JPS60233818A - 太陽電池用シリコン結晶体の製造方法 - Google Patents

太陽電池用シリコン結晶体の製造方法

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JPS60233818A
JPS60233818A JP60074159A JP7415985A JPS60233818A JP S60233818 A JPS60233818 A JP S60233818A JP 60074159 A JP60074159 A JP 60074159A JP 7415985 A JP7415985 A JP 7415985A JP S60233818 A JPS60233818 A JP S60233818A
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リヒアルト、フアルケンベルク
ゲルハルト、ホイラー
ヨーゼフ、グラープマイエル
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/007—Pulling on a substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/06—Non-vertical pulling
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明ｔよ、無亀裂、準単結晶、大面積の太陽電池用シ
リコン結晶体の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
網状の構造を有する平面状のカーボン繊維組織よりなる
支持体と溶融シリコンを接触させ、シリコンの結晶化の
際に支持体がシリコン素体中に組み込まれ、支持体が連
続的に被覆されることによって無亀裂、準単結晶、大面
積の太陽電池用シリコン結晶体が製造されることは、例
えばドイツ連邦共和国特許出願公開第３０１０５５７Ａ
Ｉ号明細書により公知である。そこには高い生産性（約
１ｍ２／分）をもって太陽電池用平面シリコンの製造方
法が記載され、被覆は引出し速度に関して、網状構造の
目の中における融解シリコンの高い表面張力に基づいて
薄いシリコン膜が形成されることにより行われ、その結
果凝固の後に繊維からなる網状構造がシリコン素体中に
組込まれる。被覆の際に支持体は融解槽の底にあるスリ
ット状の開口部を通して引き出される。支持体はまた、
例えばドイツ連邦共和国特許出願公開筒２８５０８０５
．６号明細書から公知であるように槽の中にあるシリコ
ン融体の表面上に接して引出されてもよい。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明が解決しようとする問題点は、公知の方法を支持
体と融解シリコイの濡れ性に関して改善することにある
。
〔問題点を解決するための手段〕
支持体として用いられるカーボン繊維組織と融解シリコ
ンとの濡れ性は、組織の前処理に依存し、生ずる平面シ
リコンの特性に強く影響する。すなわち、濡れ性の悪い
カーボン繊維組織の場合には、微細亀裂をもつ平面シリ
コンが得られ、それは太陽電池の製造には用いることが
できない。この微細亀裂の発生は、シリコンと炭素繊維
との熱膨張係数の差に帰因する。すなわち、約３００’
にの温度における熱膨張係数αＸＩＯ’／’には、シリ
コンについては＋２．３、繊維方向に平行なカーボン繊
維については−０，６、繊維方向に垂直なカーボン繊維
については＋５、そして炭化珪素に対しては十ａｌであ
る。
熱膨張係数の差は、濡れの悪い場合には支持のために完
全にあられれる。濡れの良い場合には、繊維索の外側に
位置し表面に近いフィラメントは完全に、繊維索のそれ
より中に位置するフィラメントは大部分反応して炭化珪
素になる。炭化珪素の熱膨張係数は、上に示されたよう
にシリコンのそれに非常に近いから、冷却の際に生ずる
応力が小さく、表面には亀裂はもはやひきおこされない
。
本発明はこのことを利用し、濡れの改善という課題を、
カーボン繊維組織からなる支持体の少なくともシリコン
被覆のために備えられる領域を、被覆の前に活性化表面
処理し、表面に不飽和結合が生じるようにするものであ
る。その場合、ハロゲンガスあるいは希ガスの流れる雰
囲気中において２５００℃の領域での熱処理によって実
施するが、あるいはカーボン繊維組織の気中における水
素／酸素焔中で赤熱することによって行うが、あるいは
カーボン繊維組織を気中コロナ放電にさらすことによっ
て行うか、あるいはこれらの組合せによって行うことが
できる。
本発明によって、支持体を局部的に処理する、すなわち
被覆が望まれる面に局限し、被覆されてはならない領域
は処理されないままとすることができる。そのような領
域は、網の縁ならびに太陽電池への後加工のために用意
される個々のシリコン板へ被覆された組織を分割するた
めに必要な縞である。
カーボン繊維組織の表面活性化は自由結合の飽和のため
に長時間にわたっては維持されないから、本発明に基づ
〈実施例では活性化過程を繰り返すことが行われる。
第１頁の続き ０発　明　者　ヨーゼフ、グラープマ　ドイエル イツ連邦共和国シュタルンベルク１、アフゼーフエルト
７

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）網状の構造を有する平面状のカーボン繊維組織から
    なる支持体と溶融シリコンを接触させ、シリコンの結晶
    化の際に支持体がシリコン素体中に組み込まれ、支持体
    が連続的に被覆されることによって無亀裂、準単結晶、
    大面積の太陽電池用シリコン結晶体が製造される方法に
    おいて、濡れ性の改善のために、カーボン繊維組織から
    なる支持体の少なくともシリコン被覆のために備えられ
    る領域を、被覆の前に、表面に不飽和のＣ結合が生ずる
    ように活性化処理することを特徴とする太陽電池用シリ
    コン結晶体の製造方法。 ２）ハロゲンガス又は希ガスの流れる雰囲気中において
    ２５００℃の領域での熱処理を行うことを特徴とする特
    許請求の範囲第１項記載の製造方法。 ３）カーボン繊維組織を気中における水素／酸素焔中で
    赤熱することを特徴とする特許請求の範囲第１項または
    第２項記載の製造方法。 ４）カーボン繊維組織を気中コロナ放電にさらすことを
    特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
    かに記載の製造方法。 ５）活性化過程を繰り返すことを特徴とする特許請求の
    範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の製造方法。 ６）活性化過程を被覆過程中に組み込むことを特徴とす
    る特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに記載
    の製造方法。
JP60074159A 1984-04-09 1985-04-08 太陽電池用シリコン結晶体の製造方法 Granted JPS60233818A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3413355 1984-04-09
DE3413355.0 1984-04-09

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Publication Number Publication Date
JPS60233818A true JPS60233818A (ja) 1985-11-20
JPH0571152B2 JPH0571152B2 (ja) 1993-10-06

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ID=6233092

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JP60074159A Granted JPS60233818A (ja) 1984-04-09 1985-04-08 太陽電池用シリコン結晶体の製造方法

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US (1) US4657627A (ja)
EP (1) EP0158181B1 (ja)
JP (1) JPS60233818A (ja)
DE (1) DE3560643D1 (ja)
IN (1) IN162169B (ja)

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JPH0571152B2 (ja) 1993-10-06
EP0158181B1 (de) 1987-09-16
US4657627A (en) 1987-04-14
EP0158181A1 (de) 1985-10-16
IN162169B (ja) 1988-04-09
DE3560643D1 (en) 1987-10-22

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