素子を配列する発光素子アレイにとっ
て不具合を生ずる。
（発明の目的）
本発明の目的は上記欠点を解消し各発光素子の発光時の
発光範囲輪郭並びに中心の配列を直線なｈ＋ 払：Ａと
シｆ本ス、−百ｒ業ｇ島四π ？Ｊ−＋しぞＸ寥今←
鉢都における複数の発光素子の配列を所望の直線以外に
配置することも可能である。
発光範囲輪郭並びに中心の配列を直線なｈ＋ 払：Ａと
シｆ本ス、−百ｒ業ｇ島四π ？Ｊ−＋しぞＸ寥今←
鉢都における複数の発光素子の配列を所望の直線以外に
配置することも可能である。
（実施例）
以下実施例に基すき図面を参照して本発明を更に詳細に
説明する。
説明する。
本実施例は従来方式と同様選択拡散による発光素子プレ
イに関して行なう。
イに関して行なう。
第２図が本発明によシ配列させた発光素子プレイの平面
図である。従来方式と同様先ずＧａＡｓＰｏｎ ０ａＡ
ｓ基板上に複数個の開口部１を設け、続いて公知の方法
でＺｎの選択拡散を行ない発光領域２を形成する。しか
る後開口部の限定領域を覆う形で金属電極３を設はバイ
アス電圧供給部とする。しかしながら発光領域２は開口
部１から拡散阻止層下部へ向かって横拡散が行なわれた
結果形成されたものであシ、一般的に前記横拡散距離は
不純物拡散に対する緩衝膜の有無や緩衝膜の状況によシ
、拡散深さとの比が決まる。
図である。従来方式と同様先ずＧａＡｓＰｏｎ ０ａＡ
ｓ基板上に複数個の開口部１を設け、続いて公知の方法
でＺｎの選択拡散を行ない発光領域２を形成する。しか
る後開口部の限定領域を覆う形で金属電極３を設はバイ
アス電圧供給部とする。しかしながら発光領域２は開口
部１から拡散阻止層下部へ向かって横拡散が行なわれた
結果形成されたものであシ、一般的に前記横拡散距離は
不純物拡散に対する緩衝膜の有無や緩衝膜の状況によシ
、拡散深さとの比が決まる。
又緩衝膜は不純物拡散後不要として除去する場合と、除
去せず金属電極３のコンタクト窓を形成する場合がある
。一般的には新しく絶縁膜を形成し上記絶縁膜にコンタ
クト窓を形成する方法が行なわれている。本実施例は緩
衝膜除去後、絶縁膜によるコンタクト窓を設けず直接金
属電極３を設けた。
去せず金属電極３のコンタクト窓を形成する場合がある
。一般的には新しく絶縁膜を形成し上記絶縁膜にコンタ
クト窓を形成する方法が行なわれている。本実施例は緩
衝膜除去後、絶縁膜によるコンタクト窓を設けず直接金
属電極３を設けた。
併わせて上記横拡散は金属電極３の下部に形成されてい
る開口部１の端部からも行なわれるが、金属電極３に覆
われる範囲の発光領域の全てが遮られるため外部から視
認出来ない、従って発光時の外部から視認出来る発光領
域２は金属電極３で遮られる範囲を除いた開口部１の領
域に対し、発光領域２と開口部１の中心が一方へ片寄る
形となる。かかる不都合を解消するため横拡散の距離を
算出し、複数の発光素子の発光中心が直線上に並ぶ様、
あらかじめ開口部の位置を横拡散による不都合を解消す
る方向に移動させて形成する。
る開口部１の端部からも行なわれるが、金属電極３に覆
われる範囲の発光領域の全てが遮られるため外部から視
認出来ない、従って発光時の外部から視認出来る発光領
域２は金属電極３で遮られる範囲を除いた開口部１の領
域に対し、発光領域２と開口部１の中心が一方へ片寄る
形となる。かかる不都合を解消するため横拡散の距離を
算出し、複数の発光素子の発光中心が直線上に並ぶ様、
あらかじめ開口部の位置を横拡散による不都合を解消す
る方向に移動させて形成する。
以上の方法によシ得られた各発光素子に通電した場合、
横拡散範囲を含む発光領域２は隣接する発光素子の発光
領域２と正確に並列し、発光時の複数の発光素子は直線
上に配列される。
横拡散範囲を含む発光領域２は隣接する発光素子の発光
領域２と正確に並列し、発光時の複数の発光素子は直線
上に配列される。
第１図は従来例の平面図であシ、第２図は本発明による
平面図である。 ｌ・開口部、２ ・発光領域、３・・金属電極、４・・
発光中心 ２７ 図 篤？図
平面図である。 ｌ・開口部、２ ・発光領域、３・・金属電極、４・・
発光中心 ２７ 図 篤？図
Claims (1)
- 選択拡散法によシ複数の発光素子を直線的に配列する発
光素子アレイにおいて、前記複数の発光素子に対応した
拡散阻止領域の開口部を、横拡散による拡散阻止領域下
部の発元領域分を打ち消す方向に移動して設け、発光時
の前記複数の発光素子が所望の直線配列となることを特
徴とする発光素子アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092124A JPS60235479A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 発光素子アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59092124A JPS60235479A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 発光素子アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60235479A true JPS60235479A (ja) | 1985-11-22 |
Family
ID=14045679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59092124A Pending JPS60235479A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 発光素子アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60235479A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344777A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-25 | Nec Corp | Ｌｅｄアレイチツプ |
| EP0779661A3 (en) * | 1995-12-13 | 1999-06-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | High-resolution light-sensing and light-emitting diode array and fabrication method thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5882582A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
-
1984
- 1984-05-09 JP JP59092124A patent/JPS60235479A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5882582A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6344777A (ja) * | 1986-08-11 | 1988-02-25 | Nec Corp | Ｌｅｄアレイチツプ |
| EP0779661A3 (en) * | 1995-12-13 | 1999-06-02 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | High-resolution light-sensing and light-emitting diode array and fabrication method thereof |
| US6136627A (en) * | 1995-12-13 | 2000-10-24 | Oki Data Corporation | High-resolution light-sensing and light-emitting diode array and fabrication method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6573114B1 (en) | Optical semiconductor device | |
| JPS6145396B2 (ja) | ||
| JPS5796583A (en) | Semiconductor laser with plurality of light source | |
| JPS60235479A (ja) | 発光素子アレイ | |
| JP3318698B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| US7754512B2 (en) | Method of fabricating semiconductor light-emitting devices with isolation trenches | |
| JP2827795B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH08203841A (ja) | Ｚｎの固相拡散方法およびＬＥＤの製造方法 | |
| JPH077846B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
| JPS6237554B2 (ja) | ||
| JP3236463B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JPH088458A (ja) | 面発光型発光ダイオード | |
| GB993388A (en) | Improvements in or relating to semiconductor devices | |
| JPS61176173A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH0538921U (ja) | 発光素子の電極構造 | |
| JPS5922372A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS61182277A (ja) | 発光素子アレイ | |
| JP2904686B2 (ja) | Ｌｅｄアレイ | |
| JPH01128480A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JP3234344B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| JPS62238673A (ja) | プリンタ用発光ダイオ−ドアレイ | |
| JPS5791581A (en) | Semiconductor laser element and manufacture therefor | |
| JPH0613656A (ja) | 発光ダイオードアレイ | |
| JPH05160436A (ja) | 発光素子 | |
| CA2036573A1 (en) | Method for manufacturing optically triggered lateral thyristor |