JPS60231787A - 液晶相 - Google Patents
液晶相Info
- Publication number
- JPS60231787A JPS60231787A JP60005134A JP513485A JPS60231787A JP S60231787 A JPS60231787 A JP S60231787A JP 60005134 A JP60005134 A JP 60005134A JP 513485 A JP513485 A JP 513485A JP S60231787 A JPS60231787 A JP S60231787A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- compounds
- crystal phase
- phase
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/42—Mixtures of liquid crystal compounds covered by two or more of the preceding groups C09K19/06 - C09K19/40
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示素子に使用するための、少なくとも一
つのディスコティック相を示す液晶化合物の少なくとも
１種を含有するネマチック液晶相に関する。
つのディスコティック相を示す液晶化合物の少なくとも
１種を含有するネマチック液晶相に関する。
液晶表示素子、特に、たとえばねじれセル（ＴＮセル〕
の原則、ゲスト−ホスト効果、整列相の変形の効果また
は動的散乱の効果にもとづいている電気光学表示素子用
の誘電体にとって、液晶相は極めて重要である。大量の
情報の流通、たとえば会社内で、データ処理において（
特にコンピュータ一端末に係る図式表示）およびテレビ
ジョンにおいて生じるような情報の流通が重要性を増し
てきている。ここでは情報密度が液晶表示の時分割能力
により制限される。従って、増強された非線状の電気光
学特性を伴なう電気光学効果が要求される。現時点で、
ねじれセルの原則が最も広く使用されている。ＴＮセル
に係る技術は最も広範に開発されている。理論的計算お
よび実験研究はＴＮセルの透過特性の勾配鋭度が使用さ
れる液晶相の弾性率に非常に実質的に依存することを示
した。
の原則、ゲスト−ホスト効果、整列相の変形の効果また
は動的散乱の効果にもとづいている電気光学表示素子用
の誘電体にとって、液晶相は極めて重要である。大量の
情報の流通、たとえば会社内で、データ処理において（
特にコンピュータ一端末に係る図式表示）およびテレビ
ジョンにおいて生じるような情報の流通が重要性を増し
てきている。ここでは情報密度が液晶表示の時分割能力
により制限される。従って、増強された非線状の電気光
学特性を伴なう電気光学効果が要求される。現時点で、
ねじれセルの原則が最も広く使用されている。ＴＮセル
に係る技術は最も広範に開発されている。理論的計算お
よび実験研究はＴＮセルの透過特性の勾配鋭度が使用さ
れる液晶相の弾性率に非常に実質的に依存することを示
した。
ＴＮセルに非常に鋭い透過特性を得るためには、屈曲お
よび展延に係る弾性率の比率Ｋ ５／’Ｋ １ができる
だけ小さいことが特に必要である〔たとえばり、Ｗ、Ｂ
ｅｒｒｅｍａｎによるＮｏｎｅｍｉｓｓｉｖｅ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃ Ｄｉｓｐｌａｙｓ、Ｐｌｅｎｕ
ｍ出版社にューヨーク市）、１９７６年、第９頁以降、
特に第２３頁；Ｇ、ＢａｕｒによるＴ’ｈｅ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓａｎｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆＬｉｑｕｌ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｅｖｉｃｅｓ ＳＰｌｅｎｕｍ 出
版社にューヨーク市）、１９８０年、第６１頁； ：ｓ
、 ｓ。
よび展延に係る弾性率の比率Ｋ ５／’Ｋ １ができる
だけ小さいことが特に必要である〔たとえばり、Ｗ、Ｂ
ｅｒｒｅｍａｎによるＮｏｎｅｍｉｓｓｉｖｅ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃ Ｄｉｓｐｌａｙｓ、Ｐｌｅｎｕ
ｍ出版社にューヨーク市）、１９７６年、第９頁以降、
特に第２３頁；Ｇ、ＢａｕｒによるＴ’ｈｅ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓａｎｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆＬｉｑｕｌ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｅｖｉｃｅｓ ＳＰｌｅｎｕｍ 出
版社にューヨーク市）、１９８０年、第６１頁； ：ｓ
、 ｓ。
５ｃｈｅｕｂｌｅおよびＧ 、Ｂａｕｒによる１１、Ｆ
ｒｅｉｂｕｒｇｅｒＡｒｂｅｉｔｓｔａｇｕｎｇＦｌｕ
ｓｓｉｇｋｒｉｓｔａｌｌｅ （第１１回Ｆｒｅｉｂｕ
ｒｇ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉ
ｕｍ）、（フライベルブ市）、１．９８１年、第８頁参
照〕。
ｒｅｉｂｕｒｇｅｒＡｒｂｅｉｔｓｔａｇｕｎｇＦｌｕ
ｓｓｉｇｋｒｉｓｔａｌｌｅ （第１１回Ｆｒｅｉｂｕ
ｒｇ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉ
ｕｍ）、（フライベルブ市）、１．９８１年、第８頁参
照〕。
ネマチック液晶相に小さいＫ ３／Ｋ ｊ比率を得るこ
とができる方法は、たとえばＢ、８．５ｃｈｅｕｂｌｅ
およびＧ 、ＢａｕｒによるＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏ
ｆ 、ｒａｐａｎ Ｄｉｓ−ｐｌａｙ ’ ８３、（日
本国神戸市）、１９８３年、第２２４頁で検討されてい
る。
とができる方法は、たとえばＢ、８．５ｃｈｅｕｂｌｅ
およびＧ 、ＢａｕｒによるＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｏ
ｆ 、ｒａｐａｎ Ｄｉｓ−ｐｌａｙ ’ ８３、（日
本国神戸市）、１９８３年、第２２４頁で検討されてい
る。
本発明の目的は高い時分割能力を有する液晶表示素子用
の新しい液晶相を発見すること（あった。
の新しい液晶相を発見すること（あった。
本発明による液晶相は高時分割速度を有する表示用に格
別に適することが見い出された。
別に適することが見い出された。
従って、本発明は、特に時分割能力を改善するための、
少なくとも一つのディスコティック相を示す液晶化合物
の少なくとも１種を含有するネマチック液晶相、および
このような相を含む液晶表示素子、特に電気光学表示素
子に関する。
少なくとも一つのディスコティック相を示す液晶化合物
の少なくとも１種を含有するネマチック液晶相、および
このような相を含む液晶表示素子、特に電気光学表示素
子に関する。
さらにまた、本発明は徽晶ディスコティック化合物をネ
マチック液晶相の成分として使用することに関する。
マチック液晶相の成分として使用することに関する。
本発明による液晶相は少なくとも一つのディスコティッ
ク相を示す液晶化合物の少な（とも１種を含有する。か
なりのディスコティック液晶が従来の文献に記載されて
おり、このような文献としてはたとえば次の文献をあげ
ることができる： Ｊ 、Ｂ１１１ａｒｄによるｒＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙａ
ｔａｌｓＯｒ ０ｎｅ−ａｎｄ Ｔｗｏ−Ｄｉｍｅｎｓ
ｉｏｎａｌ ０ｒｄｅｒＪ第３８３−３９５頁、Ｗ、Ｈ
ｅ１ｆｒｉｃｈおよびＧ、Ｈｅｐｐｋｅ編集（Ｓｐｒｉ
ｎｇｅｒ出版社、ヘルリン、ハイデルベルグ、ニューヨ
ーク）（１９８０年）； Ｓ 、ＣｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒによるｒＰｈｉｌ、
ｔｒａｎｓ 、 Ｒ，Ｓｏｃ。
ク相を示す液晶化合物の少な（とも１種を含有する。か
なりのディスコティック液晶が従来の文献に記載されて
おり、このような文献としてはたとえば次の文献をあげ
ることができる： Ｊ 、Ｂ１１１ａｒｄによるｒＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙａ
ｔａｌｓＯｒ ０ｎｅ−ａｎｄ Ｔｗｏ−Ｄｉｍｅｎｓ
ｉｏｎａｌ ０ｒｄｅｒＪ第３８３−３９５頁、Ｗ、Ｈ
ｅ１ｆｒｉｃｈおよびＧ、Ｈｅｐｐｋｅ編集（Ｓｐｒｉ
ｎｇｅｒ出版社、ヘルリン、ハイデルベルグ、ニューヨ
ーク）（１９８０年）； Ｓ 、ＣｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒによるｒＰｈｉｌ、
ｔｒａｎｓ 、 Ｒ，Ｓｏｃ。
Ｌｏｎｄ 、、Ｓｅｒ、Ａ、Ｊ ３０９（１９８３年）
、第９３−１０３頁； Ｓ、ＣｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒによるｒＭｏｌ 、
Ｃｒｙｓｔ 、Ｌｉｑ。
、第９３−１０３頁； Ｓ、ＣｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒによるｒＭｏｌ 、
Ｃｒｙｓｔ 、Ｌｉｑ。
ＣｒｙｓｔＪ６３ （１９８１年）、第１７１頁；Ｓ
、ＣｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒによるｒＡｄｖ、Ｌｉｑ
、ｃｒｙｓｔ、 Ｊ ５（１９８２年〕、第４７〜７８
頁； Ｃ，Ｄｅｓｔｒａｄｅ、 Ｎ、Ｈ，Ｔｉｎｈ、 Ｈ，Ｇ
ａ５ｐａｒｏｕｘ、Ｊ 。
、ＣｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒによるｒＡｄｖ、Ｌｉｑ
、ｃｒｙｓｔ、 Ｊ ５（１９８２年〕、第４７〜７８
頁； Ｃ，Ｄｅｓｔｒａｄｅ、 Ｎ、Ｈ，Ｔｉｎｈ、 Ｈ，Ｇ
ａ５ｐａｒｏｕｘ、Ｊ 。
ＭａｌｔｈｅｔｅおよびＡ、Ｍ、Ｌｅｖｅｌｕｔによる
ｒＭｏｌ、Ｃｒｙｓｔ。
ｒＭｏｌ、Ｃｒｙｓｔ。
Ｌｉｑ、Ｃｒｙｓｔ、 Ｊ ７１ （１９８１年）、第
１１１頁；Ｃ，Ｄｅｓｔｒａｄｅ Ｓ Ｈ，Ｇａ５ｐａ
ｒｏｕｘ、Ｐ、、Ｆｏｕｃｈｅｒ、Ｎ。
１１１頁；Ｃ，Ｄｅｓｔｒａｄｅ Ｓ Ｈ，Ｇａ５ｐａ
ｒｏｕｘ、Ｐ、、Ｆｏｕｃｈｅｒ、Ｎ。
Ｈ，Ｔｉｎｈ、 Ｊ、ＭａｌｔｈｅｔｅおよびＪ、Ｊａ
ｃｑｕｅｓによるｒＪ、ｃｌｉｍ、Ｐｈｙｓ−Ｃｈｉｍ
、Ｂｉｏｌ、 Ｊ ８０（１）（１９８３年）、第１６
７〜１４８頁； Ａ、Ｍ、ＬｅｖｅｌｕｔによるｒＪ、ｃｈｉｍ、Ｐｈｙ
ｓ 、Ｐｈｙｓ−Ｃｈｉｍ。
ｃｑｕｅｓによるｒＪ、ｃｌｉｍ、Ｐｈｙｓ−Ｃｈｉｍ
、Ｂｉｏｌ、 Ｊ ８０（１）（１９８３年）、第１６
７〜１４８頁； Ａ、Ｍ、ＬｅｖｅｌｕｔによるｒＪ、ｃｈｉｍ、Ｐｈｙ
ｓ 、Ｐｈｙｓ−Ｃｈｉｍ。
ＢｉｏｌＪ ８０（１）（１９８３年）、第１４９−１
６１頁。
６１頁。
ディスコティック液晶は円盤形状の分子構造および種々
の構造の硬い平面中心（たとえば下記式Ａのベンゼン誘
導体のような芳香族〔たとえば８ 、Ｃｈａｎｄｒａｓ
ｅｋｈａｒによるＬｉｑ、Ｃｒｙｓｔ、１Ｐｒｏｃ。
の構造の硬い平面中心（たとえば下記式Ａのベンゼン誘
導体のような芳香族〔たとえば８ 、Ｃｈａｎｄｒａｓ
ｅｋｈａｒによるＬｉｑ、Ｃｒｙｓｔ、１Ｐｒｏｃ。
Ｉｎｔ、Ｃｏｎｆ、 （ヘイデン、ロンドン）、第４１
〜５１頁（１９８０年〕；西ドイツ国公開特許出願第３
．３５２，９５５号公報； Ｓ、Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋ
ｈａｒ、 Ｂ、Ｋ。
〜５１頁（１９８０年〕；西ドイツ国公開特許出願第３
．３５２，９５５号公報； Ｓ、Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋ
ｈａｒ、 Ｂ、Ｋ。
５ａｄａＳｈｉｖａおよびに、Ａ、１９ｕｒｅｓｈによ
るＰｒａｍａｎａ ９（１９７７年）、第４７１頁；
Ｓ 、 Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒ等によるＪ、ｄ、
Ｐｈｙｓ、 ４０ （１９７９年）、Ｃ５−１２０を参
照できる〕、またはたとえば下記式Ｂのようなトリフェ
ニレン誘導体〔たとえばＣ，Ｄｅｓｔｒａｄｅ、 Ｍ、
Ｃ。
るＰｒａｍａｎａ ９（１９７７年）、第４７１頁；
Ｓ 、 Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒ等によるＪ、ｄ、
Ｐｈｙｓ、 ４０ （１９７９年）、Ｃ５−１２０を参
照できる〕、またはたとえば下記式Ｂのようなトリフェ
ニレン誘導体〔たとえばＣ，Ｄｅｓｔｒａｄｅ、 Ｍ、
Ｃ。
ＭｏｎｄｏｎおよびＪ、ＭａｌｔｈｅｔｅによるＪ、ｄ
ｅ Ｐｈｙｅ。
ｅ Ｐｈｙｅ。
４０（１９７９年）、Ｃ３−１７；ヨーロッパ発行特許
出願第３０，８７９号公報を参照できる〕、またはたと
えば下記式Ｃのようなトルキセン化合物〔たとえばＣ，
Ｄｅｏｔｒａｄｅ、 Ｊ、Ｍａ’Ｌｔ’ｈｅｔ−３、Ｎ
、Ｈ，ＴｉｎｈおよびＨ，Ｇａ５ｐａ−ｒｏｕｘによる
Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、Ａ、 ７８Ａ（１９８０年〕、第
８２頁； Ｌ、Ｍａｍｌｏｋ 、 Ｊ 、Ｍａｌｔｈｅ
ｔｅ 、 Ｎ、Ｈ，Ｔｉｎｈ 。
出願第３０，８７９号公報を参照できる〕、またはたと
えば下記式Ｃのようなトルキセン化合物〔たとえばＣ，
Ｄｅｏｔｒａｄｅ、 Ｊ、Ｍａ’Ｌｔ’ｈｅｔ−３、Ｎ
、Ｈ，ＴｉｎｈおよびＨ，Ｇａ５ｐａ−ｒｏｕｘによる
Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、Ａ、 ７８Ａ（１９８０年〕、第
８２頁； Ｌ、Ｍａｍｌｏｋ 、 Ｊ 、Ｍａｌｔｈｅ
ｔｅ 、 Ｎ、Ｈ，Ｔｉｎｈ 。
・Ｃ１，ＤｅｓｔｒａｄｅおよびＡ、Ｍ、Ｌｅｖｅ：Ｌ
ｕｔによる。ｒ、Ｐｈｙｓ。
ｕｔによる。ｒ、Ｐｈｙｓ。
Ｌｅｔｔ、 ４３ （１９８２年）、Ｌ−６４１を参照
できる〕、またはたとえば下記式りのシクロヘキサン誘
導体のような飽和環〔たとえばＢ、Ｋｏｈｎｅおよびに
、Ｐｒａｅｆｃｋｅによる２１ 、 Ｂｕｎｓｅｎ−Ｃ
ｏｌｌｏｑｕｉｍ。
できる〕、またはたとえば下記式りのシクロヘキサン誘
導体のような飽和環〔たとえばＢ、Ｋｏｈｎｅおよびに
、Ｐｒａｅｆｃｋｅによる２１ 、 Ｂｕｎｓｅｎ−Ｃ
ｏｌｌｏｑｕｉｍ。
Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｂ
ｅｒｌｉｎ出版、１９８３年９月／り０月；西ドイツ国
公開特許出願第３．３３２，９５５号を参照できる〕、
またはＨ架橋により形成される飽和複素環系〔たとえば
、Ｊ、Ｄ、Ｂｕｎｎｉｒｌｇ、Ｊ、Ｆｉ、Ｌｙｄｏｎ、
Ｃ，Ｅａｂｏｒｎ、 Ｐ、Ｍ、Ｊａｃｋｓｏｎ、Ｊ、
Ｗ、ＧｏｏｄｈｙおよびＧ、Ｗ、ＧｒａｙによるＪ、Ｃ
ｈｅｍ、Ｓｏｃ、 Ｆａｒａｄａｙｔｒａｎｓ、 Ｉ、
７８（１９８２年）、第７１６頁；または有機金属誘
導体（たとえばフランス国公開特許出願第２，４８６，
９４６号公報を参照できる）〕を有する。
ｅｒｌｉｎ出版、１９８３年９月／り０月；西ドイツ国
公開特許出願第３．３３２，９５５号を参照できる〕、
またはＨ架橋により形成される飽和複素環系〔たとえば
、Ｊ、Ｄ、Ｂｕｎｎｉｒｌｇ、Ｊ、Ｆｉ、Ｌｙｄｏｎ、
Ｃ，Ｅａｂｏｒｎ、 Ｐ、Ｍ、Ｊａｃｋｓｏｎ、Ｊ、
Ｗ、ＧｏｏｄｈｙおよびＧ、Ｗ、ＧｒａｙによるＪ、Ｃ
ｈｅｍ、Ｓｏｃ、 Ｆａｒａｄａｙｔｒａｎｓ、 Ｉ、
７８（１９８２年）、第７１６頁；または有機金属誘
導体（たとえばフランス国公開特許出願第２，４８６，
９４６号公報を参照できる）〕を有する。
大部分の場合に、これらの中心は変更可能な側鎖基Ｘを
有する。これらのディスコティック液晶は３〜６個、特
に５または６個の側鎖基Ｘを有すると特に好ましい。し
かしながら、数個の環（たとえば弐ＢまたはＣ〕を有す
る中心を有し、および多（て３個の側鎖基Ｘ、特に１個
だけの側鎖基Ｘを有するディスコティック液晶もまた好
ましい。
有する。これらのディスコティック液晶は３〜６個、特
に５または６個の側鎖基Ｘを有すると特に好ましい。し
かしながら、数個の環（たとえば弐ＢまたはＣ〕を有す
る中心を有し、および多（て３個の側鎖基Ｘ、特に１個
だけの側鎖基Ｘを有するディスコティック液晶もまた好
ましい。
（Ｃ）
（ｎ−１−６）
前記式はディスコティック液晶の構造を制限することな
く例示するためにだけ示したものである。
く例示するためにだけ示したものである。
式（Ａ）および（Ｄ）の化合物が、３個または４個だけ
の置換基Ｘを有する場合に、これらの基はそれぞれ１，
３．５−位置および１，２，４．５−位置にあると好ま
しい。式（Ｂ）の化合物における置換基Ｘは２．３．６
．７．１ｏおよ゛び（またハ）１１−位置にあると好ま
しい。
の置換基Ｘを有する場合に、これらの基はそれぞれ１，
３．５−位置および１，２，４．５−位置にあると好ま
しい。式（Ｂ）の化合物における置換基Ｘは２．３．６
．７．１ｏおよ゛び（またハ）１１−位置にあると好ま
しい。
式（Ｃ）の化合物中の置換基ＸはＱに対してパラ位置に
あるか、および（または）内部環から離れているＱに対
してメタ位置にあると好ましい。Ｑは一〇−または−Ｃ
Ｈ２−であると好ましい。
あるか、および（または）内部環から離れているＱに対
してメタ位置にあると好ましい。Ｑは一〇−または−Ｃ
Ｈ２−であると好ましい。
式（Ｄ）の化合物中の置換基Ｘは赤道位置にあると好ま
しい。
しい。
基Ｘは同一かまたは異なることができる。しかしながら
、これらの基は同一であって、−Ｒ。
、これらの基は同一であって、−Ｒ。
−ＯＲ，−ＣＯＲ，−０ＣＯＲ％ −ＣＯＯＲ，−８Ｒ
，−８ＯＲおよび一８Ｏ２Ｒを含む群から選択すると好
ましい。
，−８ＯＲおよび一８Ｏ２Ｒを含む群から選択すると好
ましい。
基Ｒは直鎖状または分枝鎖状アルキル基であり、これら
はまたＯ原子を１個（オキサアルキル）または２個（ジ
オキサアルキル）の非末端ＣＨ２基の代りに有すること
ができる。
はまたＯ原子を１個（オキサアルキル）または２個（ジ
オキサアルキル）の非末端ＣＨ２基の代りに有すること
ができる。
好適には、これらの基は直鎖状であって、２．３．４．
５．６．７．８．９．１０．１１または１２個の炭素原
子を有し、従ってエチル、プロピル、ブチル、はンチル
、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウ
ンデシル、ドデシル、２−オキサプロピル（＝メトキシ
メチル）、２−（＝エトキシメチル）または６−オキサ
ブチルに２−メトキシエチル）、２−１３−または４−
オキサはンチル、２−１５−１４−または５−オキサヘ
キシル、２−１６−１４−１５−または６−オキサヘプ
チル、２−１６−１４−１５−１６−または７−オキサ
オクチル、２−１５−１４−１５−１６−１７−１８−
または９−オキサデシル、２−１６−１４−１５−１６
−１７−１８−１９−１１０−または１１−オキサドデ
シルあるいはトリデシル、テトラデシル、はンタデシル
、ヘキサデシル、ヘプタデシルまたはオクタデシルであ
ると好ましい。８〜１２個の炭素原子を有する直鎖状ア
ルキル基Ｒは特に好適である。特に好適な基Ｘは−ＯＲ
，−０ＣＯＲ，−ＣＯＯＲ，、−５Ｆｔ、 −８ＯＲお
よび−Ｓｏ ２Ｒである。
５．６．７．８．９．１０．１１または１２個の炭素原
子を有し、従ってエチル、プロピル、ブチル、はンチル
、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウ
ンデシル、ドデシル、２−オキサプロピル（＝メトキシ
メチル）、２−（＝エトキシメチル）または６−オキサ
ブチルに２−メトキシエチル）、２−１３−または４−
オキサはンチル、２−１５−１４−または５−オキサヘ
キシル、２−１６−１４−１５−または６−オキサヘプ
チル、２−１６−１４−１５−１６−または７−オキサ
オクチル、２−１５−１４−１５−１６−１７−１８−
または９−オキサデシル、２−１６−１４−１５−１６
−１７−１８−１９−１１０−または１１−オキサドデ
シルあるいはトリデシル、テトラデシル、はンタデシル
、ヘキサデシル、ヘプタデシルまたはオクタデシルであ
ると好ましい。８〜１２個の炭素原子を有する直鎖状ア
ルキル基Ｒは特に好適である。特に好適な基Ｘは−ＯＲ
，−０ＣＯＲ，−ＣＯＯＲ，、−５Ｆｔ、 −８ＯＲお
よび−Ｓｏ ２Ｒである。
本発明によるネマチック液晶相は１種または２種以上の
ディスコティック化合物を約０．１〜３０チ、好ましく
は５〜１０ｑｂの量で含有する。
ディスコティック化合物を約０．１〜３０チ、好ましく
は５〜１０ｑｂの量で含有する。
本発明による液晶相のその他の構成成分は種種の異なる
種類のものであることができる。広範囲の各種液晶化合
物を当技術情況下に当業者は入手することができる。こ
れらの化合物は慣用の方法で選択できる。２〜１５種、
好ましくは３〜１２種の成分が通常使用され、これらは
ネマチックまたはネマトゲニツク物質を含む群から、特
にアゾキシベンゼン化合物、ベンジリデンアニリン化合
物、ビフェニル化合物、ターフェニル化合物、フェニル
またはシクロヘキシル゛ベンゾエート化合物、フェニル
またはシクロヘキシルシクロヘキサン−カルボキシレー
ト化合物、フェニルシクロヘキサン化合物、シクロヘキ
シルビフェニル化合物、シクロヘキシルシクロヘキサン
化合物、シクロヘキシルナフタレン化合物、１，４−ヒ
ス−シクロヘキシルベンゼン化合物、４．４’−ビス−
シクロヘキシルビフェニル化合物、フェニル−またはシ
クロヘキシル−ピリミジン化合物、フェニル−またはシ
クロヘキシル−ジオキサン化合物、ハロゲン化されてい
るかまたはハロゲン化されていないスチルベン化合物、
ベンジルフェニルエーテル化合物、トラン化合物、置換
ケイ皮酸化合物、フェニル−まタハシクロヘキシルー１
，６−ジチアン化合物、１．２− ヒス−シクロヘキシ
ルエタン化合物、１−フェニル−２−シクロヘキシル−
エタン化合物および１，２−ビス−フェニルエタン化合
物の群からの既知物質から選択すると好ましい。
種類のものであることができる。広範囲の各種液晶化合
物を当技術情況下に当業者は入手することができる。こ
れらの化合物は慣用の方法で選択できる。２〜１５種、
好ましくは３〜１２種の成分が通常使用され、これらは
ネマチックまたはネマトゲニツク物質を含む群から、特
にアゾキシベンゼン化合物、ベンジリデンアニリン化合
物、ビフェニル化合物、ターフェニル化合物、フェニル
またはシクロヘキシル゛ベンゾエート化合物、フェニル
またはシクロヘキシルシクロヘキサン−カルボキシレー
ト化合物、フェニルシクロヘキサン化合物、シクロヘキ
シルビフェニル化合物、シクロヘキシルシクロヘキサン
化合物、シクロヘキシルナフタレン化合物、１，４−ヒ
ス−シクロヘキシルベンゼン化合物、４．４’−ビス−
シクロヘキシルビフェニル化合物、フェニル−またはシ
クロヘキシル−ピリミジン化合物、フェニル−またはシ
クロヘキシル−ジオキサン化合物、ハロゲン化されてい
るかまたはハロゲン化されていないスチルベン化合物、
ベンジルフェニルエーテル化合物、トラン化合物、置換
ケイ皮酸化合物、フェニル−まタハシクロヘキシルー１
，６−ジチアン化合物、１．２− ヒス−シクロヘキシ
ルエタン化合物、１−フェニル−２−シクロヘキシル−
エタン化合物および１，２−ビス−フェニルエタン化合
物の群からの既知物質から選択すると好ましい。
本発明による液晶相のその他の構成成分として使用でき
る化合物の中で最も重要な化合物は式Ｉ Ｒ’−Ｌ−Ｇ−Ｅ−Ｒ“ （１） で示すことができる特徴を有する。式■において、Ｌお
よびＥはそれぞれ１，４−ジ置換ベンゼンおよびシクロ
ヘキサン環、４，４′−ジ置換ビフェニル、フェニルシ
クロ、ヘキサンオヨヒシクロヘキシルシクロヘキサン系
、２，５−ジ置換ピリミジンおよび１，３−ジオキサン
環、２．６−ジ置換ナフタレン、ジーおよびテトラ−ヒ
ドロナフタレン、キナゾリンおよびテトラヒドロキナゾ
リンを含む群からの炭素環式またはへテロ環式環系であ
り；Ｇは−ＣＨ＝ＣＨ−１−ＣＨ＝ＣＹ−１−Ｃ＝Ｃ−
１−ＣＯ−０−１−ＣＯ−８−１−ＣＨ＝Ｎ＝、−Ｎ（
０）＝Ｎ−１−ＣＨ＝Ｎ（０）−１−ＣＨ２−ＣＨ２−
１−ＣＨ２”０−１−ＣＨ２−８−１−ＣＯＯ−Ｐｈｅ
−ＣＯＯ−またはＣ−Ｃ単結合であり；Ｙはノ・ロゲン
、好ましくは塩素または一〇Ｎであり；そしてＲ′およ
びＲ“はそれぞれ１８個まで、好ましくは１２個までの
炭素原子を有するアルキル、アルコキシ、アルカノイル
オキシまたはアルコキシカルボニルオキシであるか、ま
たはこれらの基の１つはまたＣＮ、 ＮＣＳＮＯ２、Ｃ
Ｆ３、Ｆ、 Ｃ１またはＢｒであることができる。
る化合物の中で最も重要な化合物は式Ｉ Ｒ’−Ｌ−Ｇ−Ｅ−Ｒ“ （１） で示すことができる特徴を有する。式■において、Ｌお
よびＥはそれぞれ１，４−ジ置換ベンゼンおよびシクロ
ヘキサン環、４，４′−ジ置換ビフェニル、フェニルシ
クロ、ヘキサンオヨヒシクロヘキシルシクロヘキサン系
、２，５−ジ置換ピリミジンおよび１，３−ジオキサン
環、２．６−ジ置換ナフタレン、ジーおよびテトラ−ヒ
ドロナフタレン、キナゾリンおよびテトラヒドロキナゾ
リンを含む群からの炭素環式またはへテロ環式環系であ
り；Ｇは−ＣＨ＝ＣＨ−１−ＣＨ＝ＣＹ−１−Ｃ＝Ｃ−
１−ＣＯ−０−１−ＣＯ−８−１−ＣＨ＝Ｎ＝、−Ｎ（
０）＝Ｎ−１−ＣＨ＝Ｎ（０）−１−ＣＨ２−ＣＨ２−
１−ＣＨ２”０−１−ＣＨ２−８−１−ＣＯＯ−Ｐｈｅ
−ＣＯＯ−またはＣ−Ｃ単結合であり；Ｙはノ・ロゲン
、好ましくは塩素または一〇Ｎであり；そしてＲ′およ
びＲ“はそれぞれ１８個まで、好ましくは１２個までの
炭素原子を有するアルキル、アルコキシ、アルカノイル
オキシまたはアルコキシカルボニルオキシであるか、ま
たはこれらの基の１つはまたＣＮ、 ＮＣＳＮＯ２、Ｃ
Ｆ３、Ｆ、 Ｃ１またはＢｒであることができる。
これらの化合物の大部分において、Ｒ′およびＲ〃は異
なっており１、これらの基の一方は大部分の場合にアル
キルまたはアルコキシ基である。
なっており１、これらの基の一方は大部分の場合にアル
キルまたはアルコキシ基である。
しかしながら、これらに含まれるその他の種々の置換基
もまた有用である。多くのこのような物質およびまたそ
の混合物は市場で入手できる。
もまた有用である。多くのこのような物質およびまたそ
の混合物は市場で入手できる。
これらの全ての物質は文献から既知の方法により製造で
きる。
きる。
本発明による相は慣用の方法で生成できる。
一般に、諸構成成分を相互に、有利には上昇温度で溶解
させる。
させる。
本発明による相はまた添加剤により変性できる。このよ
うな添加剤は当業者にとって既知であり、文献に広（記
載されている。たとえば、導電性塩、好ましくはエチル
−ジメチル−ドデシル−アンモニウム４−へキシルオキ
シベンゾエート、テトラブチルアンモニウムテトラフェ
ニルボラネートまたはクラウンエステルの錯塩〔これは
、たとえば１．Ｈａｌｌｅｒ等によるｍｌ、ｃｒｙｓｔ
。
うな添加剤は当業者にとって既知であり、文献に広（記
載されている。たとえば、導電性塩、好ましくはエチル
−ジメチル−ドデシル−アンモニウム４−へキシルオキ
シベンゾエート、テトラブチルアンモニウムテトラフェ
ニルボラネートまたはクラウンエステルの錯塩〔これは
、たとえば１．Ｈａｌｌｅｒ等によるｍｌ、ｃｒｙｓｔ
。
Ｌｉｑ 、 Ｃｒｙｓｔ、、２４巻、２４９〜２５８頁
（１９７３年）を参照できる〕を導電性の改善に添加で
き、２色性染料を呈色ゲスト−ホスト系の生成に添加で
き、または誘電異方性、粘度および（または）ネマチッ
ク相の配向を変えるための物質を添加できる。このよう
な物質は、たとえば西ドイツ国公開特許公報第２，２０
９，１２７号、同第２，２４０，８６４号、同第２，３
２１，６３２号、同第２，３３８，２８１号、同第２．
４５０，０８８号、同第２，６３７，４３０号、同第２
．８５３，７２８号（特開昭５５−８３７４４号参照）
および同第２，９０２，１７７号に記載されている。
（１９７３年）を参照できる〕を導電性の改善に添加で
き、２色性染料を呈色ゲスト−ホスト系の生成に添加で
き、または誘電異方性、粘度および（または）ネマチッ
ク相の配向を変えるための物質を添加できる。このよう
な物質は、たとえば西ドイツ国公開特許公報第２，２０
９，１２７号、同第２，２４０，８６４号、同第２，３
２１，６３２号、同第２，３３８，２８１号、同第２．
４５０，０８８号、同第２，６３７，４３０号、同第２
．８５３，７２８号（特開昭５５−８３７４４号参照）
および同第２，９０２，１７７号に記載されている。
次側は本発明を制限することなく説明しようとするもの
である。本明細書全体をとおして、パーセンテージデー
タは重量係であり、全ての温度は摂氏度（℃〕で示す。
である。本明細書全体をとおして、パーセンテージデー
タは重量係であり、全ての温度は摂氏度（℃〕で示す。
例 １
ｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシルベンゾニト
リル２２％、ｐ−トランス−４−ブチルシクロへキシル
ベンゾニトリル１９％、ｐ−トランス−４−はンチルシ
クロへキシルベンゾニトリル６０係、４−シアノ−４’
−（）ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−ビフェ
ニル１５係および４−ｐ−シアノフェニル−４′−はフ
チルービフェニル１４係よりなる液晶相は４１°で１．
９７のＫ ５／ｋ １比率を有する。上記混合物に２−
エチルトリフエニレ７１５％を加えると、Ｋ５／Ｋｌは
１．３７の数値にまで有意に低下する。
リル２２％、ｐ−トランス−４−ブチルシクロへキシル
ベンゾニトリル１９％、ｐ−トランス−４−はンチルシ
クロへキシルベンゾニトリル６０係、４−シアノ−４’
−（）ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−ビフェ
ニル１５係および４−ｐ−シアノフェニル−４′−はフ
チルービフェニル１４係よりなる液晶相は４１°で１．
９７のＫ ５／ｋ １比率を有する。上記混合物に２−
エチルトリフエニレ７１５％を加えると、Ｋ５／Ｋｌは
１．３７の数値にまで有意に低下する。
例 ２
例１からの液晶相は５５°で１．８３０Ｋ ５／’Ｋ
１比率を有する。２−エチルトリフェニレン１５％を加
えると、Ｋ５／に１は１．６０の数値にまで有意に低下
する。
１比率を有する。２−エチルトリフェニレン１５％を加
えると、Ｋ５／に１は１．６０の数値にまで有意に低下
する。
例 ６
ｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシルベンゾニト
リル１４％、ｐ−トランス−４−ブチルシクロへキシル
ベンゾニトリル１０％、ｐ−トランス−４−ペンチルシ
クロへキシルベンゾニトリル２０％、トランス−１−ｐ
−エチルフェニル−４−プロビルシクロヘキ＋７１４％
、４−エチル−４’−（）ランス−４−はンチルシクロ
ヘキシル）−ビフェニル２０％、４−シフノー４’−（
トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−ビフェニル
４％、４−（トランス−４−はンチルシクロヘキシル）
−４’−（） ランス−４−プロピルシクロヘキシル
）−ビフェニル１３％オヨヒヘキサキス−（ヘキシルス
ルホニル）−ベンゼン５チよりなる液晶相は７５°の透
明点を有する。
リル１４％、ｐ−トランス−４−ブチルシクロへキシル
ベンゾニトリル１０％、ｐ−トランス−４−ペンチルシ
クロへキシルベンゾニトリル２０％、トランス−１−ｐ
−エチルフェニル−４−プロビルシクロヘキ＋７１４％
、４−エチル−４’−（）ランス−４−はンチルシクロ
ヘキシル）−ビフェニル２０％、４−シフノー４’−（
トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−ビフェニル
４％、４−（トランス−４−はンチルシクロヘキシル）
−４’−（） ランス−４−プロピルシクロヘキシル
）−ビフェニル１３％オヨヒヘキサキス−（ヘキシルス
ルホニル）−ベンゼン５チよりなる液晶相は７５°の透
明点を有する。
例 ４
ｐ−トランス−４−プロピルシクロヘキシルベンゾニト
リル１１％、ｐ−）ランス−４−ブチルシクロへキシル
ベンゾニトリル２１％、４−エチル−４′−シアノビフ
ェニル１２％、４−ブチル−４′−シアノビフェニル９
％、ｐ−エトキシフェニルトランス−４−プロピルシク
ロヘキサンカルボキシレート１５％、ｐ−メトキシフェ
ニルトランス−４−、，２ンチルシクロヘキサンカルボ
キシレート１４％、４−（）ランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）−４’−（）ランス−４−プロピルシクロ
ヘキシルクービフェニル１０％、４−シアノ−４’−（
）ランス−４−はンチルシクロヘキシル）−ビフェニル
５％およびヘキサ−０−デカノイル−スジローイノシト
ール５チよりなる液晶相は６０°の透明点を有する。
リル１１％、ｐ−）ランス−４−ブチルシクロへキシル
ベンゾニトリル２１％、４−エチル−４′−シアノビフ
ェニル１２％、４−ブチル−４′−シアノビフェニル９
％、ｐ−エトキシフェニルトランス−４−プロピルシク
ロヘキサンカルボキシレート１５％、ｐ−メトキシフェ
ニルトランス−４−、，２ンチルシクロヘキサンカルボ
キシレート１４％、４−（）ランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）−４’−（）ランス−４−プロピルシクロ
ヘキシルクービフェニル１０％、４−シアノ−４’−（
）ランス−４−はンチルシクロヘキシル）−ビフェニル
５％およびヘキサ−０−デカノイル−スジローイノシト
ール５チよりなる液晶相は６０°の透明点を有する。
特許出願人 メルク・パテント・ゲゼルシャフト・ミツ
ト・ベシュレンクテル・ハラソング第１頁の続き ０発 明 者 ゲオルクｅヴエーベル ドイツ連邦共和国デー−６１００ダルムシユタツト、フ
ランクフルチル・シュトラーセ２５０ 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭＋０６０年特許Ｍ第５１３４号 ２、発明の名称 液 晶 相 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 ドイツ連邦共和国Ｄ−８１００ダルムシュタット
。
ト・ベシュレンクテル・ハラソング第１頁の続き ０発 明 者 ゲオルクｅヴエーベル ドイツ連邦共和国デー−６１００ダルムシユタツト、フ
ランクフルチル・シュトラーセ２５０ 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭＋０６０年特許Ｍ第５１３４号 ２、発明の名称 液 晶 相 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 ドイツ連邦共和国Ｄ−８１００ダルムシュタット
。
フランクフルチルｅシュトラーセ２５０名称 メルク・
パテント・ゲゼルシャフト・ミツト・ベシュレンクテル
・ハフラング４、代理人 住所 東京都千代田区麹町３丁目２番地相互第一ビル ウ （発送日：昭和６０年４月３０日） ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄７、補
正の内容 （１） 明細書、２Ｑ末行〜３頁１５行の「［たとえば
・・・・・検討されている。」の記載を下記のとおりに
訂正します。
パテント・ゲゼルシャフト・ミツト・ベシュレンクテル
・ハフラング４、代理人 住所 東京都千代田区麹町３丁目２番地相互第一ビル ウ （発送日：昭和６０年４月３０日） ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄７、補
正の内容 （１） 明細書、２Ｑ末行〜３頁１５行の「［たとえば
・・・・・検討されている。」の記載を下記のとおりに
訂正します。
［［たとえば、ノンエミツシブ エレクトロオプティッ
ク ティスプレイス、プレナム（Ｐｌｅｎｕｍ）出版社
にューヨーク市） 、 １８７８年、第９頁以降、特に
第２３頁；ザ フィジックス アンド ケミストリイオ
ブ リキッド クリスタル デバイセス、同上出版社に
ューヨーク市） 、 １１３８０年、第６１頁；フライ
プルゲル アルバイトシュタグンク フルユシツヒクリ
スターレ（Ｆｒｅｊｂｕｒｇｅｒ Ａｒｂｅｉｔｓｔａ
ｇｕｎｇＦｌｕｓｓｉｇｋｒｉｓｔａｌｌｅ ） （第
１１回液晶シンポジウム）（フライベルブ市） 、 １
１３８１年、第８頁参照］。
ク ティスプレイス、プレナム（Ｐｌｅｎｕｍ）出版社
にューヨーク市） 、 １８７８年、第９頁以降、特に
第２３頁；ザ フィジックス アンド ケミストリイオ
ブ リキッド クリスタル デバイセス、同上出版社に
ューヨーク市） 、 １１３８０年、第６１頁；フライ
プルゲル アルバイトシュタグンク フルユシツヒクリ
スターレ（Ｆｒｅｊｂｕｒｇｅｒ Ａｒｂｅｉｔｓｔａ
ｇｕｎｇＦｌｕｓｓｉｇｋｒｉｓｔａｌｌｅ ） （第
１１回液晶シンポジウム）（フライベルブ市） 、 １
１３８１年、第８頁参照］。
ネマチック液晶相に小さいに３／Ｋｌ比率を得ることが
できる方法は、たとえばプロシーデイングオブ ジャパ
ン ティスプレィ、’８３．（日本国神戸布） 、 １
９８３年、第２２４頁で検討されている。」（２）同、
４頁下から５行〜５頁１Ｂ行のｒＪ、Ｂ１１１ａｒｄに
よる・・・・・・１６１貞、」の記載を下記のとおりに
訂正します。
できる方法は、たとえばプロシーデイングオブ ジャパ
ン ティスプレィ、’８３．（日本国神戸布） 、 １
９８３年、第２２４頁で検討されている。」（２）同、
４頁下から５行〜５頁１Ｂ行のｒＪ、Ｂ１１１ａｒｄに
よる・・・・・・１６１貞、」の記載を下記のとおりに
訂正します。
［「リキッド クリスタルス オブ ワン−アンドツー
−デイメンショナル オーダー」、第３８３〜３９５
ｊｊ、スブリンゲル（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ ）出版社、（
ベルリン、ハイデルベルグ、ニューヨーク市）（１ｓ８
Ｇ４） ； ｒフイロソフイカル トランスアクション
ズ オブ ザ ロイヤル ソサイエテイ ロンドン、シ
リーズ １伺、±（１９８３年）、第８３〜１０３頁；
「モレキュラー クリスタルス アンド リキッドクリ
スタルス」、並 （１９８１年）、第１７１頁； 「ア
トパンセス イン リキッド クリスタルス 」、ｙ（
１９８２年ン、 第４７〜７８頁； ［モレキュラー
クリスタルス アンド リキッド クリスタルス」、Ｌ
↓。
−デイメンショナル オーダー」、第３８３〜３９５
ｊｊ、スブリンゲル（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ ）出版社、（
ベルリン、ハイデルベルグ、ニューヨーク市）（１ｓ８
Ｇ４） ； ｒフイロソフイカル トランスアクション
ズ オブ ザ ロイヤル ソサイエテイ ロンドン、シ
リーズ １伺、±（１９８３年）、第８３〜１０３頁；
「モレキュラー クリスタルス アンド リキッドクリ
スタルス」、並 （１９８１年）、第１７１頁； 「ア
トパンセス イン リキッド クリスタルス 」、ｙ（
１９８２年ン、 第４７〜７８頁； ［モレキュラー
クリスタルス アンド リキッド クリスタルス」、Ｌ
↓。
（１９８１年）、第１１１頁； ［ジュール ドウ シ
ミーフィシツク エ ドウ フイジコーシミー ビオロ
ジック」、 ８０ （１） （１１１１８３年〕、第１
３７〜１４８頁； ［ジュール ドウ シミー フィシ
ツク エ ドウ フイジコーシミー ビオロジック ４
．８０ （１）（１９８３年）、第１４９〜１ｆｌ１頁
。
ミーフィシツク エ ドウ フイジコーシミー ビオロ
ジック」、 ８０ （１） （１１１１８３年〕、第１
３７〜１４８頁； ［ジュール ドウ シミー フィシ
ツク エ ドウ フイジコーシミー ビオロジック ４
．８０ （１）（１９８３年）、第１４９〜１ｆｌ１頁
。
（３）同、５ｇ下から２行〜７頁７行の［［たとえば・
・・・・・第７１３頁；」の記載を下記のとおりに訂正
します。
・・・・・第７１３頁；」の記載を下記のとおりに訂正
します。
［［たとえば、１リキツド クリスタルス、プロシーデ
インダス オプ アン インターナショナル コンフエ
レンス］（ヘイデン、ロンドン） 、 第４１〜５１頁
（１１３８０年）；西ドイツ国公開特許出願第３，３３
２，８５５号公報； ［プラマナーエイ ジャーナル
オブフイジツクス」、旦（［７７年）第４７１頁； 「
ジュール ドウ フィシツクＪ 、 ４０ （１９７１
１年）、０３−１２０を参照できる］、または、たとえ
ば下記式Ｂのようなトリフェニレン誘導体［たとえばｒ
ジュール ドウフィシツク４ 、４０（１９７９年）、
Ｃ３−１７；ヨーロッパ発行特許出願第３０．８７！９
号公報を参照できる］、またはたとえば下記式Ｃのよう
なトルキセン化合物［たとえば［フィジックス レター
ス エイＪ、７８Ａ（１１３８０年）、第８２頁： 「
ジュール ドウ フィシツク、レットル」、赳 （１９
８２年）、Ｌ−８４１を参照できる］、またはたとえば
下記式りのシクロヘキサン誘導体のような飽和環［たと
えば、２１．ブンゼン−コロキュラム（Ｂｕｎｓｅｎ−
Ｃｏｌｌｏｑｕｉｍ）、テクニカル ユニバーシティ
オブ ベルリン出版、１３８３年８月／り０月：西ドイ
ツ国公開特許出願＄３，３３２．１１５５号を参照でき
る］、またはＨ架橋により形成される飽和複素環系〔た
とえば、「ジャーナル オブ ケミカルソサイエテイ、
ファラデイ トランス、（Ｆａｒａｄａｙｔｒａｎｓ、
）、Ｉ 、 ７Ｂ（Ｈ１８２年〕、第７１３頁；」以上
インダス オプ アン インターナショナル コンフエ
レンス］（ヘイデン、ロンドン） 、 第４１〜５１頁
（１１３８０年）；西ドイツ国公開特許出願第３，３３
２，８５５号公報； ［プラマナーエイ ジャーナル
オブフイジツクス」、旦（［７７年）第４７１頁； 「
ジュール ドウ フィシツクＪ 、 ４０ （１９７１
１年）、０３−１２０を参照できる］、または、たとえ
ば下記式Ｂのようなトリフェニレン誘導体［たとえばｒ
ジュール ドウフィシツク４ 、４０（１９７９年）、
Ｃ３−１７；ヨーロッパ発行特許出願第３０．８７！９
号公報を参照できる］、またはたとえば下記式Ｃのよう
なトルキセン化合物［たとえば［フィジックス レター
ス エイＪ、７８Ａ（１１３８０年）、第８２頁： 「
ジュール ドウ フィシツク、レットル」、赳 （１９
８２年）、Ｌ−８４１を参照できる］、またはたとえば
下記式りのシクロヘキサン誘導体のような飽和環［たと
えば、２１．ブンゼン−コロキュラム（Ｂｕｎｓｅｎ−
Ｃｏｌｌｏｑｕｉｍ）、テクニカル ユニバーシティ
オブ ベルリン出版、１３８３年８月／り０月：西ドイ
ツ国公開特許出願＄３，３３２．１１５５号を参照でき
る］、またはＨ架橋により形成される飽和複素環系〔た
とえば、「ジャーナル オブ ケミカルソサイエテイ、
ファラデイ トランス、（Ｆａｒａｄａｙｔｒａｎｓ、
）、Ｉ 、 ７Ｂ（Ｈ１８２年〕、第７１３頁；」以上
Claims (3)
- （１）少なくとも一つのディスコティック相を示す液晶
化合物の少なくとも１種を含有することを特徴とするネ
マチック液晶相。 - （２） 少なくとも一つのディスコティック相を示す液
晶化合物の少なくとも１種を含有するネマチック液晶相
を含むことを特徴とする液晶表示素子。 - （３）少なくとも一つのディスコティック相を示す液晶
化合物の少なくとも１種を含有するネマチック液晶相を
誘電体として含むことを特徴とする電気光学表示素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3401338.5 | 1984-01-17 | ||
| DE19843401338 DE3401338A1 (de) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | Fluessigkristall-phase |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60231787A true JPS60231787A (ja) | 1985-11-18 |
Family
ID=6225096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60005134A Pending JPS60231787A (ja) | 1984-01-17 | 1985-01-17 | 液晶相 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4702562A (ja) |
| EP (1) | EP0149209B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60231787A (ja) |
| DE (2) | DE3401338A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3334056A1 (de) * | 1983-09-21 | 1985-04-18 | Basf Ag, 6700 Ludwigshafen | Fluessig-kristalline phasen bildende polymere |
| DE3425261A1 (de) * | 1983-12-24 | 1986-01-16 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Triphenylenderivate |
| JPS6178895A (ja) * | 1984-09-25 | 1986-04-22 | Casio Comput Co Ltd | 液晶組成物 |
| FR2579217A1 (fr) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Merck Patent Gmbh | Composes carbocycliques, leur preparation, leur utilisation en tant que composants de phases a cristaux liquides discotiques et elements d'affichage a cristaux liquides contenant de tels composes |
| FR2588011B1 (fr) * | 1985-10-02 | 1988-06-24 | Commissariat Energie Atomique | Melanges comportant un cristal liquide nematique et un compose non mesomorphe |
| DE3600601A1 (de) * | 1986-01-11 | 1987-07-30 | Merck Patent Gmbh | Hexasubstituierte cyclohexanverbindungen |
| DE3721268A1 (de) * | 1987-06-27 | 1989-01-12 | Merck Patent Gmbh | Arylschwefelpentafluoride |
| US4943651A (en) * | 1988-03-07 | 1990-07-24 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Novel substitued naphthalene compounds and liquid crystal compositions containing same |
| EP0433836B1 (de) * | 1989-12-19 | 1996-03-27 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Halophenyl-substituierte Dioxane |
| EP0482157B1 (de) * | 1990-04-26 | 1999-11-17 | MERCK PATENT GmbH | 1,3-dioxanderivate und flüssigkristallines medium |
| KR100332717B1 (ko) | 1994-05-13 | 2002-09-26 | 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 | 액정디스플레이,광학보상시트및그의제조방법 |
| US10340082B2 (en) | 2015-05-12 | 2019-07-02 | Capacitor Sciences Incorporated | Capacitor and method of production thereof |
| US10347423B2 (en) | 2014-05-12 | 2019-07-09 | Capacitor Sciences Incorporated | Solid multilayer structure as semiproduct for meta-capacitor |
| RU2016143558A (ru) * | 2014-05-12 | 2018-06-13 | Кэпэситор Сайенсиз Инкорпорейтед | Устройство для хранения энергии и способ его изготовления |
| AU2015343211A1 (en) | 2014-11-04 | 2017-04-27 | Capacitor Sciences Incorporated | Energy storage devices and methods of production thereof |
| CA2977776A1 (en) | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Capacitor Sciences Incorporated | Self-healing capacitor and methods of production thereof |
| US9932358B2 (en) | 2015-05-21 | 2018-04-03 | Capacitor Science Incorporated | Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor |
| US9941051B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-04-10 | Capactor Sciences Incorporated | Coiled capacitor |
| US10026553B2 (en) | 2015-10-21 | 2018-07-17 | Capacitor Sciences Incorporated | Organic compound, crystal dielectric layer and capacitor |
| US10305295B2 (en) | 2016-02-12 | 2019-05-28 | Capacitor Sciences Incorporated | Energy storage cell, capacitive energy storage module, and capacitive energy storage system |
| US9978517B2 (en) | 2016-04-04 | 2018-05-22 | Capacitor Sciences Incorporated | Electro-polarizable compound and capacitor |
| US10153087B2 (en) | 2016-04-04 | 2018-12-11 | Capacitor Sciences Incorporated | Electro-polarizable compound and capacitor |
| US10395841B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-08-27 | Capacitor Sciences Incorporated | Multilayered electrode and film energy storage device |
Family Cites Families (5)
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